JP2008299962A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置10は、アドレスバッファ12、ロウデコーダ14、カラムデコーダ16、ヒューズ回路18、メモリセルアレイ20、レギュレータ22、センスアンプ24、冗長センスアンプ26、アンプ出力選択回路28、入出力バッファ30、およびテストモード回路32を含み、テストモード回路32によってセンスアンプ24および冗長センスアンプ26を制御し、正規メモリセルにアクセスされた際に出力される信号と、冗長メモリセルにアクセスされた際に出力される信号とのレベルを異ならせる。よって容易に不良アドレスを電気的に確認することが可能である。
【選択図】図1
Description
12 アドレスバッファ
14 ロウデコーダ
16 カラムデコーダ
18 ヒューズ回路
Claims (3)
- 不良メモリセルを含む第1のメモリラインと、
前記第1のメモリラインを電気的に置換するために設けられた第2のメモリラインと、
前記第1のメモリラインを特定する不良アドレスと、入力された入力アドレスとを比較するアドレス比較手段と、
前記第1のメモリラインからの信号が入力され、該信号をロジック信号に変換する第1の変換手段と、
前記第2のメモリラインからの信号が入力され、該信号をロジック信号に変換する第2の変換手段と、
前記アドレス比較手段で前記入力アドレスと前記不良アドレスとが一致すると判断された場合には、前記第2の変換手段から出力された前記ロジック信号を選択する選択手段とを含む半導体記憶装置であって、該装置はさらに、
前記第1の変換手段にハイレベルまたはローレベルのどちらか一方の信号を出力させ、前記第2の変換手段に、前記第1の変換手段がハイレベルの信号を出力する場合にはローレベルの信号を出力させ、前記第1の変換手段がローレベルの信号を出力する場合にはハイレベルの信号を出力させるテスト駆動制御手段を含むことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1に記載の装置において、該装置はさらに、前記第2のメモリラインからの信号の前記第2の変換手段への供給を制御するスイッチ手段を含み、
前記テスト駆動制御手段は、前記第1の変換手段に接続されて、該第1の変換手段にハイレベルの信号を出力させ、および、前記スイッチ手段に接続されて、前記第2の変換手段にローレベルの信号を出力させることを特徴とする半導体記憶装置。 - 不良メモリセルを含む第1のメモリラインと、
前記第1のメモリラインを電気的に置換するために設けられた第2のメモリラインと、
前記第1のメモリラインを特定する不良アドレスと、入力された入力アドレスとを比較するアドレス比較手段と、
前記第1のメモリラインからの信号が入力され、該信号をロジック信号に変換する第1の変換手段と、
前記第2のメモリラインからの信号が入力され、該信号をロジック信号に変換する第2の変換手段と、
前記アドレス比較手段で前記入力アドレスと前記不良アドレスとが一致すると判断された場合には、前記第2の変換手段から出力された前記ロジック信号を選択する選択手段とを含む半導体記憶装置における、前記不良アドレスを電気的に確認する方法であって、該方法は、
前記第1の変換手段にハイレベルまたはローレベルのどちらか一方の信号を出力させる第1の工程と、
前記第2の変換手段に、前記第1の変換手段がハイレベルの信号を出力する場合にはローレベルの信号を出力させ、前記第1の変換手段がローレベルの信号を出力する場合にはハイレベルの信号を出力させる第2の工程と、
前記第1のメモリライン、および前記第2のメモリラインから読み出し処理を行う第3の工程とを含むことを特徴とする不良アドレス確認方法。
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- 2007-05-31 JP JP2007145498A patent/JP2008299962A/ja active Pending
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- 2008-05-29 US US12/128,838 patent/US7672180B2/en not_active Expired - Fee Related
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