JPWO2005117083A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

本発明は、基板処理装置のクリーニングの効率を向上することを課題としている。このため、内部に被処理基板を保持する処理容器と、前記処理容器内に処理のためのガスを供給するガス供給手段と、前記処理容器内に設けられた、前記被処理基板を保持する保持台と、前記処理容器内の空間を第１の空間と第２の空間に分離するシールド板と、を有する基板処理装置であって、前記第１の空間を排気する第１の排気経路と、前記第２の空間を排気する第２の排気経路と、を有する基板処理装置を用いた。

Description

本発明は、被処理基板を処理する基板処理装置に関する。
被処理基板を処理する基板処理装置において、例えば成膜などの処理を行う処理容器では、処理容器の内壁面の状態が基板処理に及ぼす影響が問題になる場合があった。
例えば、被処理基板に、スパッタリング法や、ＣＶＤ法（化学気相成長法）などを用いて成膜を行う時、被処理基板のみならず、処理容器の内壁面にも成膜がされてしまい、内壁面からの膜の剥離がパーティクルの発生などを生じ、歩留りの低下などの問題が発生する場合があった。
そのため、処理容器の内壁面の保護のために、いわゆるシールド板とよばれる板状の保護部材が取り付けられる場合があった。例えば、シールド板を交換することにより、パーティクルの発生を抑制する方法や、シールド板を加熱することで当該シールド板に付着する膜の量を低減する方法、またシールド板を加熱することで、当該シールド板のクリーニング処理の効率を向上させて、当該シールド板からの膜の剥離やパーティクルの発生を抑制する試みが行われてきた。
特開平６−１５１３２１号公報
しかし、処理容器にシールド板を設置した場合には、当該シールド板と処理容器の間に隙間が生じてしまうため、例えば基板処理の場合の成膜ガスなどが当該隙間に侵入し、そのために当該隙間に堆積物が形成され、パーティクルの発生源となってしまう場合があった。
このようなシールド板と処理容器の隙間の堆積物を、例えばプラズマ励起されたクリーングガスなどを用いてクリーニング処理により除去しようとした場合、当該隙間に効率よくクリーニングガスをいきわたらせることが困難であるため、クリーニング効率が悪く、堆積物の除去が困難となってしまう問題を有していた。
そこで、本発明では上記の問題を解決した、新規で有用な基板処理装置を提供することを目的としている。
本発明の具体的な課題は、基板処理装置において、シールド板が設置された処理容器内の堆積物のクリーニング効率を向上させることである。
本発明は、上記の課題を、内部に被処理基板を保持する処理容器と、前記処理容器内に処理のためのガスを供給するガス供給手段と、前記処理容器内に設けられた、前記被処理基板を保持する保持台と、前記処理容器内の空間を第１の空間と第２の空間に分離するシールド板と、を有する基板処理装置であって、前記第１の空間を排気する第１の排気経路と、前記第２の空間を排気する第２の排気経路と、を有することを特徴とする基板処理装置により解決する。
本発明によれば、基板処理装置のクリーニングの効率を向上させることが可能となる。
本発明の実施例１による基板処理装置の概略断面図である。 図１の基板処理装置に用いるスロット板の平面図である。 本発明の実施例２による基板処理装置の概略断面図である。
符号の説明
１００，１００Ａ 基板処理装置
１０１ 処理容器
１０２ 第１の空間
１０３，１０３Ａ，１０３Ｂ 第２の空間
１０４，１０４Ａ，１０４Ｂ シールド板
１０４ａ，１０４ｂ ヒータ
１０５，１０６ 第２の排気口
１０７，１０８ 排気溝
１０９，１１２，１４２ 排気ライン
１１０，１１１ バルブ
１１３ 排気手段
１１４ 処理ガス供給部
１１４Ａ 処理ガス導入口
１１４Ｂ 処理ガス通路
１１４Ｃ ガス穴
１１５ プラズマガス供給リング
１１６ 透過窓支持部
１１７ アンテナフランジ
１１８ マイクロ波透過窓
１１９ シールリング
１２０ 保持台
１２０Ａ ヒータ
１２１ 保持台支持
１２２ 密封手段
１３０ ラジアルラインスロットアンテナ
１３１ 同軸導波管
１３１Ａ 導波管
１３１Ｂ 中心導体
１３２ アンテナ本体
１３３ 冷却水通路
１３４ 遅相板
１３５ スロット板
１３５ａ，１３５ｂ スロット
１４０ シャワーヘッド
１４１ 排気口
１４３ ガス溝
１４４ ガス供給ライン
１５１ ガス溝
１５２ ガス穴
２００ 制御装置
次に、本発明の実施の形態に関して図面に基づき、説明する。
図１は、本発明の実施例１による基板処理装置１００を模式的に示した概略断面図である。図１を参照するに、基板処理装置１００は、例えばＡｌなどの金属により形成された、処理容器１０１を有しており、当該処理容器１０１の内部には、被処理基板Ｗを保持する保持台１２０が設置さている。当該保持台１２０は、例えば略円柱状の支持部１２１により支持され、当該支持部１２１は前記処理容器１０１の底部に形成された穴部に、起立するようにして挿入され、当該処理容器１０１と当該支持部１２１の隙間は、例えば磁性流体や、真空ベローズなどの密封手段１２２により、封止されている。
また、前記処理容器１０１上の、前記保持台１２０に載置された前記被処理基板Ｗに対応する部分には、略円板状の、マイクロ波を透過するマイクロ波透過窓１１８が設置されており、さらに前記マイクロ波透過窓１１８と前記処理容器１０１の間には、略リング状の、プラズマガスを処理容器内に供給するためのプラズマガス供給リング１１５が設置されている。また、前記マイクロ波透過窓１１８は、透過窓支持部１１６を介して、前記プラズマガス供給リング１１５と接する構造になっており、前記マイクロ波透過窓１１８と前記透過窓支持部１１６は、シールリング１１９によって接触部の気密が保持される構造になっている。
また、前記マイクロ波透過窓１１８と、前記保持台１２０の間には、処理容器内に処理ガスを供給する、処理ガス供給部１１４が設置されている。当該処理ガス供給部１１４は、前記プラズマガス供給リング１１５より前記保持台１２０側に設置される。
本実施例による基板処理装置１００では、前記処理容器１０１内に、前記プラズマガス供給リング１１５（第１のガス供給手段）よりプラズマガスを、前記処理ガス供給部１１４（第２のガス供給手段）より処理ガスを、それぞれ別個独立に処理容器内に供給して基板処理を行う事が可能な構造になっている。供給されたプラズマガスまたは処理ガスは、後述するラジアルラインスロットアンテナを介して導入されるマイクロ波によりプラズマ励起され、プラズマ励起されたこれらのガスによって、例えば成膜などの基板処理が行われる。
前記プラズマガス供給リング１１５には、ガス導入口１１５Ａより、例えばＡｒなどのプラズマガスが導入され、プラズマガスは前記ガス供給リング１１５の内部に略環状に形成されたガス溝１１５Ｂ中を拡散する。
前記ガス溝１１５Ｂ内を拡散したプラズマガスは、当該ガス溝１１５Ｂに連通する複数のプラズマガス穴１１５Ｃから前記処理容器１０１内に供給される。さらに、前記処理容器１０１内に供給された当該プラズマ処理ガスは、略格子状に形成された前記処理ガス供給部１１４の格子の穴を経由して、被処理基板近傍に到達する。
前記処理ガス供給部１１４は、前記処理容器１０１中、前記マイクロ波透過窓１１８と前記保持台１２０上の被処理基板Ｗの間に、当該被処理基板Ｗに対面するように、前記処理容器１０１の一部に保持されるようにして設置されている。
前記処理ガス供給部１１４には、処理ガス導入口１１４Ａから処理ガスが導入され、当該処理ガスは、当該処理ガス供給部１１４の内部に略格子状に形成された処理ガス通路１１４Ｂを拡散し、処理容器内部に連通するガス穴１１４Ｃから処理容器内に供給される。
また、前記プラズマガス供給リング１１５または処理ガス供給部１１４からは、基板処理のためのガスの他、処理容器内をクリーニングするためのクリーニングガスを供給することが可能であり、当該クリーニングガスによって処理容器内をクリーニングすることが可能であり、必要に応じてクリーニングガスをプラズマ励起して処理容器内のクリーニングに用いると好適である。
前記マイクロ波透過窓１１８上には、前記マイクロ波透過窓１１８に密接し、図２に示す多数のスロット１３５ａ，１３５ｂが形成されたディスク状のスロット板１３５と、前記スロット板１３５を押圧するディスク状のアンテナ本体１３２と、前記スロット板１３５が挿入される略ドーナツ状のアンテナフランジ１１７と、前記スロット板１３５と前記アンテナ本体１３２との間に挟持されたＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2あるいはＳｉ3Ｎ4の低損失誘電体材料よりなる遅相板１３４とにより構成されたラジアルラインスロットアンテナ１３０が設けられている。
前記ラジアルラインスロットアンテナ１３０は前記処理容器１０１上に前記プラズマガス供給リング１１５を介して装着されており、前記ラジアルラインスロットアンテナ１３０には同軸導波管１３１を介して外部のマイクロ波源（図示せず）より周波数が２．４５ＧＨｚあるいは８．３ＧＨｚのマイクロ波が供給される。
供給されたマイクロ波は前記スロット板１３５上のスロット１３５ａ，１３５ｂから前記マイクロ波透過窓１１８を介して前記処理容器１０１中に放射され、前記マイクロ波透過窓１１８直下の空間において、前記プラズマガス穴１１５Ｃから供給されたプラズマガス中にプラズマを励起する。
前記同軸導波管１３１のうち、外側の導波管１３１Ａは前記ディスク状のアンテナ本体１３２に接続され、中心導体１３１Ｂは、前記遅相板１３４に形成された開口部を介して前記スロット板１３５に接続されている。そこで前記同軸導波管１３１に供給されたマイクロ波は、前記アンテナ本体１３２とスロット板１３５との間を径方向に進行しながら、前記スロット１３５ａ，１３５ｂより放射される。
図２は前記スロット板１３５上に形成されたスロット１３５ａ，１３５ｂを示す。
図２を参照するに、前記スロット１３５ａは同心円状に配列されており、各々のスロット１３５ａに対応して、これに直行するスロット１３５ｂが同じく同心円状に形成されている。前記スロット１３５ａ，１３５ｂは、前記スロット板１３５の半径方向に、前記遅相板１３４により圧縮されたマイクロ波の波長に対応した間隔で形成されており、その結果マイクロ波は前記スロット板１３５から略平面波となって放射される。その際、前記スロット１３５ａおよび１３５ｂを相互の直交する関係で形成しているため、このようにして放射されたマイクロ波は、二つの直交する偏波成分を含む円偏波を形成する。
また、前記基板処理装置１００では、前記アンテナ本体１３２に、冷却水通路１３３が形成されており、前記マイクロ波透過窓１１８に蓄積された熱を、前記ラジアルラインスロットアンテナ１３２を介して吸収する。
本実施例による基板処理装置１００では、前記ラジアルラインスロットアンテナ１３０直下の、広い領域にわたって高いプラズマ密度を実現でき、短時間で均一なプラズマ処理を行うことが可能である。しかもかかる手法で形成されたマイクロ波プラズマではマイクロ波によりプラズマを励起するため電子温度が低く、被処理基板のダメージや金属汚染を回避することができる。さらに大面積基板上にも均一なプラズマを容易に励起できるため、大口径半導体基板を使った半導体装置の製造工程や大型液晶表示装置の製造にも容易に対応できる。
本実施例による基板処理装置１００では、例えば、アッシング、エッチングや表面改質、表面酸化、表面窒化、表面酸窒化、成膜などの処理を行う事が可能である。
前記基板処理装置１００において、例えば成膜処理を行う場合には、処理容器内で被処理基板以外の部分にも成膜処理によって形成される膜が付着する場合がある。また、このような膜の付着は成膜処理のみならず、エッチングやその他の被処理基板の表面処理の場合にも発生する場合がある。
このため、本実施例による基板処理装置１００では、前記処理容器１０１内に、前記処理容器１０１の内壁面や前記支持部１２１の壁面を覆うように、シールド板１０４が設置されている。前記シールド板１０４は、前記処理容器１０１の内壁面を覆うように設置されたシールド板１０４Ａと、前記支持部１２１の壁面を覆うように形成されたシールド板１０４Ｂから構成されている。
前記シールド板１０４が設置されたことで、前記処理容器１０１内で、被処理基板Ｗ以外の部分、例えば処理容器１０１の内壁面や前記支持部１２１の壁面に膜が付着することを防止することが可能となる。
また、前記シールド板１０４Ａおよび前記シールド板１０４Ｂには、それぞれヒータ１０４ａおよびヒータ１０４ｂが設けられており、前記シールド板１０４を加熱することが可能になっている。
前記シールド板１０４を加熱することで温度を上げると、例えば、当該シールド板１０４に付着する膜の量を少なくする効果があり、特には炭化水素系のガスやフロロカーボン系のガスを用いた場合に、カーボンを含む膜が前記シールド板１０４に付着する量を少なくする効果が大きくなる。そのため、膜の剥離によるパーティクルの発生を抑制して基板処理の歩留りを向上させ、またシールド板のクリーニング時間を短縮、メンテナンスサイクルの長期化などを可能として、基板処理の効率を向上させることができる。
前記シールド板１０４を設置することで、上記の効果を得ることが可能となる一方、前記処理容器１０１内には、付着した膜をクリーングなどの処理によって除去することが困難となる場所が生じる問題があった。
例えば、前記シールド板１０４は、前記処理容器１０１内の空間を、おもに、当該シールド板１０４と前記保持台１２０の間に生じる第１の空間１０２と、当該シールド板１０４と前記処理容器１０１の内壁面の間の隙間、または当該シールド板１０４と前記支持部１２１の壁面の間の隙間とに生じる第２の空間１０３に分離するように設置されている。具体的には、前記シールド板１０４のうち、前記シールド板１０４Ａと前記処理容器１０１の内壁面との間に第２の空間１０３Ａが、前記シールド板１０４Ｂと前記支持部１２１の間に第２の空間１０３Ｂが形成されており、前記第２の空間１０３は、当該第２の空間１０３Ａ、１０３Ｂを含むように構成される。
従来の基板処理装置では、上記の第２の処理空間１０３に相当するような狭小な空間が形成されている場合、当該狭小な空間に堆積物が堆積し、パーティクルの発生源となる場合があった。これは、従来の基板処理装置では、このような狭小な空間に効率よくクリーニングガスを供給することが困難であったためである。
そこで、本実施例による基板処理装置１００では、前記第１の空間１０２を排気する第１の排気経路と、前記第２の空間１０３を排気する第２の排気経路とをそれぞれ独立に設けることで当該第２の空間１０３の排気効率を向上させて、当該第２の空間に効率よくクリーニングガスが供給されるような構造となっている。
そのため、基板処理の際に、前記第２の空間１０３に付着した膜などの堆積物を効率よく除去することが可能となり、パーティクルの発生が抑制されて基板処理の歩留りを向上させることが可能となり、また、処理容器内のクリーニング時間を短縮することが可能となる。また、処理容器のメンテナンスサイクルの長期化などを可能として、基板処理の効率を向上させることができる。
次に、上記の第１の空間１０２と第２の空間１０３を排気する、それぞれの排気経路の構成について説明する。
前記保持台１２０の周囲に形成され、前記シールド板１０４に囲まれるように形成される、前記第１の空間１０２を排気する第１の排気経路は、前記処理容器１０１の、例えば底面に形成された、複数の第１の排気口１４１を含む構造になっている。
前記第１の排気口１４１には、第１の排気経路となる排気ライン１４２が接続されており、前記第１の空間１０２に供給されたプラズマガス、処理ガスなどのガスは、当該第１の排気口１４１から当該排気ライン１４２を介して排気される構造になっている。
一方、前記処理容器１０１の内壁面と前記シールド板１０４Ａの間の隙間に形成される前記第２の処理空間１０３Ａを排気する第２の排気経路は、当該第２の空間１０３Ａに面する、当該処理容器１０１の内壁面に形成された、第２の排気口１０５を含む構造になっている。同様に、前記支持部１２１と前記シールド板１０４Ｂの間の隙間に形成される前記第２の処理空間１０３Ｂを排気する第２の排気経路は、当該第２の空間１０３Ｂに面する、当該処理容器１０１の内壁面に形成された、第２の排気口１０６を含む構造になっている。
前記第２の排気口１０５および前記第２の排気口１０６は、それぞれ、前記処理容器１０１内の空間を画成する当該処理容器１０１の壁部の内部に形成された、排気溝１０７および排気溝１０８に連通する構造になっており、当該排気溝が第２の排気経路を構成している。
前記排気溝１０７および前記排気溝１０８は、前記処理容器１０１の壁部の内部に延伸するように形成され、当該壁部内部で合流し、さらに前記処理容器１０１に取り付けられた、排気ライン１０９に接続されている。そのため、前記第２の空間１０３は、当該排気ライン１０９を介して排気されるようになっている。なお、前記排気溝１０８は、前記排気ライン１４２とは連通しないように、当該排気ライン１４２を避けて前記排気溝１０７と合流するように形成されている。
このように、本実施例による基板処理装置では、前記第１の処理空間１０２を排気する第１の排気口と、前記第２の処理空間１０３を排気する第２の排気口を独立に設けているため、当該第２の空間１０３の排気効率を向上させることが可能となっている。
そのため、前記処理容器１０１内部をクリーニングガス（プラズマ励起されたクリーニングガスを含む）により、クリーニングする場合に、効率よく当該クリーニングガスを当該第２の処理空間１０３に供給することが可能となり、従来クリーニングすることが困難であった、シールド板の裏面の隙間に形成される空間に堆積した膜などの堆積物をクリーニングする効率が向上する。
また、前記排気ライン１０９と前記排気ライン１４２は、ともに排気ライン１１２に接続され、当該排気ライン１１２には、例えばターボ分子ポンプなどの排気手段１１３が接続されている。本実施例による基板処理装置では、実質的に前記処理容器１０１内の排気をする排気経路を、前記第１の排気経路とするか、前記第２の排気経路とするかを切替え可能な排気経路切替手段を有しており、このために前記第２の空間１０３に、効率よくクリーニングガスを供給することが可能となっている。
前記排気経路切替手段は、例えば、前記排気ライン１４２を遮断可能に設けられた第１のバルブ１１１と、前記排気ライン１０９を遮断可能に設けられた第２のバルブ１１０とからなる。前記バルブ１１０を閉、前記バルブ１１１を開とし、前記排気ライン１０９を遮断した場合、前記処理容器１０１内は、前記第１の排気経路、すなわち前記第１の排気口１４１から前記排気ライン１４２を介して、前記排気手段１１３によって排気されるようになる。
また、前記バルブ１１０を開、前記バルブ１１１を閉とし、前記排気ライン１４２を遮断した場合、前記処理容器１０１内は、前記第２の排気経路、すなわち前記第２の排気口１０５，１０６から前記排気溝１０７，１０８、さらに前記排気ライン１０９を介して、前記排気手段１１３によって排気されるようになる。
このように、排気切替手段によって排気経路を切り替えることにより、処理空間内を効率よく排気し、さらに効率よくクリーニングすることが可能となる。例えば、基板処理を行う場合には、コンダクタンスが大きい前記第１の排気経路から処理空間内を排気することが好ましいが、処理容器内をクリーニングする場合には、必要に応じて第１の排気経路と第２の排気経路を使い分けるようにすることが好ましい。
例えば、前記処理容器１０１の内部のうち、おもに容量の大きい前記第１の空間１０２に面した部分に堆積した膜のクリーニングを行う場合には、排気コンダクタンスのより大きな前記第１の排気経路よりクリーニングガスが排出されるようにすることが好ましい。
また、前記処理容器１０１の内部のうち、前記第２の空間１０３に面した部分に堆積した膜のクリーニングを行う場合には、当該第２の空間１０３を効率よく排気して、当該第２の空間１０３に効率よくクリーニングガスを供給するため、前記第２の排気経路よりクリーニングガスが排出されるようにすることが好ましい。
また、処理空間１０１内のクリーニング処理は、例えば１枚の被処理基板への成膜処理を行うごとに実施する方法、また複数枚の被処理基板への成膜処理を行うごとに実施する方法のいずれの方法で行ってもよい。また、前記第１の空間１０２と、前記第２の空間１０３の、それぞれのクリーニングを行う回数、クリーニングを行う周期などを変更して行うようにしてもよい。
また、前記バルブ１１０および前記バルブ１１１の双方を開放し、前記第１の経路および前記第２の経路の双方からクリーニングガスが排気されるようにしてもよい。
また、本実施例においては、前記バルブ１１１には、排気コンダクタンスを調整することが可能なコンダクタンス可変バルブを用いている。当該コンダクタンス可変バルブを用いたために、第１の排気経路より処理容器内を排気する場合には、当該コンダクタンス可変バルブのコンダクタンスを変更することで、処理容器内の圧力を任意の値に制御することが可能となる。このようなコンダクタンス可変バルブを用いた場合、厳密には排気経路を完全に遮断することは困難であり、通常のダイヤフラムバルブなどに比べてバルブからのリーク量が多いが、バルブをリークして排気されるガス量は僅かであり、実質的には遮断されているとすることができる。
また、前記バルブ１１０には、例えばダイヤフラムバルブなどを用いることが可能であるが、当該バルブ１１０にもコンダクタンス可変バルブを用いることが可能である。
また、本実施例による基板処理装置１００のガス供給量、ガスバルブの開閉、排気バルブの開閉、排気経路のコンダクタンス、ヒータの温度、マイクロ波の出力などの制御は、制御装置２００によって行われる。
次に、前記基板処理装置１００によって行われる基板処理のうち、例えばプラズマＣＶＤ法による、成膜処理の詳細な条件の一例を以下に示す。
前記プラズマガス供給リング１１５より、Ａｒを、流量２００ｓｃｃｍ、前記処理ガス供給部より、Ｃ4Ｆ6を、流量１００ｓｃｃｍ、前記処理容器１０１内に供給し、マイクロ波電力を２０００Ｗ、前記ラジアルラインスロットアンテナ１３０に供給することで処理容器内にマイクロ波プラズマを励起する。この場合、被処理基板上に、ＣＦｘからなる膜を、１００ｎｍ／ｍの成膜速度で形成することが可能である。この場合、処理容器内の排気経路は前記第１の排気経路とすることが好ましい。
また、上記成膜処理を行った場合の処理容器のクリーニング条件の一例を以下に示す。
前記プラズマガス供給リング１１５より、Ａｒを、流量２００ｓｃｃｍ、前記処理ガス供給部より、Ｏ2を、流量３００ｓｃｃｍ、前記処理容器１０１内に供給し、マイクロ波電力を３０００Ｗ、前記ラジアルラインスロットアンテナ１３０に供給することで処理容器内にマイクロ波プラズマを励起し、クリーニングガスを解離してクリーニングに必要なラジカルなどの活性種を形成し、処理容器内のクリーニングを行う。この場合、処理容器内の排気経路は、前記第１の排気経路と前記第２の排気経路を切り替えて双方の排気経路を用いる事が好ましい。
また、本発明による基板処理装置は、実施例１に記載した基板処理装置１００に限定されるものではなく、様々に変形・変更して用いることが可能である。
図３は、本発明による実施例２による基板処理装置１００Ａを模式的に示した概略断面図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図３を参照するに、本実施例による基板処理装置１００Ａでは、実施例１に記載された前記ラジアルラインスロットアンテナ１３０、前記アンテナフランジ１１７、前記透過窓支持部１１６、マイクロ波透過窓１１８を有しておらず、前記処理容器１０１上には、シャワーヘッド１４０が設置された構造になっている。
前記シャワーヘッド１４０は、前記処理容器１０１の開口部を覆うように設置されており、当該シャワーヘッド１４０には、処理ガスが拡散するガス溝１５１と、当該ガス溝１５１から前記第１の空間１０２に連通する複数のガス穴１５２が形成され、処理容器に処理ガスを供給する構造になっている。また、前記ガス溝１５１には、ガス供給ライン１４４に接続されたガス溝１４３が接続され、処理ガスが供給される構造になっている。
本実施例による基板処理装置１００Ａの場合、例えば前記保持台１２０には、当該保持台１２０に載置された被処理基板Ｗを加熱するヒータ１２０Ａが埋設されており、被処理基板Ｗを加熱して５００℃以上の高温にすることが可能な構造になっている。
そのため、例えば前記シャワーヘッド１４０から供給される処理ガスを熱によって分解し、被処理基板Ｗ上に堆積させる、いわゆる熱ＣＶＤ処理を行う事が可能となっている。
また、この場合、クリーニングは、例えば活性なガスを用いたガスクリーニングによって行う事が可能である。
また、本発明は本図に示す以外にも様々に変形・変更して用いることが可能であり、例えば、平行平板型プラズマ処理装置、高密度プラズマ処理装置（ＩＣＰ、ＥＣＲ、ヘリコンなどのプラズマ処理装置）、などにも適用することが可能である。
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
本発明によれば、基板処理装置のクリーニングの効率を向上させることが可能となる。

Claims (13)

  1. 内部に被処理基板を保持する処理容器と、
    前記処理容器内に処理のためのガスを供給するガス供給手段と、
    前記処理容器内に設けられた、前記被処理基板を保持する保持台と、
    前記処理容器内の空間を第１の空間と第２の空間に分離するシールド板と、を有する基板処理装置であって、
    前記第１の空間を排気する第１の排気経路と、
    前記第２の空間を排気する第２の排気経路と、を有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記第１の空間は、前記保持台と前記シールド板の間に形成される空間であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記第２の空間は、前記シールド板と前記処理容器の内壁面の間に形成される空間を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  4. 前記第２の空間は、前記シールド板と前記保持台を支持する支持部との間に形成される空間を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  5. 前記処理容器内を排気する排気経路として、前記第１の排気経路および前記第２の排気経路のうち、いずれかが用いられるように切替えることを可能とする、排気経路切替手段を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  6. 前記排気経路切替手段は、前記第１の排気経路に設けられた第１のバルブと、前記第２の排気経路に設けられた第２のバルブを含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
  7. 前記第１のバルブは、排気コンダクタンスが調整可能なコンダクタンス可変バルブであることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
  8. 前記第１の排気経路は、前記処理容器に設けられた第１の排気口を含み、前記第２の排気経路は、前記処理容器に当該第１の排気口とは独立に設けられた第２の排気口を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  9. 前記第２の排気経路は、前記処理容器内の空間を画成する、当該処理容器の壁部の内部に設けられた排気溝を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  10. 前記処理容器内にプラズマを励起する、プラズマ励起手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  11. 前記プラズマ励起手段は、前記処理容器上に設けられた、ラジアルラインスロットアンテナであることを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
  12. 前記ガス供給手段は、第１のガス供給手段と、当該第１のガス供給手段とは独立に前記処理容器内にガスを供給する第２のガス供給手段からなることを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
  13. 前記シールド板には、当該シールド板を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
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