JPS61168620A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS61168620A JPS61168620A JP850485A JP850485A JPS61168620A JP S61168620 A JPS61168620 A JP S61168620A JP 850485 A JP850485 A JP 850485A JP 850485 A JP850485 A JP 850485A JP S61168620 A JPS61168620 A JP S61168620A
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- JP
- Japan
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- epoxy resin
- resin
- low
- resin composition
- formula
- Prior art date
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- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は信頼性に優れる半導体封止用低応カニＩキシ樹
脂組成物に関すゐものである。
脂組成物に関すゐものである。
近年、半導体関連技術の進歩はめざましく、ＬＳＩの集
積度はどんどん向上し、それに伴い配線の微細化とチッ
プサイズの大型化が進んでいる。
積度はどんどん向上し、それに伴い配線の微細化とチッ
プサイズの大型化が進んでいる。
この傾向は樹脂封止ＬＳｆのＭ配線変形、ノＺ ツシベ
ーシヲン・クラック、樹脂クラックなどの故障を深刻化
させ喪。これらの問題の解決の為に１現在、半導体封止
用樹脂の低応力化が強く求められている。
ーシヲン・クラック、樹脂クラックなどの故障を深刻化
させ喪。これらの問題の解決の為に１現在、半導体封止
用樹脂の低応力化が強く求められている。
工メキシ樹脂組成物はフェノール樹脂組成物やポリエス
テル樹脂組成物に比べ耐湿性に優れる為広く半導体封止
用に用いられている。従来、半導体封止用としては、オ
ルトクレゾールノボラックエイキシ樹脂がエポキシ樹脂
として用いられて来たが、この樹脂を使用する限シ樹脂
の低応力化には限界があっ九。また、低応力エボキシ樹
脂組成物を得る為に、合成ゴムの使用（特開昭５８−１
７６９５８、特開昭５７−１８０６２６、特開昭５８−
１７４４１６）や、シリコーン類の使用（特開昭５８−
２１０９２０、特開昭５７−３８２１）が検討されて来
たが、いずれも成形性（特に硬化性、パリ、離型性）が
劣ったり、エイキシ樹脂の耐湿性をそこなうなどの問題
があっ九。
テル樹脂組成物に比べ耐湿性に優れる為広く半導体封止
用に用いられている。従来、半導体封止用としては、オ
ルトクレゾールノボラックエイキシ樹脂がエポキシ樹脂
として用いられて来たが、この樹脂を使用する限シ樹脂
の低応力化には限界があっ九。また、低応力エボキシ樹
脂組成物を得る為に、合成ゴムの使用（特開昭５８−１
７６９５８、特開昭５７−１８０６２６、特開昭５８−
１７４４１６）や、シリコーン類の使用（特開昭５８−
２１０９２０、特開昭５７−３８２１）が検討されて来
たが、いずれも成形性（特に硬化性、パリ、離型性）が
劣ったり、エイキシ樹脂の耐湿性をそこなうなどの問題
があっ九。
本発明は、従来オルトクレゾールノボラックエメキシ樹
脂な、どの使用によっては得ることのできなかった信頼
性に優れる半導体封止用低応力エイキシ樹脂を得んとし
て研究した結果、一般式（式中にはメチレン、エチレン
等のアルキレン基を表す。）で示されゐニーキシ樹脂を
エポキシ樹脂の全部もしくは一部として使用することＫ
よシ、成形性、耐湿性に優れ、熱衝撃を受けた場合の耐
クラツク性等に優れる低応力エイキシ樹脂組成物が得ら
れる事を見い出したものである。
脂な、どの使用によっては得ることのできなかった信頼
性に優れる半導体封止用低応力エイキシ樹脂を得んとし
て研究した結果、一般式（式中にはメチレン、エチレン
等のアルキレン基を表す。）で示されゐニーキシ樹脂を
エポキシ樹脂の全部もしくは一部として使用することＫ
よシ、成形性、耐湿性に優れ、熱衝撃を受けた場合の耐
クラツク性等に優れる低応力エイキシ樹脂組成物が得ら
れる事を見い出したものである。
本発明は一般式
（式中Ｒａメチレン、エチレン等のアルキレン基を表す
。）で示されるエポキシ樹脂をエイキシ樹脂の全部もし
くは一部として用いることを特徴とするエイキシ樹脂・
硬化剤・硬化促進剤・充填剤 □・離型剤・表面処理
剤等より成る半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
。）で示されるエポキシ樹脂をエイキシ樹脂の全部もし
くは一部として用いることを特徴とするエイキシ樹脂・
硬化剤・硬化促進剤・充填剤 □・離型剤・表面処理
剤等より成る半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
上記一般式で表わされるエポキシ樹脂は、−分子中に３
個のエポキシ基を有する多官能エイキシ樹脂であり、こ
れを用いる事により架橋密度の高い、冷熱時寸法変化が
小さくかつ可撓性に豊むエイキシ樹脂成形物を与えるエ
イキシ樹脂組成物を得ることができる。
個のエポキシ基を有する多官能エイキシ樹脂であり、こ
れを用いる事により架橋密度の高い、冷熱時寸法変化が
小さくかつ可撓性に豊むエイキシ樹脂成形物を与えるエ
イキシ樹脂組成物を得ることができる。
このようなエイキシ樹脂の使用量は、これを調節するこ
とによシ、低応力ニーキシ樹脂の特性を最大限に引き出
すことができる。低応力の効果を出す為には好ましくは
エイキシ樹脂の５０重量−以上、更に好ましくは７０重
量−以上の使用がのぞましい。
とによシ、低応力ニーキシ樹脂の特性を最大限に引き出
すことができる。低応力の効果を出す為には好ましくは
エイキシ樹脂の５０重量−以上、更に好ましくは７０重
量−以上の使用がのぞましい。
ここでいう硬化剤とは、フェノールノボラック類が好適
であるが酸無水物、アミンを挙げることもできる。これ
らは単独で用いてもよいが併用もできる。フェノールノ
ボラック類とは、ノボラック骨格中にフェノール性水酸
基、又はこの誘導体を含むもの全般をいう。フェノール
類（フェノール、アルキルフェノール、レゾルシン等）
の単一成分ノボラックだけではなく、フェノール類の任
意の組み合せによる共縮合ノボラックや、フェノール類
と他の樹脂との共縮合ノボラックも含む。
であるが酸無水物、アミンを挙げることもできる。これ
らは単独で用いてもよいが併用もできる。フェノールノ
ボラック類とは、ノボラック骨格中にフェノール性水酸
基、又はこの誘導体を含むもの全般をいう。フェノール
類（フェノール、アルキルフェノール、レゾルシン等）
の単一成分ノボラックだけではなく、フェノール類の任
意の組み合せによる共縮合ノボラックや、フェノール類
と他の樹脂との共縮合ノボラックも含む。
又、こζでいうニーキシ樹脂とは、エポキシ基を有する
もの全般をいう。たとえば、ビスフェノール型ニーキシ
樹脂・ノボラック型エイキシ樹脂・トリアジン核含有エ
ポキシ樹脂等のことをいう。
もの全般をいう。たとえば、ビスフェノール型ニーキシ
樹脂・ノボラック型エイキシ樹脂・トリアジン核含有エ
ポキシ樹脂等のことをいう。
このように本発明方法に従うと、成形性、耐湿性に優れ
、かつ熱衝撃を受けた場合の耐クツツク性等にすぐれる
低応力エイキシ樹脂組成物を得ることができる。特に、
半導体封止用途では今後ますますプラスチックノぞツケ
ージ化が予想され、又そのためにプラスチックの低応力
化が要求されている今日においては本発明の産業的意味
役割は非常に大きい。
、かつ熱衝撃を受けた場合の耐クツツク性等にすぐれる
低応力エイキシ樹脂組成物を得ることができる。特に、
半導体封止用途では今後ますますプラスチックノぞツケ
ージ化が予想され、又そのためにプラスチックの低応力
化が要求されている今日においては本発明の産業的意味
役割は非常に大きい。
以下、半導体封止用成形材料での検討例で説明する。例
で用いた部は全て重量部である。本発明による実施例は
従来の技術による比較例に比べ成形性・耐湿性・耐クラ
ツク性の点で優れておシ工業的に利用できる高付加価値
を有している。
で用いた部は全て重量部である。本発明による実施例は
従来の技術による比較例に比べ成形性・耐湿性・耐クラ
ツク性の点で優れておシ工業的に利用できる高付加価値
を有している。
実施例で用いたエイキシ樹脂とは次の通シである。
エポキシ樹脂Ａ ：ＹＬ−９３３（油化シェルエイキシ
製） 実施例１〜４ 溶融シリカ（装置製）７０部に表面処理剤（日本ユニカ
ーＡ−１８６）０．４部を加えξキサーで混合した。更
にエイキシ樹脂ＡをＸ部、オルトクレゾールノボラック
ニーキシ樹脂（旭チバ： ＥＣＮ −１２７３） ２０
− Ｘ部、フェノールノボラック（注文ベークライ）＃
り１０部、硬化促進剤（ケーアイ化成ＰＰ−３６０／四
国化成２ＭＺ ＝ ９／１ ） ０．２部、顔料（三菱
化成）０．５部、離型剤（ヘキストジャノζンへキス）
ＯＰ／ヘキス）Ｓ＝１／１）０．４部を加え混合した後
コニーダーで混練し４種のニーキシ樹脂組成物を得た。
製） 実施例１〜４ 溶融シリカ（装置製）７０部に表面処理剤（日本ユニカ
ーＡ−１８６）０．４部を加えξキサーで混合した。更
にエイキシ樹脂ＡをＸ部、オルトクレゾールノボラック
ニーキシ樹脂（旭チバ： ＥＣＮ −１２７３） ２０
− Ｘ部、フェノールノボラック（注文ベークライ）＃
り１０部、硬化促進剤（ケーアイ化成ＰＰ−３６０／四
国化成２ＭＺ ＝ ９／１ ） ０．２部、顔料（三菱
化成）０．５部、離型剤（ヘキストジャノζンへキス）
ＯＰ／ヘキス）Ｓ＝１／１）０．４部を加え混合した後
コニーダーで混練し４種のニーキシ樹脂組成物を得た。
これらの成形材料の成形性、耐クラツク性を測定した結
果、表のように比較例に比べて優れることがわかり九。
果、表のように比較例に比べて優れることがわかり九。
又エポキシ樹脂Ａの使用量線条い程耐クラック性に優れ
ることがわかった。
ることがわかった。
比較例１
溶融シリカ７０部、オルトクレゾールノボラックエイキ
シ樹脂２０部、フェノールノボ２ツク１０部、表面処理
剤０．４部、硬化促進剤０．２部、顔料α５部、離型剤
０．４部（いずれも実施例と同一原料）を実施例と同様
に材料化した。この成形材料の成形性・耐り２ツク性・
耐湿性の結果は表の通シで実施例に比べて耐クラツク性
の点で大幅に劣る。
シ樹脂２０部、フェノールノボ２ツク１０部、表面処理
剤０．４部、硬化促進剤０．２部、顔料α５部、離型剤
０．４部（いずれも実施例と同一原料）を実施例と同様
に材料化した。この成形材料の成形性・耐り２ツク性・
耐湿性の結果は表の通シで実施例に比べて耐クラツク性
の点で大幅に劣る。
比較例２
溶融シリカ７０部、表面処理剤０．４部、カルボキシル
基含有アクリロニトリル−ブタジェン共重合体（ハイカ
ーＣＴＢＮ １３００ Ｘ ８ ） ２部、オルトク
レゾールノボラックエイキシ樹脂２０部、フェノールノ
ボラック１０部、顔料０．５部、硬化促進剤α２部、離
型剤０．４部を実施例と同様に材料化した。この材料の
成形性・耐クラツク性・耐湿性の結果は表の通シで実施
例に比べて成形性・耐湿性の点で大幅に劣る。
基含有アクリロニトリル−ブタジェン共重合体（ハイカ
ーＣＴＢＮ １３００ Ｘ ８ ） ２部、オルトク
レゾールノボラックエイキシ樹脂２０部、フェノールノ
ボラック１０部、顔料０．５部、硬化促進剤α２部、離
型剤０．４部を実施例と同様に材料化した。この材料の
成形性・耐クラツク性・耐湿性の結果は表の通シで実施
例に比べて成形性・耐湿性の点で大幅に劣る。
＊１．１６ ｐｉｎ ＤＩＰを成形した時のリードビン
上のパリ発生程度で判定タイバ一部までの距離のｈ以下
の時Ａ、１〜最の時Ｂ１与〜％の時Ｃ１ｈ以上（タイバ
ーを超えた）Ｄ ＊２ＴＣＴ、４割×９ｆＩＩＩ＋の大きさの模擬素子を
封止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰに一６５℃（３０分）
□室温（５分）□１５０℃（３０分）なる熱衝撃を２０
０サイクル与えクラック発生数／総数で判定 ＊ ３ ＴＳＴ、４ ｍ Ｘ ６ ｗＩｎの大きさの模
擬素子を封止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰ Ｋ−１６５
℃（２分）：１５０’Ｃ（２分）なる熱衝撃を２００サ
イクル与えクラック発生数／総数で判定 ＊４耐湿性、アルミ模擬素子を封止した１ ６ ｐｉｎ
ＤＩＰｔ−１３５℃、１００％Ｏ条件テ１０００ｈｒ保
管しアルミ腐食による不良率／総数で判定
上のパリ発生程度で判定タイバ一部までの距離のｈ以下
の時Ａ、１〜最の時Ｂ１与〜％の時Ｃ１ｈ以上（タイバ
ーを超えた）Ｄ ＊２ＴＣＴ、４割×９ｆＩＩＩ＋の大きさの模擬素子を
封止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰに一６５℃（３０分）
□室温（５分）□１５０℃（３０分）なる熱衝撃を２０
０サイクル与えクラック発生数／総数で判定 ＊ ３ ＴＳＴ、４ ｍ Ｘ ６ ｗＩｎの大きさの模
擬素子を封止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰ Ｋ−１６５
℃（２分）：１５０’Ｃ（２分）なる熱衝撃を２００サ
イクル与えクラック発生数／総数で判定 ＊４耐湿性、アルミ模擬素子を封止した１ ６ ｐｉｎ
ＤＩＰｔ−１３５℃、１００％Ｏ条件テ１０００ｈｒ保
管しアルミ腐食による不良率／総数で判定
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒはメチレン、エチレン等のアルキレン基を表す
。）で示されるエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全部もし
くは一部として用いることを特徴とするエポキシ樹脂・
硬化剤・硬化促進剤・充填剤・離型剤・表面処理剤等よ
り成る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP850485A JPS61168620A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP850485A JPS61168620A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168620A true JPS61168620A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11694945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP850485A Pending JPS61168620A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168620A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649214A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Ube Industries | Epoxy resin composition for sealing semiconductor |
| JPH021149A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-01-05 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5143951A (en) * | 1989-11-22 | 1992-09-01 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Epoxy resin composition for semiconductor sealing |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP850485A patent/JPS61168620A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649214A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Ube Industries | Epoxy resin composition for sealing semiconductor |
| JPH021149A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-01-05 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5143951A (en) * | 1989-11-22 | 1992-09-01 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Epoxy resin composition for semiconductor sealing |
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