JPS6398123A - 半導体製造用ウエハ−ボ−トの製法 - Google Patents
半導体製造用ウエハ−ボ−トの製法Info
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- JPS6398123A JPS6398123A JP61243049A JP24304986A JPS6398123A JP S6398123 A JPS6398123 A JP S6398123A JP 61243049 A JP61243049 A JP 61243049A JP 24304986 A JP24304986 A JP 24304986A JP S6398123 A JPS6398123 A JP S6398123A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体材料であるシリコンウエノ・−を加熱
処理する際に、シリコンウェハーヲ載置して保持するの
に用いられる炭化珪素−金属珪素からなるウェハーボー
トの製法に関する。
処理する際に、シリコンウェハーヲ載置して保持するの
に用いられる炭化珪素−金属珪素からなるウェハーボー
トの製法に関する。
一般に半導体の製造用に使用するウエノ・−ボートの材
料としては、石英炭化珪素−金属珪素などの材料が使用
されている。
料としては、石英炭化珪素−金属珪素などの材料が使用
されている。
しかし、石英は純度が高い反面、軟化温度が約１２００
℃と低いため、ウェハーを載置して保持するための溝が
変形しやすい等の欠点があるため、耐熱性の良い炭化珪
素−金、属珪素が用いられることが多くなってきた。
℃と低いため、ウェハーを載置して保持するための溝が
変形しやすい等の欠点があるため、耐熱性の良い炭化珪
素−金、属珪素が用いられることが多くなってきた。
従来、炭化珪素−金属珪素からなるウエノ・−ポートは
、重量を軽くする目的から、パイプ状に形成された成形
体ｅ ７ＪＯ工機によシ、シリコンウェハーを載置して
保持するための溝部を形成する必要最低限の支持部を残
して、加工する方法や、固定部、支持部を個々に作成後
ビン止め等の嵌合する方法によシ製造されていた。
、重量を軽くする目的から、パイプ状に形成された成形
体ｅ ７ＪＯ工機によシ、シリコンウェハーを載置して
保持するための溝部を形成する必要最低限の支持部を残
して、加工する方法や、固定部、支持部を個々に作成後
ビン止め等の嵌合する方法によシ製造されていた。
上述の方法のうち、前者は、加工工程が複雑で更に加工
時に混入する不純物の除去のため酸などにより高純度化
し、その後金属珪素を含浸するもので、非常にコストの
高いものとなっていた。
時に混入する不純物の除去のため酸などにより高純度化
し、その後金属珪素を含浸するもので、非常にコストの
高いものとなっていた。
又、後者は、支持部、固定部など別々に金属珪素を浸透
したものを組蓄弘もので、工程の複雑さによりコスト高
となっていた。更に、シリコンウェハーを載置して保持
するための溝加工が組立て前で行っているため、粗金−
のｒ痺がズレることがあシ、精度がわるくなる欠点があ
った。
したものを組蓄弘もので、工程の複雑さによりコスト高
となっていた。更に、シリコンウェハーを載置して保持
するための溝加工が組立て前で行っているため、粗金−
のｒ痺がズレることがあシ、精度がわるくなる欠点があ
った。
本発明の目的は、上記問題点であるコストを低減した安
価で且つ高純度、高精度の半導体製造用ウェハーポート
の製法を提供することにある。
価で且つ高純度、高精度の半導体製造用ウェハーポート
の製法を提供することにある。
即ち、炭化珪素−金属珪素よシなる半導体製造用ウェハ
ーボートの製法において、炭化珪素からなるシリコンウ
ェハー支持部と同じく炭化珪素からなる該支持部の固定
部との接着部を炭と接着固定を同時に行い、含Ｓえ後ウ
エノ・−を保持する溝を形成することを特徴とする。
ーボートの製法において、炭化珪素からなるシリコンウ
ェハー支持部と同じく炭化珪素からなる該支持部の固定
部との接着部を炭と接着固定を同時に行い、含Ｓえ後ウ
エノ・−を保持する溝を形成することを特徴とする。
〔構成〕
次に本発明を図面によって説明する。第１図は本発明の
製法によるウェハーボートの斜視図である。ウェハーを
載置して保持するための支持部１は、丸棒状、或いは角
状の高純度炭化珪素体から作られる。又、上記支持部１
を固定するための固定部２は第２図で示すように、半円
状で上記丸棒状の支持部１と組み合うように弧３が設け
られており、高純度炭化珪素体から作られる。
製法によるウェハーボートの斜視図である。ウェハーを
載置して保持するための支持部１は、丸棒状、或いは角
状の高純度炭化珪素体から作られる。又、上記支持部１
を固定するための固定部２は第２図で示すように、半円
状で上記丸棒状の支持部１と組み合うように弧３が設け
られており、高純度炭化珪素体から作られる。
予め、上記固定部２の弧３に支持部１を高純度炭化珪素
からなるペースト状の液により、仮止めする。次に、仮
止めした高純度炭化珪素体からなるウェハーボートを溶
融した高純度金属珪素に浸すと、溶融した高純度金属珪
素は毛細管現象により、上記支持部１、固定部２及び支
持部１と固定部２の仮止めした接着部の気孔部に浸透さ
れ、不透過性の炭化珪素−金属珪素からなるウェハーボ
ートが得られる。
からなるペースト状の液により、仮止めする。次に、仮
止めした高純度炭化珪素体からなるウェハーボートを溶
融した高純度金属珪素に浸すと、溶融した高純度金属珪
素は毛細管現象により、上記支持部１、固定部２及び支
持部１と固定部２の仮止めした接着部の気孔部に浸透さ
れ、不透過性の炭化珪素−金属珪素からなるウェハーボ
ートが得られる。
尚、第１図において、上記固定部２は両端に２枚使用し
た例であるが、ウェハーボートが長い場合、中間部にも
固定部を設けても差しつかえない。
た例であるが、ウェハーボートが長い場合、中間部にも
固定部を設けても差しつかえない。
上記の接着され、不透過性になつ念ウェハーボートをウ
ェハーを載置して保持するために、支持部に所定の溝幅
、溝ピッチ、溝深さに切断し、溝部を形成する。
ェハーを載置して保持するために、支持部に所定の溝幅
、溝ピッチ、溝深さに切断し、溝部を形成する。
以下に本発明の詳細な説明する。まず、粒径０．５〜６
００μｍの高純度炭化珪素粉末とセルローズ系のバイン
ダーをよく混合し、水を加えて混練した後、外径８朔、
長さ２００刺の丸棒状の支持部を３本成形した。同様に
して、外径９３ツ、内径７７間、長さ３０ｍで、上記、
外径８朋の支持部が組み合うような弧を有する半円状の
固定部を２個、成形した。乾燥後、上記、支持部と固定
部を高純度炭化珪素からなるペースト状の液により仮止
めして、ウェハーボートの形状を得た。次に、仮止めし
た高純度炭化珪素からなるウェハーボートを溶融した。
００μｍの高純度炭化珪素粉末とセルローズ系のバイン
ダーをよく混合し、水を加えて混練した後、外径８朔、
長さ２００刺の丸棒状の支持部を３本成形した。同様に
して、外径９３ツ、内径７７間、長さ３０ｍで、上記、
外径８朋の支持部が組み合うような弧を有する半円状の
固定部を２個、成形した。乾燥後、上記、支持部と固定
部を高純度炭化珪素からなるペースト状の液により仮止
めして、ウェハーボートの形状を得た。次に、仮止めし
た高純度炭化珪素からなるウェハーボートを溶融した。
高純度金属珪素を浸すことにより、上記、支持部、固定
部及び支持部と固定部の仮止めした接着部の気孔に溶融
した高純度金属珪素が浸透され、支持部と仮止めした接
着部の気孔率は１チ以下であり、ガス不透過性であった
。上記の接着され、不透過性になったウェハーボートに
シリコンウェー・−を載置して保持するために支持部に
溝幅０．６鵡、溝ピツチ３咽、溝深さ３調の溝を形成し
、３“用シリコンウェハーを乗せるウェハーボートが得
られた。講ピッチの精度は±５０μｍ以下であった。
部及び支持部と固定部の仮止めした接着部の気孔に溶融
した高純度金属珪素が浸透され、支持部と仮止めした接
着部の気孔率は１チ以下であり、ガス不透過性であった
。上記の接着され、不透過性になったウェハーボートに
シリコンウェー・−を載置して保持するために支持部に
溝幅０．６鵡、溝ピツチ３咽、溝深さ３調の溝を形成し
、３“用シリコンウェハーを乗せるウェハーボートが得
られた。講ピッチの精度は±５０μｍ以下であった。
まず、上記、実施例と同様の原料を使用して、外径８５
咽、内径７１咽、長さ２００揖の半円状のパイプを鋳込
み成形した後、成形体を加工機により、支持部と固定部
を残して加工した。
咽、内径７１咽、長さ２００揖の半円状のパイプを鋳込
み成形した後、成形体を加工機により、支持部と固定部
を残して加工した。
しかし、得られた加工品の不純物濃度は加工機による汚
染を受けたためＶこ、ｈが６０ｐｐｍ、Ｃｕが５ ｐｐ
ｍ増７７０シた。次に、汚染を受けた不紳吻を除去する
為に塩酸液で不純物を溶出して高純度にし、その後、高
純度金属珪素を上記実施例と同僚にして浸透させた。塩
酸液による高純度化処理の工程が必要な分たけコストが
高くなった。
染を受けたためＶこ、ｈが６０ｐｐｍ、Ｃｕが５ ｐｐ
ｍ増７７０シた。次に、汚染を受けた不紳吻を除去する
為に塩酸液で不純物を溶出して高純度にし、その後、高
純度金属珪素を上記実施例と同僚にして浸透させた。塩
酸液による高純度化処理の工程が必要な分たけコストが
高くなった。
まず、実施例と同様にして得られたビン穴を有する支持
部と固定部を別々に金属珪素を浸透させたのち、支持部
に実施例と同寸法の溝を切断した。次に支持部と固定部
をピンをビン穴に入れることにより嵌合してウエノ・−
ポートを得た。上記の方法は支持部と固定部を別々に金
属珪素を浸透させる分だけコストが高くなった。
部と固定部を別々に金属珪素を浸透させたのち、支持部
に実施例と同寸法の溝を切断した。次に支持部と固定部
をピンをビン穴に入れることにより嵌合してウエノ・−
ポートを得た。上記の方法は支持部と固定部を別々に金
属珪素を浸透させる分だけコストが高くなった。
又、組立後の溝ピッチの精度を測定したところ±５０μ
ｍ以上であった。
ｍ以上であった。
上述のように本発明により、加工時の不純物汚染を除去
するための酸処理工程を省くことができることと、支持
部と固定部を同時に金属珪素を浸透させて、接着できる
ことにより、コスト低減がはかれる。又、本発明に係る
製法によれば高精度が維持できることにより、半導体工
業におけるソリコンウエハーを加熱処理する冶具として
最適である。
するための酸処理工程を省くことができることと、支持
部と固定部を同時に金属珪素を浸透させて、接着できる
ことにより、コスト低減がはかれる。又、本発明に係る
製法によれば高精度が維持できることにより、半導体工
業におけるソリコンウエハーを加熱処理する冶具として
最適である。
第１図は本発明によるウェハーボートを示す斜視図、
第２図は上記支持部を固定するための固定部を示す正面
図と平面図である。 １・・・支持部 ２・・・固定部３・・・弧
４・・・溝 特許出願人 東海高熱工業株式会社 第１０ 第２膳 手続補正書 昭和６１年ノ２月！１日 特許庁長官 黒 １） 明 雄 殿１、事件の
表示 昭和６１年特許願第２４３０４９号 ２、発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、自 発 ５、補正の対象 明細占の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 ■ 明細書第２頁第２行目に“−−−−−−−の材料と
しては、石英炭化珪素−金属珪素”とあるのを「−・・
−の材料としては、石英、炭化珪素−金属珪素」と補正
する。 ■ 明細書第６頁第１行目から第２行目に“−−−−−
−−−ボートを溶融した。高純度金属珪素を浸すこと一
一一一一一・”とあるのを「・−−−−一−ボートを溶
融した高純度金属珪素に浸すこと−−−−−・−」と補
正する。
図と平面図である。 １・・・支持部 ２・・・固定部３・・・弧
４・・・溝 特許出願人 東海高熱工業株式会社 第１０ 第２膳 手続補正書 昭和６１年ノ２月！１日 特許庁長官 黒 １） 明 雄 殿１、事件の
表示 昭和６１年特許願第２４３０４９号 ２、発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、自 発 ５、補正の対象 明細占の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 ■ 明細書第２頁第２行目に“−−−−−−−の材料と
しては、石英炭化珪素−金属珪素”とあるのを「−・・
−の材料としては、石英、炭化珪素−金属珪素」と補正
する。 ■ 明細書第６頁第１行目から第２行目に“−−−−−
−−−ボートを溶融した。高純度金属珪素を浸すこと一
一一一一一・”とあるのを「・−−−−一−ボートを溶
融した高純度金属珪素に浸すこと−−−−−・−」と補
正する。
Claims (1)
- 炭化珪素−金属珪素よりなる半導体製造用ウェハーボー
トの製法において、炭化珪素からなるシリコンウエハー
支持部と、同じく炭化珪素からなる該支持部の固定部と
の接着部を炭化珪素を主成分とするペーストで仮止めし
、該仮止め体全体に金属珪素を浸透し、ガス不透過性と
接着固定を同時に行い、含浸後、シリコンウェハーを保
持する溝を形成することを特徴とした半導体製造用ウェ
ハーボートの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243049A JPH0770494B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 半導体製造用ウエハ−ボ−トの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243049A JPH0770494B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 半導体製造用ウエハ−ボ−トの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398123A true JPS6398123A (ja) | 1988-04-28 |
| JPH0770494B2 JPH0770494B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17098054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61243049A Expired - Fee Related JPH0770494B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 半導体製造用ウエハ−ボ−トの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770494B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN113880582A (zh) * | 2021-08-10 | 2022-01-04 | 陕西固勤材料技术有限公司 | 一种反应烧结碳化硅大舟托的制备方法 |
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| JPS53108764A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Nec Corp | Diffusion jig of semiconductor wafers |
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| JPS6011640U (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-26 | 三菱電機株式会社 | 同期機 |
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| JPS6196535U (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-21 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936247B2 (ja) * | 1977-04-20 | 1984-09-03 | ティーディーケイ株式会社 | 電気的表示装置 |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP61243049A patent/JPH0770494B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN113880582A (zh) * | 2021-08-10 | 2022-01-04 | 陕西固勤材料技术有限公司 | 一种反应烧结碳化硅大舟托的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770494B2 (ja) | 1995-07-31 |
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