JPS64349B2 - - Google Patents

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JPS64349B2
JPS64349B2 JP59186287A JP18628784A JPS64349B2 JP S64349 B2 JPS64349 B2 JP S64349B2 JP 59186287 A JP59186287 A JP 59186287A JP 18628784 A JP18628784 A JP 18628784A JP S64349 B2 JPS64349 B2 JP S64349B2
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silicon nitride
sintered body
nitride sintered
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Minoru Matsui
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NGK Insulators Ltd
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NGK Insulators Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野) 本発明は機械的強度に優れた高密度窒化珪素焼
結体およびその製造法に関するものである。さら
に詳しくは、Y2O3、MgO、CeO2を所定量含有し
粒界相が結晶化した、特に静的疲労特性の優れた
高密度窒化珪素焼結体に関するものである。 (従来の技術) 窒化珪素焼結体は高温における機械的強度、耐
熱性、熱衝撃抵抗性および耐食性等の点で金属材
料より優れているため、金属材料が使用できない
高温構造部材への適用が考えられ、その用途開発
が盛んに進められている。 窒化珪素は共有結合性の物質で容易には固相焼
結ができないため、Y2O3、Al2O3、MgO、
CeO2、SiO2、ZrO2、希土類酸化物、AlN等を添
加し、焼成温度でガラス相を生成させ緻密化する
液相焼結が行われている。このため、得られる焼
結体は粒界に焼成中に生成したガラス相を多く含
むものである。従つて使用温度が高くなると粒界
のガラス相が軟化し機械的強度、クリープ変形、
クリープ破壊を原因とする静的疲労特性や耐酸化
性が低下する。 このため粒界相を結晶化しガラス相を無くす方
法が研究されている。特開昭55−3397号公報に
は、Y2O3およびSiO2を添加して焼成し粒界に
Y2O3・2SiO2および10Y2O3・9SiO2・Si2N4の結
晶相を含む窒化珪素焼結体が示されている。特開
昭56−59674号公報にはY2O3を添加して焼成し、
粒界にxY2O3・ySi3N4の結晶相を含む窒化珪素
焼結体が示されている。また、特開昭59−8670号
公報には(Si、Mg、Y)(O、N)で示されるメ
リライト鉱物相が粒界相である窒化珪素焼結体が
示されている。さらに特公昭58−50944号公報に
はY2O3あるいはCeO2を添加した窒化珪素焼結体
を再加熱し、粒界相にY2O3・Si3N4あるいは
Ce2O3・Si3N4を結晶化させる方法が示されてい
る。これらの粒界相を結晶化した窒化珪素焼結体
はいずれも高温強度が向上している。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら高温強度の低下の原因となる粒界
のガラス相を減らすためには添加物組成を結晶相
組成に限定する必要がある。このため充分緻密化
するだけの焼結助剤を選択、添加することができ
ず、緻密な焼結体が得られない欠点がある。また
限定された添加物組成においてもホツトプレス焼
結することにより緻密な窒化珪素焼結体が得られ
ることもあるが、ホツトプレス焼結は生産性が悪
くかつ複雑形状の部品ができないという欠点があ
る。また粒界の結晶化は焼成温度からの降温過程
あるいは再加熱処理等不活性雰囲気で行われるた
め通常の使用条件である酸化雰囲気において必ず
しも粒界に生成した結晶相が安定とは限らない。
このため酸化雰囲気で使用した場合結晶相が変化
し局部的に体積が変化してクラツクを生じ機械的
強度あるいは耐酸化性を著しく低下させる欠点が
ある。粒界の大部分が結晶相からなる窒化珪素焼
結体は高温において静的荷重に対して粒界ガラス
相の軟化が無いためクリープ変形やクリープ破壊
しないが、その反面、徐々に初期欠陥が成長する
サブクリテイカルクラツクグロースにより変形を
伴わない静的疲労を起し、抗折強度等の即時破断
強度に相当する応力よりも低い応力下においても
一定時間経過後破壊する。この静的疲労特性は破
壊に至るまでの時間の応力依存性から評価するこ
とができる。静的疲労の原因となるサブクリテイ
カルクラツクグロースは、粒界相の熱的・化学的
安定性、機械的強度、焼成温度からの降温過程に
おける粒界相とSi3N4結晶粒子との熱膨張差によ
り発生する微構造応力、粒界相とSi3N4結晶粒子
との密着性、残留するガラス相の性質や量等に影
響されるものと考えられている。粒界相を結晶化
して窒化珪素焼結体は、このサブクリテイカルク
ラツクグロースによる静的疲労破壊のため応力下
で長時間使用する部品材料として信頼性が低下す
る欠点がある。 本発明はこれらの欠点を解決するために行われ
たものである。すなわち本発明は粒界相が実質的
に結晶化しており、高温強度が高く、静的応力に
対してクリープ変形あるいはサブクリテイカルク
ラツクグロースが起こらない静的疲労特性の優れ
た高密度窒化珪素焼結体の組成および微構造を見
出し、その製造法を確立することを目的とするも
のである。さらに詳しく述べるならば、本発明は
1000℃以下の温度範囲で即時破断強度に相当する
応力よりも小さい静的応力下であるならば一定時
間以上あるいは永久に破壊しない窒化珪素焼結体
を見出すことを目的とするものである。 (問題点を解決するための手段) 本発明はSi3N4を主成分としY、Mg、Ceを含
む焼結体で、Si3N4の含有量が75〜95重量%、Y
の含有量がY2O3に換算し2〜15重量%、Mgの含
有量がMgOに換算し1〜10重量%、Ceの含有量
がCeO2に換算して1〜10重量%であることを特
徴とする窒化珪素焼結体および窒化珪素原料粉末
75〜95重量%と、焼結助剤としてY、Mgおよび
Ceの各化合物をY2O3に換算して2〜15重量%、
MgOに換算して1〜10重量%、CeO2に換算して
1〜10重量%よりなる調合粉末を成形し、次に窒
素あるいは不活性ガス雰囲気中で1650〜1800℃で
焼成する窒化珪素焼結体の製造法である。さらに
本発明は粒界相が実質的に結晶相より成る窒化珪
素焼結体である。 窒化珪素焼結体およびその製造法に関する本発
明はSi3N4結晶粒子間に特定量範囲のY、Mg、
Ce、Si、OおよびNよりなるガラス相が焼成過
程で生成し、このガラス相が液相焼結の緻密化過
程において焼結助剤として効果的に作用し緻密な
窒化珪素焼結体が得られること、また、焼成過程
で生成した粒界のガラス相が降温過程において、
ガラス相の組成を充分含みうる広い組成範囲が許
容される熱的、化学的に安定な一種の結晶相ある
いは二種以上の結晶相の組み合わせに変化するこ
とを見出したことに基づくものである。 さらに、本発明の窒化珪素焼結体が1000℃以下
の温度範囲でクリープ変形あるいはサブクリテイ
カルクラツクグロース等を起すことなくきわめて
優れた静的疲労特性を示すことを見出したことに
基づくものである。 (作用) 本発明の窒化珪素焼結体をさらに詳しく説明す
る。Y、MgおよびCeの化合物はSi3N4の焼結助
剤として従来単独、またはこれらの中の二成分の
複合あるいはこれら以外の第三成分との複合で用
いられる。この場合、本発明の窒化珪素焼結体も
含めて焼結体中ではY、MgおよびCeの化合物は
酸化物、酸窒化物あるいは窒化物になり、特に
Ceは3価である場合が一般的である。本発明の
窒化珪素焼結体の組成限定範囲ではY、Mgおよ
びCeの化合物の組み合わせの相乗効果により単
独もしくはこれらの中の二成分の複合と同等ある
いはそれ以上の焼結助剤としての緻密化効果を有
するものである。これらの化合物は焼結過程で酸
化物、酸窒化物、窒化物に変化し、粒界ガラス相
を生成し、常圧窒素雰囲気下において再配列過程
と溶解析出過程とから成る液相焼結の過程を経て
緻密化が容易に行われる。しかし、本発明の窒化
珪素焼結体の組成範囲は単に高密度窒化珪素焼結
体を得ることができる組成範囲ということでな
く、むしろ、Y、MgおよびCeの化合物の組み合
わせが酸化物、酸窒化物、窒化物に変化し、窒化
珪素原料粉末のSi3N4および窒化珪素原料粉末に
通常含まれるSiO2と反応して焼結体の粒界に生
成するY、Mg、Ce、Si、OおよびNを主成分と
するガラス相の大部分あるいは全部が焼成温度か
らの降温過程で結晶相に容易に変化することが重
要である。 本発明の窒化珪素焼結体のCuK〓線によるX線
回折分析結果の回折線の例を第1図に示した。本
発明の窒化珪素焼結体は主として第1図aのβ−
Si3N4相の回折線を示すが、その他に粒界結晶相
の回折線である第1図bおよびcの回折線を示
す。このうち第1図cで示される回折線は、
JCPDSカード30−1462に示されるSi3N4
10Y2O3・9SiO2の回折線と一致するものである。
さらに別にα−Si3N4相の回折線が見出される場
合もある。 本発明の窒化珪素焼結体の電子顕微鏡により観
察した微構造の例を第2図に示した。第2図にお
いてSi3N4で示した粒子はSi3N4結晶粒子である
が、粒界相であるその他の部分は第2図において
Xで示したように電子回折を起す結晶粒子で占め
られており、ガラス相は殆んど含まれない。さら
に電子顕微鏡下におけるエネルギー分散型X線元
素回折計により元素分析を行うと、粒界の結晶相
は陽イオンとしてY、Mg、CeおよびSiを主成分
として含み、電子線エネルギー損失分光法により
陰イオンとしてOとNを含むことが見出された。 以上のように本発明の窒化珪素焼結体の粒界相
は電子顕微鏡で観察した微構造において実質的に
ガラス相を含まない結晶相より成るものであり、
X線回折分析において明確な回折線を示す。これ
らの粒界結晶相は厳密に同定できるものではな
く、一種の結晶相からなる場合も、二種以上の結
晶相の組み合わせである場合も可能である。つま
り、本発明の窒化珪素焼結体はY、MgおよびCe
を組成限定範囲内で含むことにより、焼成による
緻密化、降温の過程を経て粒界相が実質的に結晶
相に変化したものであり、第1図のようなX線回
折線および第2図のような微構造を示すものであ
る。 本発明の窒化珪素焼結体は機械的強度が高く良
好で耐酸化性を示し、室温から1000℃の温度範囲
で静的応力下においてクリープ変形あるいはサブ
クリテイカルクラツクグロースを起こさず、即時
破壊応力よりも小さい応力であれば一定時間以上
あるいは永久に破壊しない。これは本発明の窒化
珪素焼結体において粒界相が実質的に結晶相で占
められガラス相が少ないかあるいは全く無く、そ
の結晶相が室温から1000℃の温度範囲および酸化
雰囲気で安定であり、さらにSi3N4粒子と粒界結
晶相との密着性がよくかつ焼結体が高密度である
ためと考えられる。 以上のように本発明のY、MgおよびCeを組成
限定範囲含む窒化珪素焼結体はY、MgおよびCe
成分の組み合わせの相乗効果により、焼成過程で
は緻密化効果の高い粒界ガラス相を生成し緻密な
焼結体となり、つづく降温過程では粒界相が実質
的に安定な結晶相に変化し、特に静的疲労特性の
優れた窒化珪素焼結体である。これに対して本発
明の組成限定範囲外の窒化珪素焼結体において
は、Si3N4の含有量が95重量%を越える場合焼結
助剤の量が不足となり充分緻密化せず、また75重
量%未満であるとSi3N4の持つ優れた機械的性
質、耐熱性が充分発揮されず、またY、Mgおよ
びCeの含有量がY2O3に換算して2〜15重量%、
MgOに換算して1〜10重量%、CeO2に換算して
1〜10重量%の範囲からいずれか一種でも不足あ
るいは過剰である組成となると、焼成過程で焼結
助剤として充分な効果が得られず緻密化しない
か、粒界相にガラス相が多く残留するか、あるい
は生成した粒界結晶相が熱的、化学的に安定でな
くなるか、またはSi3N4粒子との密着性が悪くな
る。このため本発明の組成限定範囲外の窒化珪素
焼結体は、機械的強度、耐酸化性、特に静的疲労
特性の悪い窒化珪素焼結体となる。 本発明の窒化珪素焼結体の製造法は前述した本
発明の窒化珪素焼結体の組成限定範囲において、
その微構造および特性を持つ焼結体を製造する方
法である。以下本発明の窒化珪素焼結体の製造法
について詳しく述べる。 窒化珪素原料粉末75〜95重量%と焼結助剤とし
てY、MgおよびCeの化合物をY2O3に換算して
2〜15重量%、MgOに換算して1〜10重量%、
CeO2に換算して1〜10重量%調合する。窒化珪
素原料粉末およびY、Mg、Ceの化合物は製造法
等により不純物の種類や量が異なるが、不純物は
一般に窒化珪素焼結体の粒界相にガラス相として
残留し、高温の機械的強度、耐熱性および静的疲
労特性を低下させる原因となる。このため各原料
粉末は純度96重量%以上で特に陽イオン不純物は
1重量%以下であることが好ましい。また、Y、
MgおよびCeの化合物は焼結体中では酸化物、酸
窒化物あるいは窒化物となるが、原料としては
Y、MgおよびCeの塩あるいはアルコキシド等の
化合物、あるいはそれらの溶液状態で配合し後に
酸化物に転化することもできる。しかしこの場合
酸化雰囲気で熱処理を行うので、窒化珪素原料粉
末のSi3N4が酸化されたり、緻密化を阻害する分
解ガスが発生したりするので、むしろY2O3
MgOおよびCeO2といつた酸化物原料粉末を用い
た方が好ましい。 原料粉末の粉砕混合は振動ミル、回転ミル、ア
トライターミル等を用い、水または有機溶媒を使
用する湿式法あるいは乾式法で行う。この場合粉
砕混合に用いる玉石の摩耗による不純物の混入を
防ぐため、ナイロン樹脂被覆鉄製玉石や窒化珪素
質磁器製玉石を用いるのが好ましい。粉砕時間は
粉砕方式および処理量により異なるが、粉砕後の
粉末の平均粒径およびBET比表面積が一定の飽
和値になるまで粉砕することが好ましい。粉砕混
合して得られた調合粉末は湿式粉砕法を用いる場
合には乾燥し、通常の乾式プレス成形法、押し出
し成形法、スリツプキヤスト成形法あるいは射出
成形法に、静水圧プレスを組み合わせる等して所
望の形状に成形する。この成形体を窒素雰囲気あ
るいは不活性ガス雰囲気中において1650〜1800℃
で充分な時間焼成し、1500℃以下に降温、冷却し
て窒化珪素焼結体が得られる。この場合不活性ガ
ス雰囲気中ではSi3N4が分解、蒸発し易く緻密な
焼結体が得られない場合があるので窒素雰囲気で
ある方が好ましい。また、加圧窒素雰囲気で
Si3N4の蒸発を抑制しながら、緻密化のためさら
に高温で焼成することもできるが、本発明の組成
限定範囲の窒化珪素焼結体は常圧窒素雰囲気下
1650〜1800℃の焼成で充分に緻密化するので、加
圧窒素雰囲気下の焼結を行うまでもない。常圧窒
素雰囲気下の焼結では、焼成温度が1650℃未満で
は焼成が不充分で緻密化せず、1800℃を越えると
Si3N4の分解、蒸発が激しく緻密な焼結体が得ら
れない。さらに本発明の窒化珪素焼結体は、焼成
後の降温過程において1500℃以下になると粒界相
が実質的に結晶相に変化するものである。また焼
成後急速に冷却する等して結晶化が不充分である
場合には1500℃以下の再加熱により粒界相を結晶
相に変化させることもできる。 以上のように本発明の窒化珪素焼結体の製造法
は窒化珪素原料粉末とY、MgおよびCeの化合物
を所定量調合し、これを成形し、焼成して窒化珪
素焼結体を製造する方法であり、得られる窒化珪
素焼結体は粒界相が実質的に結晶相に変化し、機
械的強度が高く、良好な耐酸化性を示し、特に静
的疲労特性が優れているものである。 (実施例) 以下に本発明の実施例について説明する。 純度97.1重量%、平均粒径0.7μm、BET比表面
積20m2/gの窒化珪素原料粉末と純度98〜99重量
%、平均粒径0.6〜2μm、BET比表面積8〜30
m2/gのY2O3、MgOおよびCeO2の各原料粉末と
を第1表記載の割合で調合し、窒化珪素質磁器製
玉石と内容積1.2のナイロン樹脂製容器を用い
て、原料調合物200gに対して玉石1.2Kg、水500
mlを加え振動数1200回/分の振動ミルで10時間粉
砕した。その後、水を蒸発させ粒径100μmに造
粒し成形用粉末とした。次に3ton/cm2の圧力で静
水圧プレスし60×60×6mmの成形体を作成し、第
1表記載の焼成温度で各30分間窒素雰囲気下で無
加圧焼結し本発明の窒化珪素焼結体No.1〜10を得
た。また、これらとは別に本発明の組成限定範囲
外のものを同一条件で作成し比較例の窒化珪素焼
結体No.11〜20を得た。これらの焼結体の化学分析
の結果、窒化珪素焼結体No.1〜20のY、Mgおよ
びCeの組成は調合組成にほぼ一致した。これら
の焼結体の嵩密度、粒界相の状態、室温および
1000℃における四点曲げ強度および静的疲労特性
として1000℃、100時間の静的荷重においても破
壊しない応力、その時の変形量を第1表に示し
た。
【表】 焼結体の嵩密度はアルキメデス法により測定し
た。四点曲げ強度はJIS R−1601「フアインセラ
ミツクスの曲げ強さ試験法」に従つて測定した。
静的疲労特性の測定は四点曲げ強度の測定と同一
の寸法の試料に同一の方法により1000℃で一定応
力を100時間荷重し、破壊するかどうかを調べた。
その時の四点曲げ試料のたわみ量を測定し、引張
面の変形量を求めた。また粒界相状態はCuK〓線
によるX線回折分析および電子顕微鏡観察の結果
から求めたものであり、bおよびcで示される結
晶は後述する第1図にそれぞれb、cで示される
位置に回折線を示し、なおかつ微構造中にSi3N4
以外の結晶相を含むことを確認できたものであ
る。フオルステライトとは2MgO・SiO2で示され
る化合物と同定されたものであり、未知相とは第
1図においてb、cで示される回折線以外に同定
されない回折線があることを示すものである。ま
た、ガラス相の有無は微構造中において電子回折
を起こさない部分をガラス相として、その有無を
観察した結果である。 本発明の窒化珪素焼結体No.5のCuK〓線による
X線回折分析結果の回折線を第1図に示した。こ
のうちaで示される回折線はβ−Si3N4であり、
b,cで示される回折線は粒界結晶相の回折線で
あり、cは特にJCPDSカード30−1462で示され
るSi3N4・10Y2O3・9SiO2の面間隔に一致するも
のである。同じく本発明の窒化珪素焼結体No.5の
電子顕微鏡で観察した微構造写真を第2図に示し
た。このうちSi3N4で示される部分はSi3N4結晶
粒子であり、Xで示される部分が電子回折をする
結晶質の粒界相でありガラス相は無い。 さらに、本発明の窒化珪素焼結体No.5および8
と本発明の組成限定範囲外の比較例No.12および13
の各応力下における破壊に至る時間を第3図に示
した。四点曲げ強度のような即時破壊は約2×
10-4時間の破壊時間に相当するものとして示し、
また、測定点から右向きの矢印は測定を中断した
時点で破壊せずそれよりも破壊時間が長いことを
示すものである。 第1表、第1図、第2図および第3図から明ら
かなとおり本発明の組成限定範囲のSi3N4
Y2O3、MgOおよびCeO2を含む窒化珪素焼結体は
嵩密度が3.2g/cm3以上と高密度であり、粒界の
大部分が結晶化しており、室温および1000℃の四
点曲げ強度がそれぞれ670MPa、620MPa以上と
高く、特に本発明の組成限定範囲外の窒化珪素焼
結体に比べて1000℃における静的疲労特性がきわ
めて優れており600MPaの応力下でも100時間以
上破壊せずまた変形しないことがわかる。さらに
第3図に示したように、本発明の窒化珪素焼結体
No.5およびNo.8は1000℃、650MPaの応力下で
1000時間以上破壊しないことがわかる。 (発明の効果) 以上述べたとおり、本発明の窒化珪素焼結体お
よびその製造法はSi3N4とY、MgおよびCeとを
所定量含むことによる、相乗的ないくつかの効果
により、常圧焼結法で製造でき、密度、機械的強
度が良好であり、特に静的疲労特性がきわめて優
れた窒化珪素焼結体とその製造法である。本発明
の窒化珪素焼結体は常圧焼結法でできるので安価
であり、複雑形状品の製造も可能であることか
ら、エンジン部品、ガスタービン部品等の機械構
造材料として種々の用途への利用が可能でる。そ
の場合、本発明の窒化珪素焼結体は静的疲労特性
が優れていることから、材料の寿命に対する信頼
性が大幅に改善されるものであり工業的価値がき
わめて大きいものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の窒化珪素焼結体No.5のCuK〓
線によるX線回折分析結果の回折線を示す線図、
第2図は本発明の窒化珪素焼結体No.5の電子顕微
鏡で観察した粒子構造を示す代用写真、第3図は
本発明の窒化珪素焼結体No.5およびNo.8と比較例
No.12および13の静的負荷応力と破壊時間の関係を
示した図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Si3N4を主成分とし、Y、Mg、Ceを含む焼
    結体で、Si3N4の含有量が75〜95重量%、Yの含
    有量がY2O3に換算し2〜15重量%、Mgの含有量
    がMgOに換算し1〜10重量%、Ceの含有量が
    CeO2に換算し1〜10重量%であることを特徴と
    する窒化珪素焼結体。 2 粒界相が実質的に結晶相より成る特許請求の
    範囲第1項記載の窒化珪素焼結体。 3 窒化珪素原料粉末75〜95重量%と、焼結助剤
    としてY、MgおよびCeの各化合物をY2O3に換
    算して2〜15重量%、MgOに換算して1〜10重
    量%、CeO2に換算して1〜10重量%よりなる調
    合粉末を成形し、次に窒素あるいは不活性ガス雰
    囲気中で1650〜1800℃で焼成することを特徴とす
    る窒化珪素焼結体の製造法。
JP59186287A 1984-09-07 1984-09-07 窒化珪素焼結体およびその製造法 Granted JPS6168373A (ja)

Priority Applications (5)

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