JPWO2004097841A1 - アクセスタイムを短くしたスペアセクタを有するフラッシュメモリ - Google Patents
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Abstract
Description
半導体メモリは、製造工程上の理由から不良ビットを完全になくすことは困難である。従って、歩留まり向上のために、スペアメモリを予め設けておき、製造工程の最終段階で行われる動作試験で不良が発見された場合、その不良ビットを含む領域がスペアメモリに置き換えられる。この不良ビットをスペアメモリに置き換えたことは、冗長メモリと称されるメモリに記録される。このような冗長構成のメモリは、DRAMにおいて広く採用されてきたが、フラッシュメモリにおいても大容量化に伴って採用されるようになっている。
DRAMにおいて採用されてきた冗長構成は、通常メモリセルアレイに加えて、コラム方向にスペアメモリセルアレイを設けた構成である。そして、ロウアドレスに従ってワード線を選択し駆動することで、通常メモリセルアレイとスペアメモリセルアレイに共通のワード線を立ち上げる。それと並行して外部コラムアドレスが置き換えられた不良ビットに対応するか否かの判定を行い、判定結果に応じて、通常メモリセルアレイ側かスペアメモリセルアレイ側かのいずれかを選択する。かかるDRAMの冗長構成については、例えば以下の特許文献1に記載されている。
特許文献1:特開2000−149587号公報
上記の特許文献1によれば、供給されたコラムアドレスが不良コラムと一致するか否かを判定するコラム冗長判定回路が設けられ、その冗長判定結果に応じて通常コラムデコーダを非活性化して冗長コラムデコーダを活性化する。それに伴って、通常コラム選択が確定するタイミングと冗長コラム選択が確定するタイミングとがずれてしまい、データ線のプリチャージ終了から増幅開始までの期間を十分長くする必要があるという課題が存在する。それを解決するために、特許文献1によれば、ダミー冗長判定回路を設けて、不一致の冗長判定結果のタイミングを検出し、そのタイミングで通常メモリセル側のコラムデコーダとスペアメモリセル側の冗長コラムデコーダとを同時に活性化する。これにより、通常メモリセル側とスペアメモリセル側のコラム選択動作タイミングを一致させることができ、上記のデータ線のプリチャージ終了から増幅開始までの期間を短くすることができる。
一方、本発明に係るフラッシュメモリは、セクタ構成であり、セクタそれぞれにワードデコーダが設けられる。そして、通常セクタに加えて不良セクタ救済のためにスペアセクタが設けられている。従って、上記の特許文献1とはその基本的構成が異なる。つまり、セクタ構成のフラッシュメモリでは、アクセスタイムを短縮する目的で、アクセス時にアドレスの変化を検出して生成されるATD(アドレス・トランジッション・デテクション)信号に応答して、通常セクタとスペアセクタが両方とも活性化され、それと並行してスペアセクタへの置き換えの有無が判断される。置き換えの有無が判断された時点で、通常セクタかスペアセクタのいずれかが非活性化される。従って、通常セクタとスペアセクタの活性化タイミングにずれはなく、上記の特許文献1とは課題が異なる。
しかしながら、セクタ構成のフラッシュメモリでは、スペアメモリへの置き換え情報を記憶している冗長メモリの読み出し完了タイミングが、回路設計や製造バラツキに起因して変動するという課題がある。かかる冗長メモリの読み出し完了タイミングの変動に伴って、冗長判定タイミングを十分なマージンを考慮して設定する必要がある。
図1は、従来の冗長判定動作を示す図である。通常セクタSECとスペアセクタSSECに対して、通常セクタ選択信号生成回路16とスペアセクタ選択信号生成回路18とが設けられ、通常セクタ選択信号RSECとスペアセクタ選択信号SSECとが生成される。これらの選択信号生成回路16,18は、ATD信号の立ち上がりに応答して、選択信号RSEC,SSECを同時に活性状態(Hレベル)にする。これに応答して、通常セクタSECと冗長セクタSSEC内のロウデコーダが活性化され、デコード動作を開始する。また、ATD信号に応答して、冗長メモリ10が活性化され読み出し動作を開始する。冗長メモリ10は、例えばコンテンツ・アドレッサブル・メモリ(CAM)で構成され、供給されたセクタアドレスが置き換え対象セクタか否かを記憶し、その置き換え情報COUT(CAM出力信号)を出力する。この置き換え情報COUTは、冗長メモリ10の構成によれば、初期状態のLレベルから、スペアセクタへの置き換えが必要な場合はHレベルに変化し、一方、スペアセクタへの置き換えが不要な場合はLレベルを維持する。つまり、冗長メモリ10の読み出し動作完了のタイミングは、その出力COUTからは判断することができない。
そのため、タイミング回路12を設け、ATD信号の立ち上がりから十分な動作マージンを有する一定時間dtのパルス幅を有するレディー信号READYを生成し、レディー信号READYの立ち下がりタイミングに応答して、冗長メモリ出力回路14が置き換え信号COUT−R、COUT−Sを各選択信号生成回路16,18に供給する。図1中のタイミングチャートに示したとおり、冗長メモリの記憶データがRM=1の場合は、スペアセクタへの置き換え不要を示し、出力COUT=Lであり、それに伴って通常セクタ選択信号RSECのHレベルが維持され、スペアセクタ選択信号SSECはLレベルにされる。一方、冗長メモリの記憶データがRM=0の場合は、スペアセクタへの置き換えが必要であることを示し、出力COUT=Hであり、それに伴って通常セクタ選択信号RSECはLレベルにされ、スペアセクタ選択信号SSECはHレベルに維持される。
しかしながら、冗長メモリの記憶データがRM=0の場合に示されるとおり、冗長メモリ10の読み出し動作がレディー信号READYのタイミングよりも早く完了していても、判定タイミングがレディー信号のタイミングに制約され、選択信号生成回路16,18の非選択動作を早くすることができないという課題がある。これは、フラッシュメモリのアクセスタイムを長くするという問題を招いている。
そこで、本発明の目的は、アクセスタイムを短くしたスペアセクタを有するフラッシュメモリを提供することにある。
更に、本発明の別の目的は、冗長判定動作を高速にしたフラッシュメモリを提供することにある。
第1の側面によれば、アドレス変化に伴って通常セクタとスペアセクタとが同時に選択され、アクセス動作を開始する。そして、冗長メモリから読み出された置き換え情報に基づいて、通常セクタとスペアセクタのいずれか一方が非選択状態にされる。それにより、セクタの動作開始が早くなりアクセスタイムを短くすることができる。更に、第1の側面によれば、レファレンス冗長メモリが冗長メモリの読み出しタイミングを検出して出力信号を変化させるので、そのタイミングで冗長メモリの置き換え情報を確定させることができ、通常セクタかスペアセクタの選択状態への確定を早くすることができる。
上記第1の側面のより好ましい実施例では、前記レファレンス冗長メモリは、前記冗長メモリが記憶可能な第1及び第2の情報をそれぞれ有し、読み出し時に出力が変化する第1及び第2のレファレンス冗長メモリを有し、当該第1及び第2のレファレンス冗長メモリの出力が共に変化した時に、前記レファレンス冗長メモリの出力信号が生成される。従って、冗長メモリの読み出しに要する最長時間のタイミングでレファレンス冗長メモリの出力信号が生成されるので、冗長メモリの置き換え情報を最短のタイミングで確定することができる。
第2図は、本実施の形態におけるフラッシュメモリの全体構成図である。
第3図は、フラッシュメモリの動作タイミングチャート図である。
第4図は、第1の実施の形態を示す図である。
第5図は、第2の実施の形態を示す図である。
第6図は、冗長メモリの回路と動作タイミングチャートを示す図である。
第7図は、第2の実施の形態におけるレファレンス冗長メモリの回路と動作タイミングチャートを示す図である。
第8図は、冗長メモリ出力回路とセクタ選択信号生成回路とを示す図である。
第9図は、アドレス変化信号生成回路と動作タイミングチャートを示す図である。
第2図は、本実施の形態におけるフラッシュメモリの全体構成図である。第2図のフラッシュメモリは、通常セルアレイ20は4つの通常セクタSEC0〜SEC3を有し、不良を有する通常セクタを救済するためにスペアセクタSSECを有する。各セクタには、ロウデコーダX−DECとそれにより選択されたワード線を昇圧レベルまで昇圧するブースタ回路BSTとがそれぞれ設けられる。また、通常セクタSEC0−3とスペアセクタSSECとはグローバルビット線GBLを共有しており、各セクタ内のローカルビット線がセクタ選択信号によってこのグローバルビット線GBLに接続される。そして、グローバルビット線GBLはYゲート22を介して出力回路24に接続され、出力回路22からデータ出力Doutが出力される。各セクタ内には、ワード線とローカルビット線の交差位置にフローティングゲートを有するセルトランジスタが設けられている。このセルトランジスタは、電源がオフになっても記憶データを保持する不揮発性メモリである。
また、第2図のフラッシュメモリは、供給されるアドレスADDを入力するアドレスバッファADDBUFFを有し、そこで入力されたロウアドレスは各セクタのロウデコーダX−DECに供給され、コラムアドレスはコラムデコーダYDECに供給される。更に、アドレスADDの変化に応答してワンショットパルスのアドレス変化信号ATDを生成するATD生成回路30が設けられ、このアドレス変化信号ATDに応答して、冗長メモリ10とレファレンス冗長メモリ10Rとが記憶情報の読み出し動作を開始する。冗長メモリ10とレファレンス冗長メモリ10Rは、共にセクタ内のセルトランジスタと同じセルトランジスタを有し、冗長メモリ10は、通常セクタを前記スペアセクタに置き換える置き換え情報を記憶し、アドレス変化信号ATDに応答してその置き換え情報を読み出す。一方、レファレンス冗長メモリ10Rは、冗長メモリ10と同じセルトランジスタを有し、所定の情報を記憶し、アドレス変化信号ATDに応答して記憶情報を読み出し、読み出し完了時に変化する出力信号を生成する。この所定の情報は、冗長メモリ10における読み出し時間が最も遅いデータであり、それにより、レファレンス冗長メモリ10Rの出力ROUTが変化するタイミングは、冗長メモリ10に必要な最短の読み出し時間に一致する。従って、この出力ROUTのタイミングで冗長メモリ出力回路14が冗長メモリ10の出力COUTを確定させて、その出力COUTに基づいて冗長メモリ出力COUT−RとCOUT−Sのいずれか一方を選択状態に、他方を非選択状態にする。
更に、アドレス変化信号ATDはEQ生成回路32にも供給され、アドレス変化信号ATDのワンショットパルスがなくなるタイミングで、セクタ活性化信号EQを生成する。このセクタ活性化信号EQは、セクタのワード線を選択レベルまで駆動するトリガ信号となる。
第3図は、フラッシュメモリの動作タイミングチャート図である。アドレスADDの変化に応答してワンショットパルスのアドレス変化信号ATDが生成される。アドレス変化信号ATDの立ち上がりエッジに応答して、通常セクタ選択信号RSECとスペアセクタ選択信号SSECとが選択状態になり、通常セクタSEC0−3及びスペアセクタSSEC内のロウデコーダX−DECがデコード動作を開始する。このとき、4つの通常セクタのうち図示しないセクタアドレスで選択された通常セクタに対してのみ、通常セクタ選択信号RSECが与えられる。この両セクタの同時選択状態により、通常セクタ内のワード線WL−Rとスペアセクタ内のワード線WL−Sが共に電源電圧レベルまで駆動される。この両セクタの同時選択状態に並行して、アドレス変化信号ATDに応答し、冗長メモリ10とレファレンス冗長メモリ10Rとが読み出し動作を開始する。レファレンス冗長メモリROUTが読み出し完了タイミングでその出力ROUTがLレベルからHレベルに変化すると、冗長メモリ出力回路14が、冗長メモリ10の出力COUTに応じて、冗長メモリ出力COUT−RとCOUT−Sのいずれか一方を選択状態に、他方を非選択状態にする。第3図の例では、冗長メモリ10の出力COUTはスペアセクタへの切換情報に対応しており、出力COUT−RがLレベル(非選択状態)、出力COUT−SがHレベル(選択状態)になる。その結果、通常セクタ選択信号RSECはLレベル(非選択状態)に変化し、それに応答して、通常セクタのロウデコーダX−DECはデコード動作を停止し、ワード線WL−Rは電源電圧レベルからグランドレベルに下がる。一方、スペアセクタ選択信号SSECはHレベル(選択状態)を維持する。その後、アドレス変化信号ATDの立ち下がりに応答して生成されるセクタ活性化信号EQの立ち上がりに応答して、スペアセクタ内のワード線WL−Sが電源電圧より高い昇圧レベル(選択レベル)まで昇圧回路BSTにより駆動される。
以上のように、本実施の形態のフラッシュメモリは、アドレス変化に応答して、選択対象の通常セクタとスペアセクタとを同時に選択状態にして、それぞれ内蔵するロウデコーダを同時にデコード動作開始させる。このデコード動作に並行して、冗長メモリ10の置換情報が読み出され、その読み出し動作が完了したタイミングで、通常セクタまたはスペアセクタのいずれか一方の選択状態を停止し、冗長メモリ10の置換情報により選択されたセクタが選択状態を維持する。そして、その後のセクタ活性化信号EQに応答して、そのセクタ内の読み出し動作が継続される。これにより、セクタ構成のフラッシュメモリのアクセスが、冗長メモリの読み出し判定によって遅くなるのが回避されている。
第4図は、第1の実施の形態を示す図である。この例では、レファレンス冗長メモリ10Rには、冗長メモリ10の読み出し時間が最も長いデータが書き込まれている。そして、レファレンス冗長メモリ10Rの出力ROUTは、その書き込まれたデータの読み出しが完了するタイミングでLレベルからHレベルに変化する。そして、冗長メモリ出力回路14が、その出力ROUTの変化に応答して、冗長メモリ10の出力COUTを確定して、その出力COUTに基づき、出力COUT−RまたはCOUT−Sのいずれか一方をHレベル、他方をLレベルにする。それに応答して、Lレベルの出力COUT−R、COUT−Sを供給されたセクタ選択信号生成回路16,18は、その選択信号RSEC、SSECをLレベル(非選択状態)に切り換える。
第4図のタイミングチャートには、冗長メモリ10のデータがRM=1(スペアセクタへの置き換えなし)の場合と、RM=0(スペアセクタへの置き換えあり)の場合とが示されている。なお、冗長メモリ10は、前述のとおりコンテンツ・アドレッサブル・メモリであり、セクタアドレス毎にスペアセクタへの置き換えを行うか否かが記憶されている。それ以外の構成としては、冗長メモリ10にはスペアセクタへの置き換え対象の通常セクタのセクタアドレスが記憶されていても良い。その場合は、その記憶された置き換え対象の通常セクタのセクタアドレスが読み出され、供給されたセクタアドレスと比較され、その比較結果が冗長メモリの出力COUTとして出力される。
アドレス変化信号ATDの立ち上がりから冗長メモリ10の読み出しが完了するタイミングで、レファレンス冗長メモリ10Rの出力ROUTがLレベルからHレベルに変化する。この出力ROUTの変化に応答して、冗長メモリ出力回路14は、冗長メモリ10の出力COUTを参照し、それに基づいて出力COUT−R、COUT−Sを出力する。冗長メモリ10のデータがRM=1(スペアセクタへの置き換えなし)の場合は、出力COUT−RがHレベルに出力COUT−SがLレベルにされ、それに伴って、スペアセクタ選択信号SSECがLレベル(非選択状態)にされ、通常セクタ選択信号RSECがHレベル(選択状態)を維持する。これにより、スペアセクタ側のロウデコーダがデコード動作を停止する。一方、冗長メモリ10のデータがRM=0(スペアセクタへの置き換えあり)の場合は、上記と逆の動作になる。この場合は、冗長メモリ10の出力COUTは読み出し完了に伴ってLレベルからHレベルに変化しているが、それと同じタイミングでレファレンス冗長メモリ10Rの出力RCOUTも変化している。そしてそのタイミングで、冗長メモリ出力回路14が出力COUT−RをLレベルにし、それに伴って通常セクタ選択信号RSECがLレベル(非選択状態)にされる。
レファレンス冗長メモリ10Rの出力RCOUTが変化するタイミングは、読み出しが遅いほうのデータが記憶されたメモリの読み出し完了タイミングになっていて、従来例のようにアドレス変化信号ATDの立ち上がりから一定の時間後に生成されるレディー信号READYのように動作マージンを見込んだ遅いタイミングにはなっていない。従って、通常セクタとスペアセクタの選択の確定時期が早まり、セクタ活性化信号EQによるワード線の昇圧動作を早く開始することができ、全体のアクセス時間を短縮することができる。
第5図は、第2の実施の形態を示す図である。第2の実施の形態では、レファレンス冗長メモリとして、第1のレファレンス冗長メモリRef−RM1と、第2のレファレンス冗長メモリRef−RM2とを有し、冗長メモリ10に記憶されるデータ「1」「0」を、第1、第2のレファレンス冗長メモリRef−RM1,Ref−RM2がそれぞれ記憶する。また、第1、第2のレファレンス冗長メモリは、読み出し動作が完了するタイミングで出力ROUT1,ROUT2がLレベルからHレベルに変化するので、この両レファレンス出力ROUT1、ROUT2が共にHレベルになった時点で、冗長メモリ10の読み出し動作が必ず完了しているので、そのタイミングで、冗長メモリ出力回路14は、冗長メモリ10の出力COUTに基づいて、出力COUT−R、COUT−Sのいずれか一方をHレベル、他方をLレベルにする。それに伴って、通常セクタ選択信号RSECかスペアセクタ選択信号SSECのいずれか一方が非選択状態(Lレベル)にされ、他方が選択状態(Hレベル)を維持する。
第5図のタイミングチャートでは、第2のレファレンス冗長メモリRef−RM2の出力ROUT2のほうが遅くHレベルに変化している。従って、冗長メモリ出力回路14は、この出力ROUT2が変化したタイミングで、冗長メモリ10の出力COUTに基づいて、出力COUT−R、COUT−Sを出力する。
第2の実施の形態では、2つのレファレンス冗長メモリを設けて、冗長メモリ10が記憶する2種類のデータ「1」「0」をそれぞれに記憶させているので、いずれのデータの読み出し動作が遅いかを考慮することなく、レファレンス冗長メモリを構成することができる。冗長メモリ10が4つのデータ(2ビット、4値)を記憶する場合は、4つのレファレンス冗長メモリを設けて、それら4つのデータをそれぞれ記憶させれば良い。そして、レファレンス冗長メモリの全ての出力が切り替わったタイミングで、冗長メモリ10の出力を確定するようにすれば、最短のタイミングで正しく冗長メモリ10の出力を確定することができる。
第6図は、冗長メモリの回路と動作タイミングチャートを示す図である。第6図(A)は冗長メモリ10の回路図である。冗長メモリは、置換情報を記憶するメモリセルトランジスタMCと、ラッチ回路を構成するインバータ46,47を有する。メモリセルトランジスタMCは、フローティングゲートを有する不揮発性メモリであり、そのドレインにはライトアンプ回路が接続されている。そして、置換情報のデータがメモリセルトランジスタMCに記憶されている。例えば、データ「1」の場合は、フローティングゲートに電荷が注入されず、メモリセルトランジスタMCの閾値電圧は低くなり、読み出し時にゲートGATEが昇圧されるとトランジスタMCは導通する。また、データ「0」の場合は、フローティングゲートに電荷が注入され、閾値電圧は高くなり、読み出し時にゲートGATEが昇圧されてもトランジスタMCは非導通状態になる。
第6図(B)の動作タイミングチャートを参照して、その動作を説明する。初期状態ではアドレス変化信号ATDがLレベルであり、インバータ42によりトランジスタ43が導通し、一方、トランジスタ40は非導通状態にあり、ノードN0はLレベルになっている。従って、冗長メモリ出力COUTはLレベルである。次にアドレス変化信号ATDがHレベルに変化すると、トランジスタ43が非導通になり、トランジスタ40が導通し、更に、ゲートGATEが昇圧レベルになる。従って、メモリセルトランジスタMCがデータ「0」であれば、メモリセルトランジスタMCは非導通であり、ノードN0は電源Vccレベルに上昇し、データ「1」であれば、メモリセルトランジスタMCは導通し、トランジスタ40のドレイン電流よりもメモリセルトランジスタMCのドレイン電流が大きいので、ノードN0はLレベルになる。つまり、ノードN0は、メモリセルトランジスタが記憶する置換情報データに応じて、上昇または下降する。ノードN0が上昇すると、ラッチ回路の状態が反転して出力COUTはLレベルからHレベルに変化する。一方、ノードN0が上昇しないで下降すると、ラッチ回路状態は反転せず、出力COUTはLレベルの状態を維持する。
このように、冗長メモリ10は、トランジスタ40の駆動能力が小さければ、データ「0」に対する読み出しが遅くなり、メモリセルトランジスタMCの駆動能力が小さければ、データ「1」に対する読み出しが遅くなる。そして、データ「1」の場合は、冗長メモリの出力COUTがLレベル状態を維持するだけであるので、データ「1」の読み出しが完了するタイミングを知ることはできない。
なお、トランジスタ44は、冗長メモリ選択信号DECODEに応答して導通する選択トランジスタである。
第7図は、第2の実施の形態におけるレファレンス冗長メモリの回路と動作タイミングチャートを示す図である。第7図(A)は、データ「1」を記憶する第1のレファレンス冗長メモリの回路である。このメモリセルトランジスタMCには常にデータ「1」が記憶される。従って、フローティングゲートには電荷は注入されておらず、閾値電圧は低く、アドレス変化信号ATDの立ち上がり時にゲートGATEが昇圧されると、メモリセルトランジスタMCが導通する。そこで、ノードN1と電源Vccとの間にPチャネルトランジスタ48が設けられ、初期状態でノードN1がHレベルになる。そして、インバータ46,47からなるラッチ回路の後段にインバータ50が設けられているので、初期状態では出力ROUT1はLレベルになる。そして、アドレス変化信号ATDの立ち上がり後にゲートGATEが昇圧されると、メモリセルトランジスタMCが導通し、ノードN1がHレベルからLレベルに下降し、やがてインバータ45を反転して、出力ROUT1がLレベルからHレベルに変化する。つまり、第1のレファレンス冗長メモリは、データ「1」の読み出し完了のタイミングを検出する。なお、トランジスタ49はアドレス変化信号ATDの立ち上がりに応答して導通し、アドレス変化信号ATDの立ち上がりをトリガにしてノードN1の変化が開始されるようにしている。
第7図(B)は、データ「0」を記憶する第2のレファレンス冗長メモリの回路である。このメモリセルトランジスタMCには常にデータ「0」が記憶される。従って、フローティングゲートに電荷が注入されていて、閾値電圧は高く、アドレス変化信号ATDの立ち上がり時にゲートGATEが昇圧されても、メモリセルトランジスタMCは非導通のままである。第2のレファレンス冗長メモリは、第6図に示した冗長メモリと同じ回路である。つまり、初期状態ではノードN2はLレベルであり、アドレス変化信号ATDの立ち上がりに応答して、トランジスタ40が導通して、ノードN2が電源電圧Vccレベルに上昇する。この上昇に伴ってインバータ45が反転し、ラッチ回路の状態を変化させ、出力ROUT2を初期状態のLレベルからHレベルに変化させる。つまり、冗長メモリ10のデータ「0」の場合と同じ動作である。従って、第2のレファレンス冗長メモリは、データ「0」の読み出し完了のタイミングを検出する。
第7図に示した第1及び第2のレファレンス冗長メモリを利用することにより、冗長メモリにおけるデータ「0」とデータ「1」の読み出し終了タイミングをそれぞれ検出することができる。従って、第1、第2のレファレンス冗長メモリの出力ROUT1、ROUT2の両方がHレベルに変化したタイミングで、冗長メモリ10の出力を確定させるようにすることで、最短のタイミングで正しい冗長メモリのデータを確定させることができる。
第1の実施の形態の場合は、冗長メモリ10の読み出しが遅いほうのデータをあらかじめ予測しておき、その遅いほうのデータを常に記憶するレファレンス冗長メモリ10Rを採用する。つまり、第7図の(A)または(B)のレファレンス冗長メモリを採用する。但し、その場合は、製造バラツキに起因する読み出し速度のバラツキには対応できない。
第8図は、冗長メモリ出力回路とセクタ選択信号生成回路とを示す図である。冗長メモリ出力回路14は、NANDゲート144により、第1、第2のレファレンス冗長メモリの出力ROUT1,ROUT2が共にHレベルになる時に読み出し確定を示す信号ROUTがLレベルにされ、NORゲート142,143を介して、冗長メモリの出力COUTとその反転信号とが出力COUT−S、COUT−Rとして出力される。つまり、このNORゲート142,143により冗長メモリの出力が確定される。
一方、通常セクタ選択信号生成回路16は、セクタアドレスSEC−ADDをデコードするセクタデコーダ161と、NORゲート162を有する。セクタデコーダ161は、アドレス変化信号ATDに応答して、セクタアドレスSEC−ADDをデコードし、選択された通常セクタ選択信号RSEC0−3のいずれかをHレベルにする。つまり、セクタデコーダ161の出力は、4つの通常セクタの数と同じ4本ある。それに伴って、NORゲート162も4個必要であり、通常セクタ選択信号RSEC0−3も4本ある。そして、アドレス変化信号ATDの立ち上がりに応答して、いずれかの通常セクタ選択信号RSEC0−3がHレベルになり、いずれかの通常セクタSEC0−3のロウデコーダX−DECがデコード動作を開始する。更に、タイミング信号ROUTがLレベルになるタイミングで冗長メモリの出力COUTが確定し、それに基づいて出力COUT−RがHレベルまたはLレベルになる。スペアセクタ側への置換が検出されると、出力COUT−RはHレベルになり、通常セクタ選択信号RSEC0−3は全てLレベルになる。それに伴って、選択通常セクタ内のロウデコーダはデコード動作を停止する。一方、スペアセクタ側への置換が検出されないと、出力COUT−RはLレベルのままで、通常セクタ選択信号RSEC0−3のいずれかの選択状態(Hレベル)が維持される。
スペアセクタ選択信号生成回路18は、アドレス変化信号ATDの立ち上がりに応答して、スペアセクタ選択信号SSECをHレベルにするSSEC信号生成回路181を有する。これにより、スペアセクタSSEC内のロウデコーダX−DECがデコード動作を開始する。そして、タイミング信号ROUTがLレベルになるタイミングで冗長メモリの出力COUTが確定し、それに基づいて出力COUT−SがHレベルまたはLレベルになる。スペアセクタ側への置換が検出されると、出力COUT−SはLレベルのままで、スペアセクタ選択信号SSECの選択状態(Hレベル)が維持される。一方、スペアセクタ側への置換が検出されないと、出力COUT−SはHレベルになり、スペアセクタ選択信号SSECは非選択状態(Lレベル)に切り換えられる。それに伴って、スペアセクタ内のロウデコーダX−DECがデコーダ動作を停止する。
第9図は、アドレス変化信号生成回路と動作タイミングチャートを示す図である。ATD生成回路30は、外部アドレスADDの変化を検出して固定のパルス長dt2を持つワンショットパルスATDDを生成するATDD生成回路301を有する。そして、このワンショットパルスATDDが固定パルス長dt2後にLレベルに下がっても、第1及び第2のレファレンス冗長メモリの出力ROUT1,2の両方がHレベルにならないと、NORゲートにより、アドレス変化信号ATDはLレベルにならない。
パワーダウン時は、リセット信号RESETがLレベルであり、Pチャネルトランジスタ305が導通しアドレス変化信号ATDはLレベルになっている。アクティブ状態では、リセット信号RESETがHレベルになり、トランジスタ305がオフになる。そこで、アドレスADDの変化に応答してワンショットパルスATDDがHレベルになると、トランジスタ304が導通し、アドレス変化信号ATDがHレベルになる。ワンショットパルスATDDが所定パルス長dt2後にLレベルになっても、ラッチ回路306はATD=Hの状態を保持する。そして、第1及び第2レファレンス冗長メモリの出力ROUT1,ROUT2が共にHレベルになると、NANDゲート302を介してトランジスタ303が導通し、アドレス変化信号ATDがLレベルになる。
つまり、動作タイミングチャート(B)に示されるとおり、第2のレファレンス冗長メモリの出力ROUT2の立ち上がりが遅れる場合は、そのタイミングでアドレス変化信号ATDがLレベルになり、第1のレファレンス冗長メモリの出力ROUT1の立ち上がりが遅れる場合は、破線で示すとおり、そのタイミングでアドレス変化信号ATDがLレベルになる。このアドレス変化信号ATDがLレベルになると、それに応答して、セクタ活性化信号EQがHレベルにされ、セクタの動作が継続される。具体的には、第3図で示したように、ロウデコーダで選択されていたワード線が昇圧回路により昇圧レベルまで駆動され、メモリセルの読み出しが行われる。
上記のように、コラム活性化信号EQがレファレンス冗長メモリの出力ROUT1,ROUT2が共にHレベルになるタイミングで生成されるので、動作マージンを設けることなく、最速のタイミングでコラム活性化信号EQを生成することができる。レファレンス冗長メモリの出力ROUT1,ROUT2をコラム活性化信号生成回路32に供給して、同様の制御を行ってもよい。
Claims (7)
- 複数の通常セクタと、通常セクタに対して置き換え可能なスペアセクタとを有する半導体メモリにおいて、
アドレス変化信号に応答して、前記通常セクタを選択する通常セクタ選択信号と前記スペアセクタを選択するスペアセクタ選択信号とをそれぞれ生成する通常セクタ選択信号生成回路及びスペアセクタ選択信号生成回路と、
通常セクタを前記スペアセクタに置き換える置き換え情報を記憶し、前記アドレス変化信号に応答して前記置き換え情報が読み出される冗長メモリと、
前記冗長メモリと同じ記憶素子を有し、前記アドレス変化信号に応答して当該記憶素子の記憶情報が読み出され、当該読み出し完了時に変化する出力信号を生成するレファレンス冗長メモリとを有し、
前記レファレンス冗長メモリの出力信号の変化に応答して、前記冗長メモリから読み出された置き換え情報に基づいて、前記通常セクタ選択信号または前記スペアセクタ選択信号のいずれかが非選択状態にされることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求の範囲第1項において、
前記レファレンス冗長メモリは、前記冗長メモリにおける読み出し時間が最も遅い情報を記憶することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求の範囲第1項において、
前記レファレンス冗長メモリは、前記冗長メモリが記憶可能な第1及び第2の情報をそれぞれ有し、読み出し時に出力が変化する第1及び第2のレファレンス冗長メモリを有し、当該第1及び第2のレファレンス冗長メモリの出力が共に変化した時に、前記レファレンス冗長メモリの出力信号が生成されることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求の範囲第3項において、
前記第1のレファレンス冗長メモリは、第1のレベルの出力状態から、前記アドレス変化信号に応答して実行される読み出し動作に伴う前記第1の情報の読み出し完了時に、第2のレベルの出力状態に変化し、
前記第2のレファレンス冗長メモリは、第1のレベルの出力状態から、前記アドレス変化信号に応答して実行される読み出し動作に伴う前記第2の情報の読み出し完了時に、第2のレベルの出力状態に変化することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求の範囲第1項において、
前記通常セクタ及びスペアセクタは、ロウアドレスに基づいてワード線を選択するロウデコーダをそれぞれ有し、前記通常セクタ選択信号及びスペアセクタ選択信号に応答してデコード動作を開始し、当該選択信号が非選択状態に変化するとデコード動作を停止することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求の範囲第5項において、
前記アドレス変化信号の生成後、前記レファレンス冗長メモリの出力信号の変化に応答してセクタ活性化信号が生成され、
当該セクタ活性化信号に応答して、前記通常セクタ及びスペアセクタのロウデコーダがそれぞれのワード線を選択レベルに駆動することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求の範囲第5項において、
前記アドレス変化信号の生成後、前記レファレンス冗長メモリの出力信号の変化に応答してセクタ活性化信号が生成され、
当該セクタ活性化信号に応答して、前記通常セクタ及びスペアセクタのロウデコーダがそれぞれのワード線を昇圧された選択レベルに駆動することを特徴とする半導体メモリ。
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