JPWO2006030908A1 - 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006030908A1 JPWO2006030908A1 JP2006535229A JP2006535229A JPWO2006030908A1 JP WO2006030908 A1 JPWO2006030908 A1 JP WO2006030908A1 JP 2006535229 A JP2006535229 A JP 2006535229A JP 2006535229 A JP2006535229 A JP 2006535229A JP WO2006030908 A1 JPWO2006030908 A1 JP WO2006030908A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holding
- liquid
- plate member
- processing substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本願は、2004年9月17日に出願された特願2004−271634号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
図1は本発明に係る露光装置の第1の実施形態を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを支持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダ(基板保持装置)PHを有し、基板ホルダPHに保持された基板Pを移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。なお、ここでいう「基板」は、露光処理を含む各種プロセス処理を施される処理基板であって、半導体ウエハ上に感光性材料であるフォトレジストを塗布したものを含む。また、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
図5において、基板Pの側面Pcと、その側面Pcに対向するプレート部材Tの側面Tcとの間には、上述したように0.1〜1.0mm程度のギャップAが確保されている。また、第1周壁部42の上面42A、及び第2周壁部62の上面62Aは平坦面となっている。なお、図5には不図示であるが、第3周壁部63の上面63Aも平坦面となっている。また本実施形態においては、第1保持部PH1のうち、第1支持部46は、第1周壁部42と同じ高さか、第1周壁部42よりも僅かに高く形成されている。そして、基板Pの裏面Pbが第1支持部46の上面46Aに支持される。
次に、本発明の第2の実施形態について図6を参照しながら説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
内部流路301が負圧になることで、第1保持部PH1に保持されている基板Pと第2保持部PH2に保持されているプレート部材Tとの間のギャップAから浸入した液体LQは、回収口300を介して回収される。回収口300を介して回収された液体LQは、内部流路301を流れた後、開口部302を介して第2空間32に流入する。ここで、上述した第1の実施形態同様、第2空間32の内側に設けられている第2吸引口61は、液体LQを回収する液体回収口としての機能を有しているため、プレート部材Tの回収口300を介して回収され、内部流路301を流れた液体LQは、第2吸引口61(第2真空系60)によって吸引回収される。
次に、本発明の第3の実施形態について図8を参照しながら説明する。図8において、第1周壁部42のうち、基板Pの裏面Pbと対向する上面42Aは、粗面処理されている。粗面処理された第1周壁部42の上面42Aは、基板Pの裏面Pbとの間で形成されたギャップDにおいて、液体LQの移動を妨げるので、ギャップAから液体LQが浸入したとしても、そのギャップAから液体LQがギャップDを介して基板Pの裏面Pb側の第1空間31に液体LQが浸入することを防止できる。
次に、本発明の第4の実施形態について図10を参照しながら説明する。図10において、基板Pの裏面PbのうちギャップAの近くには、撥液性材料からなるシート状部材400が設けられている。シート状部材400を形成する撥液性材料としては、例えばフッ素系樹脂材料やアクリル系樹脂材料等が挙げられる。本実施形態において、シート状部材400には、「ゴアテックス(商品名)」が用いられている。シート状部材400は、基板Pの周縁領域に応じた環状に形成されており、基板Pの裏面Pbの周縁領域に配置されている。上述したように、基板Pの周縁領域は第1周壁部42の外側に所定量オーバーハングしており、シート状部材400は、基板Pの裏面Pbのオーバーハング部Pbhを含む領域、及び第1周壁部42の上面42Aと対向する一部の領域を含むように配置されている。なお、シート状部材400は、基板Pの裏面Pbのうち、第1周壁部42の上面42Aと対向していないオーバーハング部Pbhのみに配置されていてもよいし、第1周壁部42の上面42Aの全域と対向するように、基板Pの裏面Pbの周縁領域において広範囲に配置されていてもよい。
次に、本発明の第5の実施形態について図11を参照しながら説明する。図11において、基材PHB上における第1周壁部42の外側には、液体LQに対して撥液性を有する撥液性部材450が設けられている。撥液性部材450は、第1周壁部42と第2周壁部62との間において、第1周壁部42の外側を囲むように環状に形成されている。撥液性部材450を形成する撥液性材料としては、例えばフッ素系樹脂材料やアクリル系樹脂材料等が挙げられる。上述した第4の実施形態同様、撥液性部材450には「ゴアテックス(商品名)」が用いられている。撥液性部材450は、基板Pの裏面Pbのオーバーハング部Pbhの下に設けられており、撥液性部材450の上面450Aと第1保持部PH1に保持された基板Pの裏面Pbとは対向している。
次に、本発明の第6の実施形態について図12を参照しながら説明する。図12において、基材PHB上における第1周壁部42の外側には、液体LQを保持可能な多孔質部材500が設けられている。多孔質部材500は、ギャップAから浸入した液体LQを保持するためのものである。多孔質部材500は、第1周壁部42と第2周壁部62との間において、第1周壁部42の外側を囲むように環状に形成されている。多孔質部材500は、ギャップAの下に配置されている。更に、多孔質部材500は、基板Pの裏面Pbのオーバーハング部Pbhの下の領域、及びプレート部材Tの裏面Tbのオーバーハング部Tbhの下の領域のそれぞれに配置されるように大きく形成されている。そして、多孔質部材500の上面500Aと、第1保持部PH1に保持された基板Pの裏面Pb(オーバーハング部Pbh)及び第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの裏面Tb(オーバーハング部Tbh)とは対向している。
次に、本発明の第7の実施形態について図13を参照しながら説明する。図13において、第1周壁部42の上面42Aの一部は、基板Pの裏面Pbと対向しているとともに、残りの一部はギャップAの下に配置されている。すなわち、本実施形態においては、基板Pにはオーバーハング部が設けられておらず、第1周壁部42の上面42Aは、その幅(第1周壁部の径方向のサイズ)42Hが比較的大きくなるように(幅広になるように)形成されている。
次に、本発明の第8の実施形態について図14を参照しながら説明する。図14において、第1周壁部42の少なくとも一部は多孔体600によって形成されている。本実施形態においては、第1周壁部42は、基材PHBと同じ材料(例えば金属)からなり、第1空間31側に設けられた内側面42Bと、第2周壁部62に対向するように設けられた外側面42Cとを備えており、その内側面42Bと外側面42Cとの間に多孔体600が設けられている。したがって、本実施形態においては、第1周壁部42の上面42Aも多孔体600によって形成されている。第1周壁部42の少なくとも一部を多孔体600によって形成したことにより、ギャップAから液体LQが浸入した場合でも、その液体LQは多孔体600で保持されるので、基板Pの裏面Pb側への液体LQの浸入を防止できる。
次に、本発明の第9の実施形態について図15を参照しながら説明する。図15において、第1周壁部42は多孔体700によって形成されている。
次に、本発明の第10の実施形態について図16を参照しながら説明する。図16において、第1周壁部42の表面には気体を吹き出す吹出口803が設けられている。図16に示す例では、吹出口803は、第1周壁部42の上面42A、内側面42B、及び外側面42Cのそれぞれに形成されている。吹出口803には、流路804を介して気体供給系805が接続されている。気体供給系805が駆動されると、気体供給系805から送出された気体は、流路804を流れた後、吹出口803を介して第1周壁部42の外部に吹き出る。したがって、ギャップAから浸入した液体LQが、ギャップDを介して第1空間31に浸入しようとしても、吹出口803から吹き出た気体の流れによって、第1空間31への液体LQの浸入を阻止することができる。
上述した第1〜第10の実施形態においては、プレート部材Tと基板Pとの間のギャップAから浸入した液体LQを処理する場合について説明したが、図17に示すように、基板ホルダPH上には、例えば投影光学系PL及び液体LQを介した露光光ELの照射状態を計測する光計測部900が設けられている場合がある。図17の光計測部900は、例えば特開昭57−117238号公報に開示されているような照度ムラセンサを模式的に示したものであって、光透過性を有する上板901と、上板901の下に設けられた光学素子902とを備えている。上板901上には、クロムなどの遮光性材料を含む薄膜960が設けられており、その薄膜960の一部に光を通過可能なピンホール部970が設けられている。上板901及び光学素子902は、基材PHB上に設けられた支持部材903に支持されている。支持部材903は、上板901及び光学素子902を囲む連続した壁部を有している。また、光学素子902の下方には、ピンホール部970を通過した光(露光光EL)を受光する光センサ950が配置されている。光センサ950は基材PHB上に配置されている。
マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−330224号公報(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
Claims (25)
- 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むようにプレート部材を保持する第2保持部とを備え、
前記第2保持部は、前記プレート部材の裏面側に空間が形成されるように前記プレート部材を保持し、
前記プレート部材の裏面には、前記第1保持部で保持された処理基板と前記第2保持部で保持されたプレート部材との間のギャップから浸入した液体を吸収する吸収部材が配置されている基板保持装置。 - 前記吸収部材は多孔質部材を含み、前記多孔質部材で保持された液体を吸引回収する回収機構を有する請求項1記載の基板保持装置。
- 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むようにプレート部材を保持する第2保持部とを備え、
前記プレート部材のうち物体と対向する側面には、液体を回収する回収口が設けられている基板保持装置。 - 前記物体は前記第1保持部で保持された処理基板であって、前記回収口は、前記処理基板と前記第2保持部で保持されたプレート部材との間のギャップから浸入した液体を回収する請求項3記載の基板保持装置。
- 前記プレート部材の内部には、前記回収口に接続し、液体が流れる内部流路が形成されている請求項3又は4記載の基板保持装置。
- 前記第2保持部は、前記プレート部材の裏面側に空間が形成されるように前記プレート部材を保持し、
前記空間を負圧にする吸引機構を備え、
前記プレート部材の内部流路は、前記回収口と前記空間とを接続する請求項3〜5のいずれか一項記載の基板保持装置。 - 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むようにプレート部材を保持する第2保持部とを備え、
前記第1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第1支持部と、前記処理基板の裏面に対向し、前記第1支持部を囲むように形成された第1周壁部とを有し、
前記第1周壁部のうち前記処理基板の裏面と対向する上面は、粗面処理されている基板保持装置。 - 前記第1保持部は、前記処理基板の裏面側に空間が形成されるように前記処理基板を保持し、
前記粗面処理された上面は、前記処理基板の裏面との間で、前記第1保持部で保持された処理基板と前記第2保持部で保持されたプレート部材との間のギャップから浸入した液体が前記空間に浸入することを阻止する請求項7記載の基板保持装置。 - 前記第1周壁部の上面には、前記粗面処理として、周方向に沿った溝部が形成されている請求項7又は8記載の基板保持装置。
- 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むようにプレート部材を保持する第2保持部とを備え、
前記第1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第1支持部と、前記処理基板の裏面に対向し、前記第1支持部を囲むように形成された第1周壁部とを有し、
前記第1周壁部の外側には、前記液体に対して撥液性を有する撥液性部材が設けられている基板保持装置。 - 前記第1保持部は、前記処理基板の裏面側に空間が形成されるように前記処理基板を保持し、
前記撥液性部材は、前記第1保持部で保持された処理基板と前記第2保持部で保持されたプレート部材との間のギャップから浸入した液体が前記空間に浸入することを阻止する請求項10記載の基板保持装置。 - 前記撥液性部材は、前記第1周壁部の外側を囲むように環状に形成されている請求項10又は11記載の基板保持装置。
- 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むようにプレート部材を保持する第2保持部とを備え、
前記第1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第1支持部と、前記処理基板の裏面に対向し、前記第1支持部を囲むように形成された第1周壁部とを有し、
前記第1周壁部の外側には、前記第1保持部で保持された処理基板と前記第2保持部で保持されたプレート部材との間のギャップから浸入した液体を保持する多孔質部材が設けられている基板保持装置。 - 前記多孔質部材は、前記第1周壁部の外側を囲むように環状に形成されている請求項13記載の基板保持装置。
- 前記第2保持部は、前記プレートの裏面を支持する凸状の第2支持部と、前記プレート部材の裏面に対向し、前記第1周壁部を囲むように設けられた第2周壁部とを有し、
前記多孔質部材は、前記第1周壁部と前記第2周壁部との間に設けられている請求項13又は14記載の基板保持装置。 - 前記多孔質部材は、前記ギャップの下に配置されている請求項13〜15のいずれか一項記載の基板保持装置。
- 前記多孔質部材に接触し、前記多孔質部材で保持された液体を吸引回収する回収機構を有する請求項13〜16のいずれか一項記載の基板保持装置。
- 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むようにプレート部材を保持する第2保持部とを備え、
前記第1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第1支持部と、前記処理基板の裏面に対向し、前記第1支持部を囲むように形成された第1周壁部とを有し、
前記第1周壁部の少なくとも一部は多孔体からなる基板保持装置。 - 前記多孔体の表面に配置された液体を前記多孔体を介して吸引回収する回収機構を備えた請求項18記載の基板保持装置。
- 前記多孔体を介して前記多孔体の表面より気体を吹き出す気体供給機構を備えた請求項18記載の基板保持装置。
- 前記第1周壁部は、前記処理基板の裏面と対向する上面を有し、少なくとも前記上面が前記多孔体である請求項18〜20のいずれか一項記載の基板保持装置。
- 液体を介して露光される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部で保持された処理基板の周囲を囲むようにプレート部材を保持する第2保持部とを備え、
前記第1保持部は、前記処理基板の裏面を支持する凸状の第1支持部と、前記処理基板の裏面に対向し、前記第1支持部を囲むように形成された第1周壁部とを有し、
前記第1周壁部の少なくとも一部から気体を吹き出す気体供給機構を備えた基板保持装置。 - 前記プレート部材は液体に対して撥液性を有する請求項1〜22のいずれか一項記載の基板保持装置。
- 請求項1〜請求項23のいずれか一項記載の基板保持装置を備え、その基板保持装置に保持された処理基板を、液体を介して露光する露光装置。
- 請求項24記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004271634 | 2004-09-17 | ||
JP2004271634 | 2004-09-17 | ||
PCT/JP2005/017173 WO2006030908A1 (ja) | 2004-09-17 | 2005-09-16 | 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006030908A1 true JPWO2006030908A1 (ja) | 2008-05-15 |
JP4618253B2 JP4618253B2 (ja) | 2011-01-26 |
Family
ID=36060155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006535229A Expired - Fee Related JP4618253B2 (ja) | 2004-09-17 | 2005-09-16 | 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8102512B2 (ja) |
EP (2) | EP2325866A1 (ja) |
JP (1) | JP4618253B2 (ja) |
KR (1) | KR101106496B1 (ja) |
HK (1) | HK1106616A1 (ja) |
SG (3) | SG188899A1 (ja) |
WO (1) | WO2006030908A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI409853B (zh) | 2003-06-13 | 2013-09-21 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, a substrate stage, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
EP1699072B1 (en) | 2003-12-03 | 2016-08-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
SG186621A1 (en) * | 2004-06-09 | 2013-01-30 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate |
WO2006030908A1 (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2006064851A1 (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Nikon Corporation | 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4657824B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2011-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、基板処理装置および基板載置台の製造方法 |
JP4968076B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2012-07-04 | 株式会社ニコン | 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US20070273856A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate |
WO2007139017A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Nikon Corporation | 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7532309B2 (en) * | 2006-06-06 | 2009-05-12 | Nikon Corporation | Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid |
JP5029611B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2012-09-19 | 株式会社ニコン | クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8134685B2 (en) * | 2007-03-23 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
US8514365B2 (en) * | 2007-06-01 | 2013-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7561250B2 (en) * | 2007-06-19 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto |
JP4961299B2 (ja) * | 2007-08-08 | 2012-06-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
NL1036194A1 (nl) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8889042B2 (en) * | 2008-02-14 | 2014-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Coatings |
US20090218743A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, plate member, and wall |
US9176393B2 (en) * | 2008-05-28 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
EP2131242A1 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-09 | ASML Netherlands B.V. | Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036924A1 (nl) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5235509B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-07-10 | 株式会社東京精密 | ウェーハ位置決め装置およびウェーハ位置決め装置におけるテーブル |
US8336188B2 (en) * | 2008-07-17 | 2012-12-25 | Formfactor, Inc. | Thin wafer chuck |
NL2004305A (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-14 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005126A (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method. |
NL2007802A (en) | 2010-12-21 | 2012-06-25 | Asml Netherlands Bv | A substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
JP5617708B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2014-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 蓋体開閉装置 |
DE102011007682A1 (de) * | 2011-04-19 | 2012-10-25 | Siltronic Ag | Suszeptor zum Abstützen einer Halbleiterscheibe und Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe |
US11085112B2 (en) * | 2011-10-28 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor with ring to limit backside deposition |
EP3455677A1 (en) | 2016-05-12 | 2019-03-20 | ASML Netherlands B.V. | Extraction body for lithographic apparatus |
JP6758920B2 (ja) * | 2016-06-01 | 2020-09-23 | キヤノン株式会社 | チャック、基板保持装置、パターン形成装置、及び物品の製造方法 |
US11139196B2 (en) * | 2017-10-12 | 2021-10-05 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder for use in a lithographic apparatus |
JP6985102B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2021-12-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
US11081383B2 (en) * | 2017-11-24 | 2021-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Substrate table with vacuum channels grid |
TWI697740B (zh) * | 2018-01-03 | 2020-07-01 | 志聖工業股份有限公司 | 曝光組件及曝光裝置 |
CN111742402A (zh) * | 2018-02-20 | 2020-10-02 | 应用材料公司 | 用于双面处理的图案化真空吸盘 |
US11482417B2 (en) * | 2019-08-23 | 2022-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of manufacturing semiconductor structure |
TW202129832A (zh) | 2020-01-21 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip 控股公司 | 用於均勻沉積之具有側壁隆起的基座及處理結晶基材之方法 |
JP2022062986A (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-21 | 富士電機株式会社 | 半導体検査装置および半導体ウエハの検査方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1429188A2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-16 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2004112108A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Nikon Corporation | 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2005057636A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
WO2005059977A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
JP2005191557A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2005259870A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
WO2005122219A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 基板保持装置及びそれを備える露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに撥液プレート |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
NL8204450A (nl) | 1982-11-17 | 1984-06-18 | Philips Nv | Verplaatsingsinrichting, in het bijzonder voor het stralingslithografisch behandelen van een substraat. |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2830492B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5623853A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3709896B2 (ja) * | 1995-06-15 | 2005-10-26 | 株式会社ニコン | ステージ装置 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2001345245A (ja) | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN101382738B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-01-12 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
EP2495613B1 (en) * | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN1723541B (zh) | 2002-12-10 | 2010-06-02 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
KR20140139139A (ko) | 2003-04-10 | 2014-12-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
WO2004093160A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
TWI616932B (zh) * | 2003-05-23 | 2018-03-01 | Nikon Corp | Exposure device and component manufacturing method |
US7213963B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2466382B1 (en) | 2003-07-08 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
KR101419192B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
EP1699072B1 (en) | 2003-12-03 | 2016-08-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
EP3376523A1 (en) * | 2004-01-05 | 2018-09-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
WO2006030908A1 (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP2472332B1 (en) * | 2004-11-01 | 2014-03-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
JP2007266504A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Canon Inc | 露光装置 |
US20070273856A1 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate |
-
2005
- 2005-09-16 WO PCT/JP2005/017173 patent/WO2006030908A1/ja active Application Filing
- 2005-09-16 SG SG2013018965A patent/SG188899A1/en unknown
- 2005-09-16 KR KR1020067027853A patent/KR101106496B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-16 SG SG200906167-2A patent/SG155927A1/en unknown
- 2005-09-16 EP EP11158026A patent/EP2325866A1/en not_active Withdrawn
- 2005-09-16 EP EP05783614.0A patent/EP1801850B1/en not_active Not-in-force
- 2005-09-16 JP JP2006535229A patent/JP4618253B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-16 US US11/575,392 patent/US8102512B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-16 SG SG10201801998TA patent/SG10201801998TA/en unknown
-
2007
- 2007-11-08 HK HK07112121.0A patent/HK1106616A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-12-22 US US13/334,773 patent/US9341959B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-04-19 US US15/132,717 patent/US20160231653A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-06-13 US US16/007,655 patent/US20180292759A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1429188A2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-16 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2004112108A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Nikon Corporation | 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2005191557A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
WO2005057636A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
WO2005059977A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
JP2005259870A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
WO2005122219A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 基板保持装置及びそれを備える露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに撥液プレート |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2325866A1 (en) | 2011-05-25 |
SG155927A1 (en) | 2009-10-29 |
EP1801850A1 (en) | 2007-06-27 |
EP1801850B1 (en) | 2014-11-26 |
US8102512B2 (en) | 2012-01-24 |
HK1106616A1 (en) | 2008-03-14 |
US20160231653A1 (en) | 2016-08-11 |
JP4618253B2 (ja) | 2011-01-26 |
SG10201801998TA (en) | 2018-04-27 |
US9341959B2 (en) | 2016-05-17 |
EP1801850A4 (en) | 2008-12-10 |
US20120094238A1 (en) | 2012-04-19 |
US20180292759A1 (en) | 2018-10-11 |
KR101106496B1 (ko) | 2012-01-20 |
US20070269294A1 (en) | 2007-11-22 |
WO2006030908A1 (ja) | 2006-03-23 |
SG188899A1 (en) | 2013-04-30 |
KR20070054603A (ko) | 2007-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4618253B2 (ja) | 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP6319394B2 (ja) | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 | |
JP4844186B2 (ja) | プレート部材、基板保持装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP5130609B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP5287948B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4655763B2 (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2010118714A (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2011258965A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4826146B2 (ja) | 露光装置、デバイス製造方法 | |
JP4752320B2 (ja) | 基板保持装置及び露光装置、基板保持方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP2005310933A (ja) | 基板保持部材、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP5633533B2 (ja) | ノズル部材、液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2010212695A (ja) | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100928 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101011 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4618253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |