JPH0138131B2 - - Google Patents
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Description
《産業上の利用分野》
本発明は耐湿性に優れ応力の小さいシラノール
官能基数2以下のシランカツプリング剤を含む撥
水性の強い可撓性シラン化合物を添加した半導体
封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。 《従来技術》 近年、電子機器業界は急速な発展をとげ、半導
体の特性保持のために数々の技術改良がなされて
きている。これに伴い半導体封止用エポキシ樹脂
成形材料にも、半導体の特性保持に必要な技術的
改良が要求されてきている。これら要求の中で特
に重要なことは、エポキシ樹脂封止法の応力低下
と耐湿性に関するものである。即ち樹脂の硬化に
伴つて発生する歪を十分緩和し、又半導体組立て
時に受ける熱変化を十分吸収するだけで低応力
で、且つ水の侵入によつて発生するペレツトの腐
食等の少ないエポキシ樹脂成形材料の開発要求が
年々強くなつてきている。一般的に半導体の特性
破壊の主要な原因は、半導体組立て工程で受ける
熱応力や封止樹脂の硬化収縮時に生じる応力によ
るものであつたり、水の侵入による腐食を伴つた
絶縁破壊や回路短絡であつた。これら半導体の特
性破壊を減少させるためには、半導体封止樹脂の
応力を小さくし且つ耐湿性を高めることが必要で
あつた。 エポキシ樹脂に硬化可能なシリコーンゴムを添
加する組成物は特開昭54−54168号公報に開示さ
れているが、このシリコーンゴムはエポキシ樹脂
とは反応性はなくシリコーンゴムそれ自体が硬化
するために分散剤を併用している。従つて硬化し
たエポキシ樹脂組成物は耐クラツク性は有してい
るが、耐湿性や低応力性には欠けていた。 《発明の目的》 本発明は、樹脂組成物の中にエポキシ樹脂や硬
化剤と反応する揆水性の強い可撓性シラン化合物
を加えることにより、これら技術的問題が解決で
きることを見いだしたものである。即ち可撓性シ
ラン化合物が水の侵入を防止すると共に応力緩衝
層となることを見いだしたものである。 《発明の構成》 本発明は、エポキシ樹脂にシラノール官能基数
2以下のシランカツプリング剤及びアミノ基、ア
ルコール基、エポキシ基又はカルボキシル基を有
するシリコーンオイル又はシリコーンゴムを0.5
〜3重量%含むことを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物である。 通常エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬
化剤、硬化促進剤、充填材、離型剤、表面処理
剤、難燃剤等より構成される。 エポキシ樹脂とはエポキシ基を有するもの全般
をいい、例えば、ビスフエノール型エポキシ樹
脂、フエノールノボラツク型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラツク型エポキシ樹脂、トリアジン核
含有エポキシ樹脂、グリシジルイソシアネート樹
脂等である。 硬化剤とはエポキシ樹脂を硬化させるもの全般
をいい、例えば、フエノールノボラツク、オルト
クレゾールノボラツク等のフエノールノボラツク
類、テトラクロル無水フタル酸(TCPA)、テト
ラハイドロ無水フタル酸(THPA)、ヘキサハイ
ドロ無水フタル酸(HHPA)等の酸無水物、ジ
シアンジアミド(DDA)、ジアミノジフエニルメ
タン(DDM)等のアミン類である。 硬化促進剤とはエポキシ樹脂と硬化剤の反応を
促進するもの全般をいい、例えば、モノジメチル
アミノメチルフエノール、ピペラジン、2,3,
4,6,7,8,9,10,―オクタハイドローピ
ラミド(1,2―a)アゼピン等の第3級アミン
類、オクチルホスフイン、ジフエニルホスフイ
ン、ブチルフエニルホスフイン、トリフエニルホ
スフイン、トリシクロヘキシルホスフイン等の有
機ホスフイン化合物、2―フエニルイミダゾール
(2PZ)、2エチル4メチルイミダソール
(2E4MZ)、1―ベンジルイミダゾール(1BZ)、
2メチルイミダゾール(2MZ)等のイミダゾー
ル類等である。 充填材としては例えば、シリカ、ガラス、炭酸
カルシウム、マイカ、クレー、アルミナ、アスベ
スト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム
等を挙げることができる。 難燃剤としては例えば、三酸化アンチモン、四
三酸化アンチモン等のアンチモン類、硼酸、無水
硼酸、硼酸亜鉛等の硼素化合物等である。 これら充填材及び難燃剤は必要により、本発明
に使用するシランカツプリング剤とは別に、シラ
ンカツプリング剤、チタンカツプリング剤等の表
面処理剤によりあらかじめその表面を改質しても
よい。 離型剤としては、カルナバワツクス、ステアリ
ン酸、ステアリン酸塩類、ポリエチレンワツクス
等が挙げられる。 シラノール官能基数2以下のシランカツプリン
グ剤としては、γ―グリシドキシメチルジメトキ
シシラン、γ―アミノプロピルメチルジエトキシ
シラン、γ―メルカプトプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ―ウレイドプロピルメチルエトキシ
シラン、γ―グリシドキシメチルジメトキシシラ
ン、γ―グリシドプロピルメチルジエトキシシラ
ン、(ビシクロ〔4,1,0〕4オキサヘプチル
エチル)メチルジメトキシシラン等が使用され
る。 シリコーンオイルとしては、アミノ変性シリコ
ーンオイル、エポキシ変性シリコーンオイル、カ
ルビノール変性シリコーンオイル、カルボキシ変
性シリコーンオイル等が使用される。 シリコーンゴムとしては、アミノ変性シリコー
ンゴム、エポキシ変性シリコーンゴム、カルビノ
ール変性シリコーンゴム、カルボキシ変性シリコ
ーンゴム等が使用される。 耐湿性と低応力を両立させるためには、シラノ
ール基が1乃至2のシランカツプリング剤とエポ
キシ樹脂又は硬化剤と反応性を有するシリコーン
オイル又はシリコーンゴムを併用することが必要
である。シラノール基が3以上だと架橋密度が高
くなり可撓性が失われるためシランカツプリング
剤のシラノール基数は2以下が必要である。更に
シランカツプリング剤だけでは応力低下が不十分
であること、及びシリコーンオイル又はシリコー
ンゴムだけではシリカ粉末等の充填材を疎水化で
きない即ち耐湿性が劣ることにより、シランカツ
プリング剤とエポキシ樹脂や硬化剤と反応性を有
するシリコーンオイル又はシリコーンゴムを併用
することが必要である。その添加量は0.5〜3重
量%使用することが必要である。これは0.5重量
%未満だと応力低下の効果が少ないこと、及び3
重量%を越えると製品のガラス転移点が低下した
り捺印性が悪くなる等の害が生じるためである。 特にエポキシ樹脂低圧封入材料として使用する
場合は、エポキシ樹脂はオルトクレゾールノボラ
ツク型エポキシ樹脂、中でも軟化点が80℃以下、
エポキシ当量が220以下、全塩素量が1000ppm以
下、プレツシヤークツカー抽出水の電気伝導度が
500μ/cm以下のものが好ましく、硬化剤とし
てはフエノールノボラツク、中でも軟化点が105
℃以下、プレツシヤークツカー抽出水の電気伝導
度が100μ/cm以下、かつ蟻酸量が50ppm以下
のものが好ましい。(全塩素量はナトリウムアマ
ルガム法によつて測定、プレツシヤークツカー抽
出条件はレジン5grを蒸留水40grで180℃20hr
抽出で行つた値) 《発明の効果》 本発明のエポキシ樹脂組成物は、耐湿性に優れ
応力が小さく半導体封止用として好適であり、電
子機器部品の大容量化等を可能にし産業上極めて
有用である。 《実施例》 実施例及び比較例で使用した原材料は、 エポキシ樹脂(クレゾールノボラツクエポキ
シ):住友化学工業(株)製ESCN―220LC 硬化剤(フエノールノボラツク):日本化薬(株)製
PN―100 離型剤:ヘキストワツクスS 硬化促進剤:四国化成(株)製1B2MZ 充填材(結晶シリカ):龍森(株)製GP―200T 以下使用量は重量部であつて部と略記する。 実施例 1 充填材67部をヘンシエルミキサーに仕込み、こ
れにシラノール基数が2のシランカツプリング剤
γ―グリシドキシメチルジメトキシシラン1部、
アミノ変性シリコーンオイル0.5部及び1,5―
ジアザービシクロ(4,3,0)ノネン―5の1
%水溶液0.1部の混合液を噴霧して添加しながら
10分間予備混合し、(この混合材料を純水で洗い
出した水のPHは8.3であつた。)これにエポキシ樹
脂20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤
0.5部を加え更に10分間混合した。この混合物を
コニーダーで吐出温度90℃で混練しエポキシ樹脂
組成物を得た。 実施例 2 充填材67部をニーダーに仕込み、これにシラノ
ール基数が2のシランカツプリング剤γ―アミノ
プロピルメチルジエトキシシラン1部及びエポキ
シ変性シリコーンゴム2部を散布し、さらに7
Kg/cm2の蒸気を30秒毎に5秒間の割合で6回噴き
込んでニーダー内で混合し、さらにエポキシ樹脂
20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5
部を加え10分間混合した。この混合物を100℃の
熱ロールでさらに混練し、エポキシ樹脂組成物を
得た。 比較例 1 充填材67部と通常使用されるシラノール基数が
3のシランカツプリング剤(日本ユニカー製A―
187)1部をヘンシエルミキサーで10分間予備混
合し、(この混合材料を純水で洗い出した水のPH
は7.7であつた。)これにエポキシ樹脂20部、硬化
剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5部を加え更
に10分間混合した。この混合物をコニーダーで吐
出温度90℃で混練し通常のエポキシ樹脂組成物を
得た。 比較例 2 充填材67部並びにシラノール基数が3のシラン
カツプリング剤(日本ユニカー製A―187)0.5部
とシラノール基数が2のシランカツプリング剤γ
―メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン2
部及びエポキシ変性シリコーンゴム1.5部(合計
3.5部)、さらに2,3,4,6,7,8,9,10
―オクタハイドロ―ピラミド―(1,2―a)ア
ゼピンの1%水溶液0.1部をヘンシエルミキサー
に添加し10分間予備混合し、(この混合材料を純
水で洗い出した水のPHは8.2であつた。)これにエ
ポキシ樹脂20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬
化促進剤0.5部を加えさらに10分間混合した。こ
の混合物をコニーダーで吐出温度90℃で混練しエ
ポキシ樹脂組成物を得た。 上記の組成物の種々の特性について測定しその
結果を第1表に示した。 各組成物を使用した半導体製品のピエゾ抵抗に
よる応力(以下応力と称する)、曲げ弾性率、プ
レツシヤー釜による信頼性テスト(以下PCTと
称する)、半導体製品の−200℃から240℃までの
温度サイクルテスト(以下TCTと称する)、ガラ
ス転移点、捺印性等について検討した。 以上から分かるように、本発明のエポキシ樹脂
組成物を使用すると半導体製品の応力が小さく且
つ耐湿性が向上しており、TCTは不良率が従来
の約1/6であつた。
官能基数2以下のシランカツプリング剤を含む撥
水性の強い可撓性シラン化合物を添加した半導体
封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。 《従来技術》 近年、電子機器業界は急速な発展をとげ、半導
体の特性保持のために数々の技術改良がなされて
きている。これに伴い半導体封止用エポキシ樹脂
成形材料にも、半導体の特性保持に必要な技術的
改良が要求されてきている。これら要求の中で特
に重要なことは、エポキシ樹脂封止法の応力低下
と耐湿性に関するものである。即ち樹脂の硬化に
伴つて発生する歪を十分緩和し、又半導体組立て
時に受ける熱変化を十分吸収するだけで低応力
で、且つ水の侵入によつて発生するペレツトの腐
食等の少ないエポキシ樹脂成形材料の開発要求が
年々強くなつてきている。一般的に半導体の特性
破壊の主要な原因は、半導体組立て工程で受ける
熱応力や封止樹脂の硬化収縮時に生じる応力によ
るものであつたり、水の侵入による腐食を伴つた
絶縁破壊や回路短絡であつた。これら半導体の特
性破壊を減少させるためには、半導体封止樹脂の
応力を小さくし且つ耐湿性を高めることが必要で
あつた。 エポキシ樹脂に硬化可能なシリコーンゴムを添
加する組成物は特開昭54−54168号公報に開示さ
れているが、このシリコーンゴムはエポキシ樹脂
とは反応性はなくシリコーンゴムそれ自体が硬化
するために分散剤を併用している。従つて硬化し
たエポキシ樹脂組成物は耐クラツク性は有してい
るが、耐湿性や低応力性には欠けていた。 《発明の目的》 本発明は、樹脂組成物の中にエポキシ樹脂や硬
化剤と反応する揆水性の強い可撓性シラン化合物
を加えることにより、これら技術的問題が解決で
きることを見いだしたものである。即ち可撓性シ
ラン化合物が水の侵入を防止すると共に応力緩衝
層となることを見いだしたものである。 《発明の構成》 本発明は、エポキシ樹脂にシラノール官能基数
2以下のシランカツプリング剤及びアミノ基、ア
ルコール基、エポキシ基又はカルボキシル基を有
するシリコーンオイル又はシリコーンゴムを0.5
〜3重量%含むことを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物である。 通常エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬
化剤、硬化促進剤、充填材、離型剤、表面処理
剤、難燃剤等より構成される。 エポキシ樹脂とはエポキシ基を有するもの全般
をいい、例えば、ビスフエノール型エポキシ樹
脂、フエノールノボラツク型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラツク型エポキシ樹脂、トリアジン核
含有エポキシ樹脂、グリシジルイソシアネート樹
脂等である。 硬化剤とはエポキシ樹脂を硬化させるもの全般
をいい、例えば、フエノールノボラツク、オルト
クレゾールノボラツク等のフエノールノボラツク
類、テトラクロル無水フタル酸(TCPA)、テト
ラハイドロ無水フタル酸(THPA)、ヘキサハイ
ドロ無水フタル酸(HHPA)等の酸無水物、ジ
シアンジアミド(DDA)、ジアミノジフエニルメ
タン(DDM)等のアミン類である。 硬化促進剤とはエポキシ樹脂と硬化剤の反応を
促進するもの全般をいい、例えば、モノジメチル
アミノメチルフエノール、ピペラジン、2,3,
4,6,7,8,9,10,―オクタハイドローピ
ラミド(1,2―a)アゼピン等の第3級アミン
類、オクチルホスフイン、ジフエニルホスフイ
ン、ブチルフエニルホスフイン、トリフエニルホ
スフイン、トリシクロヘキシルホスフイン等の有
機ホスフイン化合物、2―フエニルイミダゾール
(2PZ)、2エチル4メチルイミダソール
(2E4MZ)、1―ベンジルイミダゾール(1BZ)、
2メチルイミダゾール(2MZ)等のイミダゾー
ル類等である。 充填材としては例えば、シリカ、ガラス、炭酸
カルシウム、マイカ、クレー、アルミナ、アスベ
スト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム
等を挙げることができる。 難燃剤としては例えば、三酸化アンチモン、四
三酸化アンチモン等のアンチモン類、硼酸、無水
硼酸、硼酸亜鉛等の硼素化合物等である。 これら充填材及び難燃剤は必要により、本発明
に使用するシランカツプリング剤とは別に、シラ
ンカツプリング剤、チタンカツプリング剤等の表
面処理剤によりあらかじめその表面を改質しても
よい。 離型剤としては、カルナバワツクス、ステアリ
ン酸、ステアリン酸塩類、ポリエチレンワツクス
等が挙げられる。 シラノール官能基数2以下のシランカツプリン
グ剤としては、γ―グリシドキシメチルジメトキ
シシラン、γ―アミノプロピルメチルジエトキシ
シラン、γ―メルカプトプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ―ウレイドプロピルメチルエトキシ
シラン、γ―グリシドキシメチルジメトキシシラ
ン、γ―グリシドプロピルメチルジエトキシシラ
ン、(ビシクロ〔4,1,0〕4オキサヘプチル
エチル)メチルジメトキシシラン等が使用され
る。 シリコーンオイルとしては、アミノ変性シリコ
ーンオイル、エポキシ変性シリコーンオイル、カ
ルビノール変性シリコーンオイル、カルボキシ変
性シリコーンオイル等が使用される。 シリコーンゴムとしては、アミノ変性シリコー
ンゴム、エポキシ変性シリコーンゴム、カルビノ
ール変性シリコーンゴム、カルボキシ変性シリコ
ーンゴム等が使用される。 耐湿性と低応力を両立させるためには、シラノ
ール基が1乃至2のシランカツプリング剤とエポ
キシ樹脂又は硬化剤と反応性を有するシリコーン
オイル又はシリコーンゴムを併用することが必要
である。シラノール基が3以上だと架橋密度が高
くなり可撓性が失われるためシランカツプリング
剤のシラノール基数は2以下が必要である。更に
シランカツプリング剤だけでは応力低下が不十分
であること、及びシリコーンオイル又はシリコー
ンゴムだけではシリカ粉末等の充填材を疎水化で
きない即ち耐湿性が劣ることにより、シランカツ
プリング剤とエポキシ樹脂や硬化剤と反応性を有
するシリコーンオイル又はシリコーンゴムを併用
することが必要である。その添加量は0.5〜3重
量%使用することが必要である。これは0.5重量
%未満だと応力低下の効果が少ないこと、及び3
重量%を越えると製品のガラス転移点が低下した
り捺印性が悪くなる等の害が生じるためである。 特にエポキシ樹脂低圧封入材料として使用する
場合は、エポキシ樹脂はオルトクレゾールノボラ
ツク型エポキシ樹脂、中でも軟化点が80℃以下、
エポキシ当量が220以下、全塩素量が1000ppm以
下、プレツシヤークツカー抽出水の電気伝導度が
500μ/cm以下のものが好ましく、硬化剤とし
てはフエノールノボラツク、中でも軟化点が105
℃以下、プレツシヤークツカー抽出水の電気伝導
度が100μ/cm以下、かつ蟻酸量が50ppm以下
のものが好ましい。(全塩素量はナトリウムアマ
ルガム法によつて測定、プレツシヤークツカー抽
出条件はレジン5grを蒸留水40grで180℃20hr
抽出で行つた値) 《発明の効果》 本発明のエポキシ樹脂組成物は、耐湿性に優れ
応力が小さく半導体封止用として好適であり、電
子機器部品の大容量化等を可能にし産業上極めて
有用である。 《実施例》 実施例及び比較例で使用した原材料は、 エポキシ樹脂(クレゾールノボラツクエポキ
シ):住友化学工業(株)製ESCN―220LC 硬化剤(フエノールノボラツク):日本化薬(株)製
PN―100 離型剤:ヘキストワツクスS 硬化促進剤:四国化成(株)製1B2MZ 充填材(結晶シリカ):龍森(株)製GP―200T 以下使用量は重量部であつて部と略記する。 実施例 1 充填材67部をヘンシエルミキサーに仕込み、こ
れにシラノール基数が2のシランカツプリング剤
γ―グリシドキシメチルジメトキシシラン1部、
アミノ変性シリコーンオイル0.5部及び1,5―
ジアザービシクロ(4,3,0)ノネン―5の1
%水溶液0.1部の混合液を噴霧して添加しながら
10分間予備混合し、(この混合材料を純水で洗い
出した水のPHは8.3であつた。)これにエポキシ樹
脂20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤
0.5部を加え更に10分間混合した。この混合物を
コニーダーで吐出温度90℃で混練しエポキシ樹脂
組成物を得た。 実施例 2 充填材67部をニーダーに仕込み、これにシラノ
ール基数が2のシランカツプリング剤γ―アミノ
プロピルメチルジエトキシシラン1部及びエポキ
シ変性シリコーンゴム2部を散布し、さらに7
Kg/cm2の蒸気を30秒毎に5秒間の割合で6回噴き
込んでニーダー内で混合し、さらにエポキシ樹脂
20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5
部を加え10分間混合した。この混合物を100℃の
熱ロールでさらに混練し、エポキシ樹脂組成物を
得た。 比較例 1 充填材67部と通常使用されるシラノール基数が
3のシランカツプリング剤(日本ユニカー製A―
187)1部をヘンシエルミキサーで10分間予備混
合し、(この混合材料を純水で洗い出した水のPH
は7.7であつた。)これにエポキシ樹脂20部、硬化
剤10部、離型剤0.5部、硬化促進剤0.5部を加え更
に10分間混合した。この混合物をコニーダーで吐
出温度90℃で混練し通常のエポキシ樹脂組成物を
得た。 比較例 2 充填材67部並びにシラノール基数が3のシラン
カツプリング剤(日本ユニカー製A―187)0.5部
とシラノール基数が2のシランカツプリング剤γ
―メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン2
部及びエポキシ変性シリコーンゴム1.5部(合計
3.5部)、さらに2,3,4,6,7,8,9,10
―オクタハイドロ―ピラミド―(1,2―a)ア
ゼピンの1%水溶液0.1部をヘンシエルミキサー
に添加し10分間予備混合し、(この混合材料を純
水で洗い出した水のPHは8.2であつた。)これにエ
ポキシ樹脂20部、硬化剤10部、離型剤0.5部、硬
化促進剤0.5部を加えさらに10分間混合した。こ
の混合物をコニーダーで吐出温度90℃で混練しエ
ポキシ樹脂組成物を得た。 上記の組成物の種々の特性について測定しその
結果を第1表に示した。 各組成物を使用した半導体製品のピエゾ抵抗に
よる応力(以下応力と称する)、曲げ弾性率、プ
レツシヤー釜による信頼性テスト(以下PCTと
称する)、半導体製品の−200℃から240℃までの
温度サイクルテスト(以下TCTと称する)、ガラ
ス転移点、捺印性等について検討した。 以上から分かるように、本発明のエポキシ樹脂
組成物を使用すると半導体製品の応力が小さく且
つ耐湿性が向上しており、TCTは不良率が従来
の約1/6であつた。
【表】
Claims (1)
- 1 エポキシ樹脂にシラノール官能基数2以下の
シランカツプリング剤及びアミノ基、アルコール
基、エポキシ基又はカルボキシル基を有するシリ
コーンオイル又はシリコーンゴムを0.5〜3重量
%含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13270481A JPS5834824A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13270481A JPS5834824A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20525387A Division JPS6399221A (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5834824A JPS5834824A (ja) | 1983-03-01 |
JPH0138131B2 true JPH0138131B2 (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=15087602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13270481A Granted JPS5834824A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5834824A (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6063951A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS6112051A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
JPS61127723A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発光または受光素子成形体 |
CA1235245A (en) * | 1984-12-26 | 1988-04-12 | Toshifumi Hirose | Curable resinous composition comprising epoxy resin and silicon-containing elastomeric polymer |
JPS61183314A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPS61190550A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
JPS6356518A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 | Rishiyou Kogyo Kk | エポキシ樹脂組成物 |
JPH07733B2 (ja) * | 1986-11-13 | 1995-01-11 | サンスタ−技研株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
JPH0791446B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1995-10-04 | 株式会社東芝 | 樹脂封止半導体装置 |
JPH0725992B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1995-03-22 | 松下電器産業株式会社 | エポキシ樹脂組成物とその製造方法 |
JPH0668013B2 (ja) * | 1988-01-18 | 1994-08-31 | 松下電工株式会社 | エポキシ樹脂成形材料 |
JP2660012B2 (ja) * | 1988-09-13 | 1997-10-08 | 株式会社東芝 | ゴム変性フェノール樹脂、エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
JPH0676539B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1994-09-28 | 東レ株式会社 | 半導体封止用エポキシ含有組成物 |
JPH0668061B2 (ja) * | 1989-01-19 | 1994-08-31 | 松下電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
JP2642470B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1997-08-20 | 株式会社東芝 | 封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
JPH0639563B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1994-05-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製法 |
JPH03245558A (ja) * | 1990-09-17 | 1991-11-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP3125137B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2001-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP5441447B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-03-12 | ソマール株式会社 | 電子部品用絶縁塗料およびこれを利用した電子部品 |
JP6844311B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2021-03-17 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5431500A (en) * | 1977-08-13 | 1979-03-08 | Allied Chem | Packing composition based on anhydride curable epoxy resin |
JPS5454168A (en) * | 1977-10-07 | 1979-04-28 | Hitachi Ltd | Epoxy resin composition |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP13270481A patent/JPS5834824A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5431500A (en) * | 1977-08-13 | 1979-03-08 | Allied Chem | Packing composition based on anhydride curable epoxy resin |
JPS5454168A (en) * | 1977-10-07 | 1979-04-28 | Hitachi Ltd | Epoxy resin composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5834824A (ja) | 1983-03-01 |
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