JPWO2003088329A1 - レチクル及び光学特性計測方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、投影光学系の光学特性を計測する方法及び該方法に用いるレチクルに関し、たとえば半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で製造する際に使用される投影露光装置の投影光学系の光学特性、例えば波面収差を計測する際に好適なものである。
[従来の技術]
半導体素子、液晶表示素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で製造する際に、フォトマスク又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)のパターンの像を投影光学系(例えば投影レンズ)を介して感光基板上に投影する投影露光装置が使用されている。かかる投影露光装置では、投影光学系の製作上及び設計上残存している収差によるパターンの解像力の低下が大きな問題となっている。
この為、投影光学系の収差等の光学特性を高精度に計測する技術が要望されている。
投影レンズの球面収差、像面(像面湾曲)、非点(非点収差)、コマ(コマ収差)、波面収差などの収差が測定され、実際の評価や検査に用いられており、これらの収差の中でも波面収差が収差そのものであり、この波面収差を一般に使われているZernike多項式等で近似する事により、多項式のファクターである球面収差、像面、非点、コマなどの収差も算出可能である。多種多様なデバイスパターンのプロセスマージンをシミュレーションから予測する上でも波面収差の計測が重要視されている。
波面収差の測定方法が、例えば米国特許第5828455号,米国特許第5978085号等で提案されている。これらで提案されている測定方法は、レチクルパターン面に格子状のパターンを設け、この格子状パターンの中心の真下に少し距離をおいてピンホールを設け、更にレチクル上面には格子状パターンの中心の真上に凸レンズを置いた特殊なレチクルを用いている。このレチクルを露光装置の照明系により照明すると、照明系から出た照明光は前記凸レンズにより照明角度(NA)がσ1以上の照明角度となって、その下にある格子パターンを照射する。格子パターンを通過した光はその下にあるピンホールを透過する。この時ピンホールを通過できる光は前記格子パターンそれぞれの点の位置と前記ピンホールを結んだ角度の光のみに限定されるので、前記格子パターンの各点から出た光は互いに角度が異なる複数の光となって進む。
これら互いに角度の異なる複数の光は、投影レンズの瞳面の互いに異なる位置に到達し、投影レンズの波面収差の影響を受けた状態でウエハー面に達し、格子パターンの各点を結像する。この時、結像した格子パターンの各点の像は異なる波面収差(位相)の影響を受けている。つまり、光線は波面の法線方向に進むため、格子パターンの各点の像は波面上の対応する点の傾き分だけ結像位置が理想位置からシフトすることになる。そこで格子パターンの各点の像の理想格子からのずれを測定することにより瞳面内の各点の波面の傾きを得、様々な数学的手法を用いて波面収差を算出している。
前述した米国特許第5828455号や米国特許第5978085号で提案されている波面収差計測方法は、よく知られているハルトマン法に近い方式である。このハルトマン法は、投影レンズの瞳面上にピンホールを置く事によって波面の位置を限定し、そこを通過して結像した光によるパターン像の位置ずれから、波面の傾きを求める。
ハルトマン法では、ピンホールを瞳面に置くことで物体スペクトルは、下記(1)式より、ピンホールフィルターによりある微小な波面領域の情報のみ得ることができる。
E(x)=F−1[G(f)・p(f)・w(f)]・・・(1)
F−1・・・フーリエ逆変換
E(x)・・・像の光振幅関数
G(f)・・・物体スペクトル
w(f)・・・瞳(波面)関数
p(f)・・・ピンホール関数
ハルトマン法のように瞳面にピンホールを置くことで確実に物体スペクトルの形状をコントロールする事(瞳フィルターリング)が望ましいが、実際の露光装置上では鏡筒のスペースの問題、汚染防止のためのパージ構造の問題などの理由で、コスト的にも困難である
なお、前述した米国特許第5828455号や米国特許第5978085号で提案されている方式では、ピンホールフィルターがレチクルの直下にあるので、瞳面上の物体スペクトルは、上記(1)式とは異なり、位相項を含んだフーリエ変換となる。
本発明の目的は、光学系の光学特性、例えば波面収差を高精度に計測するのに好適な光学特性計測方法と該計測方法に用いるレチクルの提供することにある。
又、本発明は、上記2つの米国特許の手法とは全く異なる手法により波面収差等の光学特性を計測することができる光学特性計測方法及び該計測方法に用いるレチクルの提供を目的とする。
この他、本発明は、これらの光学特性計測方法やレチクルが適用できる投影露光装置の提供を目的とする。
[発明の開示]
本発明の第1形態は、投影光学系の光学特性を計測する光学特性計測方法において、複数個のパターンを有するレチクルを供給し、
開口(アパーチャー)からの散乱光を前記複数個のパターンに向けることにより、前記複数個のパターンに互いに異なる方向から光束を照射し、それにより前記投影光学系を介して前記複数個のパターンの像を形成し、
前記複数個のパターン像のそれぞれの位置を検出し、該検出結果を用いて前記投影光学系の光学特性を求めることを特徴とする。
本発明の第2形態は、第1形態において、前記開口を有する遮光部は前記レチクル上にあることを特徴とする。
本発明の第3形態は、第1形態において、前記開口を有する遮光部は、前記レチクルの上方にあることを特徴とする。
本発明の第4形態は、第2形態又は第3形態において、前記散乱光を形成する散乱部を有することを特徴とする。
本発明の第5形態は、第4形態において、前記散乱部は、前記開口内にあることを特徴とする。
本発明の第6形態は、第4形態において、前記散乱部は、光源と前記開口の間にあることを特徴とする。
本発明の第7形態は、第1〜第6形態において、例えば輪帯状の、中央が周辺よりも暗い有効光源により前記散乱部を照明することを特徴とする請求項1〜6記載の光学特性計測方法。
本発明の第8形態は、第1〜第7形態において、前記開口はピンホールであることを特徴とする請求項1〜7記載の光学特性計測方法。
本発明の第9形態は、第1〜第8形態において、前記パターンは、前記投影光学系の瞳面に所定の周期成分を発生させる開口部と、該開口部の両側に在って且つ前記投影光学系の瞳面において前記周期成分とは異なる周期成分を発生させる周期的な開口部を有することを特徴とする。
本発明の第10形態は、第1〜第8形態において、前記パターンは、その繰り返し方向に関して、中心から周辺にかけてスペース間のピッチは実質的に一定で且つスペースの幅は徐々に減少し且つ前記投影光学系により前記ライン間が解像しないライン&スペースを有することを特徴とする。
本発明の第11形態は、第1〜第8形態は、前記パターンは、実質的に0次光のみを前記投影光学系の像平面へ向けるライン&スペースを有することを特徴とする。
本発明の第12形態は、第1〜第11形態において、前記検出ステップは、前記ライン&スペースの空中像を光電変換する段階を有することを特徴とする。
本発明の第13形態は、第1〜第11形態において、前記検出ステップは、前記ライン&スペースの像で感光基板を露光する段階と、該感光基板を現像する段階とを有することを特徴とする。
本発明の第14形態は、第1〜第14形態において、前記光学特性は波面収差を含むことを特徴とする。
本発明の第15形態は、第1〜第14形態のいずれかの計測方法により投影光学系の光学特性を計測するモードを有し、前記レチクルが装置に供給された際に前記テストパターンに照明光を照射する照明系を有することを特徴とする投影露光装置。
本発明の第16形態は、第15形態の投影露光装置にデバイス製造用のレチクルを供給し、該レチクルのパターンを基板に露光することを特徴とするデバイス製造方法。
本発明の第17形態は、基板の表面に形成した複数個のパターンと、前記基板の裏面に形成した、開口を有する遮光部と該開口から散乱光を出すための光散乱部とを有することを特徴とするレチクルである。
本発明の第18形態は、第17形態において、前記開口はピンホールであることを特徴とする。
本発明の第19形態は、第17形態において、前記光散乱部を前記開口内に有することを特徴とする。
本発明の第20形態は、投影光学系の光学特性を計測するための計測ユニットであって、基板の表面に複数個のパターンを形成したレチクルと、該レチクルの前記基板の裏面側に設けられた、開口(アパーチャー)を有する遮光部と該開口から散乱光を出すための光散乱部とを有することを特徴とする。
本発明の第21形態は、第17形態において、前記開口はピンホールであることを特徴とする。
本発明の第22形態は、第20形態において、前記遮光部が前記基板の裏面に形成してあり、前記光散乱部が他の基板上に形成してあることを特徴とする。
本発明の第23形態は、第21形態において、前記光散乱部が前記他の基板の前記レチクル側の面に形成してあることを特徴とする。
本発明の第24形態において、第20形態において、前記遮光部と前記光散乱部とが他の基板の上に形成してあることを特徴とする。
本発明の第25形態は、第23形態において、前記遮光部は前記他の基板の前記レチクル側の面に形成してあり、前記光散乱部は前記他の基板の前記レチクル側とは反対側の面に形成してあることを特徴とする。本発明の第26形態は、第23形態において、前記遮光部と前記光散乱部は前記他の基板の前記レチクル側とは反対側の面に形成してあることを特徴とする。
[発明を実施するための最良の形態]
図1は本発明の実施形態1に係る露光装置の要部概略図である。
本実施形態1は、回路パターンを投影光学系により感光基板上に投影する投影露光装置を示している。本実施形態1の露光装置は、本発明に係る光学特性計測方法により光学系(投影レンズ)の波面収差の計測する計測モードを有する。勿論、この光学系は露光装置の製造時に同様の計測が成されてもいい。
図1において、9はテストレチクルである。テストレチクル9は、基板ガラスの下面(表面)上に形成されたパターン群(テストパターン)TPおよび、このガラスの上面(裏面)に形成された開口(ピンホール)PHを備える遮光部とを有している。投影レンズの波面収差の計測は以下のように行われる。
照明光学系の有効光源4からのσ>1あるいはσ=1相当の角度の広がりをもった照明光をテストレチクル9上面のピンホールPHに照射し、このレチクル9上面のピンホールPH(開口)を通過した光束によりレチクル9下面にあるテストパターンTPの各パターンを互いに異なる方向から照明し、これによりテストパターンTPの各パターンを投影レンズ10によって結像し、それぞれらの空中像もしくは感光基板Wに転写したそれぞれの転写パターン像TPaの位置(基準位置からのずれ)を公知の測定器により測定する。そして、これらの像の位置情報を使って、瞳面10a内の各像に対応する位置での波面の傾きを計算し、その結果から投影レンズ10の波面収差を測定する。波面収差が得られれば、公知の手法により球面収差、コマ収差、像面湾曲、非点収差、歪曲収差が求められる。
テストパターンTPおよびピンホールPHを有する遮光部は、図1のように同一プレートに形成しなくても、互いに異なるプレート上に形成してもいい。要は、位置を測定すべき空中像もしくは転写パターン像TPaが1つ以上存在し、各々の空中像もしくは転写パターン像TPaの位置が対応するパターンの上方にあるピンホールPHの中心と当該パターンの中心の間の照明光のレチクル9への入射平面内方向の位置関係に依存して決まる方向(所定の傾斜角且つ所定の方位角)に沿った主光線LPを持つ照明光で照射されれば良い。
テストパターンTPを構成する各パターンTPXは、図5Aに示すような、投影光学系10の瞳面10aに所定の周期成分を発生させる開口部と該開口部の両側に在って且つ前記投影光学系10の瞳面10aにおいて前記周期成分とは異なる周期成分を発生させる周期的な開口部を有し、投影光学系10の瞳面10aを通る実質的に0次光のみが結像に寄与するものや、図5Bに示すような、その繰り返し方向に関して、中心から周辺にかけてラインやスペース間のピッチは実質的に一定で且つスペースの幅は徐々に減少しており、そのため投影光学系10の瞳面10aを通る実質的に0次光のみが結像に寄与して、前記投影光学系10により前記ライン間が解像しないライン&スペースを有するもの、より成る。
次に、上述した光学特性計測方法により投影光学系の波面収差を計測する計測モードを有する投影露光装置について、本発明の実施形態2として、図2を参照して説明する。
本実施形態2において、投影光学系10には、レンズを用いた投影光学系(投影レンズ)の他、ミラーを用いた投影光学系、レンズとミラーを組み合わせた投影光学系等が適用できる。
図2において、1は露光光を放射する高圧水銀灯である。光源1から射出された露光光は楕円鏡1aで集光された後に、インプットレンズ2を経てフライアイレンズ3の入射面3aに入射する。フライアイレンズ3の後側(テストレチクル9側)焦点面3bには多数の2次光源が形成され、これら2次光源から射出された露光光は、可変開口絞り4、第1リレーレンズ5、投影式レチクルブラインド6、第2リレーレンズ7、メインコンデンサーレンズ8を経てテストレチクル9を均一な照度で照明する。フライアイレンズ3の後側焦点面3bは投影光学系10の瞳面10aとほぼ共役である。また、開口絞り4の開口径は可変である。
後述する計測方法により得られた計測値(収差)を露光装置本体の制御系にフィードバックすることにより、様様な公知の手段・方法により投影光学系10の各種収差を補正可能である。たとえば、上記制御系を介して図2に示すように駆動手段161により投影光学系10内にある補正光学系162を駆動させたり、上記制御系を介して図17に示すように波長可変手段171でレーザ172の発振波長(レーザ光の中心波長)を変えることにより、投影光学系10の収差の自動補正や自動設定ができる。尚、図17の投影露光装置の図2の装置とのは、光源としてレーザ172を用いた照明系と波長可変手段171とを有する点である。
さて、テストレチクル9は、レチクルステージ18上に載っており、レチクルステージ18をXY面内で移動させることによりテストレチクル9の位置を変えることができる。スコープ19はテストレチクル9上のマークと装置本体内にあるレチクル基準マーク21とを同時に観察することにより、レチクル基準マーク21に対するテストレチクル9のX、Yの各方向のずれを計測するためのものである。この計測結果を使ってステージ18を移動させることによりレチクル9の装置本体(投影光学系10)への位置合せができる。更に、スコープ19はテストレチクル9上のあらゆるXY位置に駆動可能な駆動系を持つので、必要ならば、スコープ19を使って、レチクル9上の任意の位置にあるテストパターン15の領域を露光光で照明可能である。テストパターン15は複数のパターンにより構成されており、各パターンは図5Aや図5Bで示す形態を有する。
投影式レチクルブラインド6とテストレチクル9のパターン形成面とは共役であり、投影式レチクルブラインド6の開口によりテストレチクル9上の照明領域が設定される。
テストレチクル9の上面にはピンホール16を持つ遮光部が形成されており、投影式レチクルブラインド6の開口によりテストレチクル9上の照明領域としてピンホール16を含む領域を設定し、同領域を照明すると、遮光部のピンホール16を通過した光束が、テストレチクル9の下面に形成されているテストパターン15の複数のパターンを互いに異なる方向から照射され、そのテストパターン15の各パターンは投影光学系10によって感光基板(ウエハ)Wに投影される。
投影光学系10の像面に結像した各パターンの空中像もしくは感光基板Wに転写した各パターンの像(現像したもの、又は潜像)の位置を、公知の測定手段により測定する。
本実施形態においては、ウエハステージ12上に設けた検出系11を使ってテストパターン15の各パターンの空中像の位置を検出する。テストパターン15の像が、投影光学系10を介してウエハステージ12上に載置された検出系11を構成するプレート11a上に結像される。図3は図2の検出系11の拡大図である。
図3において、プレート11a、スリット11b、受光器11cが検出系11を構成する。プレート11aにはスリット11bが形成されており、スリット11bを透過した光は受光器11cにより受光され、電気信号に変換され、不図示の信号線を介して不図示の処理装置に送られ、同装置によりプレート11a上に投影されたパターン像の位置が求められる。
ウエハステージ12は、投影光学系10の光軸10bに垂直な面内の任意の位置に検出系11を位置決めできるXYステージ12aと投影光学系10の光軸10bに平行な方向に検出系11を上下動して検出系11のフォーカス位置を設定できるZステージ12b等より構成されている。
また、本実施形態では検出系11の光軸10b方向の位置を検出するためのオートフォーカス系13が設けられている。オートフォーカス系13は、検出系11のプレート11a上に、検出用の例えばスリット状の光パターン(像)を投影光学系10の光軸10bに対して斜め方向から投影する送光系13aと、プレート11aからの反射光を用いて上記スリット状の光パターンの像を光電検出器13c上に再結像する受光系13bとにより構成されている。
プレート11aの投影光学系10の光軸10b方向の位置が変化すると、受光系13bにおいてその再結像される光パターン像の光電検出器13c上での位置が変化することから、このパターン像の位置を検出するこにより、プレート11aの光軸方向位置が検出できる。光電検出器13cは、その再結像されたパターンの像の位置に応じて変化する信号(フォーカス信号)を生成するから、その信号が所定のレベルに維持されるように制御系13dによってウエハステージ12中のZステージ12bを駆動することにより、プレート11a上の表面の光軸10b方向の位置を所定の位置(投影光学系10の像面位置)に維持することができる。
また、フォーカス信号は所定の範囲内(光軸10b方向の所定の範囲内)でプレート11aの高さの変化に対してほぼ直線的に変化するので、フォーカス信号のレベルの変動からフォーカス位置の変動を知ることができる。なお、ウエハステージ12中のZステージ12bにはそれ自身の投影光学系10の光軸10b方向の位置を検出するための高さセンサ(不図示)が組み込まれている。
14はオフ・アクシスのウエハアライメント系を示し、ウエハアライメント系14はウエハWの各ショット領域の近傍に形成されたアライメントマークをそれぞれ検出する。この場合、ウエハアライメント系14の光軸14aと光軸10bとの間の間隔、即ち所謂ベースライン量BDを求めておくことにより、ウエハアライメント系14で計測したアライメントマークの位置に基づいてウエハ11の各ショット領域のアライメントを正確に行うことができる。更に、ウエハアライメント系14は種々のマークの検出をも行うことができる。
本実施形態の露光装置の照明系は、照明の結果、光学系10の像平面内での位置を測定すべき空中像もしくは転写パターン像が1つ以上存在し、各々の空中像もしくは転写パターン像TPaの位置が対応するパターンの上方にあるピンホールPHの中心と当該パターンの中心の間の照明光のレチクル9への入射平面内方向の位置関係に依存して決まる方向(所定の傾斜角且つ所定の方位角)に沿った主光線LPを持つ照明光でテストレチクルを照明できれば良い。
本実施形態においても、テストパターン15およびピンホール16を持つ遮光部は、双方共にレチクル上に形成するのではなく、この遮光部は、別のピンホール用のプレート上に形成しても良い。
図1,2においては不図示であるが、実施形態1,2においてピンホール16の内部には散乱素子が設けてあり、同素子により有効光源からの光を散乱してσ>1の光線束がピンホール16から出るように構成してある。また、この種の散乱素子を用いる時に可変絞り4の開口形状として輪帯(円環)状のものを使うことにより中央より周辺の方が明るい有効光源を形成し、この有効光源により散乱素子を照明すると、テストパターン15を均一に照明することができ、このテストパターン15を構成する複数のパターンを互いにほぼ強度が同じ光束で互いに異なる方向から照明できる。
図7はテストレチクル9に設けるテストパターン15の詳細図である。
図7において、20aはテストパターン15構成するマークである。グリッド状のマーク20aの幾つかの部分が前述した図5(A)又は図5(B)に示すパターンTPXより成っている。
マーク20aを形成するグリッドの縦横のラインは互いに同一の線幅でデザインされており、それぞれのライン幅は、同ラインが図5Bのパターンと同じ場合、例えば2μmである。
このようなテストパターン15(マーク20a)中心の真上の、レチクル9のガラス上面に、図1,2で示したとおりピンホール16があり、σ(コヒーレンス度)が大きな円形の有効光源や輪帯状の有効光源を用い、露光用照明系又はスコープ19の照明系によりピンホール16介してテストパターン15に光を照射する事により、テストパターン15を構成する各パターンTPX毎にそれを照明する光束の主光線の傾きを変えると共に各光束の開き角にも制限を加える。なお、「σ」は、照明系のレチクル側開口数を投影光学系のレチクル側開口数で割った値に相当する。
本実施形態では、テストパターン15に対してσ≧1.0の照明条件を得るために、図9に示す様に、レチクル9のガラス基板9Gの裏面(上面)に形成しているピンホール16内に散乱素子を設けることによりレチクル9を照明する光を散乱させて拡散している。
散乱素子を用いる代わりに、図10に示すようにピンホール16の上に凸レンズ17を配置したり、拡散効果のある格子パターンをピンホール16内に設けることによりσ≧1.0の照明条件を得ることができる。このような、構造を持つ場合にも、σ(コヒーレンス度)が大きな円形の有効光源や輪帯状の有効光源を用いるのが効果的である。
σ≧1.0の照明条件にて前記テストパターン15を照明し、テストパターン15の複数のパターンTPXの投影光学系10による各像を、ウエハステージ12上に設けた検出系11のプレート11a上に結像させ、各像毎に、ウエハステージ12を水平方向(X方向やY方向)へ移動させ走査しときのプレート11aのスリット11bを透過する光の光強度や光量を光電検出器11cにより検出する。ステージ12(スリット11b)の各X,Y位置で検出した光強度もしくは光量を示すところの図4に示す如き検出信号が得られるので、この検出信号の中心位置や重心位置を計算することにより、プレート11a上に結像した、テストパターン15のマーク20aの1ライン、即ちパターンTPXやTPYの中心位置を得る。
このようにして、それぞれが投影光学系10の瞳面の各位置での波面の状態を指し示す各パターン像の中心位置情報が入手できるので、各パターン像の中心位置情報から瞳面の各位置の波面の傾きを計算し、光学系10の波面収差を求める。
本実施形態における波面収差計測の手順を図15のフローチャートに示す。
ところで、検出系11のスリット11bの長さと幅は、グリッド状マーク20aの空中像の格子ピッチ以下で、測定対象とする1ラインのパターンTPXの空中像の隣のパターンTPXの空中像がスリット11bに入らない大きさにしている。また、本実施形態は、縦のラインのパターンTPXの像と横のラインのパターンTPYの像に対し、別個のスリット11b及び光電検出器11cの対が用意されている形態であるが、スリットと光電検出器を一組だけ持ち、その光強度分布を光電変換するべきパターン像の縦横の向きによってスリットの縦横の向きを切り換えて計測することも可能である。
次に本発明の実施形態3について図11を用いて説明する。実施形態3の実施形態1,2との違いはテストレチクルの構成のみであり、実施形態3のテストレチクルが搭載される投影露光装置も、図1、図2或いは図17に示す投影露光装置である。
実施形態3では、実施形態1,2のようにテストレチクル9の基板の上面と下面にそれぞれピンホール16を持つ遮光部とテストパターン15(TP)を形成するのではなく、テストレチクル9を、ピンホール16を有する遮光部を上面(或いは下面)に形成したピンホールプレート9aと、テストパターン15を上面(或いは下面)に形成したパターンプレート9bの、2つのプレートにより構成している。
テストパターン15、ピンホール16、散乱素子等の拡散手段18のそれぞれの機能と互いの関係は、実施形態1,2の場合と同じであるので、本実施形態のレチクル或いは計測ユニットを用いても、実施形態1,2と同様に投影光学系の波面収差の計測ができる。
また、光学特性計測ユニットを2つのプレートにより構成する形態として、図12に示すように、拡散手段としての凸レンズ(正レンズ)17をピンホール16の上に配置させたピンホールプレート9aと、テストパターン15のマーク 20aを上面(或いは下面)に形成したパターンプレート9bとを有する形態がある。この際、凸レンズ17とピンホール16を有する遮光部は、ピンホールプレート9aの上面と下面のどちらの面に形成しても良い。
図1、2で示す投影露光装置は、レチクルの汚染を防止する為にレチクル上方に不図示の防塵ガラスが設けてあるので、光学特性計測ユニットを2つのプレートにより構成する形態を採る場合には、同防塵ガラスを着脱可能とし、同防塵ガラスと、同2つのプレートのうちの上側(光源側)のプレート、例えば図11、12、20〜22のプレート9aとを、互いに交換可能にすると便利である。
図11と図12の光学特性計測ユニットを用いて投影光学系の波面収差を計測する際の計測手順を図16に従って説明する。
本実施形態での計測手順と実施形態1、2での計測手順(図15参照)との大きな違いは、ピンホール16の中心とテストパターン15の中心を合致させるための位置あわせ動作が組み込まれていることである。
図2に示す露光装置内にあるテストレチクル9(基板の表面(下面)にテストパターン15が形成され且つ基板の裏面(上面)にピンホール付き遮光部が形成されていない、プレート9b)を、レチクルステージ18上にロードする。同様に、露光装置内にあるピンホールプレート9aを上記テストレチクル9とスコープ19の間にロードする。この時、ピンホールプレート9a上にあるピンホール18又は16の中心はメカ精度内の誤差で所定のXY位置に設定される。
次に、スコープ19でテストレチクル9の位置合わせマークとレチクル基準マーク21とを観察してレチクル9と装置本体の相対位置ずれを検出し、両者の位置合わせを、レチクルステージ20によってテストレチクル9をX、Y方向へ移動させその位置を調整することにより行なう。テストレチクル9の位置合わせ終了後、スコープ19は波面収差計測の為の観察位置(照明位置)へ移動し、同時にウエハステージ12上の検出系11も波面収差計測の為の観察位置(検出位置)である所定の(X,Y,Z)座標位置に移動する。そして、スコープ19と検出系11を使ってテストパターン15のうちの所定のパターンの像の中心位置の基準位置からのずれ量の計測を行う。更に検出系11をZ方向(光軸10b方向)に所定量移動して先の計測とは異なるZ(方向)位置での同じ所定のパターンの像の中心位置の基準位置からの位置ずれ量を計測することを、幾つか行う。
この時、計測するパターンは、テストパターン15を構成する全パターン(格子状マークの全ライン)である必要は無い。ここでは、テストパターン15の中心に縦と横のラインがあるとして、この縦横の2ラインの各パターンに関して,それらの像の中心位置の基準位置に対する位置(ずれ)を計測する。
投影レンズ10のテレセン度(telecentricity)が理想的な状態であるとして、パターンプレート9bのテストパターン15の中心とピンホールプレート9aのピンホール16の中心のXY面内での位置ずれdx、dyは、先のZ位置ごとの縦横2ラインの各パターン像の位置ずれ量dsx/dZ,dsy/dZに比例するので、次の式で表すことができる。
dx=t・m・dsx/dZ
dy=t・m・dsy/dZ
t・・・ピンホール16とテストパターン15間の光学距離
m・・・投影光学系10の縮小率
dsx/dZ,dsy/dZ・・・位置ずれフォーカス変化
スコープ19と検出系11を用いた計測結果と上記各式から、ピンホール16とテストパターン15の位置ずれ量が算出されるから、レチクルステージ20をこの位置ずれ量分移動させることによりレチクル9のテストパターン15を移動させ、テストパターン15の中心とピンホール16の中心のXY面内での位置合せを行う。この時、スコープ19をレチクル基準マーク位置まで移動させて、テストレチクルの9の位置合わせマークとレチクル基準マーク21を観察することによりレチクルステージ20の移動量を計測し、残差を再度レチクルステージ20の駆動系にフィードバックするといったクローズドループも可能である。位置ずれ量dx、dyが許容値内に入るまで、この位置合わせ工程を繰り返し、許容値に入ったら、その後は、図15のフローと同じ計測手順で投影光学系10の波面収差の計測を行う。なお、波面収差の計測に露光用の照明系を使う場合には、照明光の邪魔にならないようにスコープ19を退避させる。
以上実施形態1〜3等の例をあげて、露光装置の照明系と検出系を使用して投影光学系10の波面収差を計測定する為に用いるテストレチクルの幾つかの実施形態について述べた。
このテストレチクルの各パターンの空中像は数μmと大きいため、光電検出器11cの代わりに、拡大光学系を組まずに直接、パターンの結像面にCCDやリニアーセンサーを置いて空中像の光強度分布又は光量分布を検出すること可能であり、空中像(パターン像)の光強度分布又は光量分布を検出する際にウエハステージ12をX−Y駆動が不要である。
また、テストパターン15(TP)の各パターンの像の位置を検出するのには、他にも、ウエハステージ12上に設けたフォトクロミック材料の層を形成した基板上に、このパターン像し、オフアクシスアライメント検出系14を使用して、転写した各パターン像の中心位置を測定することも可能である。この場合、ある種のレジストに各パターン像を転写した場合に比して、現像処理を行う必要がない。
図2に示すように、得られた計測値を本体系にフィードバックすることで駆動手段161により投影光学系10内にある補正光学系162を駆動させたり、図17に示すように、波長可変手段171でレーザー172からの発振波長の中心波長を変える等の補正手段により露光装置の収差自動補正に適用できる。尚、図17は実施形態1において、光源として、レーザ172を用いた場合を示しており、基本的な構成は図1と同じである。
また、本発明の光学特性計測方法を、他の計測システム例えば干渉計を使う光学特性計測システムのキャリブレーション技術として使用することも可能である。現在は、干渉計を搭載した投影露光装置や、投影露光装置内の投影光学系の収差が計測可能な工具は存在していない。
従って、投影露光装置内における投影レンズの波面収差量は、露光装置生産工場内の干渉計システムでレンズ単体で計測された投影レンズの波面収差量で置き換えられている。つまり干渉計システム上と露光装置本体上の両者間での環境の違い等による投影レンズの波面収差の差を保証する必要がある。
そこで露光装置への負荷やシステム負荷の少ない本方式を使って、露光装置本体上と干渉計システム上の両方で投影レンズの波面収差計測を行い、露光装置生産工場内の干渉計システムによる計測結果(波面収差量)を校正する。
次の実施形態4では、テストパターン15の各パターンの像を感光基板(ウエハ)Wへ転写し、転写した各像を現像して、現像後の各転写像の中心位置を計測する手順を含む光学特性計測方法について説明する。使用するテストパターンは図7と図8とに示す2タイプのパターンであり、共通のテストレチクル9上に形成されている。
レチクル9を用いて投影光学系の光学特性を計測する露光装置は、ここでも、図1、図2、或いは図17に示す投影露光装置である。
図7のテストパターンは、実施形態1〜3説明したとおり、グリッド状のマークを成すパターン群20aで構成してある。パターン群の各パターンTPX、TPYは図5Aや図5Bに示す形状を有するが、本実施形態4では、図5Bに示す形状を有する、ウエハ上で幅2〜3μmのパターンを形成するタイプのマークを使用する。
また、このテストパターン15が表面に形成されたレチクルの裏面にはマーク20aの中心と中心位置が一致するピンホールを有する遮光部が形成されている。このレチクルは実施形態1、2と同様に図9や図10で示す基本構成を有するが、実施形態1,2とは異なり、新たなパターンとして、図8に示すグリッド状のマーク21aを持つ。
グリッド状のマーク21aは、テストパターン15の各パターンの相対位置ずれ量を測定するためのリファレンスパターン群であり、テストパターン15のマーク20aとは異なり,その上方(有効光源側)にはピンホールを有する遮光部は無く、照明系からの光束がグリッドマーク21aの各リファレンスパターンに均等に照射され、各リファレンスパターンは、互いにほぼ同じ強度の光束で互いに同じ方向から照明され、投影光学系10を介して感光基板上に結像する。
本実施形態4のテストレチクルの一例の部分的断面図を図13、図14に示す。図13は、テストレチクル9の基板の裏面(上面)にピンホール16を有する遮光部を形成し、基板の表面(下面)にテストパターンとしてのリファレンスパターン群18、パターン群20aを形成した例である。
図14は、基板の表面(下面)にテストパターンとしてのリファレンスパターン群18とパターン群20aを形成したパターンプレート9bと、別の基板の裏面(上面)にピンホール16を有する遮光部を形成したピンホールプレート9aの2枚のプレートを使用した例である。
図13及び図14のどちらのレチクルも、ピンホール16内に散乱素子又は格子パターンを有し、これらピンホール内素子の作用で、σ>1の条件で、パターン群20aを照明する。
次に、本実施形態4の光学特性計測手順を説明する。
通常の照明条件(1.0>σ>0.7)でテストレチクル9を照明し、テストパターンのマーク20a、21aを照明し、投影光学系10を介して各パターンの像を感光基板上に投影露光する。
次に、マーク20aとマーク21aが位置的に重なり合うようにウエハステージ12、もしくはレチクルステージ20を移動させ、この位置関係で、通常の照明条件でマーク20aおよび21aを照明し、散乱素子や格子パターンや凸レンズの作用でσ>1.0の照明条件でテストパターンを照明し、パターン群20aの各パターンに互いに異なる方向から光束を照射し、投影光学系10を介して各パターンの像を感光基板上に投影露光する。
これらの投影露光により、図6に示すように、マーク20aとマーク21aの各パターン群の像が感光基板上に転写される。この感光基板を現像した後、対応するパターン像同士の相対位置ずれ量を公知の測定機を使って測定する。得られた相対位置ずれ量を使った計算処理を行って、投影光学系10の瞳面10aにおける波面を求め、光学系10の波面収差や各種収差(ザイデルの5収差)を得る。また計測した収差の状況を本体系にフィードバックすることにより投影レンズの収差補正が可能である。
更に、図22に示すように、テストパターン15およびピンホール16を同一のレチクル9の異なる像高の数箇所に配置しておけば、互いに異なる複数の像高での波面収差の計測が可能である。
図13のテストレチクルを用いて計測を行う場合の手順を図18に、図14のテストレチクルを用いて計測を行う場合の手順を図19に示す。ピンホールプレート9aを使用する露光手順も図19に示すような手順で行われる。
本発明の実施形態5としてのテストレチクルの他の実施例を図20に示す。本テストレチクルを用いて投影光学系の光学特性を計測する露光装置は、ここでも、図1、図2、或いは図17に示す投影露光装置である。
図20に示すレチクルはピンホール16を持つ遮光部およびテストパターンのパターン群20aをそれぞれ共通のプレート(ガラス)9bの上面(裏面)と下面(表面)に形成し、パターン群20aをσ>1.0の照明条件で照明するための光拡散用の散乱素子22を下面に形成したプレート(ガラス)9aを、パターンプレート9bの上方に配置する例である。拡散用の散乱素子22として、光を散乱させるすりガラス、光を散乱させるCGH等の回折格子を用いる。このような光を散乱させる散乱素子22を用いる場合は、先の実施形態と同様に、照明系において中心よりも周辺の方が明るい有効光源を形成し、その寸法・形状の最適化を行う事によってピンホール16やテストパターン20a上での照度ムラをなくし、照度分布を均一にする。
この際の照度の均一とは、パターン群20aの各パターンを互いに異なる方向から照射する複数の光束の強度が互いにほぼ均一になる状態である。このような状態にすると、各パターン像を露光する際の露光量がほぼ同じになり、各パターン像の線幅が互いに同じにでき、パターン像の位置ずれ検出あるいは収差計測における露光量に依存した誤差を軽減できる。
散乱素子22を持つプレート9aの配置位置はテストレチクル9の有効光源側(上方)であれば何処でも良く、図2,17の投影式レチクルブラインド6の付近やその他照明系の内部の所望の位置に配置できる。また、プレート9aは、前述したとおり、レチクルステージの真上の防塵ガラスと交換して同防塵ガラス位置に配置するようにすると便利である。なお、防塵ガラスとプレート9aを保持する部材は、照明系に固定されていても、本体(投影光学系)に保持されていてもいい。
本発明の実施形態6としてのテストレチクルの他の実施例を図21に示す。本テストレチクルを用いて投影光学系の光学特性を計測する露光装置は、ここでも、図1、図2、或いは図17に示す投影露光装置である。
図21に示した例は、図11と図20の変形例で、テストパターンのパターン群20aはパターンプレートbの表面(下面)上に形成し、ピンホール16を持つ遮光部と光拡散用の散乱素子22とは別のピンホールプレート9a上に形成し、プレート9aをレチクル9bの上方に配置したものである。
図21に示した2つのプレートを持つ構造により、ピンホール16の中心とパターン群20aの中心同士の位置合せをレチクルステージ20を移動させることにより行える。また、アライメントマーク23をレチクル9bおよびプレート9aに持たせ、スコープ19により両者のマークを観察することにより両プレートの相対ずれ量を直接計測することも可能である。
ピンホール16の中心とテストパターン20a中心間の水平方向のずれは投影レンズ10の瞳中心からの結像光線ずれとなるため、波面算出を行う際の基準座標(瞳中心基準)と実際に計測された計測ポイントの座標が異なる結果となり、波面収差計測における一つの誤差要因となる。そこで図11や図21の計測ユニットのように、ピンホール16とテストパターン20aを互いに異なるプレート上に形成し、レチクルステージ20で両者の合わせこみを行う事により計測精度を上げることができる。
レチクル9のガラス基板(プレート)の上面と下面にそれぞれピンホール16を持つ遮光部とテストパターンのパターン群20aを配置する場合、図22に示す様にピンホールとテストパターン20aのセットを複数組、隣り合うようにし、且つそれぞれのセットにおいてピンホールの中心とテストパターンの中心を予め互いに異なる量だけ少しずらして設計し、ピンホール16を持つ遮光部とテストパターンのパターン群20aをガラス基板上に形成する。そうする事で,一番ずれの小さなセットを選んで光学特性の計測に使用し、計測精度を上げることが出来る。
[産業上の利用可能性]
以上、本発明によれば、光学系の光学特性、例えば波面収差、を高精度に計測するのに好適な光学特性計測方法及びそれに用いるレチクルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図1は本発明の実施形態1に係る投影露光装置の要部概略図
図2は本発明の実施形態2に係る投影露光装置の概略図
図3は図2の検出系11の説明図
図4はパターン像の光強度分布の説明図
図5は本発明に係るテストパターンのパターン構成を示す説明図
図6は本発明に係るテストパターンの具体的配置を示す説明図
図7は図6のマーク20aを示す説明図
図8は図6のマーク21aを示す説明図
図9は本発明に係るテストレチクルの一例の断面図
図10は本発明に係るテストレチクルの他の例の断面説明図
図11は本発明に係るテストレチクルの更に別の例の、パターンプレートおよびピンホールプレートの断面説明図
図12は本発明に係るテストレチクルのパターンプレートおよびピンホールプレートの断面説明図
図13は本発明に係るテストレチクルの更に別の例の、断面説明図
図14は本発明に係るテストレチクルの更に別の例の、パターンプレートおよびピンホールプレートの断面説明図
図15は本発明に係る収差測定のフローチャート図
図16は本発明に係る収差測定のフローチャート図
図17は本発明に係る露光装置の他の例を示す概略図
図18は本発明に係る収差測定のフローチャート図
図19は本発明に係る収差測定のフローチャート図
図20は本発明に係るテストレチクルの更に別の例の、パターンプレートおよびピンホールプレートの断面説明図
図21は本発明に係るテストレチクルの更に別の例の、パターンプレートおよびピンホールプレートの断面説明図
図22は本発明に係るテストレチクルの更に別の例の、パターンプレートおよびピンホールプレートの断面説明図
Claims (26)
- 投影光学系の光学特性を計測する光学特性計測方法において、
複数個のパターンを有するレチクルを供給し、
開口(アパーチャー)からの散乱光を前記複数個のパターンに向けることにより、前記複数個のパターンに互いに異なる方向から光束を照射し、それにより前記投影光学系を介して前記複数個のパターンの像を形成し、
前記複数個のパターン像のそれぞれの位置を検出し、該検出結果を用いて前記投影光学系の光学特性を求めることを特徴とする光学特性計測方法。 - 前記開口を有する遮光部材は前記レチクル上にあることを特徴とする請求項1に記載の光学特性計測方法。
- 前記開口を有する遮光部材は、前記レチクルの上方にあることを特徴とする請求項1に記載の光学特性計測方法。
- 前記散乱光を形成する散乱部を有することを特徴とする請求項2又は3に記載の光学特性計測方法。
- 前記散乱部は、前記開口内にあることを特徴とする請求項4に記載の光学特性計測方法。
- 前記散乱部は、光源と前記開口の間にあることを特徴とする請求項4に記載の光学特性計測方法。
- 例えば輪帯状の中央が周辺よりも暗い有効光源により前記散乱部を照明することを特徴とする請求項1に記載の光学特性計測方法。
- 前記開口はピンホールであることを特徴とする請求項1に記載の光学特性計測方法。
- 前記パターンは、前記投影光学系の瞳面に所定の周期成分を発生させる開口部と、該開口部の両側に在って且つ前記投影光学系の瞳面において前記周期成分とは異なる周期成分を発生させる周期的な開口部を有することを特徴とする請求項1に記載の光学特性計測方法。
- 前記パターンは、その繰り返し方向に関して、中心から周辺にかけてスペース間のピッチは実質的に一定で且つスペースの幅は徐々に減少し且つ前記投影光学系により前記ライン間が解像しないライン&スペースを有することを特徴とする請求項1に記載の光学特性計測方法。
- 前記パターンは、実質的に0次光のみを前記投影光学系の像平面へ向けるライン&スペースを有することを特徴とする請求項1に記載の計学特性計測方法。
- 前記検出ステップは、前記ライン&スペースの空中像を光電変換する段階を有することを特徴とする請求項1に記載の光学特性計測方法。
- 前記検出ステップは、前記ライン&スペースの像で感光基板を露光する段階と、該感光基板を現像する段階とを有することを特徴とする請求項1に記載の光学特性計測方法。
- 前記光学特性は波面収差を含むことを特徴とする請求項1に記載の光学特性計測方法。
- 請求項1に記載の計測方法により投影光学系の光学特性を計測するモードを有し、前記レチクルが装置に供給された際に前記テストパターンに照明光を照射する照明系を有することを特徴とする投影露光装置。
- 請求項15に記載の投影露光装置にデバイス製造用のレチクルを供給し、該レチクルのパターンを基板に露光することを特徴とするデバイス製造方法。
- 基板の表面に形成した複数個のパターンと、
前記基板の裏面に形成した、開口を有する遮光部と該開口から散乱光を出すための光散乱部とを有することを特徴とするレチクル。 - 前記開口はピンホールであることを特徴とする請求項17に記載のレチクル。
- 前記光散乱部を前記開口内に有することを特徴とする請求項17に記載のレチクル。
- 投影光学系の光学特性を計測するための計測ユニットであって、基板の表面に複数個のパターンを形成したレチクルと、該レチクルの前記基板の裏面側に設けられた、開口を有する遮光部と該開口から散乱光を出すための光散乱部とを有することを特徴とする計測ユニット。
- 前記開口はピンホールであることを特徴とする請求項17に記載のレチクル。
- 前記遮光部が前記基板の裏面に形成してあり、前記光散乱部が他の基板上に形成してあることを特徴とする請求項20に記載の計測ユニット。
- 前記光散乱部が前記他の基板の前記レチクル側の面に形成してあることを特徴とする請求項21に記載の計測ユニット。
- 前記遮光部と前記光散乱部とが他の基板の上に形成してあることを特徴とする請求項20記載の計測ユニット。
- 前記遮光部は前記他の基板の前記レチクル側の面に形成してあり、前記光散乱部は前記他の基板の前記レチクル側とは反対側の面に形成してあることを特徴とする請求項23に記載の計測ユニット。
- 前記遮光部と前記光散乱部は前記他の基板の前記レチクル側とは反対側の面に形成してあることを特徴とする請求項23に記載の計測ユニット。
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