CN101261456A - 排气装置、包括该排气装置的基板处理装置以及排气方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种排气装置和包括该排气装置的基板处理装置以及排气方法。处理室内的气体和反应副产物通过排气管道排出。在排气管道上连接排气口，通过排气口收集反应副产物。排气口包括容纳所收集的反应副产物的收集筒和把收集筒连接在排气管道上的紧固构件，所述收集筒与在排气管道的侧壁上形成的排出口连接。排气管道包括第一和第二排气管道以及连接管道，在连接管道上形成排出口和导向面。

Description

排气装置、包括该排气装置的基板处理装置以及排气方法

技术领域

本发明涉及排气装置和方法，具体涉及收集气体内的反应副产物的排气装置和方法。

背景技术

为了制造半导体，必须伴随有使用光致抗蚀剂(photoresist)的平版印刷(lithography)工序。光致抗蚀剂由可以对光产生感应的有机高分子或感光剂和高分子的混合物构成，经过曝光和溶解过程后，在基板上形成图案的光致抗蚀剂，在对基板和基板上的膜进行蚀刻的过程中，把图案转印到基板上。把这样的高分子称为光致抗蚀剂，并把使用光源在基板上形成细微图案的工序称为平版印刷工序。

在这种半导体制造工序中，光致抗蚀剂在基板上形成线或空隙(space)图案等各种细微电路图案，或在离子注入(ion implantation)工序中作为掩膜使用，它主要通过灰化(ashing)工序从基板上去除。

在一般使用的灰化工序中，在把晶片放置在高温(200～300℃)加热的加热器卡盘上的状态下，使氧等离子体与光致抗蚀剂反应，去除光致抗蚀剂。主要使用氧气(O₂)作为反应气体，为了提高灰化效率，也可以混合使用其他的气体。

灰化工序在与外部隔开的处理室内进行，灰化工序时产生的反应气体和未反应气体以及反应副产物等，通过连接在处理室上的排气管道排到外部。排气管道不仅排出反应副产物等，而且还具有调节处理室内的工艺压力的功能。

可是，现有的排气管道存在几个问题。即，在排气管道内部流动的反应副产物等累积在排气管道内壁上，妨碍排出气体的流动，或累积在开关排气管道的阀门上，引起阀门的误动作。

发明内容

鉴于所述的问题，本发明的目的是提供一种可以去除存在于排气管道内的反应副产物的排气装置和排气方法。

本发明另外的目的是提供一种容易去除排气管道内的反应副产物的排气装置和排气方法。

为了实现所述的目的，本发明的排气装置包括：排气管道，连接在处理室上，把所述处理室内的反应副产物排出；容器形状的收集筒，连接到在所述排气管道的侧壁上形成的排出口上，收集所述排气管道内的反应副产物；以及紧固构件，连接在所述收集筒上，并把所述收集筒连接在所述排出口上。

所述紧固构件可以是从所述收集筒的外壁沿所述收集筒的半径方向延伸的法兰盘。

所述装置还可以包括夹在所述排气管道和所述紧固构件之间的密封构件。

另一方面，所述排气管道包括：第一排气管道，连接在所述处理室上，基本与地面垂直配置；第二排气管道，与所述第一排气管道平行配置；连接管道，连接所述第一排气管道和所述第二排气管道。在所述连接管道上形成所述排出口。

所述连接管道包括导向面，在所述连接管道的内部朝向所述排出口向下方倾斜设置，把所述反应副产物导向所述排出口。

在这种情况下，可以是所述连接管道包括设置在所述连接管道的内部、向下倾斜的导向面，所述导向面的下端可以配置在所述排出口的垂直方向的上部。

此外，也可以是所述排气管道包括导向面，在所述排气管道内部朝向所述排出口向下方倾斜配置，把所述反应副产物导向所述排出口。

此外，所述装置还可以包括包围所述排气管道的加热套。此外，所述装置还可以包括压力调节器，连接在所述第二排气管道上，调节所述第二排气管道内的压力。此外，所述装置还可以包括阀门，连接在所述第二排气管道上，使所述第二排气管道打开或关闭。

本发明的基板处理装置包括：壳体，具有对基板实施处理工序的空间，在下部形成有排气口；卡盘，设置在所述壳体内部，放置所述基板；等离子体生成构件，连接在所述壳体的上部，在实施处理工序中生成等离子体，并提供到放置在所述卡盘上的所述基板的上部；以及排气装置，连接在所述排气口上，排出所述壳体内的反应副产物，其中，所述排气装置包括：排气管道，连接在所述壳体上，排出所述壳体内的反应副产物；容器形状的收集筒，连接到在所述排气管道的侧壁上形成的排出口上，收集所述排气管道内的反应副产物；以及紧固构件，连接在所述收集筒上，并把所述收集筒连接在所述排出口上。

本发明的排气方法，通过连接在处理室上的排气管道把所述处理室内的气体排出，在所述排气管道的侧壁上形成贯通所述侧壁的排出口，把收集筒连接在所述排出口上，然后通过所述排气管道把所述处理室内的气体排出，同时通过所述收集筒收集包含在所述气体中的反应副产物。

所述排气管道包括设置在所述排气管道内部的导向面，利用所述导向面可以把沿所述排气管道内壁流动的所述反应副产物导向所述排出口。在对所述气体进行排气时，可以对所述排气管道进行加热。

按照本发明，可以防止排气管道内的反应副产物累积在排气管道或阀门上。此外，可以收集排气管道内的反应副产物，并可以容易地废弃收集到的反应副产物。

附图说明

图1是简要表示本发明基板处理装置的结构的剖面图。

图2是简要表示本发明一个实施方式的排气部的立体图。

图3是表示图2的主排气管道和排气口的剖面图。

图4是表示图3的排气口的立体图。

图5是表示在图3的排气口内收集反应副产物的状况的图。

图6是简要表示图3的第一排气管道和第二排气管道的图。

图7是简要表示本发明其他实施方式的排气部的立体图。

图8是表示图7的主排气管道和排气口的剖面图。

图9是表示在图8的排气口内收集反应副产物的状况的图。

图10是表示本发明其他实施方式的主排气管道和排气口的剖面图。

图11是表示在图10的排气口内收集反应副产物的状况的图。

附图标记说明

10工序处理部

20等离子体生成部

30排气部

100主排气管道

120第一排气管道

140第二排气管道

160连接管道

162排出口

166紧固件

200排气口

220收集筒

222入口

240紧固构件

300加热套

具体实施方式

下面根据图1～图11对本发明优选的实施方式进行详细说明。本发明的实施方式可以变化成各种各样的方式，本发明的范围不能解释为限定于下述所说明的实施方式。本实施方式是为了向具有属于本发明技术领域的普通技术知识的人更详细地说明本发明。因此，为了更明确的强调说明，附图中所示的各要素的形状可以有些夸张。

另一方面，以下是以灰化装置为例进行说明，但本发明可以应用于包括清洗装置和蒸镀装置的半导体制造装置。

图1是简要表示本发明基板处理装置1的结构的剖面图。

如图1所示，基板处理装置1包括工序处理部10、等离子体生成部20和排气部30。工序处理部10进行灰化工序等基板处理工序。等离子体生成部20生成在进行灰化工序时使用的等离子体，并提供给工序处理部10。排气部30把工序处理部10内部的气体和反应副产物等排到外部。

工序处理部10包括壳体12、卡盘、喷头16和电源18。壳体12形成实施灰化工序的处理室。壳体12形成可以同时处理两个基板W的处理室。即，壳体12的内部空间有第一空间a和第二空间b。第一空间a和第二空间b是在进行处理工序时对分别装入的基板W实施灰化工序的空间。在壳体12的侧壁上，形成在处理工序中使基板W进出的基板出入口12a。基板出入口12a用缝隙门(slit door，图中没有表示)那样的开关构件打开或关闭。在壳体12的下壁上，形成把壳体12内的气体排出的排气口12b。排气口12b在卡盘的周围形成，与后面叙述的排气部30连接。

支撑构件14在进行处理工序时支撑基板W。支撑构件14包括设置在第一空间a的第一支撑构件14a和设置在第二空间b的第二支撑构件14b。可以使用静电卡盘(electrode chuck)作为第一和第二支撑构件14a、14b。此外，支撑构件14在进行处理工序时使基板W安全到位，并在已设定的处理温度下进行加热。因此支撑构件14包括用于装卸基板W的升降支杆(lift pin)和至少一个加热器。喷头16在进行处理工序时向壳体12内部喷射等离子体。喷头16设置在壳体12的上壁。喷头16包括第一喷头16a和第二喷头16b。第一喷头16a向第一支撑构件14a的上部表面喷射等离子体，第二喷头16b向第二支撑构件14b的上部表面喷射等离子体。电源18向支撑构件14供电。即电源18把已经设定的偏置电功率分别施加在第一支撑构件14a和第二支撑构件14b上。

等离子体生成部20在进行处理工序时生成等离子体，并提供给喷头16。使用遥控等离子体生成装置(remote plasma generation apparatus)作为等离子体生成部20。即，等离子体生成部20包括磁控管22、波导管24和供气管26。磁控管22产生用于在进行处理工序时生成等离子体的微波。波导管24把用磁控管22产生的微波引导到供气管26。供气管26在进行处理工序时提供反应气体。此时，利用磁控管22产生的微波，由通过供气管26提供的反应气体生成等离子体。在等离子体生成部20中生成的等离子体在灰化工序中，提供给工序处理部10的喷头16。

排气部30进行工序处理部10的压力调节和内部空气的排气。排气部30包括主排气管道100和辅助排气管道100a。如图1所示，主排气管道100连接在壳体12的下部，使第一和第二空间a、b内的气体全部从第一支撑构件14a和第二支撑构件14b之间的区域排出。辅助排气管道100a连接在壳体12的下部，把第一和第二空间a、b内的气体从除了第一支撑构件14a和第二支撑构件14b之间以外的区域分别单独排出。辅助排气管道100a连接在主排气管道100上，通过辅助排气管道100a排出的气体汇聚到主排气管道100。可以在主排气管道100上设置另外的泵(图中没有表示)。泵强制吸入第一和第二空间a、b内的气体，使壳体12内部的压力降低。

下面参照图1对使用基板处理装置1的工序进行详细说明。

一旦开始使用基板处理装置1的工序，则通过基板出入口12a，把基板W分别装载到第一支撑构件14a和第二支撑构件14b上。一旦装载了基板W，则通过支撑构件14在已设定的处理温度下对基板W进行加热。然后，电源18分别把偏置电功率施加到第一和第二支撑构件14a、14b上。此外，通过使用泵(图中没有表示)强制排出壳体12内部的空气，使壳体12内部的压力降到已设定的压力。此时，壳体12内的工艺压力最大为159.9864Pa(1200mTorr)，施加在支撑构件14上的偏置电功率最大为500W。假如工艺压力超过159.9864Pa(1200mTorr)，或偏置电功率超过500W，则在进行处理工序时在壳体12内部会产生放电现象。

一旦壳体12内部的工艺压力和温度等工艺条件满足已设定的条件，则等离子体生成部20生成等离子体，并提供给工序处理部10，排气部30使工序处理部10的内部压力保持一定。即，等离子体生成部20的磁控管22产生微波，波导管24对通过供气管26提供给喷头16的反应气体施加微波，使其生成等离子体。在等离子体通过喷头16时，等离子体内的电子或离子等带电粒子被接地的金属材质的喷头16拦截，只是氧原子团等没有电荷的中性粒子通过喷头16，提供给基板W。这种氧等离子体把残留在基板W表面上的保护膜去除。排气部30使提供到壳体12内部的等离子体和反应气体以一定的流量排出，保持壳体12的内部压力。一旦从基板W表面上去除了保护膜，则基板W在从支撑构件14上卸下后，通过基板出入口12a，从壳体12内部取出。

在进行所述的基板W表面的保护膜去除工序(灰化工序)的过程中，进行第一空间a和第二空间b的排气。在第一空间a和第二空间b内存在有反应气体和未反应气体以及反应副产物等。首先，在第一支撑构件14a和第二支撑构件14b之间的区域中的气体，通过主排气管道100排出，在除了第一支撑构件14a和第二支撑构件14b之间以外区域的气体，通过辅助排气管道100a排出。通过辅助排气管道100a排出的气体，在主排气管道100汇聚，并通过主排气管道100排出。

图2是简要表示本发明一个实施方式的排气部30的立体图，图3是表示图2的主排气管道100和排气口200的剖面图。

如上所述，壳体12内部的气体通过主排气管道100排到外部。此时，通过主排气管道100排出的气体，含有反应气体和未反应气体，并含有在在进行处理工序时在壳体12内部或主排气管道100内生成的反应副产物。除此以外，含有光致抗蚀剂的聚合物与气体一起通过主排气管道100排出。

此时，固体状态或液体状态的反应副产物会累积在主排气管道100的内壁上。累积的光致抗蚀剂有可能妨碍主排气管道100内部的流动，而累积在设置于排气管道上的阀门或泵上，则有可能引起阀门或泵的误动作。这种现象不仅限于光致抗蚀剂，在主排气管道100内部流动的液体状态的物质和固体状态的物质均如此。此外，气体状态的物质也一样，由于在主排气管道100内部容易转变成液体状态或固体状态，所以气体状态的物质也会发生这种现象。因此，为了防止这种现象，需要另外收集在主排气管道100内部流动的液体状态或固体状态的物质。

如图2所示，排气部30还包括设置在主排气管道100上的排气口200。排气口200收集主排气管道100内的反应副产物。如上所述，反应副产物是液体状态或固体状态，包括在壳体12内部生成的物质和在主排气管道100内部生成的物质。另一方面，在本实施方式中说明的是排气口200设置在主排气管道100上，而排气口200也可以设置在辅助排气管道100a上，还可以在主排气管道100和辅助排气管道100a上都设置。

如图3所示，主排气管道100包括连接在壳体12下端的第一排气管道120、连接在第一排气管道120下端的第二排气管道140以及连接第一排气管道120和第二排气管道140的连接管道160。第一排气管道120和第二排气管道140配置成大体与地面垂直。此外在图3中，为了明确表示第一排气管道120、第二排气管道140、连接管道160各自的范围，加注了虚线。

第一排气管道120和第二排气管道140通过连接管道160进行连接，连接管道160配置成大体与地面平行。排气口200连接在与地面相对的连接管道160下部的表面上。在连接管道160下部表面上形成排出口162。在连接管道160内部流动的反应副产物，可以通过排出口162流入排气口200。排气口200连接在排出口162上。在排气口200和连接管道160之间，设置有密封构件164，密封构件164防止反应副产物从排气口200和连接管道160之间泄漏。密封构件164包括O型圈。

另一方面，排气部30还包括设置在主排气管道100的外壁上的加热套(heating jacket)300。加热套300通过主排气管道100的外壁，对主排气管道100的内壁进行加热。因此，可以防止反应副产物累积并凝固在主排气管道100的内壁上。

图4是表示图3的排气口200的立体图。排气口200包括收集筒220和紧固构件240。收集筒220容纳通过排出口162流入的反应副产物。收集筒220为上部敞开的圆筒形状，在其上部设置入口222。入口222与排出口162对应，通过排出口162流入的反应副产物通过入口222装入收集筒220中。

紧固构件240把收集筒220连接在连接管道160的排出口162上。如图4所示，紧固构件240包括从收集筒220的上端沿收集筒220的半径方向延伸的方法兰盘。在紧固构件240的四个角部形成紧固孔242。如图3所示，把紧固件166插入紧固孔242中，紧固件166被固定在连接管道160上，并把紧固构件240连接在连接管道160的排出口162上。

此外，在紧固构件240上形成设置密封构件164的密封槽244。密封槽244配置在入口222的周围。

图5是表示把反应副产物收集到图3的排气口200内的状况的图。下面参照图5，对用排气口200收集反应副产物的方法进行详细说明。

如上所述，壳体12内的气体和反应副产物通过主排气管道100排到外部。第一排气管道120连接在壳体12的下端上，壳体12内的气体和反应副产物流入第一排气管道120。气体和反应副产物沿第一排气管道120流动。

此后，第一排气管道120内的气体和反应副产物流入大体与第一排气管道120垂直连接的连接管道160中。此时，由于固体状态的反应副产物具有质量，所以向排出口162下落，通过排出口162和入口222装入到收集筒220中。此外，液体状态的反应副产物沿第一排气管道120和连接管道160的内壁流动，通过排出口162和入口222流入收集筒220中。但由于气体状态的反应副产物具有非常小的质量，所以气体状态的反应副产物几乎不能收集到收集筒220中。

另一方面，在气体和反应副产物的流速大的情况下，液体状态或固体状态的反应副产物不通过排出口162排出，会沿气流而流入第二排气管道140中。特别是固体状态的反应副产物，因气体而以游动的状态移动，所以有可能不能通过排出口162收集到收集筒220中。因此，需要降低气体和反应副产物的流速。

作为降低流速的方法，可以增加流路的断面面积。在流体沿流路以一定的流速流动的情况下，可以利用增加流路的断面面积来降低流体的流速的原理。因此，一旦增加连接管道160中相当于排出口162的前端部分的断面面积，就可以使通过第一排气管道120流入的气体和反应副产物的流速降低，从而可以容易地把反应副产物(特别是固体状态的反应副产物)收集到收集筒220内。

一旦在收集筒220内充满反应副产物，则使用者把收集筒220从连接管道160上分离，然后，可以另外处理收集筒220内的反应副产物。此时，为了把握进入到收集筒220内的反应副产物的量，收集筒220可以用透明的材质制成，收集筒220也可以设置透明窗口(图中没有表示)。

图6是简要表示图3的第一排气管道120和第二排气管道140的图。排气部30还包括节流阀420和压力控制器(APC：Auto pressure controller)440以及隔离阀460。

节流阀420设置在第二排气管道140上，调节第二排气管道140的开关程度。压力控制器440连接在节流阀420上，用节流阀420控制壳体12内部的压力。

隔离阀460设置在第二排气管道140上，打开或关闭第二排气管道140。隔离阀460可以用闸阀代替。

除此以外，排气部30还包括设置在第二排气管道140上的洗涤器(图中没有表示)。洗涤器使通过第二排气管道排出的气体中和。此外，排气部30还可以包括设置在第一排气管道120或第二排气管道140上的压力表。压力表可以测量第一排气管道120或第二排气管道140的压力。

根据以上所述，由于可以收集在主排气管道100内流动的反应副产物(特别是固体状态或液体状态的反应副产物)，所以可以防止反应副产物累积在主排气管道100的内壁上。此外，由于可以防止其累积在设置于第二排气管道140上的节流阀420或隔离阀460上，所以可以防止节流阀420或隔离阀460的误动作。

此外，在气体和反应副产物通过主排气管道100排到外部时，由于主排气管道100用加热套300进行加热，所以可以防止反应副产物累积并凝固在主排气管道100的内壁上。

图7是简要表示本发明其他实施方式的排气部30的立体图，图8是表示图7的主排气管道100和排气口200的剖面图。下面仅对与图3所示的排气部30不同的构成要素进行详细说明。以下省略的说明可以参考对图3所示的排气部30的说明。

如图7所示，排气部30还包括设置在主排气管道100上的排气口200。在本实施方式中说明的是排气口200设置在主排气管道100上，但排气口200也可以设置在辅助排气管道100a上，还可以在主排气管道100和辅助排气管道100a上都设置。

如图8所示，主排气管道100包括连接在壳体12下端上的第一排气管道120、连接在第一排气管道120下端上的第二排气管道140以及连接第一排气管道120和第二排气管道140的连接管道160。第一排气管道120配置成大体与地面垂直，第二排气管道140配置成与第一排气管道120成一定的角度θ。第一排气管道120和第二排气管道140通过连接管道160进行连接。此外，在图8中，为了明确第一排气管道120、第二排气管道140、连接管道160各自的范围，加注了虚线。此外，在图8中，用点划线表示第一排气管道120、第二排气管道140各自的中心线，并标注它们的交角θ。

与图3所示的第二排气管道140不同，图8所示的第二排气管道140与第一排气管道120成一定的角度θ。其中该角度θ为钝角(大于90°的角)。这是为防止在流路急剧变化时因摩擦等造成压力降低，以使气体和反应副产物顺利排出。

在图3所示的主排气管道100的情况下，当气体和反应副产物从第一排气管道120流入连接管道160时，方向变化90°，此外当从连接管道160流入第二排气管道140时，需要使方向变化90°。可是在图8所示的主排气管道100的情况下，当气体和反应副产物从第一排气管道120流入连接管道160时，方向仅变化锐角(正确的是180-θ)。因此，通过使第二排气管道140与第一排气管道120成一定的角度θ，可以防止流路急剧变化，从而可以防止在流路急剧变化时因摩擦等造成的压力降低。因此，图8所示的主排气管道100与图3所示的主排气管道100相比，气体和反应副产物可以顺利排出。

排气口200连接在与地面相对的连接管道160的下部表面上。在连接管道160的下部表面上形成排出口162。在连接管道160的内部流动的反应副产物可以通过排出口162流入排气口200。排气口200连接在排出口162上。

连接管道160包括与排出口162相对配置的导向面168。导向面168配置成朝向排出口162，向下方倾斜。导向面168也可以通过对连接管道160的内壁进行加工来设置，还可以在连接管道160的内壁上安装另外的结构件来设置。

图9是表示在图8的排气口200内收集反应副产物的状况的图。下面参照图9，对用排气口200收集反应副产物的方法进行详细说明，以下被省略的说明可以参考对图5的详细说明。

如以上所述，第一排气管道120内的气体和反应副产物流入连接在第一排气管道120上的连接管道160中。其中，液体状态的反应副产物沿第一排气管道120和连接管道160的内壁流动。其中，由于在连接管道160的内壁上设置导向面168，所以反应副产物沿导向面168流动，在导向面168的下端、与导向面168大体平行的方向上脱离导向面168。如前所述，由于导向面168朝向排出口162，向下方倾斜，所以脱离导向面168的反应副产物流入排出口162，并通过入口222流入收集筒220中。

在本实施方式中，针对反应副产物在导向面168的下端、与导向面168大体平行的方向上脱离导向面168进行说明。但这种现象在反应副产物的体积流量大、反应副产物的粘性足够低、反应副产物的流速足够大的情况下是可能的。而在反应副产物的体积流量小、或反应副产物的粘性大、或反应副产物的流速低的情况下，反应副产物在导向面168的下端是落向地面的。反应副产物落下的方向与重力作用的方向一致。因此，必须改变前面所述的导向面168的位置或排出口162的位置。

图10是表示本发明其他实施方式的主排气管道100和排气口200的剖面图。下面仅对与图8所示的排气部30不同的构成要素进行详细说明。以下省略的说明可以参考对图8所示的排气部30的说明。

连接管道160包括与排出口162相对配置的导向面168。导向面168配置成朝向排出口162，向下方倾斜，导向面168的下端配置在排出口162的垂直上部。同样，导向面168也可以通过对连接管道160的内壁进行加工来设置，还可以在连接管道160的内壁上安装另外的结构件来设置。

图11是表示在图10的排气口200内收集反应副产物的状况的图。下面参照图11，对用排气口200收集反应副产物的方法进行详细说明，下面省略的说明可以参考对图9的详细说明。

如上所述，第一排气管道120内的气体和反应副产物，流入到连接在第一排气管道120上的连接管道160中。其中，液体状态的反应副产物沿第一排气管道120和连接管道160的内壁流动。其中，由于在连接管道160的内壁上设置导向面168，所以反应副产物沿导向面168流动，在导向面168的下端下落。由于导向面168的下端配置在排出口162的上部，所以下落的反应副产物流入排出口162，并通过入口222流入到收集筒220中。

在图9和图11中，对利用反应副产物的特性改变导向面168的位置或排出口162的位置进行了说明。但通过导向面168的位置或排出口162的位置可以调节反应副产物的特性，特别是可以调节反应副产物的流速。原理与前面所述的降低流速的原理是相同的。即，可以增加或减少相当于导向面168前端的部分的断面面积，通过增加或减少断面面积可以调节流速。因此，如果增加流速，反应副产物在导向面168的下端与导向面168大体平行的方向上，脱离导向面168，一旦使流速降低，则反应副产物就在导向面168的下端下落。

以上所述的本发明优选的实施方式只是举例而已，具有属于本发明技术领域普通技术知识的人，在不脱离本发明的技术思想的范围内，可以进行各种各样的置换、变形和变更，而这些置换、变更等都属于本发明的权利要求范围内。

Claims (18)

1.一种排气装置，其特征在于包括：

排气管道，连接在处理室上，把所述处理室内的反应副产物排出；

容器形状的收集筒，连接到在所述排气管道的侧壁上形成的排出口上，收集所述排气管道内的反应副产物；以及

紧固构件，连接在所述收集筒上，并把所述收集筒连接在所述排出口上。

2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述紧固构件是从所述收集筒的外壁沿所述收集筒的半径方向延伸的法兰盘。

3.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，还包括密封构件，夹在所述排气管道和所述紧固构件之间。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的排气装置，其特征在于，所述排气管道包括：

第一排气管道，连接在所述处理室上，基本与地面垂直配置；

第二排气管道，与所述第一排气管道平行配置；以及

连接管道，连接所述第一排气管道和所述第二排气管道；

在所述连接管道上形成所述排出口。

5.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，所述连接管道包括导向面，在所述连接管道的内部朝向所述排出口向下方倾斜设置，把所述反应副产物导向所述排出口。

6.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，所述连接管道包括导向面，设置在所述连接管道内部，向下倾斜，所述导向面的下端配置在所述排出口的垂直方向的上部。

7.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气管道包括导向面，在所述排气管道的内部朝向所述排出口向下方倾斜设置，把所述反应副产物导向所述排出口。

8.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，还包括包围所述排气管道的加热套。

9.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，还包括压力调节器，连接在所述第二排气管道上，调节所述第二排气管道内的压力。

10.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，还包括阀门，连接在所述第二排气管道上，打开或关闭所述第二排气管道。

11.一种基板处理装置，其特征在于包括：

壳体，具有对基板实施处理工序的空间，在下部形成有排气口；

卡盘，设置在所述壳体内部，放置所述基板；

等离子体生成构件，连接在所述壳体的上部，在实施处理工序中生成等离子体，并提供到放置在所述卡盘上的所述基板的上部；以及

排气装置，连接在所述排气口上，排出所述壳体内的反应副产物，其中，

所述排气装置包括：

排气管道，连接在所述壳体上，排出所述壳体内的反应副产物；

容器形状的收集筒，连接到在所述排气管道的侧壁上形成的排出口上，收集所述排气管道内的反应副产物；以及

紧固构件，连接在所述收集筒上，并把所述收集筒连接在所述排出口上。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，所述排气管道包括：

第一排气管道，连接在所述壳体上，基本与地面垂直配置；

第二排气管道，与所述第一排气管道平行配置；以及

连接管道，连接所述第一排气管道和所述第二排气管道；

在所述连接管道上形成所述排出口。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述连接管道包括导向面，在所述连接管道的内部朝向所述排出口向下方倾斜设置，把所述反应副产物导向所述排出口。

14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述连接管道包括导向面，设置在所述连接管道的内部，向下倾斜，所述导向面的下端配置在所述排出口的垂直方向的上部。

15.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，所述排气管道包括导向面，在所述排气管道的内部朝向所述排出口向下方倾斜设置，把所述反应副产物导向所述排出口。

16.一种排气方法，通过连接在处理室上的排气管道，把所述处理室内的气体排出，其特征在于，

在所述排气管道的侧壁上形成贯通所述侧壁的排出口，把收集筒连接在所述排出口上，然后，通过所述排气管道把所述处理室内的气体排出，同时通过所述收集筒收集在所述气体中含有的反应副产物。

17.根据权利要求16所述的排气方法，其特征在于，所述排气管道包括导向面，设置在所述排气管道的内部，利用所述导向面，把沿所述排气管道内壁流动的所述反应副产物导向所述排出口。

18.根据权利要求16或17所述的排气方法，其特征在于，在对所述气体进行排气时，对所述排气管道进行加热。

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