JPWO2005109439A1 - 不揮発性半導体メモリ、半導体装置及びチャージポンプ回路 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 第1のタイミングで動作を開始して第1の電圧を生成する第1のポンプと、
前記第1のタイミングに続く第2のタイミングで動作を開始して、不揮発性半導体メモリセルに接続された所定ノードに第2の電圧を印加する第2のポンプと、
前記第2のタイミングで前記第1の電圧を用いて前記所定のノードをブーストするブースタと
を有する不揮発性半導体メモリ。 - 前記第1のタイミングから前記第2のタイミングまでの期間は前記不揮発性半導体メモリセルのプログラムベリファイを行う期間であり、前記第2のタイミングで始まる期間は前記不揮発性半導体メモリセルをプログラムする期間である請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記ブースタは一端が前記所定のノードに接続されたキャパシタと、前記第1のタイミングから前記第2のタイミングまでの期間に前記第1の電圧を前記所定のノードに印加する第1の回路と、前記第2のタイミングから所定の期間だけ前記第1の電圧に応じた電圧を前記キャパシタの他端に印加する第2の回路とを有する請求項1又は2記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記キャパシタは、前記不揮発性半導体メモリの読出し時に該不揮発性半導体メモリのゲートに印加される読出し電圧を生成するキャパシタと共用されている請求項3記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記第2のポンプは複数のブースト段を有し、前記第1のタイミングから前記第2のタイミングまでの期間、ブースト段間の内部ノードを前記第1の電圧でプリチャージする請求項1から4のいずれか一項記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記第2のポンプは、前記第1のタイミングから前記第2のタイミングまでの期間を示す信号に応答して前記第1の電圧を前記内部ノードに印加するトランジスタを含む請求項5記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記第1の電圧は、前記不揮発性半導体メモリセルのプログラム時に該不揮発性半導体メモリが接続されるビット線に印加される請求項1から6のいずれか一項記載の不揮発性半導体メモリ。
- 第1のタイミングで動作を開始して第1の電圧を生成する第1のポンプと、
前記第1のタイミングに続く第2のタイミングで動作を開始して、所定ノードに第2の電圧を印加する第2のポンプとを有し、
前記第2のポンプは複数のブースト段を有し、前記第1のタイミングから前記第2のタイミングまでの期間、ブースト段間の内部ノードを前記第1の電圧でプリチャージするチャージポンプ回路。 - 前記第2のポンプは、前記第1のタイミングから前記第2のタイミングまでの期間を示す信号に応答して前記第1の電圧を前記内部ノードに印加するトランジスタを含む請求項8記載のチャージポンプ回路。
- 不揮発性半導体メモリセルと、
第1のタイミングで動作を開始して第1の電圧を生成する第1のポンプと、
前記第1のタイミングに続く第2のタイミングで動作を開始して、不揮発性半導体メモリセルに接続された所定ノードに第2の電圧を印加する第2のポンプとを有し、
前記第2のポンプは複数のブースト段を有し、前記第1のタイミングから前記第2のタイミングまでの期間、ブースト段間の内部ノードを前記第1の電圧でプリチャージする半導体装置。 - 前記第2のポンプは、前記第1のタイミングから前記第2のタイミングまでの期間を示す信号に応答して前記第1の電圧を前記所定ノードに印加するトランジスタを含む請求項10記載の半導体装置。
- 前記第1の電圧は、前記不揮発性半導体メモリセルのプログラム時に該不揮発性半導体メモリが接続されるビット線に印加される請求項10又は11に記載の半導体装置。
- 第1のタイミングで第1のポンプの動作を開始させて第1の電圧を生成するステップと、
前記第1のタイミングに続く第2のタイミングで第2のポンプの動作を開始させて、不揮発性半導体メモリセルに接続された所定ノードに第2の電圧を印加するステップと、
前記第2のタイミングで前記第1の電圧を用いて前記所定のノードをブーストするステップと
を有する方法。 - 第1のタイミングで第1のポンプの動作を開始させて第1の電圧を生成するステップと、
前記第1のタイミングに続く第2のタイミングで第2のポンプの動作を開始させて、不揮発性半導体メモリセルに接続された所定ノードに第2の電圧を印加するステップと、
前記第1のタイミングから前記第2のタイミングまでの期間、前記第2のポンプの複数のブースト段のうちの隣接するブースト段間のノードを前記第1の電圧でプリチャージするステップと
を有する方法。
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