JPS6399221A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法Info
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- JPS6399221A JPS6399221A JP20525387A JP20525387A JPS6399221A JP S6399221 A JPS6399221 A JP S6399221A JP 20525387 A JP20525387 A JP 20525387A JP 20525387 A JP20525387 A JP 20525387A JP S6399221 A JPS6399221 A JP S6399221A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、耐湿性に優れ応力の小さいシラノール官能基
数2以下のシランカップリング剤を含む抗水性の強い可
撓性シラン化合物を添加した半導体封止用エポキシ樹脂
組成物の製造方法に関するものである。
数2以下のシランカップリング剤を含む抗水性の強い可
撓性シラン化合物を添加した半導体封止用エポキシ樹脂
組成物の製造方法に関するものである。
(従来技術)
近年、電子機器業界は急速な発展をとげ、半導体の特性
保持のために数々の技術改良がなされてきている。これ
に伴い半導体封止用エポキシ樹脂成形材料にも、半導体
の特性保持に必要な技術的改良が要求されてきている。
保持のために数々の技術改良がなされてきている。これ
に伴い半導体封止用エポキシ樹脂成形材料にも、半導体
の特性保持に必要な技術的改良が要求されてきている。
これら要求の中で特に重要なことは、エポキシ樹脂封止
法の応力低下と耐湿性に関するものである。即ち樹脂の
硬fヒに伴って発生する歪を十分緩和し、また半導体組
立て時に受ける熱変化を十分吸収するだけ低応力で且つ
水の侵入によって発生するペレットの腐食等の少ないエ
ポキシ樹脂成形材料の開発要求が年々強くなってきてい
る。一般的に半導体の特性破壊の主要な原因は、半導体
組立て工程で受ける熱応力や封止樹脂の硬化収縮時に生
じる応力によるものであったり、水の侵入による腐食を
伴った絶縁破壊や回路短絡であった。これら半導体の特
性破壊を減少させるためには、半導体封止樹脂の応力を
小さくし且つ耐湿性を高めることが必要であった。
法の応力低下と耐湿性に関するものである。即ち樹脂の
硬fヒに伴って発生する歪を十分緩和し、また半導体組
立て時に受ける熱変化を十分吸収するだけ低応力で且つ
水の侵入によって発生するペレットの腐食等の少ないエ
ポキシ樹脂成形材料の開発要求が年々強くなってきてい
る。一般的に半導体の特性破壊の主要な原因は、半導体
組立て工程で受ける熱応力や封止樹脂の硬化収縮時に生
じる応力によるものであったり、水の侵入による腐食を
伴った絶縁破壊や回路短絡であった。これら半導体の特
性破壊を減少させるためには、半導体封止樹脂の応力を
小さくし且つ耐湿性を高めることが必要であった。
エポキシ樹脂に硬化可能なシリコーンゴムを添加する組
成物は特開昭54−54168号公報に開示されている
が、このシリコーンゴムはエポキシ樹脂とは反応性はな
くシリコーンゴムそれ自体が硬化するために分散剤を併
用している。従って硬化したエポキシ樹脂組成物は耐ク
ラツク性は有しているが、耐湿性や低応力性には欠けて
いた。
成物は特開昭54−54168号公報に開示されている
が、このシリコーンゴムはエポキシ樹脂とは反応性はな
くシリコーンゴムそれ自体が硬化するために分散剤を併
用している。従って硬化したエポキシ樹脂組成物は耐ク
ラツク性は有しているが、耐湿性や低応力性には欠けて
いた。
(発明の目的)
本発明は、樹脂組成物の中にエポキシ樹脂や硬化剤と反
応する撓水性の強い可撓性シラン化合物を加えることに
より、これら技術的問題が解決できることを見いだした
ものである。即ち可撓性シラン化合物が水の侵入を防止
すると共に応力緩衝層となることを見いだしたものであ
る。
応する撓水性の強い可撓性シラン化合物を加えることに
より、これら技術的問題が解決できることを見いだした
ものである。即ち可撓性シラン化合物が水の侵入を防止
すると共に応力緩衝層となることを見いだしたものであ
る。
(発明の構成)
本発明は、エポキシ樹脂にシラノール官能基数2以下の
シランカップリング剤及びアミン基、アルコール基、エ
ポキシ基又はカルボキシル基を有するシリコーンオイル
又はシリコーンゴムを0゜5〜3重量%を、充填材含む
原材料の一種又は二種以上の一部又は全部と過熱水蒸気
曝気下又はPR〉8の条件で予備混合し、更に残りの原
材料と混合混練することを特徴とする半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の製造方法である。
シランカップリング剤及びアミン基、アルコール基、エ
ポキシ基又はカルボキシル基を有するシリコーンオイル
又はシリコーンゴムを0゜5〜3重量%を、充填材含む
原材料の一種又は二種以上の一部又は全部と過熱水蒸気
曝気下又はPR〉8の条件で予備混合し、更に残りの原
材料と混合混練することを特徴とする半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の製造方法である。
通常エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬
化促進剤、充填材、離型剤、表面処理剤、難燃剤等より
構成される。
化促進剤、充填材、離型剤、表面処理剤、難燃剤等より
構成される。
エポキシ樹脂とはエポキシ基を有するもの全般をいい、
例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、グリシジル
イソシアネート樹脂等である。
例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、グリシジル
イソシアネート樹脂等である。
硬化剤とはエポキシ樹脂を硬化させるもの全般をいい、
例えば、フェノールノボラック、オルI〜クレゾールノ
ボラック等のフェノールノボラック類、テトラクロル無
水フタル酸(TCP、l、テトラハイドロ無水フタル酸
(THPA)、ヘキザハイドロ無水フタル酸(HHP
A )等の酸無水物、ジシアンジアミド(DDA) 、
ジアミノジフェニルメタン(DDM)等のアミン類であ
る。
例えば、フェノールノボラック、オルI〜クレゾールノ
ボラック等のフェノールノボラック類、テトラクロル無
水フタル酸(TCP、l、テトラハイドロ無水フタル酸
(THPA)、ヘキザハイドロ無水フタル酸(HHP
A )等の酸無水物、ジシアンジアミド(DDA) 、
ジアミノジフェニルメタン(DDM)等のアミン類であ
る。
硬化促進剤とはエポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進する
もの全般をいい、例えば、モノジメチルアミノメチルフ
ェノール、ピペラジン、2,3,4,6.7.8,9,
10.−オクタハイドロ−ピラミド(1,2−a)アゼ
ピン等の第3級アミン類、オクチルホスフィン、ジフェ
ニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、トリフェ
ニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の有
機ボスフィン化合物、2−フェニルイミダゾール<2P
Z)、2エチル4メチルイミダソール(2E4MZ)、
1−ベンジルイミダゾール<IBZ)、2メチルイミダ
ゾール(2M Z )等のイミダゾール類等である。
もの全般をいい、例えば、モノジメチルアミノメチルフ
ェノール、ピペラジン、2,3,4,6.7.8,9,
10.−オクタハイドロ−ピラミド(1,2−a)アゼ
ピン等の第3級アミン類、オクチルホスフィン、ジフェ
ニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、トリフェ
ニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の有
機ボスフィン化合物、2−フェニルイミダゾール<2P
Z)、2エチル4メチルイミダソール(2E4MZ)、
1−ベンジルイミダゾール<IBZ)、2メチルイミダ
ゾール(2M Z )等のイミダゾール類等である。
充填材としては例えば、シリカ、ガラス、炭酸カルシウ
ム、マイカ、クレー、アルミナ、アスベスト、水酸化ア
ルミニウム、水酸化マグネシウム等分挙けることができ
る。
ム、マイカ、クレー、アルミナ、アスベスト、水酸化ア
ルミニウム、水酸化マグネシウム等分挙けることができ
る。
難燃剤としては例えば、三酸化アンチモン、四三酸化ア
ンチモン等のアンチモン類、硼酸、無水硼酸、硼酸亜3
H等の硼素化名物等で゛ある。
ンチモン等のアンチモン類、硼酸、無水硼酸、硼酸亜3
H等の硼素化名物等で゛ある。
これら充填材及び難燃剤は必要により、本発明に使用す
るシランカップリング剤とは別に、シランカップリング
剤、チタンカップリング剤等の表面処理剤によりあらか
じめその表面を改質してもよい。
るシランカップリング剤とは別に、シランカップリング
剤、チタンカップリング剤等の表面処理剤によりあらか
じめその表面を改質してもよい。
離型剤としては、カルナバワックス、ステアリン酸、ス
テアリン酸塩類、ポリエチレンワックス等が挙げられる
。
テアリン酸塩類、ポリエチレンワックス等が挙げられる
。
シラノール官能基数2以下のシランカップリング剤とし
ては、γ−グリシドキシメチルジメトキシシラン、γ−
アミノプロピルメチルジェトキシシラン、γ−メルカプ
トプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ウレイドプロ
ピルメチルエトキシシラン、γ−グリシドキシメチルジ
メ1ヘキシシラン、γ−グリシドプロピルメチルジェト
キシシラン、(ビシクロ(4,1,Fl 4オキサヘプ
チルエチル)メチルジメトキシシラン等が使用される。
ては、γ−グリシドキシメチルジメトキシシラン、γ−
アミノプロピルメチルジェトキシシラン、γ−メルカプ
トプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ウレイドプロ
ピルメチルエトキシシラン、γ−グリシドキシメチルジ
メ1ヘキシシラン、γ−グリシドプロピルメチルジェト
キシシラン、(ビシクロ(4,1,Fl 4オキサヘプ
チルエチル)メチルジメトキシシラン等が使用される。
シリコーンオイルとしては、アミン変性シリコーンオイ
ル、エポキシ変性シリコーンオイル、カルビノール変性
シリコーンオイル、カルボキシ変性シリコーンオイル等
が使用される。
ル、エポキシ変性シリコーンオイル、カルビノール変性
シリコーンオイル、カルボキシ変性シリコーンオイル等
が使用される。
シリコーンゴムとしては、アミノ変性シリコーンゴム、
エポキシ変性シリコーンゴム、カルビノール変性シリコ
ーンゴム、カルボキシ変性シリコーンゴム等が使用され
る。
エポキシ変性シリコーンゴム、カルビノール変性シリコ
ーンゴム、カルボキシ変性シリコーンゴム等が使用され
る。
耐湿性と低応力を両立させるためには、シラノール基が
1乃至2のシランカップリング剤とエポキシ樹脂又は硬
化剤と反応性を有するシリコーンオイル又はシリコーン
ゴムを併用することが必要である。シラノール基が3以
上だと架橋密度が高くなり可撓性が失われるためシラン
カップリング剤のシラノール基数は2以下が必要である
。更にシランカップリング剤だけでは応力低下が不十分
であること、及びシリコーンオイル又はシリコーンゴム
だけではシリカ粉末等の充填材を疎水化できない即ち耐
湿性が劣ることにより、シランカップリング剤とエポキ
シ樹脂や硬化剤と反応性を有するシリコーンオイル又は
シリコーンゴムを併用することが必要である。その添加
量は0.5〜3重量%使用することが必要である。これ
は0.5重量%未満だと応力低下の効果が少ないこと、
及び3重量%を越えると製品のガラス転移点が低下した
り捺印性が悪くなる等の害が生じるなめである。
1乃至2のシランカップリング剤とエポキシ樹脂又は硬
化剤と反応性を有するシリコーンオイル又はシリコーン
ゴムを併用することが必要である。シラノール基が3以
上だと架橋密度が高くなり可撓性が失われるためシラン
カップリング剤のシラノール基数は2以下が必要である
。更にシランカップリング剤だけでは応力低下が不十分
であること、及びシリコーンオイル又はシリコーンゴム
だけではシリカ粉末等の充填材を疎水化できない即ち耐
湿性が劣ることにより、シランカップリング剤とエポキ
シ樹脂や硬化剤と反応性を有するシリコーンオイル又は
シリコーンゴムを併用することが必要である。その添加
量は0.5〜3重量%使用することが必要である。これ
は0.5重量%未満だと応力低下の効果が少ないこと、
及び3重量%を越えると製品のガラス転移点が低下した
り捺印性が悪くなる等の害が生じるなめである。
更に、これらシランカップリング剤及びシリコーンオイ
ル又はシリコーンゴムを有効に働かせるためには、充填
材を含む原材料の一種又は二種以上の一部又は全部と、
過熱水蒸気曝気下又はPH>8の条件で予備混合し、更
に残りの原材料と混合混練することが必要である。耐湿
性及び可撓性を充分且つ均一に引き出すためには充填材
とよく混合し、且つこの混合物を他の原材料中に均質分
散させることが重要である。又、シランカップリング剤
による充填材の疎水化反応を完全に行うためには、過熱
水蒸気曝気下又はPH>8の条件で充填材とシランカッ
プリング剤を処理することが必要である。これ以外の方
法だと疎水化反応が不充分となり耐湿性の低下を招く。
ル又はシリコーンゴムを有効に働かせるためには、充填
材を含む原材料の一種又は二種以上の一部又は全部と、
過熱水蒸気曝気下又はPH>8の条件で予備混合し、更
に残りの原材料と混合混練することが必要である。耐湿
性及び可撓性を充分且つ均一に引き出すためには充填材
とよく混合し、且つこの混合物を他の原材料中に均質分
散させることが重要である。又、シランカップリング剤
による充填材の疎水化反応を完全に行うためには、過熱
水蒸気曝気下又はPH>8の条件で充填材とシランカッ
プリング剤を処理することが必要である。これ以外の方
法だと疎水化反応が不充分となり耐湿性の低下を招く。
また、PH>8にするための塩基性物質としては、水酸
化ナトリウムのような無機イオン性物質でなく有機物(
例えば、Oc tahydro−pyram ido
(1、2−a)azep i ne等)の方が望ましい
。
化ナトリウムのような無機イオン性物質でなく有機物(
例えば、Oc tahydro−pyram ido
(1、2−a)azep i ne等)の方が望ましい
。
特にエポキシ樹脂低圧封入成形材料として使用する場合
は、エポキシ樹脂はオルトクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、中でも軟化点が80℃以下、エポキシ当量が
220以下、全塩素量が11000pp以下、プレッシ
ャークツカー抽出水の電気伝導度が500μΦ/ c
m以下のものが好ましく、硬化剤としてはフェノールノ
ボラック、中でも軟化点が105℃以下、プレッシャー
クツカー抽出水の電気伝導度が100μ* / c m
以下、かつ蟻酸量が50ppm以下のものが好ましい。
は、エポキシ樹脂はオルトクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、中でも軟化点が80℃以下、エポキシ当量が
220以下、全塩素量が11000pp以下、プレッシ
ャークツカー抽出水の電気伝導度が500μΦ/ c
m以下のものが好ましく、硬化剤としてはフェノールノ
ボラック、中でも軟化点が105℃以下、プレッシャー
クツカー抽出水の電気伝導度が100μ* / c m
以下、かつ蟻酸量が50ppm以下のものが好ましい。
(全塩素量はナトリウムアマルガム法によって測定、プ
レッシャークツカー抽出条件はレジン5grを蒸留水4
0grで180℃20hr抽出で行った値) (発明の効果) 本発明で得られたエポキシ樹脂組成物は、耐湿性に優れ
応力が小さく半導体封止用として好適であり、電子機器
部品の大容量化等を可能にし産業上極めて有用である。
レッシャークツカー抽出条件はレジン5grを蒸留水4
0grで180℃20hr抽出で行った値) (発明の効果) 本発明で得られたエポキシ樹脂組成物は、耐湿性に優れ
応力が小さく半導体封止用として好適であり、電子機器
部品の大容量化等を可能にし産業上極めて有用である。
(実施例)
実施例及び比較例で使用した原材料は、エポキシ樹脂(
クレゾールノボラックエポキシ):住友化学工業(株−
)製ESCN−220LC硬化剤(フェノールノボラッ
ク) :日本化薬(株)製PN−100 離型剤 :ヘキストワックスS 硬化促進剤 :四国化成(株)製IB2MZ充填材(結
晶シリカ) :龍森(株)製GP−200T 以下使用量は重量部であって部と略記する。
クレゾールノボラックエポキシ):住友化学工業(株−
)製ESCN−220LC硬化剤(フェノールノボラッ
ク) :日本化薬(株)製PN−100 離型剤 :ヘキストワックスS 硬化促進剤 :四国化成(株)製IB2MZ充填材(結
晶シリカ) :龍森(株)製GP−200T 以下使用量は重量部であって部と略記する。
実施例−1
充゛填材67部をヘンシェルミキサーに仕込み、これに
シラノール基数が2のシランカップリング剤γ−グリシ
ドキシメチルジメトキシシラン1部、アミノ変性シリコ
ーンオイル0.5部及び1.5−ジアザ−ビシクロ(4
,3,O)ノネン−5の1%水溶液0.1部の混合液を
噴霧して添加しながら10分間予予備台し、(この混合
材料を純水で洗い出した水のPHは8.3であった。)
これにエポキシ樹脂20部、硬化剤10部、離型剤0゜
5部、硬化促進剤0.5部を加え更に10分間混合した
。この混合物をコニーダーで吐出温度90°Cで混練し
エポキシ樹脂組成物を得た。
シラノール基数が2のシランカップリング剤γ−グリシ
ドキシメチルジメトキシシラン1部、アミノ変性シリコ
ーンオイル0.5部及び1.5−ジアザ−ビシクロ(4
,3,O)ノネン−5の1%水溶液0.1部の混合液を
噴霧して添加しながら10分間予予備台し、(この混合
材料を純水で洗い出した水のPHは8.3であった。)
これにエポキシ樹脂20部、硬化剤10部、離型剤0゜
5部、硬化促進剤0.5部を加え更に10分間混合した
。この混合物をコニーダーで吐出温度90°Cで混練し
エポキシ樹脂組成物を得た。
実施例−2
充填材67部分ニーダ−に仕込み、これにシラノール基
数が2のシランカップリング剤γ−アミノプロピルメチ
ルジェトキシシラン1部及びエポキシ変性シリコーンゴ
ム2部を散布し、さらに7k g / c m 2の蒸
気330秒毎に5秒間の割合で6回噴き込んでニーダ−
内で混合し、さらにエポキシ樹脂20部、硬化剤10部
、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5部を加え10分間
混合した。この混合物を100°Cの熱ロールでさらに
混練し、エポキシ樹脂組成物を得た。
数が2のシランカップリング剤γ−アミノプロピルメチ
ルジェトキシシラン1部及びエポキシ変性シリコーンゴ
ム2部を散布し、さらに7k g / c m 2の蒸
気330秒毎に5秒間の割合で6回噴き込んでニーダ−
内で混合し、さらにエポキシ樹脂20部、硬化剤10部
、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5部を加え10分間
混合した。この混合物を100°Cの熱ロールでさらに
混練し、エポキシ樹脂組成物を得た。
比較例−1
充填材67部と通常使用されるシラノール基数が3のシ
ランカップリング剤(日本ユニカー製A−187)1部
をヘンシェルミキサーで10分間予備混合し、(この混
合材料金純水で洗い出した水のPHは7.7であった。
ランカップリング剤(日本ユニカー製A−187)1部
をヘンシェルミキサーで10分間予備混合し、(この混
合材料金純水で洗い出した水のPHは7.7であった。
)これにエポキシ樹脂20部、硬化剤10部、離型剤0
.5部、硬化促進剤0.5部を加え更に10分間混合し
た。この混合物をコニーダーで吐出温度90℃で混練し
通常のエポキシ樹脂組成物を得た。
.5部、硬化促進剤0.5部を加え更に10分間混合し
た。この混合物をコニーダーで吐出温度90℃で混練し
通常のエポキシ樹脂組成物を得た。
比較例−2
充填材67部並びにシラノール基数が3のシランカップ
リング剤く日本ユニカー製A−187)0.5部とシラ
ノール基数が2のシランカップリング剤γ−メルカブト
プロピルメチルジメ1〜キシシラン2部及びエポキシ変
性シリコーンゴム1゜5部(合計3.5部)、さらに2
,3,4,6゜7.8,9.10−オクタハ・イドロー
ピラミド−<1.2−a)アゼピンの1%水溶液0.1
部をヘンシェルミキサーに添加し10分間予備混合し、
くこの混合材料3純水で洗い出した水のPHは8゜2で
あった。)これにエポキシ樹脂20部、硬化剤10部、
離型剤0.5部、硬化促進剤0.5部をを加えさらに1
0分間混合した。この混合物をコニーダーで吐出温度9
0°Cで混練しエポキシ樹脂組成物を得た。
リング剤く日本ユニカー製A−187)0.5部とシラ
ノール基数が2のシランカップリング剤γ−メルカブト
プロピルメチルジメ1〜キシシラン2部及びエポキシ変
性シリコーンゴム1゜5部(合計3.5部)、さらに2
,3,4,6゜7.8,9.10−オクタハ・イドロー
ピラミド−<1.2−a)アゼピンの1%水溶液0.1
部をヘンシェルミキサーに添加し10分間予備混合し、
くこの混合材料3純水で洗い出した水のPHは8゜2で
あった。)これにエポキシ樹脂20部、硬化剤10部、
離型剤0.5部、硬化促進剤0.5部をを加えさらに1
0分間混合した。この混合物をコニーダーで吐出温度9
0°Cで混練しエポキシ樹脂組成物を得た。
比較例−3
充填材67部をニーダ−に仕込み、これにシラノール基
数が2のシランカップリング剤γ−アミノプロピルメチ
ルジェトキシシラン1部及びエポキシ変性シリコーンゴ
ム2部を散布し5分間混合し、さらにエポキシ樹脂20
部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5
部を加え10分間混合した。この混合物を100’Cの
熱ロールでさらに混練し、エポキシ樹脂組成物を得た。
数が2のシランカップリング剤γ−アミノプロピルメチ
ルジェトキシシラン1部及びエポキシ変性シリコーンゴ
ム2部を散布し5分間混合し、さらにエポキシ樹脂20
部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5
部を加え10分間混合した。この混合物を100’Cの
熱ロールでさらに混練し、エポキシ樹脂組成物を得た。
上記の組成物の種々の特性について測定しその結果を第
1表に示した。
1表に示した。
各組成物を使用した半導体製品のピエゾ抵抗による応力
(以下応力と称する)、曲げ弾性率、プレッシャー釜に
よる信頼性テスト(以下PCTとfホする)、半導体製
品の一200°Cから240 ’Cまでの温度サイクル
テスト(以下TCTと称する)、ガラス転移点、捺印性
等について検討した。
(以下応力と称する)、曲げ弾性率、プレッシャー釜に
よる信頼性テスト(以下PCTとfホする)、半導体製
品の一200°Cから240 ’Cまでの温度サイクル
テスト(以下TCTと称する)、ガラス転移点、捺印性
等について検討した。
以上から分かるように、本発明のエポキシ樹脂組成物を
使用すると半導体製品の応力が小さく且つ耐湿性が向上
しており、TCTは不良率が従来の約1/6であった。
使用すると半導体製品の応力が小さく且つ耐湿性が向上
しており、TCTは不良率が従来の約1/6であった。
Claims (1)
- エポキシ樹脂にシラノール官能基数2以下のシランカッ
プリング剤及びアミノ基、アルコール基、エポキシ基又
はカルボキシル基を有するシリコーンオイル又はシリコ
ーンゴムを0.5〜3重量%を、充填材含む原材料の一
種又は二種以上の一部又は全部と過熱水蒸気曝気下又は
PH>8の条件で予備混合し、更に残りの原材料と混合
混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20525387A JPS6399221A (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20525387A JPS6399221A (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13270481A Division JPS5834824A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6399221A true JPS6399221A (ja) | 1988-04-30 |
JPH0411573B2 JPH0411573B2 (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=16503925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20525387A Granted JPS6399221A (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6399221A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0232120A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH02311551A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH02311552A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH0379657A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物の製法 |
JPH0381360A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物の製法 |
JP2002076549A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板 |
JP2011199160A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-08-20 JP JP20525387A patent/JPS6399221A/ja active Granted
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0232120A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH0476371B2 (ja) * | 1988-07-21 | 1992-12-03 | Matsushita Electric Works Ltd | |
JPH02311551A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH02311552A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH0379657A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物の製法 |
JPH0381360A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物の製法 |
JP2002076549A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板 |
JP2011199160A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0411573B2 (ja) | 1992-02-28 |
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