JPH0411573B2 - - Google Patents
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- JPH0411573B2 JPH0411573B2 JP20525387A JP20525387A JPH0411573B2 JP H0411573 B2 JPH0411573 B2 JP H0411573B2 JP 20525387 A JP20525387 A JP 20525387A JP 20525387 A JP20525387 A JP 20525387A JP H0411573 B2 JPH0411573 B2 JP H0411573B2
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Description
【発明の詳細な説明】
《産業上の利用分野》
本発明は、耐湿性に優れ応力の小さいシラノー
ル官能基数2以下のシランカツプリング剤を含む
撥水性の強い可撓性シラン化合物を添加した半導
体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法に関する
ものである。 《従来技術》 近年、電子機器業界は急速な発展をとげ、半導
体の特性保持のために数々の技術改良がなされて
きている。これに伴い半導体封止用エポキシ樹脂
成形材料にも、半導体の特性保持に必要な技術的
改良が要求されてきている。これら要求の中で特
に重要なことは、エポキシ樹脂封止法の応力低下
と耐湿性に関するものである。即ち樹脂の硬化に
伴つて発生する歪を十分緩和し、また半導体組立
て時に受ける熱変化を十分吸収するだけ低応力で
且つ水の侵入によつて発生するペレツトの腐食等
の少ないエポキシ樹脂成形材料の開発要求が年々
強くなつてきている。一般的に半導体の特性破壊
の主要な原因は、半導体組立て工程で受ける熱応
力や封止樹脂の硬化収縮時に生じる応力によるも
のであつたり、水の侵入による腐食を伴つた絶縁
破壊や回路短絡であつた。これら半導体の特性破
壊を減少させるためには、半導体封止樹脂の応力
を小さくし且つ耐湿性を高めることが必要であつ
た。 エポキシ樹脂に硬化可能なシリコーンゴムを添
加する組成物は特開昭54−54168号公報に開示さ
れているが、このシリコーンゴムはエポキシ樹脂
とは反応性はなくシリコーンゴムそれ自体が硬化
するために分散剤を併用している。従つて硬化し
たエポキシ樹脂組成物は耐クラツク性は有してい
るが、耐湿性や低応力性には欠けていた。 《発明の目的》 本発明は、樹脂組成物の中にエポキシ樹脂や硬
化剤と反応する撥水性の強い可撓性シラン化合物
を加えることにより、これら技術的問題が解決で
きることを見いだしたものである。即ち可撓性シ
ラン化合物が水の侵入を防止すると共に応力緩衝
層となることを見いだしたものである。 《発明の構成》 本発明は、エポキシ樹脂にシラノール官能基数
2以下のシランカツプリング剤及びアミノ基、ア
ルコール基、エポキシ基又はカルボキシル基を有
するシリコーンオイル又はシリコーンゴムを0.5
〜3重量%を、充填材含む原材料の一種又は二種
以上の一部又は全部と過熱水蒸気曝気下又はPH>
8の条件で予備混合し、更に残りの原材料と混合
混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ
樹脂組成物の製造方法である。 通常エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬
化剤、硬化促進剤、充填材、離型剤、表面処理
剤、難燃剤等より構成される。 エポキシ樹脂とはエポキシ基を有するもの全般
をいい、例えば、ビスフエノール型エポキシ樹
脂、フエノールノボラツク型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラツク型エポキシ樹脂、トリアジン核
含有エポキシ樹脂、グリシジルイソシアネート樹
脂等である。 硬化剤とはエポキシ樹脂を硬化させるもの全般
をいい、例えば、フエノールノボラツク、オルト
クレゾールノボラツク等のフエノールノボラツク
類、テトラクロル無水フタル酸(TCPA)、テト
ラハイドロ無水フタル酸(THPA)、ヘキサハイ
ドロ無水フタル酸(HHPA)等の酸無水物、ジ
シアンジアミド(DDA)、ジアミノジフエニルメ
タン(DDM)等のアミン類である。 硬化促進剤とはエポキシ樹脂と硬化剤の反応を
促進するもの全般をいい、例えば、モノジメチル
アミノメチルフエノール、ピペラジン、2,3,
4,6,7,8,9,10,−オクタハイドロ−ピ
ラミド(1,2,−a)アゼピン等の第3級アミ
ン類、オクチルホスフイン、ジフエニルホスフイ
ン、ブチルフエニルホスフイン、トリフエニルホ
スフイン、トリシクロヘキシルホスフイン等の有
機ホスフイン化合物、2−フエニルイミダゾール
(2PZ)、2エチル4メチルイミダゾール
(2E4MZ),1−ベンジルイミダゾール(1BZ)、
2メチルイミダゾール(2MZ)等のイミダゾー
ル類等である。 充填材としては例えば、シリカ、ガラス、炭酸
カルシウム、マイカ、クレー、アルミナ、アスベ
スト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム
等を挙げることができる。 難燃剤としては例えば、三酸化アンチモン、四
三酸化アンチモン等のアンチモン類、硼酸、無水
硼酸、硼酸亜鉛等の硼素化合物等である。 これら充填材及び難燃剤は必要により、本発明
に使用するシランカツプリング剤とは別に、シラ
ンカツプリング剤、チタンカツプリング剤等の表
面処理剤によりあらかじめその表面を改質しても
よい。 離型剤としては、カルナバワツクス、ステアリ
ン酸、ステアリン酸塩類、ポリエチレンワツクス
等が挙げられる。 シラノール官能基数2以下のシランカツプリン
グ剤としては、γーグリシドキシメチルジメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ−ウレイドプロピルメチルエトキシ
シラン、γ−グリシドキシメチルジメトキシシラ
ン、γ−グリシドプロピルメチルジエトキシシラ
ン、(ビシクロ〔4,1,0〕4オキサヘプチル
エチル)メチルジメトキシシラン等が使用され
る。 シリコーンオイルとしては、アミノ変性シリコ
ーンオイル、エポキシ変性シリコーンオイル、カ
ルビノール変性シリコーンオイル、カルボキシ変
性シリコーンオイル等が使用される。 シリコーンゴムとしては、アミノ変性シリコー
ンゴム、エポキシ変性シリコーンゴム、カルビノ
ール変性シリコーンゴム、カルボキシ変性シリコ
ーンゴム等が使用される。 耐湿性と低応力を両立させるためには、シラノ
ール基が1乃至2のシランカツプリング剤とエポ
キシ樹脂又は硬化剤と反応性を有するシリコーン
オイル又はシリコーンゴムを併用することが必要
である。シラノール基が3以上だと架橋密度が高
くなり可撓性が失われるためシランカツプリング
剤のシラノール基数は2以下が必要である。更に
シランカツプリング剤だけでは応力低下が不十分
であること、及びシリコーンオイル又はシリコー
ンゴムだけではシリカ粉末等の充填材を疎水化で
きない即ち耐湿性が劣ることにより、シランカツ
プリング剤とエポキシ樹脂や硬化剤と反応性を有
するシリコーンオイル又はシリコーンゴムを併用
することが必要である。その添加量は0.5〜3重
量%使用することが必要である。これは0.5重量
%未満だと応力低下の効果が少ないこと、及び3
重量%を越えると製品のガラス転移点が低下した
り捺印性が悪くなる等の害が生じるためである。 更に、これらシランカツプリング剤及びシリコ
ーンオイル又はシリコーンゴムを有効に働かせる
ためには、充填材を含む原材料の一種又は二種以
上の一部又は全部と、過熱水蒸気曝気下又はPH>
8の条件で予備混合し、更に残りの原材料と混合
混練することが必要である。耐湿性及び可撓性を
充分且つ均一に引き出すためには充填材とよく混
合し、且つこの混合物を他の原材料中に均質分散
させることが重要である。又シランカツプリング
剤による充填材の疎水化反応を完全に行うために
は、過熱水蒸気曝気下又はPH>8の条件で充填材
とシランカツプリング剤を処理することが必要で
ある。これ以外の方法だと疎水化反応が不充分と
なり耐湿性の低下を招く。また、PH>8にするた
めの塩基性物質としては、水酸化ナトリウムのよ
うな無機イオン性物質でなく有機物(例えば、
Octahydro−pyramido(1,2−a)azepine等)
の方が望ましい。 特にエポキシ樹脂低圧封入成形材料として使用
する場合は、エポキシ樹脂はオルトクレゾールノ
ボラツク型エポキシ樹脂、中でも軟化点が80℃以
下、エポキシ当量が220以下、全塩素量が
1000ppm以下、プレツシヤークツカー抽出水の電
気伝導度が500μ/cm以下のものが好ましく、
硬化剤としてはフエノールノボラツク、中でも軟
化点が105℃以下、プレツシヤークツカー抽出水
の電気伝導度が100μ/cm以下、かつ蟻酸量が
50ppm以下のものが好ましい。(全塩素量はナト
リウムアマルガム法によつて測定、プレツシヤー
クツカー抽出条件はレジン5grを蒸留水40grで180
℃20hr抽出で行つた値) 《発明の効果》 本発明で得られたエポキシ樹脂組成物は、耐湿
性に優れ応力が小さく半導体封止用として好適で
あり、電子機器部品の大容量化等を可能にし産業
上極めて有用である。 《実施例》 実施例及び比較例で使用した原材料は、 エポキシ樹脂(クレゾールノボラツクエポキ
シ):住友化学工業(株)製ESCN−220LC 硬化剤(フエノールノボラツク):日本化薬(株)製
PN−100 離型剤:ヘキストワツクスS 硬化促進剤:四国化成(株)製1B2MZ 充填材(結晶シリカ):龍森(株)製GP−200T 以下使用量は重量部であつて部と略記する。 実施例 1 充填材67部をヘンシエルミキサーに仕込み、こ
れにシラノール基数が2のシランカツプリング剤
γ−グリシドキシメチルジメトキシシラン1部、
アミノ変性シリコーンオイル0.5部及び1,5−
ジアザービシクロ(4,3,0)ノネン−5の1
%水溶液0.1部の混合液を噴霧して添加しながら
10分間予備混合し、(この混合材料を純水で洗い
出した水のPHは8.3であつた。)これにエポキシ樹
脂20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤
0.5部を加え更に10分間混合した。この混合物を
コニーダーで吐出温度90℃で混練しエポキシ樹脂
組成物を得た。 実施例 2 充填材67部をニーダーに仕込み、これにシラノ
ール基数が2のシランカツプリング剤γ−アミノ
プロピルメチルジエトキシシラン1部及びエポキ
シ変性シリコーンゴム2部を散布し、さらに7
Kg/cm2の蒸気を30秒毎に5秒間の割合で6回噴き
込んでニーダー内で混合し、さらにエポキシ樹脂
20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5
部を加え10分間混合した。この混合物を100℃の
熱ロールでさらに混練し、エポキシ樹脂組成物を
得た。 比較例 1 充填剤67部と通常使用されるシラノール基数が
3のシランカツプリング剤(日本ユニカー製A−
187)1部をヘンシエルミキサーで10分間予備混
合し、(この混合材料を純水で洗い出した水のPH
は7.7であつた。)これにエポキシ樹脂20部、硬化
剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5部を加え更
に10分間混合した。この混合物をコニーダーで吐
出温度90℃で混練し通常のエポキシ樹脂組成物を
得た。 比較例 2 充填材67部並びにシラノール基数が3のシラン
カツプリング剤(日本ユニカー製A−187)0.5部
とシラノール基数が2のシランカツプリング剤γ
−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン2
部及びエポキシ変性シリコーンゴム1.5部(合計
3.5部)、さらに2,3,4,6,7,8,9,10
−オクタハイドロ−ピラミド−(1.2−a)アゼピ
ンの1%水溶液0.1部をヘンシエルミキサーに添
加し10分間予備混合し、(この混合材料を純水で
洗い出した水のPHは8.2であつた。)これにエポキ
シ樹脂20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促
進剤0.5部を加えさらに10分間混合した。この混
合物をコニーダーで吐出温度90℃で混練しエポキ
シ樹脂組成物を得た。 比較例 3 充填材67部をニーダーに仕込み、これにシラノ
ール基数が2のシランカツプリング剤γ−アミノ
プロピルメチルジエトキシシラン1部及びエポキ
シ変性シリコーンゴム2部を散布し5分間混合
し、さらにエポキシ樹脂20部、硬化剤10部、離型
剤0.5部、硬化促進剤0.5部を加え10分間混合し
た。この混合物を100℃の熱ロールでさらに混練
し、エポキシ樹脂組成物を得た。 上記の組成物の種々の特性について測定しその
結果を第1表に示した。 各組成物を使用した半導体製品のピエゾ抵抗に
よる応力(以下応力と称する)、曲げ弾性率、プ
レツシヤー釜による信頼性テスト(以下PCTと
称する)、半導体製品の−200℃から240℃までの
温度サイクルテスト(以下TCTと称する)、ガラ
ス転移点、捺印性等について検討した。 以上から分かるように、本発明のエポキシ樹脂
組成物を使用すると半導体製品の応力が小さく且
つ耐湿性が向上しており、TCTは不良率が従来
の約1/6であつた。 【表】
ル官能基数2以下のシランカツプリング剤を含む
撥水性の強い可撓性シラン化合物を添加した半導
体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法に関する
ものである。 《従来技術》 近年、電子機器業界は急速な発展をとげ、半導
体の特性保持のために数々の技術改良がなされて
きている。これに伴い半導体封止用エポキシ樹脂
成形材料にも、半導体の特性保持に必要な技術的
改良が要求されてきている。これら要求の中で特
に重要なことは、エポキシ樹脂封止法の応力低下
と耐湿性に関するものである。即ち樹脂の硬化に
伴つて発生する歪を十分緩和し、また半導体組立
て時に受ける熱変化を十分吸収するだけ低応力で
且つ水の侵入によつて発生するペレツトの腐食等
の少ないエポキシ樹脂成形材料の開発要求が年々
強くなつてきている。一般的に半導体の特性破壊
の主要な原因は、半導体組立て工程で受ける熱応
力や封止樹脂の硬化収縮時に生じる応力によるも
のであつたり、水の侵入による腐食を伴つた絶縁
破壊や回路短絡であつた。これら半導体の特性破
壊を減少させるためには、半導体封止樹脂の応力
を小さくし且つ耐湿性を高めることが必要であつ
た。 エポキシ樹脂に硬化可能なシリコーンゴムを添
加する組成物は特開昭54−54168号公報に開示さ
れているが、このシリコーンゴムはエポキシ樹脂
とは反応性はなくシリコーンゴムそれ自体が硬化
するために分散剤を併用している。従つて硬化し
たエポキシ樹脂組成物は耐クラツク性は有してい
るが、耐湿性や低応力性には欠けていた。 《発明の目的》 本発明は、樹脂組成物の中にエポキシ樹脂や硬
化剤と反応する撥水性の強い可撓性シラン化合物
を加えることにより、これら技術的問題が解決で
きることを見いだしたものである。即ち可撓性シ
ラン化合物が水の侵入を防止すると共に応力緩衝
層となることを見いだしたものである。 《発明の構成》 本発明は、エポキシ樹脂にシラノール官能基数
2以下のシランカツプリング剤及びアミノ基、ア
ルコール基、エポキシ基又はカルボキシル基を有
するシリコーンオイル又はシリコーンゴムを0.5
〜3重量%を、充填材含む原材料の一種又は二種
以上の一部又は全部と過熱水蒸気曝気下又はPH>
8の条件で予備混合し、更に残りの原材料と混合
混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ
樹脂組成物の製造方法である。 通常エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬
化剤、硬化促進剤、充填材、離型剤、表面処理
剤、難燃剤等より構成される。 エポキシ樹脂とはエポキシ基を有するもの全般
をいい、例えば、ビスフエノール型エポキシ樹
脂、フエノールノボラツク型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラツク型エポキシ樹脂、トリアジン核
含有エポキシ樹脂、グリシジルイソシアネート樹
脂等である。 硬化剤とはエポキシ樹脂を硬化させるもの全般
をいい、例えば、フエノールノボラツク、オルト
クレゾールノボラツク等のフエノールノボラツク
類、テトラクロル無水フタル酸(TCPA)、テト
ラハイドロ無水フタル酸(THPA)、ヘキサハイ
ドロ無水フタル酸(HHPA)等の酸無水物、ジ
シアンジアミド(DDA)、ジアミノジフエニルメ
タン(DDM)等のアミン類である。 硬化促進剤とはエポキシ樹脂と硬化剤の反応を
促進するもの全般をいい、例えば、モノジメチル
アミノメチルフエノール、ピペラジン、2,3,
4,6,7,8,9,10,−オクタハイドロ−ピ
ラミド(1,2,−a)アゼピン等の第3級アミ
ン類、オクチルホスフイン、ジフエニルホスフイ
ン、ブチルフエニルホスフイン、トリフエニルホ
スフイン、トリシクロヘキシルホスフイン等の有
機ホスフイン化合物、2−フエニルイミダゾール
(2PZ)、2エチル4メチルイミダゾール
(2E4MZ),1−ベンジルイミダゾール(1BZ)、
2メチルイミダゾール(2MZ)等のイミダゾー
ル類等である。 充填材としては例えば、シリカ、ガラス、炭酸
カルシウム、マイカ、クレー、アルミナ、アスベ
スト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム
等を挙げることができる。 難燃剤としては例えば、三酸化アンチモン、四
三酸化アンチモン等のアンチモン類、硼酸、無水
硼酸、硼酸亜鉛等の硼素化合物等である。 これら充填材及び難燃剤は必要により、本発明
に使用するシランカツプリング剤とは別に、シラ
ンカツプリング剤、チタンカツプリング剤等の表
面処理剤によりあらかじめその表面を改質しても
よい。 離型剤としては、カルナバワツクス、ステアリ
ン酸、ステアリン酸塩類、ポリエチレンワツクス
等が挙げられる。 シラノール官能基数2以下のシランカツプリン
グ剤としては、γーグリシドキシメチルジメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ−ウレイドプロピルメチルエトキシ
シラン、γ−グリシドキシメチルジメトキシシラ
ン、γ−グリシドプロピルメチルジエトキシシラ
ン、(ビシクロ〔4,1,0〕4オキサヘプチル
エチル)メチルジメトキシシラン等が使用され
る。 シリコーンオイルとしては、アミノ変性シリコ
ーンオイル、エポキシ変性シリコーンオイル、カ
ルビノール変性シリコーンオイル、カルボキシ変
性シリコーンオイル等が使用される。 シリコーンゴムとしては、アミノ変性シリコー
ンゴム、エポキシ変性シリコーンゴム、カルビノ
ール変性シリコーンゴム、カルボキシ変性シリコ
ーンゴム等が使用される。 耐湿性と低応力を両立させるためには、シラノ
ール基が1乃至2のシランカツプリング剤とエポ
キシ樹脂又は硬化剤と反応性を有するシリコーン
オイル又はシリコーンゴムを併用することが必要
である。シラノール基が3以上だと架橋密度が高
くなり可撓性が失われるためシランカツプリング
剤のシラノール基数は2以下が必要である。更に
シランカツプリング剤だけでは応力低下が不十分
であること、及びシリコーンオイル又はシリコー
ンゴムだけではシリカ粉末等の充填材を疎水化で
きない即ち耐湿性が劣ることにより、シランカツ
プリング剤とエポキシ樹脂や硬化剤と反応性を有
するシリコーンオイル又はシリコーンゴムを併用
することが必要である。その添加量は0.5〜3重
量%使用することが必要である。これは0.5重量
%未満だと応力低下の効果が少ないこと、及び3
重量%を越えると製品のガラス転移点が低下した
り捺印性が悪くなる等の害が生じるためである。 更に、これらシランカツプリング剤及びシリコ
ーンオイル又はシリコーンゴムを有効に働かせる
ためには、充填材を含む原材料の一種又は二種以
上の一部又は全部と、過熱水蒸気曝気下又はPH>
8の条件で予備混合し、更に残りの原材料と混合
混練することが必要である。耐湿性及び可撓性を
充分且つ均一に引き出すためには充填材とよく混
合し、且つこの混合物を他の原材料中に均質分散
させることが重要である。又シランカツプリング
剤による充填材の疎水化反応を完全に行うために
は、過熱水蒸気曝気下又はPH>8の条件で充填材
とシランカツプリング剤を処理することが必要で
ある。これ以外の方法だと疎水化反応が不充分と
なり耐湿性の低下を招く。また、PH>8にするた
めの塩基性物質としては、水酸化ナトリウムのよ
うな無機イオン性物質でなく有機物(例えば、
Octahydro−pyramido(1,2−a)azepine等)
の方が望ましい。 特にエポキシ樹脂低圧封入成形材料として使用
する場合は、エポキシ樹脂はオルトクレゾールノ
ボラツク型エポキシ樹脂、中でも軟化点が80℃以
下、エポキシ当量が220以下、全塩素量が
1000ppm以下、プレツシヤークツカー抽出水の電
気伝導度が500μ/cm以下のものが好ましく、
硬化剤としてはフエノールノボラツク、中でも軟
化点が105℃以下、プレツシヤークツカー抽出水
の電気伝導度が100μ/cm以下、かつ蟻酸量が
50ppm以下のものが好ましい。(全塩素量はナト
リウムアマルガム法によつて測定、プレツシヤー
クツカー抽出条件はレジン5grを蒸留水40grで180
℃20hr抽出で行つた値) 《発明の効果》 本発明で得られたエポキシ樹脂組成物は、耐湿
性に優れ応力が小さく半導体封止用として好適で
あり、電子機器部品の大容量化等を可能にし産業
上極めて有用である。 《実施例》 実施例及び比較例で使用した原材料は、 エポキシ樹脂(クレゾールノボラツクエポキ
シ):住友化学工業(株)製ESCN−220LC 硬化剤(フエノールノボラツク):日本化薬(株)製
PN−100 離型剤:ヘキストワツクスS 硬化促進剤:四国化成(株)製1B2MZ 充填材(結晶シリカ):龍森(株)製GP−200T 以下使用量は重量部であつて部と略記する。 実施例 1 充填材67部をヘンシエルミキサーに仕込み、こ
れにシラノール基数が2のシランカツプリング剤
γ−グリシドキシメチルジメトキシシラン1部、
アミノ変性シリコーンオイル0.5部及び1,5−
ジアザービシクロ(4,3,0)ノネン−5の1
%水溶液0.1部の混合液を噴霧して添加しながら
10分間予備混合し、(この混合材料を純水で洗い
出した水のPHは8.3であつた。)これにエポキシ樹
脂20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤
0.5部を加え更に10分間混合した。この混合物を
コニーダーで吐出温度90℃で混練しエポキシ樹脂
組成物を得た。 実施例 2 充填材67部をニーダーに仕込み、これにシラノ
ール基数が2のシランカツプリング剤γ−アミノ
プロピルメチルジエトキシシラン1部及びエポキ
シ変性シリコーンゴム2部を散布し、さらに7
Kg/cm2の蒸気を30秒毎に5秒間の割合で6回噴き
込んでニーダー内で混合し、さらにエポキシ樹脂
20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5
部を加え10分間混合した。この混合物を100℃の
熱ロールでさらに混練し、エポキシ樹脂組成物を
得た。 比較例 1 充填剤67部と通常使用されるシラノール基数が
3のシランカツプリング剤(日本ユニカー製A−
187)1部をヘンシエルミキサーで10分間予備混
合し、(この混合材料を純水で洗い出した水のPH
は7.7であつた。)これにエポキシ樹脂20部、硬化
剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5部を加え更
に10分間混合した。この混合物をコニーダーで吐
出温度90℃で混練し通常のエポキシ樹脂組成物を
得た。 比較例 2 充填材67部並びにシラノール基数が3のシラン
カツプリング剤(日本ユニカー製A−187)0.5部
とシラノール基数が2のシランカツプリング剤γ
−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン2
部及びエポキシ変性シリコーンゴム1.5部(合計
3.5部)、さらに2,3,4,6,7,8,9,10
−オクタハイドロ−ピラミド−(1.2−a)アゼピ
ンの1%水溶液0.1部をヘンシエルミキサーに添
加し10分間予備混合し、(この混合材料を純水で
洗い出した水のPHは8.2であつた。)これにエポキ
シ樹脂20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促
進剤0.5部を加えさらに10分間混合した。この混
合物をコニーダーで吐出温度90℃で混練しエポキ
シ樹脂組成物を得た。 比較例 3 充填材67部をニーダーに仕込み、これにシラノ
ール基数が2のシランカツプリング剤γ−アミノ
プロピルメチルジエトキシシラン1部及びエポキ
シ変性シリコーンゴム2部を散布し5分間混合
し、さらにエポキシ樹脂20部、硬化剤10部、離型
剤0.5部、硬化促進剤0.5部を加え10分間混合し
た。この混合物を100℃の熱ロールでさらに混練
し、エポキシ樹脂組成物を得た。 上記の組成物の種々の特性について測定しその
結果を第1表に示した。 各組成物を使用した半導体製品のピエゾ抵抗に
よる応力(以下応力と称する)、曲げ弾性率、プ
レツシヤー釜による信頼性テスト(以下PCTと
称する)、半導体製品の−200℃から240℃までの
温度サイクルテスト(以下TCTと称する)、ガラ
ス転移点、捺印性等について検討した。 以上から分かるように、本発明のエポキシ樹脂
組成物を使用すると半導体製品の応力が小さく且
つ耐湿性が向上しており、TCTは不良率が従来
の約1/6であつた。 【表】
Claims (1)
- 1 エポキシ樹脂にシラノール官能基数2以下の
シランカツプリング剤及びアミノ基、アルコール
基、エポキシ基又はカルボキシル基を有するシリ
コーンオイル又はシリコーンゴムを0.5〜3重量
%を、充填材含む原材料の一種又は二種以上の一
部又は全部と過熱水蒸気曝気下又はPH>8の条件
で予備混合し、更に残りの原材料と混合混練する
ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20525387A JPS6399221A (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20525387A JPS6399221A (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13270481A Division JPS5834824A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6399221A JPS6399221A (ja) | 1988-04-30 |
JPH0411573B2 true JPH0411573B2 (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=16503925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20525387A Granted JPS6399221A (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6399221A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0232120A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH02311551A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH02311552A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-27 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH0379657A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物の製法 |
JPH0381360A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物の製法 |
JP4187062B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2008-11-26 | 電気化学工業株式会社 | 金属ベース回路基板 |
JP2011199160A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-08-20 JP JP20525387A patent/JPS6399221A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6399221A (ja) | 1988-04-30 |
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