JPWO2005020315A1 - 素子接合用基板、素子接合基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明の目的は、ハンダ層付きセラミックス基板において環境問題が懸念されているＰｂを含むＳｎ−Ｐｂ共晶ハンダと同等の融点や接合強度を満たすＰｂフリーハンダ層付きセラミックス基板を提供することである。 本発明の素子接合用基板は、電極層を有する基板と該電極層上に形成されたハンダ層とからなる素子接合用基板であって、該ハンダ層が（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、を含んでなるＰｂフリーハンダ層であり、該ハンダ層の厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下である素子接合用基板である。
Description
本発明は、素子を接合、固定するための素子接合用基板、該基板に素子が接合された素子接合基板及びその製造方法に関する。
携帯電話や光通信などの普及に伴い高周波帯域で作動する高出力・高消費電力のＧａＡｓ系ＦＥＴ、Ｓｉ−Ｇｅ系ＨＢＴ、Ｓｉ系ＭＯＳＦＥＴあるいはＧａＮ系レーザーダイオードなどの半導体素子実装用基板としては、高周波の誘電損失が少ないという理由からセラミックス基板が使用されている。セラミックス基板の中でも窒化アルミニウム焼結体基板は、熱伝導率が高く熱膨張係数が半導体素子に近いという優れた特徴を有しているため、特に注目されている。
通常、窒化アルミニウム焼結体等のセラミックス基板上に素子を接合する場合には、メタライゼーションによりセラミックス基板に強固に接合した第一、及び第二下地金属層を形成した後、該下地金属層上に金等の貴金属からなる電極層を形成し、該電極層に素子をハンダ付けするのが一般的である。このような素子のハンダ付け法としては、効率性の観点からリフロー法が採用されることが多く、そのために基板の電極層上には素子を接合するための特定パターンのハンダ層を予め形成しておく必要がある。
通常、窒化アルミニウム焼結体等のセラミックス基板上に素子を接合する場合には、メタライゼーションによりセラミックス基板に強固に接合した第一、及び第二下地金属層を形成した後、該下地金属層上に金等の貴金属からなる電極層を形成し、該電極層に素子をハンダ付けするのが一般的である。このような素子のハンダ付け法としては、効率性の観点からリフロー法が採用されることが多く、そのために基板の電極層上には素子を接合するための特定パターンのハンダ層を予め形成しておく必要がある。
近年の半導体装置の高集積化に伴い、このようなリフロー法用基板の基板上に形成されるハンダ層も薄膜技術を用いて微小領域に高精度に形成される必要があり、該ハンダ層は、溶融時に所期のハンダ組成となるように各種金属薄膜層を順次積層して形成されるのが一般的である。以下、このようなハンダ層を「薄膜積層ハンダ層」といい、電極層上に該薄膜積層ハンダ層が形成されたセラミックス基板を「薄膜積層ハンダ層付きセラミックス基板」という。
このような薄膜積層ハンダ層付きセラミックス基板におけるハンダ層としては、Ａｕ−Ｓｎ系の薄膜積層ハンダ層が形成された基板（特許文献１参照）、融点が１８３℃のＳｎ−３７重量％Ｐｂ共晶ハンダ或いはこれに微量の異種金属を添加したハンダ（以下、総称してＳｎ−Ｐｂ共晶ハンダともいう。）を溶融時に与える薄膜積層ハンダ層が形成された基板等が知られている（特許文献２参照）。上記Ｓｎ−Ｐｂ共晶ハンダは、電子工業用ハンダとして最も一般的なもので広く普及しており、薄膜積層ハンダ層（例えば図１２に示すＰｂ層とＳｎ層を交互に積層したハンダ層）であっても高い接合強度で素子を接合することができる。
このような薄膜積層ハンダ層付きセラミックス基板におけるハンダ層としては、Ａｕ−Ｓｎ系の薄膜積層ハンダ層が形成された基板（特許文献１参照）、融点が１８３℃のＳｎ−３７重量％Ｐｂ共晶ハンダ或いはこれに微量の異種金属を添加したハンダ（以下、総称してＳｎ−Ｐｂ共晶ハンダともいう。）を溶融時に与える薄膜積層ハンダ層が形成された基板等が知られている（特許文献２参照）。上記Ｓｎ−Ｐｂ共晶ハンダは、電子工業用ハンダとして最も一般的なもので広く普及しており、薄膜積層ハンダ層（例えば図１２に示すＰｂ層とＳｎ層を交互に積層したハンダ層）であっても高い接合強度で素子を接合することができる。
一方、近年、鉛の有害性が問題となり鉛成分を含まない所謂Ｐｂフリーハンダが用いられるようになってきている。Ｐｂフリーハンダとしては、Ｓｎ−Ｐｂ共晶ハンダの代替という観点から該ハンダと同等の融点を持つものが望まれており、そのようなＰｂフリーハンダとしては、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ系ハンダ（特許文献３）およびＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系ハンダ（特許文献４参照）が知られている。しかしながら、これらのハンダは予め所定の組成を持つように調製された合金ハンダであり、上記したような薄膜積層ハンダ層とした例は知られていない。なお、本明細書では便宜上、このような予め所定の組成に調整された合金ハンダからなるハンダ層を「合金ハンダ層」と呼び、前述した薄膜積層ハンダ層と区別する。
特開２００２−３７３９６０号公報 特開平５−１８６８８４号公報 特開平７−１５５９８４号公報 特開２００３−２００２８８号公報
薄膜積層ハンダ層付きセラミックス基板においてもＰｂフリー化は重要な技術課題であり、Ｓｎ−Ｐｂ共晶ハンダを溶融時に与える薄膜積層ハンダ層からＰｂフリーの薄膜積層ハンダ層への転換が望まれている。
しかしながら、薄膜積層ハンダ層は溶融した状態で層全体が所定のハンダ組成となるため、合金ハンダ層の場合とは異なりその性能は層構造に大きく影響を受ける（この点は、後述する実施例と比較例との対比からも明らかである）。例えば、合金ハンダ層では高い接合強度が得られても、溶融時にその合金ハンダ層と同一組成を与えるように形成された薄膜積層ハンダ層では十分な接合強度が得られないことも多い。また、Ｓｎ−Ｐｂ共晶薄膜積層ハンダ層を有するセラミックス基板に素子を接合するプロセスは完成されており、Ｓｎ−Ｐｂ共晶薄膜積層ハンダ層からＰｂフリーの薄膜積層ハンダ層への移行に際しては、Ｓｎ−Ｐｂ共晶薄膜積層ハンダ層を用いた時と同等の接合強度が得られることは勿論、プロセス上の大きな変更を伴わないことが望まれている。そして、この要望を満足するためには、採用されるＰｂフリーの薄膜積層ハンダ層の融点は１７０〜２３０℃、好ましくは１８０〜２００℃であることが必要である。
しかしながら、薄膜積層ハンダ層は溶融した状態で層全体が所定のハンダ組成となるため、合金ハンダ層の場合とは異なりその性能は層構造に大きく影響を受ける（この点は、後述する実施例と比較例との対比からも明らかである）。例えば、合金ハンダ層では高い接合強度が得られても、溶融時にその合金ハンダ層と同一組成を与えるように形成された薄膜積層ハンダ層では十分な接合強度が得られないことも多い。また、Ｓｎ−Ｐｂ共晶薄膜積層ハンダ層を有するセラミックス基板に素子を接合するプロセスは完成されており、Ｓｎ−Ｐｂ共晶薄膜積層ハンダ層からＰｂフリーの薄膜積層ハンダ層への移行に際しては、Ｓｎ−Ｐｂ共晶薄膜積層ハンダ層を用いた時と同等の接合強度が得られることは勿論、プロセス上の大きな変更を伴わないことが望まれている。そして、この要望を満足するためには、採用されるＰｂフリーの薄膜積層ハンダ層の融点は１７０〜２３０℃、好ましくは１８０〜２００℃であることが必要である。
本発明は、このような要求を満足するＰｂフリーの薄膜積層ハンダ層を有する素子接合用基板を提供することを目的とする。
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意検討を行なった。その結果、Ａｕを含有するＳｎ系ハンダ等のＰｂフリーハンダにＢｉやＩｎ等の金属を添加することによりＳｎ−Ｐｂ共晶ハンダとほぼ同等の融点とすることができるという知見を得るに至った。しかしながら、これら金属を添加した薄膜積層ハンダ層には素子をハンダ付けした場合の接合強度が低いという問題があることが判明した。そして、このような問題を解決すべく更に検討を行なったところ、Ａｇ等の特定の金属を添加することによって高い接合強度が得られる場合があることと、接合強度は薄膜積層ハンダ層表面の表面粗さの影響を強く受け、該表面粗さが特定の値より小さい場合には高い接合強度が得られることを見出すとともに、表面粗さがこの条件を満たすようなハンダ層を安定して形成する方法を見出すことに成功し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の要旨は以下のとおりである。
［１］電極層を有する基板と該電極層上に形成されたハンダ層とからなる素子接合用基板であって、
該ハンダ層が、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、を含んでなるＰｂフリーハンダ層であり、
該ハンダ層の厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下である素子接合用基板。
［２］前記ハンダ層が、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属層と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる１以上の低融点化金属層と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる１以上の表面平滑化金属層と、を含み、
該低融点化金属層の各々が該表面平滑化金属層の何れかと隣接している［１］に記載の素子接合用基板。
［３］電極層を有する基板の該電極層上に、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とを含んでなる、
厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下のＰｂフリーハンダ層を形成するハンダ層形成工程を含んでなる［１］又は［２］に記載の素子接合用基板を製造する方法であって、
該ハンダ層形成工程が、前記基本金属からなる層を形成する工程と、Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる低融点化金属層を形成する工程と、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる表面平滑化金属層を形成する工程と、をそれぞれ１以上含み、
該低融点化金属層を形成する工程の直前および／または直後には該表面平滑化金属層を形成する工程の何れかが行われる素子接合用基板の製造方法。
［４］電極層を有する基板の該電極層上に、遷移金属からなる接着層を形成する接着層形成工程と、
該接着層上に、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とを含んでなる、
厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下のＰｂフリーハンダ層を形成するハンダ層形成工程とを含んでなる［１］又は［２］に記載の素子接合用基板を製造する方法であって、
該ハンダ層形成工程が、前記基本金属からなる層を形成する工程と、Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる低融点化金属層を形成する工程と、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる表面平滑化金属層を形成する工程と、をそれぞれ１以上含み、
該低融点化金属層を形成する工程の直前および／または直後には該表面平滑化金属層を形成する工程の何れかが行われる素子接合用基板の製造方法。
［５］［１］又は［２］に記載の素子接合用基板のハンダ層上に、電極を有する素子を当該電極が前記ハンダ層に接触するように載置した後にリフローハンダ付けする素子接合基板の製造方法。
［６］［５］に記載の方法で製造される素子接合基板。
［１］電極層を有する基板と該電極層上に形成されたハンダ層とからなる素子接合用基板であって、
該ハンダ層が、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、を含んでなるＰｂフリーハンダ層であり、
該ハンダ層の厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下である素子接合用基板。
［２］前記ハンダ層が、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属層と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる１以上の低融点化金属層と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる１以上の表面平滑化金属層と、を含み、
該低融点化金属層の各々が該表面平滑化金属層の何れかと隣接している［１］に記載の素子接合用基板。
［３］電極層を有する基板の該電極層上に、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とを含んでなる、
厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下のＰｂフリーハンダ層を形成するハンダ層形成工程を含んでなる［１］又は［２］に記載の素子接合用基板を製造する方法であって、
該ハンダ層形成工程が、前記基本金属からなる層を形成する工程と、Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる低融点化金属層を形成する工程と、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる表面平滑化金属層を形成する工程と、をそれぞれ１以上含み、
該低融点化金属層を形成する工程の直前および／または直後には該表面平滑化金属層を形成する工程の何れかが行われる素子接合用基板の製造方法。
［４］電極層を有する基板の該電極層上に、遷移金属からなる接着層を形成する接着層形成工程と、
該接着層上に、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とを含んでなる、
厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下のＰｂフリーハンダ層を形成するハンダ層形成工程とを含んでなる［１］又は［２］に記載の素子接合用基板を製造する方法であって、
該ハンダ層形成工程が、前記基本金属からなる層を形成する工程と、Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる低融点化金属層を形成する工程と、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる表面平滑化金属層を形成する工程と、をそれぞれ１以上含み、
該低融点化金属層を形成する工程の直前および／または直後には該表面平滑化金属層を形成する工程の何れかが行われる素子接合用基板の製造方法。
［５］［１］又は［２］に記載の素子接合用基板のハンダ層上に、電極を有する素子を当該電極が前記ハンダ層に接触するように載置した後にリフローハンダ付けする素子接合基板の製造方法。
［６］［５］に記載の方法で製造される素子接合基板。
本発明の素子接合用基板によれば、有害性が懸念されているＳｎ−Ｐｂ共晶ハンダを用いること無く、半導体素子の接合が可能となる。また、本発明の素子接合用基板で用いられるハンダは、融点がＳｎ−Ｐｂ共晶ハンダと同程度であるため、従来のＳｎ−Ｐｂ共晶ハンダを用いたリフロープロセスを大きく変更する事無く適用でき、半導体素子を低温で高接合強度にハンダ付けすることが可能となる。特に基板として表面に電極層が形成された窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板を用いたものは、このような特長に加えて高周波の誘電損失が少ないばかりでなく、使用時に発生する熱を放熱する放熱特性が良好であるという特長を併せ持つ非常に優れた素子接合用基板である。
さらに、本発明の製造方法によれば、上記のような優れた素子接合用基板を効率よく製造することが可能である。
さらに、本発明の製造方法によれば、上記のような優れた素子接合用基板を効率よく製造することが可能である。
本発明の素子接合用基板は、電極層を有する基板と該電極層上に形成されたハンダ層とからなる素子接合用基板であって、該ハンダ層が、（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、を含んでなるＰｂフリーハンダ層であり、該ハンダ層の厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下である素子接合用基板である。
本発明における「電極層を有する基板」は、その表面の一部又は全面に電極として機能する貴金属からなる電極層が形成された基板であれば特に限定されないが、半導体素子を接合して使用した時の高周波の誘電損失が少ないという観点から、窒化アルミニウム、アルミナ、ＳｉＣ等のセラミックス基板又はＳｉ基板、特に表面粗さＲａが０．０５μｍ以下でＲｍａｘが０．２μｍ以下であるセラミックス基板上にメタライゼーションにより貴金属電極層を形成したメタライズ基板を用いるのが好適である。電極層を構成する貴金属としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ等を挙げることができるが、導通抵抗が極めて低いＡｕを使用するのが好適である。
本発明における「電極層を有する基板」は、その表面の一部又は全面に電極として機能する貴金属からなる電極層が形成された基板であれば特に限定されないが、半導体素子を接合して使用した時の高周波の誘電損失が少ないという観点から、窒化アルミニウム、アルミナ、ＳｉＣ等のセラミックス基板又はＳｉ基板、特に表面粗さＲａが０．０５μｍ以下でＲｍａｘが０．２μｍ以下であるセラミックス基板上にメタライゼーションにより貴金属電極層を形成したメタライズ基板を用いるのが好適である。電極層を構成する貴金属としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ等を挙げることができるが、導通抵抗が極めて低いＡｕを使用するのが好適である。
これらメタライズ基板においては、前記したように貴金属電極層は、セラミックス基板に強固に接合した下地金属層上に直接又は間接的に形成されるのが一般的であり、例えばアルミナ基板においてはアルミナグリーンシート上にタングステン又はモリブデン等の高融点金属ペーストからなる電極パターンを印刷し、該パターンをグリーンシートと同時焼結した後に、必要に応じて高融点金属層上にニッケル層を形成し、更にその上に金等の貴金属電極層を形成したものが好適に使用できる。また、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板においては、（ｉ）窒化アルミニウム粉末に焼結助剤を添加して成形した後に焼結した基板の表面にスパッタリング法等により基本的に電極パターンと同一形状のチタンを主成分とする金属層（第一下地層）を形成した後に該第一下地層上に同じくスパッタリング法等により白金を主成分とする層を形成しこれを電極層としたメタライズ基板、（ｉｉ）該白金層を第二下地層とし、さらにその上にスパッタリング法等により金等の電極層を形成して得たメタライズ基板が好適に使用できる。本発明の素子結合用基板においては、素子を接合して使用した時に発生する熱を放熱する放熱特性が良好であるという観点から、上記（ｉ）又は（ｉｉ）の様にして得られる窒化アルミニウム系メタライズ基板を用いるのが特に好適である。
本発明におけるハンダ層の厚さは１〜１５μｍであり、素子の精密接合および接合強度の観点から２〜８μｍが好適である。ハンダ層の厚さが１μｍ未満の場合には十分な接合強度が得られないことがあり、１５μｍを超える場合にはハンダ量が多すぎるために接合後にハンダが素子の側面や上面（半導体素子においては発光面ともなる）を遮る不具合が生じることがある。
本発明におけるハンダ層の表面粗さ（Ｒａ）は０．１１μｍ以下であり、好ましくは０．０６μｍ以下、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。このようなハンダ層の表面粗さ（Ｒａ）であれば、素子をハンダ付けした際に高い接合強度が得られるが、０．１１μｍを超える場合には高い接合強度が得られないことがある。さらに、接合強度はハンダ層の表面形状にも敏感であり、Ｒａが上記範囲であることに加えてＲｍａｘは０．９０μｍ以下が好適であり、０．５５μｍ以下であればより好適である。
本発明におけるハンダ層の表面粗さ（Ｒａ）は０．１１μｍ以下であり、好ましくは０．０６μｍ以下、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。このようなハンダ層の表面粗さ（Ｒａ）であれば、素子をハンダ付けした際に高い接合強度が得られるが、０．１１μｍを超える場合には高い接合強度が得られないことがある。さらに、接合強度はハンダ層の表面形状にも敏感であり、Ｒａが上記範囲であることに加えてＲｍａｘは０．９０μｍ以下が好適であり、０．５５μｍ以下であればより好適である。
ここで、表面粗さ（Ｒａ）とは、測定範囲の中心面を基準にした表面凹凸の算術平均値であり、表面の凹凸の形や大きさを数値化して表すパラメータの一つである。Ｒｍａｘとは、表面の最高位点と最下位点の高さの差である。
本発明において、表面粗さ（Ｒａ）およびＲｍａｘの測定はＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて行う。ＡＦＭは、原子レベル（Åオーダー）の分解能で３次元的に試料の表面微細形状を計測でき、得られた３次元プロファイルを画像処理することにより、正確な表面粗さ（Ｒａ）およびＲｍａｘを知ることができる。
基本金属（ｂａｓｅ ｍｅｔａｌ）は、ハンダの基本となる金属であり、基本的な融点を決定し更に基本的な接合強度を発現させる成分である。基本金属としては、（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎが使用できるが、接合後の信頼性が高いという理由から（ｉ）Ｓｎ又は（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕを使用するのが好適である。
本発明において、表面粗さ（Ｒａ）およびＲｍａｘの測定はＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて行う。ＡＦＭは、原子レベル（Åオーダー）の分解能で３次元的に試料の表面微細形状を計測でき、得られた３次元プロファイルを画像処理することにより、正確な表面粗さ（Ｒａ）およびＲｍａｘを知ることができる。
基本金属（ｂａｓｅ ｍｅｔａｌ）は、ハンダの基本となる金属であり、基本的な融点を決定し更に基本的な接合強度を発現させる成分である。基本金属としては、（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎが使用できるが、接合後の信頼性が高いという理由から（ｉ）Ｓｎ又は（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕを使用するのが好適である。
前記ハンダ層における基本金属の含有量は、ハンダ層の総重量を基準として１０〜９５重量％、特に３４〜９０重量％であるのが好適である。なお、基本金属として（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕを使用する場合における両者の含有割合は基本金属の総重量を基準としてＳｎが８０〜９９重量％でありＡｕが１〜２０重量％であるのが好適であり、特に接合強度の観点からＳｎが８７〜９７重量％でありＡｕが３〜１３重量％であるのが最も好適である。
低融点化金属は、ハンダ層の融点を低下させる機能を有する。低融点化金属は、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｕ及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属である。但し、低融点化金属としてＩｎが使用されるのは基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限られ、低融点化金属としてＡｕが使用されるのは基本金属がＩｎであるときに限られる。低融点化金属としては、全ての基本金属に対して融点低下効果が高いという理由からＢｉを使用するのが好適である。また、基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕである場合にはＢｉの他にＩｎも同様の理由から好適に使用できる。Ｉｎについては、低融点化効果だけでなく、それ自体が柔らかいため接合時の緩衝効果が高いという利点もある。
低融点化金属は、ハンダ層の融点を低下させる機能を有する。低融点化金属は、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｕ及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属である。但し、低融点化金属としてＩｎが使用されるのは基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限られ、低融点化金属としてＡｕが使用されるのは基本金属がＩｎであるときに限られる。低融点化金属としては、全ての基本金属に対して融点低下効果が高いという理由からＢｉを使用するのが好適である。また、基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕである場合にはＢｉの他にＩｎも同様の理由から好適に使用できる。Ｉｎについては、低融点化効果だけでなく、それ自体が柔らかいため接合時の緩衝効果が高いという利点もある。
低融点化金属の含有量は、ハンダ層の融点及び密着強度の観点から、ハンダ層の総重量を基準として０．１〜３０重量％、特に３〜１６重量％であるのが好適である。このような低融点化金属の含有量であれば、ハンダ層の融点は１７０〜２３０℃、好ましくは１８０〜２００℃とすることができる。低融点化金属の含有量が少ないとハンダ層の融点が高くなる傾向があり、上記した範囲を下回るとハンダ層の融点が２３０℃を越えるケースが多くなる。
表面平滑化金属は、ハンダ層の表面を平滑化する機能を有する。表面平滑化効果が高く、しかも融点を低下させる効果もあることから表面平滑化金属としてはＡｇを使用するのが好適である。
表面平滑化金属の含有量は、その平滑化効果の観点からハンダ層の総重量を基準として４．９〜６０重量％、特に７〜５０重量％であるのが好適である。
表面平滑化金属は、ハンダ層の表面を平滑化する機能を有する。表面平滑化効果が高く、しかも融点を低下させる効果もあることから表面平滑化金属としてはＡｇを使用するのが好適である。
表面平滑化金属の含有量は、その平滑化効果の観点からハンダ層の総重量を基準として４．９〜６０重量％、特に７〜５０重量％であるのが好適である。
なお、当該ハンダ層は必要に応じて、ハンダ層の総重量を基準として２０重量％未満、より好ましくは１０重量％未満であれば、Ｇａ、Ｐｄ、Ｐ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、希土類等の成分を含んでいてもよい。
上記のような特性のハンダ層を有する本発明の素子接合用基板は、高接合強度の素子ハンダ付けを１７０〜２３０℃の温度範囲で行なうことが可能であり、従来のＳｎ−Ｐｂ共晶ハンダ用リフロープロセスを大きく変更する事無く適用できる。
本発明におけるハンダ層に含まれる上記各種成分の存在形態は特に限定されない。すなわち、当該ハンダ層は、たとえば前述した薄膜積層ハンダ層であっても合金ハンダ層であってもよいが、微細なパターンのハンダ層を高精度で形成できるので、薄膜積層ハンダ層であることが好ましい。薄膜積層ハンダ層を形成する方法は特に限定されず、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、蒸着法、ＣＶＤ法、メッキ法が好適である。
上記のような特性のハンダ層を有する本発明の素子接合用基板は、高接合強度の素子ハンダ付けを１７０〜２３０℃の温度範囲で行なうことが可能であり、従来のＳｎ−Ｐｂ共晶ハンダ用リフロープロセスを大きく変更する事無く適用できる。
本発明におけるハンダ層に含まれる上記各種成分の存在形態は特に限定されない。すなわち、当該ハンダ層は、たとえば前述した薄膜積層ハンダ層であっても合金ハンダ層であってもよいが、微細なパターンのハンダ層を高精度で形成できるので、薄膜積層ハンダ層であることが好ましい。薄膜積層ハンダ層を形成する方法は特に限定されず、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、蒸着法、ＣＶＤ法、メッキ法が好適である。
本発明におけるハンダ層が薄膜積層ハンダ層である場合、当該ハンダ層は（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属層と、（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる１以上の低融点化金属層と、（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる１以上の表面平滑化金属層と、を含み、該低融点化金属層の各々が該表面平滑化金属層の何れかと隣接しているのが好ましい。なお、前記基本金属層がＳｎ及びＡｕからなる場合、当該基本金属層はＳｎとＡｕとを同時蒸着して形成するような均一組成の単層構造であっても、１又は２以上のＳｎ層と１又は２以上のＡｕ層とを含む複層構造であってもよい。更に、前記したＧａ、Ｐｄ、Ｐ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、希土類等の任意成分は基本金属層を形成する際に導入することができる。
低融点化金属層が表面平滑化金属層と隣接している層構造としては、低融点化金属層の上に表面平滑化金属層が存在する層構造、低融点化金属層の下に表面平滑化金属層が存在する層構造、低融点化金属層の上下に表面平滑化金属層が存在する層構造の３種類が挙げられる。
低融点化金属層の上に表面平滑化金属層が存在する層構造では、薄膜積層ハンダ層形成の際、表面平滑化金属層以外の層（Ｐｂフリーハンダの層など）の上に低融点化金属層が形成される。このとき形成された低融点化金属層は一部が凝集し、きれいな連続層とならずに表面が荒れてしまうが、その上にさらに表面平滑化金属層が形成される際に、恐らく低融点化金属と表面平滑化金属の相互作用によるものと思われるが、表面の荒れは修復され平滑な表面が形成される。
低融点化金属層の上に表面平滑化金属層が存在する層構造では、薄膜積層ハンダ層形成の際、表面平滑化金属層以外の層（Ｐｂフリーハンダの層など）の上に低融点化金属層が形成される。このとき形成された低融点化金属層は一部が凝集し、きれいな連続層とならずに表面が荒れてしまうが、その上にさらに表面平滑化金属層が形成される際に、恐らく低融点化金属と表面平滑化金属の相互作用によるものと思われるが、表面の荒れは修復され平滑な表面が形成される。
低融点化金属層の下に表面平滑化金属層が存在する層構造では、薄膜積層ハンダ層形成の際、低融点化金属層は表面平滑化金属層の上に形成される。形成された低融点化金属層は、凝集は多少起こるが、平滑な連続層になる。
低融点化金属層の上下に表面平滑化金属層が存在する層構造では、薄膜積層ハンダ層形成の際、低融点化金属の凝集は最も起こりにくく、低融点化金属層は平滑性の高い連続層になる。
上記のように、ハンダ層に含まれる低融点化金属層が表面平滑化金属層と隣接していれば、低融点化金属層は、表面が平滑な連続層となるか、一時的に凝集して不連続な層になってもさらに上に積層される表面平滑化金属層によって修復されて平滑な表面を与える。したがって、最終的に得られるハンダ層は表面平滑性の高いものとなり、素子接合の際に大きな接合力を発揮する。中でも、低融点化金属層の上下に表面平滑化金属層が存在する層構造が、最も平滑性が高く接合力が大きいハンダ層を与えるので特に好ましい。
低融点化金属層の上下に表面平滑化金属層が存在する層構造では、薄膜積層ハンダ層形成の際、低融点化金属の凝集は最も起こりにくく、低融点化金属層は平滑性の高い連続層になる。
上記のように、ハンダ層に含まれる低融点化金属層が表面平滑化金属層と隣接していれば、低融点化金属層は、表面が平滑な連続層となるか、一時的に凝集して不連続な層になってもさらに上に積層される表面平滑化金属層によって修復されて平滑な表面を与える。したがって、最終的に得られるハンダ層は表面平滑性の高いものとなり、素子接合の際に大きな接合力を発揮する。中でも、低融点化金属層の上下に表面平滑化金属層が存在する層構造が、最も平滑性が高く接合力が大きいハンダ層を与えるので特に好ましい。
一方、低融点化金属層が表面平滑化金属層の何れとも隣接していない場合、該低融点化金属層は、薄膜積層ハンダ層形成の際に凝集し、修復されることもないので、最終的に得られるハンダ層の表面平滑性は低くなり、素子接合の際に大きな接合力が得られなくなることがある。その結果１７０〜２３０℃の温度範囲のハンダ付けを高接合強度で行うことができなくなる場合がある。
なお本発明の素子接合用基板において、電極層を有する基板とハンダ層との間に、該電極層側から順に該電極層を構成する貴金属以外の貴金属からなる層（たとえばＰｔ）及び遷移金属からなる接着層（たとえばＴｉ）が存在していてもよい。
次に、上記した特定の層構造を有するハンダ層の好ましい実施態様を以下図面を参照しながら具体的に説明する。
なお本発明の素子接合用基板において、電極層を有する基板とハンダ層との間に、該電極層側から順に該電極層を構成する貴金属以外の貴金属からなる層（たとえばＰｔ）及び遷移金属からなる接着層（たとえばＴｉ）が存在していてもよい。
次に、上記した特定の層構造を有するハンダ層の好ましい実施態様を以下図面を参照しながら具体的に説明する。
例えば、図１に示すような表面平滑化金属層５００、基本金属層としての金含有量１０重量％の金−錫合金（Ａｕ１０−Ｓｎと略記することもある）層５０１、Ｂｉ等の低融点化金属層５０２、表面平滑化金属層５０３およびＡｕ１０−Ｓｎ層５０４がこの順番で積層された構造；図２に示すような表面平滑化金属層５００、低融点化金属層５１１、表面平滑化金属層５１２およびＡｕ１０−Ｓｎ層５１３がこの順番で積層された構造；或いは図３に示すような表面平滑化金属層５００、低融点化金属化層５２１及びＡｕ１０−Ｓｎ層５２２がこの順番で積層された層構造が好適である。
これら態様において、各層の厚さは全体の組成を考慮して適宜決定すればよいが、図１に示す態様においては、基板に近い側に位置するＡｕ１０−Ｓｎ層５０１は遠い側のＡｕ１０−Ｓｎ層５０４の厚さの１／３２〜１／２であるのが好適である。
これら態様において、各層の厚さは全体の組成を考慮して適宜決定すればよいが、図１に示す態様においては、基板に近い側に位置するＡｕ１０−Ｓｎ層５０１は遠い側のＡｕ１０−Ｓｎ層５０４の厚さの１／３２〜１／２であるのが好適である。
ハンダ層内で最も下層に位置する表面平滑化金属層５００の厚さはコストパフォーマンスの観点から、０．１〜５μｍ、特に０．２〜３μｍであるのが好適である。該層の厚さが０．１μｍ未満だと表面平滑化効果が低く、また５μｍ以上としてもその効果は０．２〜３μｍのときと殆ど変わらない。該表面平滑化金属層はＡｇからなるのが好適である。
本発明の素子接合用基板の製造方法は特に限定されず、例えば電極層を有する基板の該電極層上に上記組成のハンダ層を形成した後に、その厚さと表面粗さが前記条件を満足するようにハンダ層表面を研磨することによって得ることもできるが、簡便且つ高歩留まりで再現性よく素子接合用基板を得ることができるという理由から次のような方法（本発明の製造方法）を採用するのが好適である。すなわち、電極層を有する基板の該電極層上に、（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とを含んでなる、厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下のＰｂフリーハンダ層を形成するハンダ層形成工程を含んでなる素子接合用基板を製造する方法であって、該ハンダ層形成工程が、前記基本金属からなる層を形成する工程と、Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる低融点化金属層を形成する工程と、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる表面平滑化金属層を形成する工程と、をそれぞれ１以上含み、該低融点化金属層を形成する工程の直前および／または直後には該表面平滑化金属層を形成する工程の何れかを行う方法を採用するのが好適である。
本発明の素子接合用基板の製造方法は特に限定されず、例えば電極層を有する基板の該電極層上に上記組成のハンダ層を形成した後に、その厚さと表面粗さが前記条件を満足するようにハンダ層表面を研磨することによって得ることもできるが、簡便且つ高歩留まりで再現性よく素子接合用基板を得ることができるという理由から次のような方法（本発明の製造方法）を採用するのが好適である。すなわち、電極層を有する基板の該電極層上に、（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とを含んでなる、厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下のＰｂフリーハンダ層を形成するハンダ層形成工程を含んでなる素子接合用基板を製造する方法であって、該ハンダ層形成工程が、前記基本金属からなる層を形成する工程と、Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる低融点化金属層を形成する工程と、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる表面平滑化金属層を形成する工程と、をそれぞれ１以上含み、該低融点化金属層を形成する工程の直前および／または直後には該表面平滑化金属層を形成する工程の何れかを行う方法を採用するのが好適である。
また、前記製造方法において、電極層を有する基板の該電極層上に当該ハンダ層を直接形成するのではなく、電極層を有する基板の該電極層上に、遷移金属からなる接着層を形成し、該接着層の上に当該ハンダ層を形成してもよい。
本発明の素子接合用基板に半導体素子等の素子を接合する方法は特に限定されず、公知のハンダ付け法が限定なく採用できるが、精度よい接合を効率的に行なうことができるという理由より、本発明の素子接合用基板のハンダ層上に電極を有する素子を当該電極が前記ハンダ層に接触するように載置した後にリフローハンダ付けするのが好適である。なお、リフローハンダ付け（リフローソルダリング）とは、基板の所定のランド上、又は部品電極、あるいはその両方に予めハンダを供給しておき、部品を基板上の所定の位置に固定した後に、ハンダを溶かし（フローさせ）て、部品と基板との接合を行なう方法である。上記方法において、ハンダをリフローさせる方法は特に限定されずリフローコンベヤを利用する方法、熱板を用いる方法、ベーパーリフロー法等が採用できる。また、加熱温度や加熱時間は用いるハンダの種類に応じて適宜決定すればよいが、本発明の素子接合用基板を用いた場合には、Ｓｎ−Ｐｂ共晶薄膜積層構造ハンダパターンを有するセラミックス基板に素子を接合する時とほぼ同じ温度、具体的には１７０〜２３０℃、より好適には１８０〜２００℃で良好なハンダ付けを行なうことが可能である。
本発明の素子接合用基板に半導体素子等の素子を接合する方法は特に限定されず、公知のハンダ付け法が限定なく採用できるが、精度よい接合を効率的に行なうことができるという理由より、本発明の素子接合用基板のハンダ層上に電極を有する素子を当該電極が前記ハンダ層に接触するように載置した後にリフローハンダ付けするのが好適である。なお、リフローハンダ付け（リフローソルダリング）とは、基板の所定のランド上、又は部品電極、あるいはその両方に予めハンダを供給しておき、部品を基板上の所定の位置に固定した後に、ハンダを溶かし（フローさせ）て、部品と基板との接合を行なう方法である。上記方法において、ハンダをリフローさせる方法は特に限定されずリフローコンベヤを利用する方法、熱板を用いる方法、ベーパーリフロー法等が採用できる。また、加熱温度や加熱時間は用いるハンダの種類に応じて適宜決定すればよいが、本発明の素子接合用基板を用いた場合には、Ｓｎ−Ｐｂ共晶薄膜積層構造ハンダパターンを有するセラミックス基板に素子を接合する時とほぼ同じ温度、具体的には１７０〜２３０℃、より好適には１８０〜２００℃で良好なハンダ付けを行なうことが可能である。
ハンダ付けする「素子」としては、ハンダにより接合可能な金属等から成る電極を有する素子が用いられる。具体的には、他の電気的な配線に直接接続できる電極を有する抵抗やキャパシタ等の電気的な部品及び半導体素子が挙げられる。半導体分野で一般に用いられる素子においては、上記電極は金で構成されているものが多いが、これに限定されない。
なお、ハンダ層内の最下層が表面平滑化金属層である場合、上記素子接合方法においてハンダ層を加熱溶融した際に、当該表面平滑化金属は溶融したハンダ層全体に拡散する。このとき必ずしも当該表面平滑化金属層を構成する表面平滑化金属の全てが拡散するとは限らず、当該平滑化金属層の底面近傍では層状に表面平滑化金属が残ることもある。
なお、ハンダ層内の最下層が表面平滑化金属層である場合、上記素子接合方法においてハンダ層を加熱溶融した際に、当該表面平滑化金属は溶融したハンダ層全体に拡散する。このとき必ずしも当該表面平滑化金属層を構成する表面平滑化金属の全てが拡散するとは限らず、当該平滑化金属層の底面近傍では層状に表面平滑化金属が残ることもある。
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１
図１に示すような構造の素子接合用基板を、以下の様にして作製した。なお図１は、代表的な本発明の素子接合用基板１０１の断面図であり、窒化アルミニウム焼結体基板２０１上に、Ｔｉを主成分とする第１下地層２０２、白金を主成分とする第２下地層２０３、及び金電極層２０４がこの順番で積層された基板２００の金電極層上に、ハンダ流れ出し防止用Ｐｔ層３０１、Ｔｉを主成分とする密着層４０１、並びに第一Ａｇ層５００、第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５０１、Ｂｉ層５０２、第二Ａｇ層５０３および第二Ａｕ１０−Ｓｎ層５０４がこの順番で積層されてなるハンダ層５０９が積層された構造を有する。
先ず、窒化アルミニウム焼結体基板｛５０．８ｍｍ×５０．８ｍｍ×０．３ｍｍｔ、表面粗さＲａ＝０．０２μｍ、Ｒｍａｘ＝０．１７９μｍ（株）トクヤマ製｝の表面にスパッタリング装置を用いてスパッタリング法により厚さ０．０６μｍのＴｉを主成分とする第１下地層、厚さ０．２μｍの白金を主成分とする第２下地層、及び厚さ０．６μｍの金電極層を順次形成した。次いで、フォトリソを用いてハンダ流れ出し防止用のパターニングを行い、スパッタリング法を用いてＰｔを０．２５μｍ成膜した。さらにフォトリソを用いてハンダパターニングを行い、真空蒸着装置を用いて上記ハンダ流れ出し防止用のＰｔ上に、厚さ０．０６μｍの密着層Ｔｉ及び１．５μｍのＡｇ層を形成し、引続きターゲットとしてＡｕ及びＳｎを用いた二元同時蒸着法により、金含有量が１０重量％のＡｕ−Ｓｎ合金｛融点２１７℃及びヤング率４５．０ＧＰａ（ａｔ２５℃）｝から成る厚さ１．０μｍのＡｕ−Ｓｎ層を形成し、次いでＢｉ層を０．３３μｍ、Ａｇ層を０．２μｍ、最後にＡｕ及びＳｎを用いた二元同時蒸着法により、金含有量が１０重量％のＡｕ−Ｓｎ層を２．４７μｍ成膜し、本発明の素子接合用基板（Ｎｏ．１）を作製した。
図１に示すような構造の素子接合用基板を、以下の様にして作製した。なお図１は、代表的な本発明の素子接合用基板１０１の断面図であり、窒化アルミニウム焼結体基板２０１上に、Ｔｉを主成分とする第１下地層２０２、白金を主成分とする第２下地層２０３、及び金電極層２０４がこの順番で積層された基板２００の金電極層上に、ハンダ流れ出し防止用Ｐｔ層３０１、Ｔｉを主成分とする密着層４０１、並びに第一Ａｇ層５００、第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５０１、Ｂｉ層５０２、第二Ａｇ層５０３および第二Ａｕ１０−Ｓｎ層５０４がこの順番で積層されてなるハンダ層５０９が積層された構造を有する。
先ず、窒化アルミニウム焼結体基板｛５０．８ｍｍ×５０．８ｍｍ×０．３ｍｍｔ、表面粗さＲａ＝０．０２μｍ、Ｒｍａｘ＝０．１７９μｍ（株）トクヤマ製｝の表面にスパッタリング装置を用いてスパッタリング法により厚さ０．０６μｍのＴｉを主成分とする第１下地層、厚さ０．２μｍの白金を主成分とする第２下地層、及び厚さ０．６μｍの金電極層を順次形成した。次いで、フォトリソを用いてハンダ流れ出し防止用のパターニングを行い、スパッタリング法を用いてＰｔを０．２５μｍ成膜した。さらにフォトリソを用いてハンダパターニングを行い、真空蒸着装置を用いて上記ハンダ流れ出し防止用のＰｔ上に、厚さ０．０６μｍの密着層Ｔｉ及び１．５μｍのＡｇ層を形成し、引続きターゲットとしてＡｕ及びＳｎを用いた二元同時蒸着法により、金含有量が１０重量％のＡｕ−Ｓｎ合金｛融点２１７℃及びヤング率４５．０ＧＰａ（ａｔ２５℃）｝から成る厚さ１．０μｍのＡｕ−Ｓｎ層を形成し、次いでＢｉ層を０．３３μｍ、Ａｇ層を０．２μｍ、最後にＡｕ及びＳｎを用いた二元同時蒸着法により、金含有量が１０重量％のＡｕ−Ｓｎ層を２．４７μｍ成膜し、本発明の素子接合用基板（Ｎｏ．１）を作製した。
このようにして得た素子接合用基板のハンダ層の表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝０．０５８μｍ、Ｒｍａｘ＝０．６８９μｍであった。なお、表面粗さの測定は、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製Ｃｏｎｔａｃｔ ＡＦＭ ＮａｎｏＳｃｏｐｅＩＩＩを用い次のようにして行なった。即ち、本発明の素子接合用基板のハンダ層形成面と反対側に両面テープを貼り、直径１２ｍｍφのスチール製円板に固定後、該円板をピエゾ・スキャナの上部にマグネット方式で固定し、探針を付けたカンチレバーをハンダ層表面に接触させた。カンチレバーは、表面の凹凸に直接応答して変位するが、その変位を『光てこ方式』により測定した。尚、カンチレバーは、Ｖ字型のＳｉ３Ｎ４製で、かつ、バネ定数０．１２Ｎ／ｍ、探針高さ３μｍ、曲率半径５〜４０ｎｍ、１／２Ｃｏｒｎ Ａｎｇｌｅ３５°、先端形状が四角錐のものを使用した。測定前に除電ブロア−をかけ、基板表面の静電気による影響をできる限り少なくした。また、測定範囲は２０μｍ四方、測定視野数は素子接合用基板１チップにつき３視野とした。測定後、ＮａｎｏＳｃｏｐｅＩＩＩのソフトウェアを利用し、測定した３次元プロファイルの画像処理を行うことにより、Ｒａ、Ｒｍａｘを計算し、３視野の平均値を算出した。尚、本発明でＲａは、測定範囲の中心面を基準にした表面の平均値であり、式（１）により計算されるものである。また、Ｒｍａｘは、表面の最高位点と最下位点の高さの差である。
Ｒａ＝Ｆ（１，ＬＸＬＹ）Ｉ（０，ＬＹ，Ｉ（０，ＬＸ｜ｆ（ｘ，ｙ）｜ｄｘ）ｄｙ）（１）
尚、ｆ（ｘ，ｙ）は中心面を基準にした表面、ＬＸ、ＬＹは、表面の寸法を表す。
Ｒａ＝Ｆ（１，ＬＸＬＹ）Ｉ（０，ＬＹ，Ｉ（０，ＬＸ｜ｆ（ｘ，ｙ）｜ｄｘ）ｄｙ）（１）
尚、ｆ（ｘ，ｙ）は中心面を基準にした表面、ＬＸ、ＬＹは、表面の寸法を表す。
次に、このようにして作製した素子接合用基板のハンダ層上にＡｕ電極を有するＧａ−Ａｓ製の半導体素子を載置し、ダイボンダー装置を用いて２２０℃で１８０秒接合し、素子接合基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、ダイシェアテスタ（ＩＭＡＤＡ社製）により接合強度を測定したところ、平均接合強度は３．１ｋｇｆ／ｍｍ２であり、剥離モードは全て半導体素子内であった。なお、本実施例及び比較例におけるハンダ層の融点はセイコーインスツルメンツ株式会社製ＴＧ／ＤＴＡ装置ＳＳＣ５２００を用いてＤＴＡ測定により決定した。
また、Ｂｉ層、金含有量が１０重量％のＡｕ−Ｓｎ層（Ａｕ１０−Ｓｎ層）、Ａｇ層の膜厚を表１に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．２〜８を製造し、同様に表面粗さ及び接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表１に示す。
また、Ｂｉ層、金含有量が１０重量％のＡｕ−Ｓｎ層（Ａｕ１０−Ｓｎ層）、Ａｇ層の膜厚を表１に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．２〜８を製造し、同様に表面粗さ及び接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表１に示す。
なお、剥離モードが「半導体素子内」であるということは半導体素子の破壊によって剥離したことを意味し、「ハンダ層内」とはハンダ層の破壊によって剥離したことを意味する。なお、半導体素子の破壊は２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上で起こる。一般に、信頼性の観点から、剥離モードが「ハンダ層内」である場合には、平均接合強度は２．０ｋｇｆ／ｍｍ２以上である事が望ましいといわれている。また、剥離が半導体素子−ハンダ間で起こる場合には接合の信頼性は低いといえる。また、表１のハンダ層の組成においてＡｕ、Ｂｉ及びＡｇ以外の成分はすべてＳｎであるのでＳｎの重量％は省略している。
ハンダ層の構造を図２の５１０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ０．３３μｍのＢｉ層５１１、厚さ０．２μｍの第二Ａｇ層５１２および厚さ３．４７μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５１３がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合用基板を作製し、接合温度を実施例１と同様にして素子接合基板（Ｎｏ．９）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．０４４μｍ、Ｒｍａｘ＝０．３９０μｍであり、平均接合強度は３．１ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｂｉ層、Ａｕ１０−Ｓｎ層、Ａｇ層の厚さを表１に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．１０〜１５を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表１に示す。
実施例３
ハンダ層の構造を図３の５２０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ０．３３μｍのＢｉ層５２１、および厚さ３．６７μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５２２がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合基板（Ｎｏ．１６）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１０１μｍ、Ｒｍａｘ＝０．８０７μｍであり、平均接合強度は３．２ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｂｉ層、Ａｕ１０−Ｓｎ層の厚さを表１に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．１７〜１９を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表１に示す。
ハンダ層の構造を図３の５２０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ０．３３μｍのＢｉ層５２１、および厚さ３．６７μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５２２がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合基板（Ｎｏ．１６）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１０１μｍ、Ｒｍａｘ＝０．８０７μｍであり、平均接合強度は３．２ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｂｉ層、Ａｕ１０−Ｓｎ層の厚さを表１に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．１７〜１９を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表１に示す。
実施例４
ハンダ層の構造を図４の５３０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ１．０μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５３１、厚さ０．３３μｍのＩｎ層５３２、厚さ０．２μｍの第二Ａｇ層５３３および厚さ２．４７μｍの第二Ａｕ１０−Ｓｎ層５３４がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合用基板を作製し、接合温度を実施例１と同様にして素子接合基板（Ｎｏ．２１）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．０４９μｍ、Ｒｍａｘ＝０．６４４μｍであり、平均接合強度は２．５ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｉｎ層、Ａｕ１０−Ｓｎ層、第二Ａｇ層の膜厚を表２に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．２２〜２８を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表２に示す。
ハンダ層の構造を図４の５３０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ１．０μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５３１、厚さ０．３３μｍのＩｎ層５３２、厚さ０．２μｍの第二Ａｇ層５３３および厚さ２．４７μｍの第二Ａｕ１０−Ｓｎ層５３４がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合用基板を作製し、接合温度を実施例１と同様にして素子接合基板（Ｎｏ．２１）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．０４９μｍ、Ｒｍａｘ＝０．６４４μｍであり、平均接合強度は２．５ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｉｎ層、Ａｕ１０−Ｓｎ層、第二Ａｇ層の膜厚を表２に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．２２〜２８を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表２に示す。
ハンダ層の構造を図５の５４０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ０．３３μｍのＩｎ層５４１、厚さ０．２μｍの第二Ａｇ層５４２および厚さ３．４７μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５４３がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合基板（Ｎｏ．２９）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．０３５μｍ、Ｒｍａｘ＝０．３７０μｍであり、平均接合強度は２．７ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｉｎ層、Ａｕ１０−Ｓｎ層の膜厚を表２に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．３０〜３５を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表２に示す。
実施例６
ハンダ層の構造を図６の５５０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ０．３３μｍのＩｎ層５５１、および厚さ３．６７μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５５２がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合基板（Ｎｏ．３６）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１０５μｍ、Ｒｍａｘ＝０．８５４μｍであり、平均接合強度は２．７ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｉｎ層、Ａｕ１０−Ｓｎ層の膜厚を表２に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．３７〜３９を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表２に示す。
ハンダ層の構造を図６の５５０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ０．３３μｍのＩｎ層５５１、および厚さ３．６７μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５５２がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合基板（Ｎｏ．３６）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１０５μｍ、Ｒｍａｘ＝０．８５４μｍであり、平均接合強度は２．７ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｉｎ層、Ａｕ１０−Ｓｎ層の膜厚を表２に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．３７〜３９を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表２に示す。
実施例７
ハンダ層の構造を図７の５６０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ０．３３μｍのＢｉ層５６１、厚さ０．２μｍの第二Ａｇ層５６２および厚さ３．４７μｍの第一Ｓｎ層５６３がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合基板（Ｎｏ．４０）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．０４４μｍ、Ｒｍａｘ＝０．４１０μｍであり、平均接合強度は２．５ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｂｉ層、Ｓｎ層の膜厚を表３に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．４１〜４３を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表３に示す。
ハンダ層の構造を図７の５６０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ０．３３μｍのＢｉ層５６１、厚さ０．２μｍの第二Ａｇ層５６２および厚さ３．４７μｍの第一Ｓｎ層５６３がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合基板（Ｎｏ．４０）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．０４４μｍ、Ｒｍａｘ＝０．４１０μｍであり、平均接合強度は２．５ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｂｉ層、Ｓｎ層の膜厚を表３に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．４１〜４３を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表３に示す。
ハンダ層の構造を図８の５７０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ０．３３μｍのＩｎ層５７１、厚さ０．２μｍの第二Ａｇ層５７２および厚さ３．４７μｍの第一Ｓｎ層５７３がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合基板（Ｎｏ．４４）を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．０４６μｍ、Ｒｍａｘ＝０．５１２μｍであり、平均接合強度は３．１ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。また、Ｉｎ層、Ｓｎ層の膜厚を表３に示すように変更し、本発明の素子接合用基板Ｎｏ．４４〜４７を製造し、同様に接合強度の測定を行なった。その結果を併せて表３に示す。
比較例１
ハンダ層の構造を図９の５８０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ１．７３５μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５８１、厚さ０．３３μｍのＢｉ層５８２および厚さ１．７３５μｍの第二Ａｕ１０−Ｓｎ層５８３がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合用基板（Ｎｏ．２０）を作製し、接合温度や条件を実施例１と同様にして素子接合基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１２０μｍ、Ｒｍａｘ＝１．０６μｍであり、平均接合強度は０．７ｋｇｆ／ｍｍ２であり、剥離モードは全て半導体素子−ハンダ間であった。
比較例２
ハンダ層の構造を図１０の５９０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ１．１５６μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５９１、厚さ０．３３μｍのＢｉ層５９２および厚さ１．１５６μｍの第二Ａｕ１０−Ｓｎ層５９３、厚さ０．２μｍの第二Ａｇ層５９４および厚さ１．１５６μｍの第三Ａｕ１０−Ｓｎ層５９５がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合用基板を作製し、接合温度や条件を実施例１と同様にして素子接合基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１１９μｍ、Ｒｍａｘ＝０．９７２μｍであり、平均接合強度は０．８ｋｇｆ／ｍｍ２であり、剥離モードは全て半導体素子−ハンダ間であった。
ハンダ層の構造を図９の５８０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ１．７３５μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５８１、厚さ０．３３μｍのＢｉ層５８２および厚さ１．７３５μｍの第二Ａｕ１０−Ｓｎ層５８３がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合用基板（Ｎｏ．２０）を作製し、接合温度や条件を実施例１と同様にして素子接合基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１２０μｍ、Ｒｍａｘ＝１．０６μｍであり、平均接合強度は０．７ｋｇｆ／ｍｍ２であり、剥離モードは全て半導体素子−ハンダ間であった。
比較例２
ハンダ層の構造を図１０の５９０に示されるように、厚さ１．５μｍの第一Ａｇ層５００上に厚さ１．１５６μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５９１、厚さ０．３３μｍのＢｉ層５９２および厚さ１．１５６μｍの第二Ａｕ１０−Ｓｎ層５９３、厚さ０．２μｍの第二Ａｇ層５９４および厚さ１．１５６μｍの第三Ａｕ１０−Ｓｎ層５９５がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして、素子接合用基板を作製し、接合温度や条件を実施例１と同様にして素子接合基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１１９μｍ、Ｒｍａｘ＝０．９７２μｍであり、平均接合強度は０．８ｋｇｆ／ｍｍ２であり、剥離モードは全て半導体素子−ハンダ間であった。
比較例３
第一Ａｇ層を形成せず、更にハンダ層の構造を図１１の５Ａ０に示されるようにハンダ流れ出し防止用Ｐｔ側から順に厚さ０．３３μｍのＢｉ層５Ａ１、および厚さ３．６７μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５Ａ２がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして素子接合基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１３１μｍ、Ｒｍａｘ＝１．２７２μｍであり、平均接合強度は０．４ｋｇｆ／ｍｍ２であり、剥離モードは全て半導体素子−ハンダ間であった。
参考例１
第一Ａｇ層を形成せず、ハンダ層を図１２に示されるＳｎ−Ｐｂハンダ層６００、即ちハンダ流れ出し防止用Ｐｔ層側から順に厚さ０．５５μｍ第一Ｐｂ層６０１、厚さ１．４５μｍの第一Ｓｎ層６０２、厚さ０．５５μｍ第二Ｐｂ層６０３、厚さ１．４５μｍの第二Ｓｎ層６０４が積層された構造のハンダ層とする他は実施例１と同様にして、素子接合用基板を作製し、接合温度を実施例１と同様にして素子接合基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして接合強度を測定したところ、平均接合強度は３．４ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。
第一Ａｇ層を形成せず、更にハンダ層の構造を図１１の５Ａ０に示されるようにハンダ流れ出し防止用Ｐｔ側から順に厚さ０．３３μｍのＢｉ層５Ａ１、および厚さ３．６７μｍの第一Ａｕ１０−Ｓｎ層５Ａ２がこの順番で積層された構造とする他は実施例１と同様にして素子接合基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして表面粗さ及び接合強度を測定したところ、Ｒａ＝０．１３１μｍ、Ｒｍａｘ＝１．２７２μｍであり、平均接合強度は０．４ｋｇｆ／ｍｍ２であり、剥離モードは全て半導体素子−ハンダ間であった。
参考例１
第一Ａｇ層を形成せず、ハンダ層を図１２に示されるＳｎ−Ｐｂハンダ層６００、即ちハンダ流れ出し防止用Ｐｔ層側から順に厚さ０．５５μｍ第一Ｐｂ層６０１、厚さ１．４５μｍの第一Ｓｎ層６０２、厚さ０．５５μｍ第二Ｐｂ層６０３、厚さ１．４５μｍの第二Ｓｎ層６０４が積層された構造のハンダ層とする他は実施例１と同様にして、素子接合用基板を作製し、接合温度を実施例１と同様にして素子接合基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作製し、実施例１と同様にして接合強度を測定したところ、平均接合強度は３．４ｋｇｆ／ｍｍ２であり、主な剥離モードは半導体素子内であった。
なお、実施例１〜３および比較例１の素子接合用基板については、断面研磨写真を図１３〜１６に、表面粗さの測定（ＡＦＭ）の際に得られたハンダ層表面の３次元画像を図１７〜２０に、それぞれ示す。
１０１〜１１２：素子接合用基板
２００：表面に金電極層が形成されてなる基板
２０１：窒化アルミニウム焼結体基板
２０２：Ｔｉを主成分とする第一下地層
２０３：Ｐｔを主成分とする第二下地層
２０４：金電極層
３０１：ハンダ流れ出し防止用Ｐｔ
４０１：Ｔｉを主成分とした密着層
５００：第一Ａｇ層（表面平滑化金属層）
５０９、５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０、５７０、５８０、５９０及び５Ａ０：ハンダ層
５０１、５１３、５２２、５３１、５４３、５５２、５８１、５９１及び５Ａ２：第一Ａｕ１０−Ｓｎ層
５０２、５１１、５２１、５６１、５８２、５９２及び５Ａ１：Ｂｉ層（低融点化金属層）
５０３、５１２、５３３、５４２、５６２、５７２及び５９４：第二Ａｇ層（表面平滑化金属層）
５０４、５３４、５８３及び５９３：第二Ａｕ１０−Ｓｎ層
５３２、５４１、５５１及び５７１：Ｉｎ層（低融点化金属層）
５６３及び５７３：第一Ｓｎ層
５９５：第三Ａｕ１０−Ｓｎ層
６００：Ｓｎ−Ｐｂハンダ層
６０１：第一Ｐｂ層
６０２：第一Ｓｎ層
６０３：第二Ｐｂ層
６０４：第二Ｓｎ層
２００：表面に金電極層が形成されてなる基板
２０１：窒化アルミニウム焼結体基板
２０２：Ｔｉを主成分とする第一下地層
２０３：Ｐｔを主成分とする第二下地層
２０４：金電極層
３０１：ハンダ流れ出し防止用Ｐｔ
４０１：Ｔｉを主成分とした密着層
５００：第一Ａｇ層（表面平滑化金属層）
５０９、５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０、５７０、５８０、５９０及び５Ａ０：ハンダ層
５０１、５１３、５２２、５３１、５４３、５５２、５８１、５９１及び５Ａ２：第一Ａｕ１０−Ｓｎ層
５０２、５１１、５２１、５６１、５８２、５９２及び５Ａ１：Ｂｉ層（低融点化金属層）
５０３、５１２、５３３、５４２、５６２、５７２及び５９４：第二Ａｇ層（表面平滑化金属層）
５０４、５３４、５８３及び５９３：第二Ａｕ１０−Ｓｎ層
５３２、５４１、５５１及び５７１：Ｉｎ層（低融点化金属層）
５６３及び５７３：第一Ｓｎ層
５９５：第三Ａｕ１０−Ｓｎ層
６００：Ｓｎ−Ｐｂハンダ層
６０１：第一Ｐｂ層
６０２：第一Ｓｎ層
６０３：第二Ｐｂ層
６０４：第二Ｓｎ層
Claims (6)
- 電極層を有する基板と該電極層上に形成されたハンダ層とからなる素子接合用基板であって、
該ハンダ層が、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、を含んでなるＰｂフリーハンダ層であり、
該ハンダ層の厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下である素子接合用基板。 - 前記ハンダ層が、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属層と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる１以上の低融点化金属層と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる１以上の表面平滑化金属層と、を含み、
該低融点化金属層の各々が該表面平滑化金属層の何れかと隣接している請求項１に記載の素子接合用基板。 - 電極層を有する基板の該電極層上に、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とを含んでなる、
厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下のＰｂフリーハンダ層を形成するハンダ層形成工程を含んでなる請求項１又は２に記載の素子接合用基板を製造する方法であって、
該ハンダ層形成工程が、前記基本金属からなる層を形成する工程と、Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる低融点化金属層を形成する工程と、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる表面平滑化金属層を形成する工程と、をそれぞれ１以上含み、
該低融点化金属層を形成する工程の直前および／または直後には該表面平滑化金属層を形成する工程の何れかが行われる素子接合用基板の製造方法。 - 電極層を有する基板の該電極層上に、遷移金属からなる接着層を形成する接着層形成工程と、
該接着層上に、
（１）（ｉ）Ｓｎ、（ｉｉ）Ｓｎ及びＡｕ又は（ｉｉｉ）Ｉｎからなる基本金属と、
（２）Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
（３）Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とを含んでなる、
厚さが１〜１５μｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下のＰｂフリーハンダ層を形成するハンダ層形成工程とを含んでなる請求項１又は２に記載の素子接合用基板を製造する方法であって、
該ハンダ層形成工程が、前記基本金属からなる層を形成する工程と、Ｂｉ、Ｉｎ（基本金属がＳｎ、又はＳｎ及びＡｕであるときに限る）、Ｚｎ、Ａｕ（基本金属がＩｎであるときに限る）及びＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる低融点化金属層を形成する工程と、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる表面平滑化金属層を形成する工程と、をそれぞれ１以上含み、
該低融点化金属層を形成する工程の直前および／または直後には該表面平滑化金属層を形成する工程の何れかが行われる素子接合用基板の製造方法。 - 請求項１又は２に記載の素子接合用基板のハンダ層上に、電極を有する素子を当該電極が前記ハンダ層に接触するように載置した後にリフローハンダ付けする素子接合基板の製造方法。
- 請求項５に記載の方法で製造される素子接合基板。
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