JPH06104191A - プラズマ生成装置 - Google Patents
プラズマ生成装置Info
- Publication number
- JPH06104191A JPH06104191A JP4277899A JP27789992A JPH06104191A JP H06104191 A JPH06104191 A JP H06104191A JP 4277899 A JP4277899 A JP 4277899A JP 27789992 A JP27789992 A JP 27789992A JP H06104191 A JPH06104191 A JP H06104191A
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- JP
- Japan
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- sample
- space
- reaction chamber
- plasma
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応室内に設けられた試料台の移動機構近傍
に発生したパーティクルの試料への付着を防止して歩留
りを向上させる。 【構成】 反応室４が仕切り部材１によって試料台５の
移動機構６側と試料Ｓの保持側とに仕切られており、移
動機構６の移動により発生したパーティクルは移動機構
６側の空間4aから試料Ｓ保持側の空間4bへ流入しない。
また反応室４の両空間4a，4bそれぞれを排気管７，８を
通して個別に排気し、両空間4a，4bに圧力差を設け、パ
ーティクルが空間4bから仕切り部材１と試料台５との間
の狭小な間隙３を介して空間4bへ流入しないようにす
る。
に発生したパーティクルの試料への付着を防止して歩留
りを向上させる。 【構成】 反応室４が仕切り部材１によって試料台５の
移動機構６側と試料Ｓの保持側とに仕切られており、移
動機構６の移動により発生したパーティクルは移動機構
６側の空間4aから試料Ｓ保持側の空間4bへ流入しない。
また反応室４の両空間4a，4bそれぞれを排気管７，８を
通して個別に排気し、両空間4a，4bに圧力差を設け、パ
ーティクルが空間4bから仕切り部材１と試料台５との間
の狭小な間隙３を介して空間4bへ流入しないようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを利用して半
導体基板等の試料を加工処理するCVD 装置．エッチング
装置，アッシング装置，スパッタリング装置等のプラズ
マ生成装置に関する。
導体基板等の試料を加工処理するCVD 装置．エッチング
装置，アッシング装置，スパッタリング装置等のプラズ
マ生成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のマイクロ波プラズマ生成装
置の構成を示す模式的断面図である。図中14は反応室で
あって、反応室14内には試料Ｓを載置する試料台15及び
この試料台15をその伸縮運動によって上下動させて試料
Ｓを、反応室14の上部に連結されたプラズマ生成用のプ
ラズマ生成室19の方向へ移動させるベローズからなる伸
縮機構16が設けられている。反応室14の側壁には反応室
14及びプラズマ生成室19の内部を排気する排気装置の排
気管17が接続される。また、プラズマ生成室19にはマイ
クロ波導入窓20を介してマイクロ波を導入する導波管21
が接続されている。
置の構成を示す模式的断面図である。図中14は反応室で
あって、反応室14内には試料Ｓを載置する試料台15及び
この試料台15をその伸縮運動によって上下動させて試料
Ｓを、反応室14の上部に連結されたプラズマ生成用のプ
ラズマ生成室19の方向へ移動させるベローズからなる伸
縮機構16が設けられている。反応室14の側壁には反応室
14及びプラズマ生成室19の内部を排気する排気装置の排
気管17が接続される。また、プラズマ生成室19にはマイ
クロ波導入窓20を介してマイクロ波を導入する導波管21
が接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のような可動試料
台15を有する従来のプラズマ生成装置では、反応室14の
真空を保つために試料台15の移動機構としては外部と連
絡しない伸縮機構16を反応室14内に設ける構成が多い
が、伸縮機構16の伸縮運動により発生するパーティクル
が、伸縮機構近傍の空間14a から反応室14内に飛散して
試料Ｓに付着するので、ＬＳＩの高集積化，回路の微細
化に伴って、試料に付着するパーティクルが半導体素子
の電気回路の短絡等を招き、製品の歩留りを低下させる
という問題があった。
台15を有する従来のプラズマ生成装置では、反応室14の
真空を保つために試料台15の移動機構としては外部と連
絡しない伸縮機構16を反応室14内に設ける構成が多い
が、伸縮機構16の伸縮運動により発生するパーティクル
が、伸縮機構近傍の空間14a から反応室14内に飛散して
試料Ｓに付着するので、ＬＳＩの高集積化，回路の微細
化に伴って、試料に付着するパーティクルが半導体素子
の電気回路の短絡等を招き、製品の歩留りを低下させる
という問題があった。
【０００４】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであって、試料台の試料保持側とパーテ
ィクルが発生する試料台の移動機構側とで反応室を仕切
り、仕切られたそれぞれの空間を排気することにより、
移動機構近傍に発生したパーティクルの試料近傍への飛
散を回避して製品歩留りを向上させるプラズマ生成装置
の提供を目的とする。
になされたものであって、試料台の試料保持側とパーテ
ィクルが発生する試料台の移動機構側とで反応室を仕切
り、仕切られたそれぞれの空間を排気することにより、
移動機構近傍に発生したパーティクルの試料近傍への飛
散を回避して製品歩留りを向上させるプラズマ生成装置
の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ生
成装置は、反応室内の試料台に保持された試料にプラズ
マを照射すべく、該試料台をプラズマ生成領域の方向に
移動する移動機構が反応室内に設けられているプラズマ
生成装置において、反応室を試料台の試料保持側と前記
移動機構側とに仕切る仕切り部材と、該仕切り部材によ
り仕切られた両空間のそれぞれを個別に排気する排気手
段とを備えたことを特徴とする。
成装置は、反応室内の試料台に保持された試料にプラズ
マを照射すべく、該試料台をプラズマ生成領域の方向に
移動する移動機構が反応室内に設けられているプラズマ
生成装置において、反応室を試料台の試料保持側と前記
移動機構側とに仕切る仕切り部材と、該仕切り部材によ
り仕切られた両空間のそれぞれを個別に排気する排気手
段とを備えたことを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明に係るプラズマ生成装置は、移動機構に
よる試料台の移動によって試料台の移動機構側の空間に
発生したパーティクルは、仕切り部材によって、試料台
の試料保持側へ飛散せず、パーティクルの試料への付着
が防止される。
よる試料台の移動によって試料台の移動機構側の空間に
発生したパーティクルは、仕切り部材によって、試料台
の試料保持側へ飛散せず、パーティクルの試料への付着
が防止される。
【０００７】また、排気手段によって両空間をそれぞれ
個別に排気する際、両空間の排気速度等を制御して試料
台の移動機構側の空間の圧力を試料保持側の空間の圧力
より低くし、移動機構側から試料保持側へのパーティク
ルの流入を防止する。
個別に排気する際、両空間の排気速度等を制御して試料
台の移動機構側の空間の圧力を試料保持側の空間の圧力
より低くし、移動機構側から試料保持側へのパーティク
ルの流入を防止する。
【０００８】
【実施例】まず、図２に基づいて、本発明に係るプラズ
マ生成装置の原理を説明する。反応室内において試料が
載置されている側の空間をａ、試料台の伸縮機構側の空
間をｂとし、空間ｂとａとの間が狭小な流通路22によっ
て流通している場合、この流通路22を介した空間ｂから
空間ａへの流体の流通をなくすためには、以下の式が成
立しなければならない。
マ生成装置の原理を説明する。反応室内において試料が
載置されている側の空間をａ、試料台の伸縮機構側の空
間をｂとし、空間ｂとａとの間が狭小な流通路22によっ
て流通している場合、この流通路22を介した空間ｂから
空間ａへの流体の流通をなくすためには、以下の式が成
立しなければならない。
【０００９】空間ａから流通路22への流通口ｄ近傍にお
ける空間ａ側の排気装置23a （排気速度Ｓa ）による排
気速度Ｓadと、空間ｂ側の排気装置23b （排気速度Ｓb
）による排気速度Ｓbdとの間には、 Ｓbd ≧ Ｓad 同様に、空間ｂから流通路22への流通口ｅ近傍における
空間ｂ側の排気装置23b による排気速度Ｓbeと、空間ａ
側の排気装置23a による排気速度Ｓaeとの間には、 Ｓbe ≧ Ｓae が成立しなけらばならない。
ける空間ａ側の排気装置23a （排気速度Ｓa ）による排
気速度Ｓadと、空間ｂ側の排気装置23b （排気速度Ｓb
）による排気速度Ｓbdとの間には、 Ｓbd ≧ Ｓad 同様に、空間ｂから流通路22への流通口ｅ近傍における
空間ｂ側の排気装置23b による排気速度Ｓbeと、空間ａ
側の排気装置23a による排気速度Ｓaeとの間には、 Ｓbe ≧ Ｓae が成立しなけらばならない。
【００１０】しかし、流通路22が極めて狭小でそのコン
ダクタンスＣv が極端に小さい場合、流通口ｄにおける
空間ｂ側の排気装置23b による排気速度Ｓbdは、両排気
装置23a ，23b の排気速度Ｓa ，Ｓb には影響されずに
下式のような関係が成立する。 Ｓbd ≒ Ｃv 同様に、流通口ｅにおける空間ａ側の排気装置23a によ
る排気速度Ｓaeは、両排気装置23a ，23b の排気速度Ｓ
a ，Ｓb には影響されずに下式のような関係が成立す
る。 Ｓae ≒ Ｃv
ダクタンスＣv が極端に小さい場合、流通口ｄにおける
空間ｂ側の排気装置23b による排気速度Ｓbdは、両排気
装置23a ，23b の排気速度Ｓa ，Ｓb には影響されずに
下式のような関係が成立する。 Ｓbd ≒ Ｃv 同様に、流通口ｅにおける空間ａ側の排気装置23a によ
る排気速度Ｓaeは、両排気装置23a ，23b の排気速度Ｓ
a ，Ｓb には影響されずに下式のような関係が成立す
る。 Ｓae ≒ Ｃv
【００１１】以上から、下式の関係が成立する。 Ｓbe ≧ Ｓae ≒ Ｃv ≒ Ｓbd ≧ Ｓad 即ち、流通路22内で流体の移動が停止している部分が存
在するということに他ならない。
在するということに他ならない。
【００１２】この関係は、流通口ｅにおける排気速度Ｓ
beが、Ｃv よりも大きければ満足され、空間ｂから空間
ａには流体が流通しない。逆に、Ｓbe＜Ｃv となると、
空間ｂから空間ａへの圧力勾配が発生して空間ｂから空
間ａへ残ガス及びパーティクルが吹き出すことになる。
beが、Ｃv よりも大きければ満足され、空間ｂから空間
ａには流体が流通しない。逆に、Ｓbe＜Ｃv となると、
空間ｂから空間ａへの圧力勾配が発生して空間ｂから空
間ａへ残ガス及びパーティクルが吹き出すことになる。
【００１３】以下、本発明をその実施例を示す図に基づ
いて説明する。図１は本発明に係るマイクロ波プラズマ
生成装置（以下、本発明装置という）の構成を示す模式
的断面図である。図中４は反応室であって、反応室４内
には試料Ｓをその上面に載置する円筒形の試料台５及び
この試料台５をその伸縮運動によって上下動させて試料
Ｓを、反応室４の上部に連結されたプラズマ生成用のプ
ラズマ生成室９の方向へ移動させるベローズからなる伸
縮機構６が設けられている。
いて説明する。図１は本発明に係るマイクロ波プラズマ
生成装置（以下、本発明装置という）の構成を示す模式
的断面図である。図中４は反応室であって、反応室４内
には試料Ｓをその上面に載置する円筒形の試料台５及び
この試料台５をその伸縮運動によって上下動させて試料
Ｓを、反応室４の上部に連結されたプラズマ生成用のプ
ラズマ生成室９の方向へ移動させるベローズからなる伸
縮機構６が設けられている。
【００１４】試料台５の周側面と反応室４の内壁との間
には、反応室４を伸縮機構６側と試料台５の試料Ｓ載置
側とに仕切る環状の仕切り部材１が設けられている。仕
切り部材１の内周側は試料台５の周側面に沿って垂直に
屈曲された環状壁1aとなっており、環状壁1aと試料台５
の周側面との間には狭小な間隙３が形成される。間隙３
の間隔は狭いほど前述の効果が大きいが、加工上の制約
から１mm程度である。
には、反応室４を伸縮機構６側と試料台５の試料Ｓ載置
側とに仕切る環状の仕切り部材１が設けられている。仕
切り部材１の内周側は試料台５の周側面に沿って垂直に
屈曲された環状壁1aとなっており、環状壁1aと試料台５
の周側面との間には狭小な間隙３が形成される。間隙３
の間隔は狭いほど前述の効果が大きいが、加工上の制約
から１mm程度である。
【００１５】仕切り部材１の材質は、(1) 高温のプラズ
マに晒されるため耐熱性を有すること、(2) プラズマ及
び腐食性を持つ反応ガスに晒されるために耐食性を有す
ること、(3) 仕切り部材自体がパーティクルを発生しな
いこと、(4) メンテナンス時の取扱いが簡単にできるこ
と、(5) 低コストであること等の観点から、表面を陽極
酸化処理したアルミニウムが好ましい。
マに晒されるため耐熱性を有すること、(2) プラズマ及
び腐食性を持つ反応ガスに晒されるために耐食性を有す
ること、(3) 仕切り部材自体がパーティクルを発生しな
いこと、(4) メンテナンス時の取扱いが簡単にできるこ
と、(5) 低コストであること等の観点から、表面を陽極
酸化処理したアルミニウムが好ましい。
【００１６】反応室４の試料載置側の空間4bの側壁には
この空間4b及びプラズマ生成室９の内部を排気する第１
の排気装置の排気管７が接続される。また、反応室４の
伸縮機構６側の空間4aの側壁にはこの空間4aを排気する
第２の排気装置の排気管８が接続される。さらに、プラ
ズマ生成室９にはマイクロ波導入窓10を介してマイクロ
波を導入する導波管11が接続されている。
この空間4b及びプラズマ生成室９の内部を排気する第１
の排気装置の排気管７が接続される。また、反応室４の
伸縮機構６側の空間4aの側壁にはこの空間4aを排気する
第２の排気装置の排気管８が接続される。さらに、プラ
ズマ生成室９にはマイクロ波導入窓10を介してマイクロ
波を導入する導波管11が接続されている。
【００１７】なお、本実施例では、試料台が上下に移動
する構成について説明したが、試料台の移動方向は上下
に限るものではない。
する構成について説明したが、試料台の移動方向は上下
に限るものではない。
【００１８】また、仕切り部材１の内周壁に設けた環状
壁1aは上方及び下方のいずれに屈曲していてもよい。
壁1aは上方及び下方のいずれに屈曲していてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明装置は、仕切り部
材によって反応室を試料台の試料保持側と試料台の移動
機構側とに仕切って移動機構側に発生したパーティクル
が試料保持側の空間に流入することを防止するので試料
へのパーティクルの付着が回避されて歩留りが向上する
という優れた効果を奏する。
材によって反応室を試料台の試料保持側と試料台の移動
機構側とに仕切って移動機構側に発生したパーティクル
が試料保持側の空間に流入することを防止するので試料
へのパーティクルの付着が回避されて歩留りが向上する
という優れた効果を奏する。
【００２０】また、本発明装置は、仕切り部材によって
仕切られた両空間を、それぞれの排気手段によって個別
に排気して圧力差を設けることにより、移動機構側で発
生したパーティクルの試料保持側空間への流入を防止す
るので試料へのパーティクルの付着が回避されて歩留り
が向上するという優れた効果を奏する。
仕切られた両空間を、それぞれの排気手段によって個別
に排気して圧力差を設けることにより、移動機構側で発
生したパーティクルの試料保持側空間への流入を防止す
るので試料へのパーティクルの付着が回避されて歩留り
が向上するという優れた効果を奏する。
【図１】本発明装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】本発明装置の原理を説明する図である。
【図３】従来のマイクロ波プラズマ生成装置の構成を示
す模式的断面図である。
す模式的断面図である。
１ 仕切り部材 ３ 間隙 ４ 反応室 ５ 試料台 ６ 伸縮機構 7,8 排気管 ９ プラズマ生成室 22 流通路 23a,23b 排気装置 Ｓ 試料 a,b 空間 d,e 流通口
Claims (1)
- 【請求項１】 反応室内の試料台に保持された試料にプ
ラズマを照射すべく、該試料台をプラズマ生成領域の方
向に移動する移動機構が反応室内に設けられているプラ
ズマ生成装置において、反応室を試料台の試料保持側と
前記移動機構側とに仕切る仕切り部材と、該仕切り部材
により仕切られた両空間のそれぞれを個別に排気する排
気手段とを備えたことを特徴とするプラズマ生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4277899A JPH06104191A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | プラズマ生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4277899A JPH06104191A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | プラズマ生成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104191A true JPH06104191A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17589845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4277899A Pending JPH06104191A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | プラズマ生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104191A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005117083A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置 |
| JP2007186774A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Bridgestone Corp | 成膜方法及び装置 |
| US7588518B2 (en) | 2000-02-29 | 2009-09-15 | Arizona Board Of Regents | Method and apparatus for torque-controlled eccentric exercise training |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP4277899A patent/JPH06104191A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7588518B2 (en) | 2000-02-29 | 2009-09-15 | Arizona Board Of Regents | Method and apparatus for torque-controlled eccentric exercise training |
| WO2005117083A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置 |
| JPWO2005117083A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2008-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| KR100856159B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2008-09-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| CN100449708C (zh) * | 2004-05-27 | 2009-01-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| JP4652327B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2011-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2007186774A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Bridgestone Corp | 成膜方法及び装置 |
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Effective date: 20070509 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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|
| A521 | Written amendment |
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