JPS642433Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案はLC複合部品に関し、特に、未焼結
のセラミツクシートを巻回しかつ焼成して得られ
る焼結巻回体を母体として構成されるいわゆる巻
込型のLC複合部品に関する。

キヤパシタンス素子とインダクタンス素子との
組合せにより種々の共振回路が得られ、これら
は、たとえばLCフイルタとして各種電子機器に
用いられている。この場合、一般には、キヤパシ
タンス素子としては円筒形、円板形、円環形コン
デンサなどが用いられ、インダクタンス素子とし
ては巻線コイル、フエライトビーズなどが用いら
れている。しかし、これらキヤパシタンス素子お
よびインダクタンス素子を１つの素体に一体化さ
れているものは、現在市販されている中では少な
く、未だ開発中の段階であると考えられる。

そこで、この考案は、上述のキヤパシタンス素
子およびインダクタンス素子を１つの素体の中に
一体化した、いわゆるLC複合部品を、小型で信
頼性の高い複合部品として提供することを目的と
するものである。

この考案は、要約すれば、未焼結のセラミツク
シートを巻回しかつ焼成して得られた焼結巻回体
の内部または表面にキヤパシタンス形成のための
導電層とインダクタンス形成のための導電層との
双方が形成されたLC複合部品である。キヤパシ
タンス形成導電層は、焼結巻回体内のセラミツク
シートに相当する層をはさんで対向して延びる導
電層によつて実現される。インダクタンス形成導
電層は、焼結巻回体内のセラミツクシートに相当
する層に沿いその巻回方向に延びる導電層によつ
て実現される。キヤパシタンス形成導電層および
インダクタンス形成導電層にはそれぞれキヤパシ
タンスおよびインダクタンスを焼結巻回体の外部
に取り出すために電気的接続された各取出手段を
さらに備える。そして、キヤパシタンス形成導電
層とインダクタンス形成導電層とは焼結巻回体の
表面および内部を含む範囲内で電気的接続されて
いて、それによつてLC複合部品としての意義を
達成する。

この考案のその他の目的と特徴は以下に図面を
参照して行なう詳細な説明から一層明らかとなろ
う。

図面には、種々の実施例が示されるが、各実施
例は、大きくは２つのグループに分類される。第
１グループは第１図ないし第１４図にそれぞれ示
されるもので、これには第１図に示すようにキヤ
パシタンスおよびインダクタンス取出手段として
の３個の電極膜１，２，３が形成されている。す
なわち３端子型である。この第１グループはさら
に３つの小グループに分類される。第１小グルー
プは第２図に示す等価回路を実現するものであ
り、第２小グループは第９図の等価回路、第３小
グループは第１２図の等価回路をそれぞれ実現す
るものである。各小グループには、それぞれ焼結
巻回体の形成方法としてセラミツクシートの使用
枚数に応じて２つの典型例が含まれる。大きく分
類された第２グループは、第１５図に示すよう
に、キヤパシタンスおよびインダクタンス取出手
段としての２個の電極膜４，５を備えるものであ
る。すなわち２端子型である。この第２グループ
は第１６図に示す等価回路を実現し、焼結巻回体
の形成方法としてセラミツクシートの使用枚数に
応じて２つの典型例が含まれる。以下、上述した
各実施例の位置づけを把握した後、それぞれにつ
いて説明する。

第１図はすでに述べたようにこの考案の実施例
の第１グループに含まれるLC複合部品の外観斜
視図である。この第１グループでは、３個の取出
手段としての各電極膜１，２，３が焼結巻回体６
の一方端部、中間部、他方端部にそれぞれ形成さ
れている。

第２図は第１グループに含まれる第１小グルー
プのLC複合部品によつて実現される等価回路図
である。第２図において、前述の電極膜１，２，
３によつてそれぞれ実現される端子が同様の参照
番号で示される。第２図から明らかなように、こ
の第１小グループでは、端子１，３間に接続され
たインダクタンスＬ１と、端子２，３間に接続さ
れた１個のキヤパシタンスＣ１とを含む。

第３図は第１小グループに含まれるLC複合部
品の第１典型例のセラミツクシート上の導電層形
成態様を示す平面図である。この第１典型例で
は、１枚の未焼結セラミツクシート７が用いられ
る。未焼結セラミツクシート７上には、長さ方向
に延びるインダクタンス形成導電層８が形成され
る。インダクタンス形成導電層８の各端部から互
いに逆方向に一体にセラミツクシート７の各側縁
にまで延びて、第１引出導体９と第２引出導体１
０とがそれぞれ形成される。これらのうち、第２
引出導体１０は、第６図を参照して後述する説明
から明らかになるように、電極膜２（第１図、第
６図）と対をなしてキヤパシタンスを形成するた
めのキヤパシタンス形成導電層を兼ねる。

上述した未焼結セラミツクシート７は、各導電
層８，９，１０が形成された面を外側に向け、第
１引出導体９のある方を巻き始め端として巻回さ
れる。このとき、第２引出導体１０は巻回体の相
対的に外周側に位置されるが、第２引出導体１０
よりさらに外周側にある導電層の形成されていな
いセラミツクシート７の端部によつておおわれ、
第２引出導体１０は外部に露出しない。また、未
焼結セラミツクシート７は、各導電層８，９，１
０が形成された面を内側に向け、第１引出導体９
のある方を巻き始め端としかつ第２引出導体１０
が巻回体の外周側にくるように巻回されてもよ
い。巻回工程の実施にあたつては、たとえば、第
５図に示すように、芯１１を軸としてそのまわり
にセラミツクシート７が配置され、１対の対向す
る巻回用板材１２，１３を相対的に矢印１４で示
す方向に移動させることにより、セラミツクシー
ト７は芯１１のまわりに巻回される。この巻回体
を、セラミツクシート７に含まれるセラミツク材
料に応じた温度で焼成することにより焼結巻回体
が得られる。この焼結巻回体は、第１図に参照番
号「６」で示されるものである。第１図の両端の
電極膜１，３に、それぞれ第１引出導体９と第２
引出導体１０とが接触して電気的接続されるよう
に、引出導体９，１０が焼結巻回体６の各端面に
まで延びて形成される。また、第１図の電極膜２
は第２引出導体１０に対応して形成される位置に
ある。これらの状態等は第６図によく示されてい
る。

第６図を参照して、各引出導体９，１０は焼結
巻回体６の各端面にまで延びここで表出するよう
に形成されている。したがつて、焼結巻回体６の
各端面を含んで電極膜１，３をそれぞれ形成すれ
ば、各引出導体９，１０との電気的接続が可能と
なる。焼結巻回体６の内部では、第２インダクタ
ンス形成導電層８がそれぞれ巻回方向に延びてい
る状態が示されている。また、一方のキヤパシタ
ンス導電層を兼ねる第２引出導体１０が所定の間
隔を介して電極膜２に対向している状態が示され
る。ここに、第２図の等価回路との対応を明らか
にすると、第１インダクタンス形成導電層８がイ
ンダクタンスＬ１に、および相互に対向する電極
膜２とキヤパシタンス形成導電層を兼ねる第２引
出導体１０とがキヤパシタンスＣ１にそれぞれ相
当するものである。

第６図には、第１図に示されない要素がさらに
付加されている。すなわち、キヤパシタンスおよ
びインダクタンス取出手段として、さらに金属キ
ヤツプ１５，１６が図示される。各金属キヤツプ
１５，１６は焼結巻回体６の各端部にかぶせられ
て機械的に固定され、電極膜１，３に対してそれ
ぞれ半田付け等により接続される。なお、この場
合、電極膜１，３の形成を省略して、金属キヤツ
プ１５，１６を直接焼結巻回体６の両端部にかぶ
せ、半田を介して各引出導体９，１０と電気的接
続されるようにしてもよい。第６図には、キヤパ
シタンスおよびインダクタンス取出手段として、
リード線もまた含む構成が図示される。各リード
線１７，１８，１９はそれぞれ金属キヤツプ１
５、電極膜２および金属キヤツプ１６に半田付け
等により接続される。リード線１７，１８，１９
の延びる方向は、図示のようなラジアル方向に限
らず、両端のリード線１７，１９をアキシヤル方
向に引き出すようにしてもよい。なお、リード線
１７，１９は、電極膜１，３に直接接続されて
も、さらには引出導体９，１０に直接接続されて
もよい。第６図には、さらに絶縁塗装２０が図示
されている。この絶縁塗装２０は、要するに、キ
ヤパシタンスおよびインダクタンス取り出しを妨
げないように形成されればよく、リード線１７，
１８，１９を用いる場合には、さらに形成領域を
広げてもよい。

なお、第６図に示すキヤパシタンスおよびイン
ダクタンス取出手段の変更、ならびに絶縁塗装２
０は、特に説明しないが、以下に述べる実施例に
おいても同様に適用することができる。

第７図および第８図はそれぞれこの考案の好ま
しい実施態様を示す。前述した実施例では、芯１
１を軸としてセラミツクシート７を巻回した。こ
の芯１１は、この限りにおいては、セラミツクシ
ート７の巻回のためにのみ必要であつたと言え
る。したがつて、芯１１は、巻回後で取り除いて
もよい。しかしながら、芯１１がセラミツク材料
で構成されている場合には、そのまま焼成を行な
うことができる。そして、芯１１を構成するセラ
ミツク材料が磁性体である場合には、この芯１１
でそのまま磁気回路を形成することができる。し
かしながら、芯１１を巻回後に抜き取つた場合に
は、第７図に示すように、焼結巻回体６にはその
中心軸線に沿つて延びる中空部２１が形成され
る。この中空部２１は、別に用意されたフエライ
トなどで構成された磁性体２２を挿入するための
穴として利用することができる。磁性体２２は、
第７図に示すような棒状体で用意される場合に
は、これを中空部２１に挿入した状態で固定する
ことも、移動可能に設けることも可能である。ま
た、磁性体２２は必ずしも棒状体で用意される必
要はなく、無定形の磁性体２２を中空部２１に充
填するようにしてもよい。

磁性体２２を中空部２１において移動可能に設
ける構成として、第８図に示される構成を採用し
てもよい。第８図では、磁性体２２は棒状体とし
て形成され、その外周面には雄ねじ２３が形成さ
れる。一方、中空部２１の内周面には、雄ねじ２
３と螺合する雌ねじ２４が形成される。したがつ
て、磁性体２２を中空部２１に挿入した状態で回
転させることにより、磁性体２２が中空部２１に
挿入される寸法が変更され、かつ変更された位置
での固定が可能となる。このようにして、容易に
インダクタンスを可変および固定することができ
る。

第７図および第８図にそれぞれ示す実施態様
は、第３図に示した第１典型例のLC複合部品だ
けでなく、後述する各実施例のLC複合部品に対
しても適用することができる。

この考案のLC複合部品の焼結巻回体を構成す
るセラミツクシートとしては、少なくとも誘電特
性を有していればよい。

第４図に戻ると、そこには今まで述べてきた第
１小グループに含まれるLC複合部品の第２典型
例のセラミツクシート上の導電層形成態様が斜視
図で示される。第４図を参照して、２枚の未焼結
セラミツクシート、すなわち第１未焼結セラミツ
クシート２５および第２未焼結セラミツクシート
２６が用意される。第１未焼結セラミツクシート
２５には、その端部近傍においてその幅方向に長
く延びるキヤパシタンス形成導電層２７が形成さ
れる。キヤパシタンス形成導電層２７はその一端
がセラミツクシート２５の一方端縁にまで延びて
いる。第２未焼結セラミツクシート２６には、そ
の対角線方向に延びて、インダクタンス形成導電
層２８が形成される。インダクタンス形成導電層
２８から一体にセラミツクシート２６の各側縁に
まで延びて、第１引出導体２９と第２引出導体３
０とが形成される。

２枚のセラミツクシート２５，２６は、第４図
に示すような配置で、第１未焼結セラミツクシー
ト２５が第２焼結セラミツクシート２６の上に載
るように重ねられる。この状態で、第１未焼結セ
ラミツクシート２５が外周側に位置するように巻
回される。その工程は第１典型例と同様であり、
かつ同様に焼成される。得られた焼結巻回体は第
１図に示されるものと同様であり、第１図の電極
膜２はキヤパシタンス形成導電層２７に対応して
形成される。第２図との対応を述べると、第２図
の端子１が第１引出導体２９またはこれに接続さ
れる導体であり、端子２が焼結巻回体の外周面に
形成される第１図の電極膜２であり、端子３が第
２引出導体３０またはこれに接続される導体であ
る。そして、電極膜２およびキヤパシタンス形成
導電層２７によつてキヤパシタンスＣ１が形成さ
れ、インダクタンス形成導電層２８によつてイン
ダクタンスＬ１が形成される。

第９図はすでに述べたように第１グループに含
まれる第２小グループのLC複合部品によつて実
現される等価回路図である。第９図に示すもの
も、３端子１，２，３を備える。端子１と端子３
との間にはインダクタンスＬ２が形成され、端子
２と端子１および端子３との各間にはそれぞれキ
ヤパシタンスＣ２およびＣ３が形成される。

第１０図はこの第２小グループに含まれるLC
複合部品の第１典型例のセラミツクシート上の導
電層形成態様を示す平面図である。１枚の未焼結
セラミツクシート３１上には、その各側部に接し
てキヤパシタンス形成導電層が形成される。すな
わち、セラミツクシート３１の一方側部には第１
キヤパシタンス形成導電層３２が形成される。ま
た、セラミツクシート３１の他方側部には、第２
キヤパシタンス形成導電層３３が形成される。第
１キヤパシタンス形成導電層３２と第２キヤパシ
タンス形成導電層３３とはセラミツクシート３１
の幅方向に隣接している。第２キヤパシタンス形
成導電層３３に対応してセラミツクシート３１の
長さ方向においてずれた位置には引出導体３４が
設けられ、この両者間は斜め方向に延びるインダ
クタンス形成導電層３５によつて連結される。第
１キヤパシタンス形成導電層３２および第２キヤ
パシタンス形成導電層３３は、それぞれセラミツ
クシート３１の各側縁にまで延びて形成される。

第１０図のセラミツクシート３１は、各導電層
が形成された面を外側に向けかつ第１および第２
キヤパシタンス形成導電層３２，３３の位置する
方が外周面側にくるように巻回され、次に焼成さ
れる。また、各導電層が形成された面を内側に向
けかつ第１および第２キヤパシタンス形成導電層
３１，３２が最外周面側に露出しないように巻回
されてもよい。このようにして得られた焼結巻回
体を第１図との対応で説明すると、第１および第
２キヤパシタンス形成導電層３２，３３および引
出導体３４が焼結巻回体６の各端面にまで表出し
ている。また、電極膜２は第１および第２キヤパ
シタンス形成導電層３２，３３に対応している。
したがつて、所定のキヤパシタンスおよびインダ
クタンス取出手段が設けられたときには、第９図
に示すキヤパシタンスＣ２が第１キヤパシタンス
形成導電層３２と電極膜２との間に、キヤパシタ
ンスＣ３が第２キヤパシタンス形成導電層３３と
電極膜２との間に、およびインダクタンスＬ２が
インダクタンス形成導電層３５によつてそれぞれ
形成される。

第１１図は第２小グループに含まれるLC複合
部品の第２典型例のセラミツクグリーンシート上
の導電層形成態様を示す斜視図である。この第２
典型例では、第１未焼結セラミツクシート３６お
よび第２未焼結セラミツクシート３７の２枚のセ
ラミツクシートが用いられる。第１未焼結セラミ
ツクシート３６上には、各側縁に接してそれぞれ
第１キヤパシタンス形成導電層３８および第２キ
ヤパシタンス形成導電層３９が形成される。第２
未焼結セラミツクシート３７上には、このセラミ
ツクシート３７の対角線方向に延びて、インダク
タンス形成導電層４０が形成される。インダクタ
ンス形成導電層４０から一体にセラミツクシート
３７の各側縁にまで延びて、第１引出導体４１と
第２引出導体４２とが形成される。

このような第１および第２未焼結セラミツクシ
ート３６，３７は、第１１図に示す上下関係をも
つて重ね合わされ、第４図の場合と同様に第１お
よび第２キヤパシタンス形成導電層３８，３９が
外周面側に位置するように巻回され、次に焼成さ
れる。得られた焼結巻回体を第１図に示す焼結巻
回体６と対応させて説明すると、第１および第２
キヤパシタンス形成導電層３８，３９および第１
および第２引出導体４１，４２がそれぞれ焼結巻
回体の各端面にまで延びここで表出し、第１図の
電極膜２は第１および第２キヤパシタンス形成導
電層３８，３９に対応して形成される。したがつ
て、第９図におけるキヤパシタンスＣ２は第１キ
ヤパシタンス形成導電層３８と電極膜２との間
に、キヤパシタンスＣ３は第２キヤパシタンス形
成導電層３９と電極膜２との間に、およびインダ
クタンスＬ２はインダクタンス形成導電層４０に
よつてそれぞれ形成される。

第１２図は今述べている第１グループに含まれ
る第３小グループのLC複合部品によつて実現さ
れる等価回路図である。第１２図から明らかなよ
うに、３個の端子１，２，３を備える。端子１と
端子３との間には直列接続されたインダクタンス
Ｌ３，Ｌ４が形成される。端子２と上述のインダ
クタンスＬ３，Ｌ４間の接続導体との間にキヤパ
シタンスＣ４が形成される。

第１３図はこの第３小グループに含まれるLC
複合部品の第１典型例のセラミツクシート上の導
電層形成態様を示す平面図である。未焼結セラミ
ツクシート４３上には、平行して長さ方向に延び
るインダクタンス形成導電層４４，４５が形成さ
れる。インダクタンス形成導電層４４とインダク
タンス形成導電層４５との間にはこれらを相互に
連結するようにキヤパシタンス形成導電層４６が
形成される。各インダクタンス形成導電層４４，
４５からは一体にセラミツクシート４３の各側縁
にまで延びて、第１引出導体４７と第２引出導体
４８とが形成される。

このような未焼結セラミツクシート４３は、第
３図の場合と同様に、キヤパシタンス形成導電層
４６が外周面側に位置するように巻回され、次に
焼成される。得られた焼結巻回体を第１図の焼結
巻回体６と対応させて説明すると、各引出導体４
７，４８は焼結巻回体６の各端面に表出し、電極
膜２はキヤパシタンス形成導電層４６に対応して
形成される。したがつて、第１２図のインダクタ
ンスＬ３はインダクタンス形成導電層４４によつ
て、インダクタンスＬ４はインダクタンス形成導
電層４５によつて、およびキヤパシタンスＣ４は
電極膜２とキヤパシタンス形成導電層４６とによ
つてそれぞれ形成される。

第１４図は第３小グループに含まれるLC複合
部品の第２典型例のセラミツクシート上の導電層
形成態様を示す斜視図である。第１４図に示すよ
うに、第１未焼結セラミツクシート４９および第
２未焼結セラミツクシート５０の２枚のセラミツ
クシートが用いられる。第１未焼結セラミツクシ
ート４９にはその一端部近傍の中間部に貫通孔５
１が形成され、この貫通孔５１から他端部の各側
縁に向かつてインダクタンス形成導電層５２，５
３が形成される。各インダクタンス形成導電層５
２，５３からは一体にセラミツクシート４９の各
側縁にまで延びてそれぞれ第１引出導体５４およ
び第２引出導体５５が形成される。第２未焼結セ
ラミツクシート５０上には、第１未焼結セラミツ
クシート４９の貫通孔５１に対応する位置にキヤ
パシタンス形成導電層５６が形成される。

このような２枚のセラミツクシート４９，５０
は第１４図に示す上下関係をもつて重ね合わさ
れ、キヤパシタンス形成導電層５６が外周面側に
位置するように巻回される。巻回される前にイン
ダクタンス形成導電層５２，５３とキヤパシタン
ス形成導電層５６との電気的接続を確実なものと
するため、重ねた状態で予め導電ペーストを貫通
孔５１によつて形成された空間に充填しておくこ
とが好ましい。そして、これを焼成して焼結巻回
体が得られる。得られた焼結巻回体を第１図の焼
結巻回体６との対応で説明すると、第１引出導体
５４および第２引出導体５５がそれぞれ焼結巻回
体６の各端面に表出し、電極膜はキヤパシタンス
形成導電層５６に対応して形成される。したがつ
て、第１２図のインダクタンスＬ３はインダクタ
ンス形成導電層５２により、インダクタンスＬ４
はインダクタンス形成導電層５３により、および
キヤパシタンスＣ４はキヤパシタンス形成導電層
５６と電極層２との間にそれぞれ形成される。

すでに述べたように、第１５図にはこの考案の
実施例の第２グループに含まれるLC複合部品の
外観斜視図が示される。ここには、キヤパシタン
スおよびインダクタンス取出手段として２つの電
極膜４，５を備えるものが図示されている。各電
極膜４，５は、焼結巻回体５７の各端部に設けら
れている。

第１６図はこの第２グループのLC複合部品に
よつて実現される等価回路図である。第１６図に
おいて、第１５図との対応を明らかにするため
に、第１５図で用いた電極膜を示す参照番号を、
第１６図の端子にも同様に用いている。第１６図
から明らかなように、２つの端子４，５間には、
互いに並列接続されたキヤパシタンスＣ５および
インダクタンスＬ５が形成される。

第１７図は今述べている第２グループに含まれ
るLC複合部品の第１典型例のセラミツクシート
上の導電層形成態様を示す斜視図である。第１未
焼結セラミツクシート５８および第２未焼結セラ
ミツクシート５９の２枚のセラミツクシートが用
いられる。第１未焼結セラミツクシート５８に
は、対角線方向に延びてインダクタンス形成導電
層６０が形成される。インダクタンス形成導電層
６０の両端部からそれぞれ一体に第１引出導体６
１および第２引出導体６２が形成される。各引出
導体６１，６２はそれぞれセラミツクシート５８
の各側縁にまで延びて形成される。第２未焼結セ
ラミツクシート５９には、第１キヤパシタンス形
成導電層６３および第２キヤパシタンス形成導電
層６４が、セラミツクシート５９の長さ方向に隣
接して形成される。第１キヤパシタンス形成導電
層６３と第２キヤパシタンス形成導電層６４と
は、それぞれ、セラミツクシート５９の反対側の
側縁にまで延びて形成される。

このような２枚のセラミツクシート５８，５９
は相互に重ね合わされる。この重なりにおける上
下関係は、特に限定されるものではない。相互に
重ね合わされたセラミツクシート５８，５９は巻
回され、次に焼成される。この巻回において、導
電層が形成された面を外または内周側のいずれか
に向けるかについてや、セラミツクシート５８，
５９のいずれの端縁を始端として巻回するかにつ
いても特に限定されるものではない。なお、たと
えば、導電層が形成された面を外周側に向けて巻
回する場合には、外部との絶縁性を考慮すれば、
第２未焼結セラミツクシート５９をを外周側に位
置させかつ第１キヤパシタンス形成導電層６３が
形成された側の端縁を始端として巻回した方がよ
いと言える。

第１７図のセラミツクシート５８，５９から得
られた焼結巻回体を第１５図の焼結巻回体５７と
の対応で説明すると、第１引出導体６１および第
１キヤパシタンス形成導電層６３が焼結巻回体５
７の一方端面に表出し、ここで電極膜４によつて
電気的接続される。第２引出導体６２および第２
キヤパシタンス形成導電層６４は焼結巻回体５７
の他方端面に表出し、ここで電極膜５によつて電
気的接続される。そして、第１６図のキヤパシタ
ンスＣ５は、セラミツクシート５９の巻回状態に
おいて第１キヤパシタンス形成導電層６３と第２
キヤパシタンス形成導電層６４とが相互に対向す
ることにより形成される。インダクタンスＬ５は
インダクタンス形成導電層６０により形成され
る。

なお、第１７図の典型例において、キヤパシタ
ンス形成導電層を、第１および第２キヤパシタン
ス形成導電層６３，６４と同様の態様で第２未焼
結セラミツクシート５９上にさらに配列してもよ
い。

第１８図は今述べている第２グループに含まれ
るLC複合部品の第２典型例のセラミツクシート
上の導電層形成態様を示す斜視図である。この典
型例では、第１未焼結セラミツクシート６５、第
２未焼結セラミツクシート６６および第３未焼結
セラミツクシート６７の３枚のセラミツクシート
が用いられる。第１未焼結セラミツクシート６５
には、対角線方向に延びるインダクタンス形成導
電層６８が形成される。そして、第１７図のセラ
ミツクシート５８と同様に、第１引出導体６９と
第２引出導体７０とが形成される。第２未焼結セ
ラミツクシート６６には、第１キヤパシタンス形
成導電層７１が形成される。第１キヤパシタンス
形成導電層７１はセラミツクシート６６の一方側
縁にまで延びてかつセラミツクシート６６のほぼ
全面にわたつて形成される。第３未焼結セラミツ
クシート６７には、上述の第１キヤパシタンス形
成導電層７１と対応して第２キヤパシタンス形成
導電層７２が形成される。第２キヤパシタンス形
成導電層７２は、前述した第１キヤパシタンス形
成導電層７１とは逆になるセラミツクシート６７
の端縁にまで延びて形成される。このような第１
ないし第３セラミツクシート６５，６６，６７は
重ね合わされる。この重ね合わせの順序は、第２
および第３未焼結セラミツクシート６６，６７が
互いに接するように重ね合わされるという条件さ
え満たせば、第１７図の場合と同様に、他の重ね
合わせの順序は特に限定されるものではない。ま
た、巻回の態様もまた、第１７図の場合と同様に
特に限定されるものではない。

セラミツクシート６５，６６，６７が重ね合わ
され、巻回され、さらに焼成されて得られた焼結
巻回体を第１５図の焼結巻回体５７と対応させて
説明すると、第１引出導体６９および第２キヤパ
シタンス形成導電層７２が焼結巻回体５７の一方
端面に表出し、ここで電極膜４によつて電気的接
続される。第２引出導体７０および第１キヤパシ
タンス形成導電層７１は焼結巻回体５７の他方端
面に表出し、ここで電極膜５により電気的接続さ
れる。したがつて、第１６図のキヤパシタンスＣ
５は第１および第２キヤパシタンス形成導電層７
１，７２間に、インダクタンスＬ５はインダクタ
ンス形成導電層６８によつてそれぞれ形成され
る。

なお、以上述べた各実施例において、キヤパシ
タンスまたはインダクタンス形成のための導体と
して、「導電層」という用語を用いた。この「導
電層」は、巻回前のセラミツクシート上では
「層」というよりむしろ「ストリツプ」と呼んだ
方がより適当な印象を受けるかもしれない。しか
しながら、あえて「導電層」という用語を用いた
のは、巻回後さらには焼成後では、セラミツクシ
ートに相当する層間あるいは層上に所定のパター
ンで形成される「層」を構成することになるから
である。

以上述べた実施例の配列または分類は、その外
観および等価回路に基づくものであつた。しかし
ながら、各実施例を以下に述べるように把握して
分類することもできる。すなわち、第３図および
第１０図に示すものは、キヤパシタンス形成のた
めの導電層とインダクタンス形成のための導電層
とは共通部分を含んでいると言える。一方、第４
図、第１１図、第１３図、第１４図、第１７図お
よび第１８図に示すものは、そのような共通部分
を含んでいない。また、別の見方として、第３
図、第１０図、第１３図および第１４図に示すも
のは、焼結巻回体の内部においてキヤパシタンス
形成のための導電層とインダクタンス形成のため
の導電層とが電気的接続されているが、第４図、
第１１図、第１７図および第１８図に示すもの
は、焼結巻回体の表面でキヤパシタンス形成のた
めの導電層とインダクタンス形成のための導電層
とが電気的接続されているということが言える。

以上のように、この考案によれば、巻回される
べきセラミツクシート上にキヤパシタンス形成の
ための導電層とインダクタンス形成のための導電
層との双方が形成されているので、１回の巻回お
よび焼成工程によりキヤパシタンスおよびインダ
クタンスの双方の成分を有するLC複合部品が得
られる。すなわち、キヤパシタンスまたはインダ
クタンスのいずれか一方の素子を製造する手間と
全く変わらない手間によつて、キヤパシタンスお
よびインダクタンスの双方を含む素子を一挙に製
造することができる。また、このことは、本来２
個またはそれ以上の部品を必要としていたもの
が、１個の部品で済むので、小型化が有利になさ
れ、かつ一体構造であるので信頼性の高いLC複
合部品が得られることになる。さらに、この考案
によれば、セラミツクシートの巻回体を用いるの
で、その中心軸線に沿つて容易に中空部を形成す
ることができる。すなわち、何ら特別な加工を必
要とせず、このような中空部を形成することが可
能である。したがつて、この中空部は磁性体を挿
入するための空間として有利に用いられることが
でき、この考案のLC複合部品は容易に可変イン
ダクタンス素子とすることができる。この考案の
LC複合部品は、たとえば、EMIフイルタ素子な
どとしてそのまま用いることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例の第１グループに
含まれるLC複合部品の外観斜視図である。第２
図は第１グループに含まれる第１小グループの
LC複合部品によつて実現される等価回路図であ
る。第３図は第１小グループに含まれるLC複合
部品の第１典型例のセラミツクシート上の導電層
形成態様を示す平面図である。第４図は第１小グ
ループに含まれるLC複合部品の第２典型例のセ
ラミツクシート上の導電層形成態様を示す斜視図
である。第５図はセラミツクシートの巻回工程を
図解的に示す。第６図は第３図の第１典型例の
LC複合部品の縦断面図である。第７図および第
８図はそれぞれこの考案の好ましい実施態様を示
す。第９図は第１グループに含まれる第２小グル
ープのLC複合部品によつて実現される等価回路
図である。第１０図は第２小グループに含まれる
LC複合部品の第１典型例のセラミツクシート上
の導電層形成態様を示す平面図である。第１１図
は第２小グループに含まれるLC複合部品の第２
典型例のセラミツクシート上の導電層形成態様を
示す斜視図である。第１２図は第１グループに含
まれる第３小グループのLC複合部品によつて実
現される等価回路図である。第１３図は第３小グ
ループに含まれるLC複合部品の第１典型例のセ
ラミツクシート上の導電層形成態様を示す平面図
である。第１４図は第３小グループに含まれる
LC複合部品の第２典型例のセラミツクシート上
の導電層形成態様を示す平面図である。第１５図
はこの考案の実施例の第２グループに含まれる
LC複合部品の外観斜視図である。第１６図は第
２グループに含まれるLC複合部品によつて実現
される等価回路図である。第１７図は第２グルー
プに含まれるLC複合部品の第１典型例のセラミ
ツクシート上の導電層形成態様を示す斜視図であ
る。第１８図は第２グループに含まれるLC複合
部品の第２典型例のセラミツクシート上の導電層
形成態様を示す斜視図である。 図において、１〜５は電極膜、６，５７は焼結
巻回体、７，２５，２６，３１，３６，３７，４
３，４９，５０，５８，５９，６５，６６，６７
は未焼結セラミツクシート、８，２８，３５，４
０，４４，４５，５２，５３，６０，６８はイン
ダクタンス形成導電層、９，１０，２９，３０，
３４，４１，４２，４７，４８，５４，５５，６
１，６２，６９，７０は引出導体、２７，３２，
３３，３８，３９，４６，５６，６３，６４，７
１，７２，はキヤパシタンス形成導電層、１１は
芯、１５，１６は金属キヤツプ、１７〜１９はリ
ード線、２１は中空部、２２は磁性体、２３は雄
ねじ、２４は雌ねじである。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 未焼結のセラミツクシートを巻回して得られ
   る巻回体を焼成して得られた焼結巻回体を含
   み、キヤパシタンス形成のために前記セラミツ
   クシートに相当する層をはさんで対向して延び
   るキヤパシタンス形成導電層と、インダクタン
   ス形成のために前記セラミツクシートの巻回方
   向に渦巻状に延びるインダクタンス形成導電層
   との双方が形成され、さらに 前記キヤパシタンス形成導電層に電気的接続
   されキヤパシタンスを前記焼結巻回体の外部に
   取り出すためのキヤパシタンス取出手段と、前
   記インダクタンス形成導電層に電気的接続され
   インダクタンスを前記焼結巻回体の外部に取り
   出すためのインダクタンス取出手段とを備え、 前記キヤパシタンス形成導電層と前記インダ
   クタンス形成導電層とは前記焼結巻回体の表面
   および内部の範囲内で電気的接続されている、
   LC複合部品。 (2) 前記キヤパシタンス形成導電層と前記インダ
   クタンス形成導電層とは、共通部分を含む、実
   用新案登録請求の範囲第(1)項記載のLC複合部
   品。 (3) 前記焼結巻回体を構成するセラミツクシート
   は１枚である、実用新案登録請求の範囲第(1)項
   または第(2)項記載のLC複合部品。 (4) 前記焼結巻回体を構成するセラミツクシート
   は複数枚である、実用新案登録請求の範囲第(1)
   項または第(2)項記載のLC複合部品。 (5) 前記キヤパシタンス取出手段と前記インダク
   タンス取出手段とは、前記焼結巻回体の外表面
   上に形成された電極膜を含む、実用新案登録請
   求の範囲第(1)項ないし第(4)項のいずれかに記載
   のLC複合部品。 (6) 前記キヤパシタンス取出手段と前記インダク
   タンス取出手段とは、前記焼結巻回体の端部に
   かぶせられた金属キヤツプを含む、実用新案登
   録請求の範囲第(1)項ないし第(5)項のいずれかに
   記載のLC複合部品。 (7) 前記キヤパシタンス取出手段と前記インダク
   タンス取出手段とは、リード線を含む、実用新
   案登録請求の範囲第(1)項ないし第(6)項のいずれ
   かに記載のLC複合部品。 (8) 前記焼結巻回体はその中心軸線に沿つて延び
   る芯を含み、 前記セラミツクシートは前記芯のまわりに巻
   回される、実用新案登録請求の範囲第(1)項ない
   し第(7)項のいずれかに記載のLC複合部品。 (9) 前記芯は磁性材料で構成される、実用新案登
   録請求の範囲第(8)項記載のLC複合部品。 (10) 前記焼結巻回体はその中心軸線に沿つて延び
   る中空部を備え、この中空部には磁性体が挿入
   される、実用新案登録請求の範囲第(1)項ないし
   第(7)項のいずれかに記載のLC複合部品。 (11) 前記磁性体は前記中空部において軸線方向に
   移動可能である、実用新案登録請求の範囲第(10)
   項記載のLC複合部品。 (12) 前記磁性体の外周面と前記中空部の内周面と
   には、相互に螺合するねじが形成される、実用
   新案登録請求の範囲第(11)項記載のLC複合部品。