JPH0590184A - 半導体拡散炉用ウエハボートの製造方法 - Google Patents
半導体拡散炉用ウエハボートの製造方法Info
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- JPH0590184A JPH0590184A JP24926891A JP24926891A JPH0590184A JP H0590184 A JPH0590184 A JP H0590184A JP 24926891 A JP24926891 A JP 24926891A JP 24926891 A JP24926891 A JP 24926891A JP H0590184 A JPH0590184 A JP H0590184A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高純度ＳｉＣ膜よりなる中空殻状半導体拡散
炉用ウェハボートを作製する。 【構成】 黒鉛基材の溝２の反対側の面にマスキングを
施し、化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成した後、黒鉛基
材を燃焼除去する。熱膨張異方性比１．０８以下の黒鉛
基材を用いる。ＳｉＣ膜厚０．２ｍｍ以上とする。マス
キングの幅Ｗは基材の幅Ｋの１／４以上とする。 【効果】 反りを生じることなく、容易に製造できる。
高純度ＳｉＣ膜よりなる中空体であるため、軽量で熱容
量が低く、ウェハを汚染することがない。耐熱衝撃性に
も優れる。大型ロングボートの製造も可能。
炉用ウェハボートを作製する。 【構成】 黒鉛基材の溝２の反対側の面にマスキングを
施し、化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成した後、黒鉛基
材を燃焼除去する。熱膨張異方性比１．０８以下の黒鉛
基材を用いる。ＳｉＣ膜厚０．２ｍｍ以上とする。マス
キングの幅Ｗは基材の幅Ｋの１／４以上とする。 【効果】 反りを生じることなく、容易に製造できる。
高純度ＳｉＣ膜よりなる中空体であるため、軽量で熱容
量が低く、ウェハを汚染することがない。耐熱衝撃性に
も優れる。大型ロングボートの製造も可能。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体拡散炉用ウェハボ
ートの製造方法に係り、特に、高純度炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）膜よりなる中空殻状構造の半導体拡散炉用ボートを
製造する方法に関する。
ートの製造方法に係り、特に、高純度炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）膜よりなる中空殻状構造の半導体拡散炉用ボートを
製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】拡散炉は、Ｓｉ単結晶ウェハを高温に加
熱して不純物をドーピングしたり、酸化膜を形成する工
程で用いられるものであり、半導体デバイスの製造工程
のなかでも最も基本的な設備である。この拡散炉は加熱
炉、反応管（プロセスチューブ）、ウェハボート等から
構成されるものであるが、これらの構成部材のうち、特
に、ウェハボートは、Ｓｉ単結晶ウェハが直接載置され
るものであり、ウェハに最も近接する部材であるから、
最も重要な部材である。
熱して不純物をドーピングしたり、酸化膜を形成する工
程で用いられるものであり、半導体デバイスの製造工程
のなかでも最も基本的な設備である。この拡散炉は加熱
炉、反応管（プロセスチューブ）、ウェハボート等から
構成されるものであるが、これらの構成部材のうち、特
に、ウェハボートは、Ｓｉ単結晶ウェハが直接載置され
るものであり、ウェハに最も近接する部材であるから、
最も重要な部材である。
【０００３】近年、半導体についても高集積度化が進
み、拡散炉に用いられる部材、例えば、プロセスチュー
ブ、ライナーチューブ、ウェハボート、マザーボート、
パドル等の半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法につ
いても高純度化が必要とされると共に、Ｓｉウェハの大
口径化に伴う拡散炉部材の大型化、高強度化が必要とさ
れるようになってきた。このため、ウェハボートについ
ても、より高純度で大型のロングウェハボートが望まれ
ている。
み、拡散炉に用いられる部材、例えば、プロセスチュー
ブ、ライナーチューブ、ウェハボート、マザーボート、
パドル等の半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法につ
いても高純度化が必要とされると共に、Ｓｉウェハの大
口径化に伴う拡散炉部材の大型化、高強度化が必要とさ
れるようになってきた。このため、ウェハボートについ
ても、より高純度で大型のロングウェハボートが望まれ
ている。
【０００４】ウェハボートは、例えば、第３図に示す如
く、１対のフランジ部材１１，１２を橋絡するように複
数本（図においては３本）の棒状部材１３，１４，１５
が設けられて構成されている。各棒状部材のボート内面
側には、ウェハを保持するための溝１６が切り込まれて
いる。
く、１対のフランジ部材１１，１２を橋絡するように複
数本（図においては３本）の棒状部材１３，１４，１５
が設けられて構成されている。各棒状部材のボート内面
側には、ウェハを保持するための溝１６が切り込まれて
いる。
【０００５】従来、高純度ウェハボートとしては、石英
製のものが殆どであるが、その他、Ｓｉ−ＳｉＣ質のも
の、或いは、Ｓｉ−ＳｉＣ質基材に化学蒸着法によりＳ
ｉＣコーティングを施したものなども実用に供されてい
る。
製のものが殆どであるが、その他、Ｓｉ−ＳｉＣ質のも
の、或いは、Ｓｉ−ＳｉＣ質基材に化学蒸着法によりＳ
ｉＣコーティングを施したものなども実用に供されてい
る。
【０００６】また、特開昭５７−７９２３号公報には、
黒鉛を基材としてＳｉＣコーティングを施した後にスリ
ットを形成し、その後黒鉛を燃焼除去するウェハボート
の製造方法が開示されている。更に、特開昭５７−１７
１２６号公報には、黒鉛質パイプの内周面又は外周面
に、厚さ２ｍｍ以上のＳｉＣコーティングを施し、その
後、黒鉛質パイプを燃焼除去するプロセスチューブの製
造方法が開示されている。
黒鉛を基材としてＳｉＣコーティングを施した後にスリ
ットを形成し、その後黒鉛を燃焼除去するウェハボート
の製造方法が開示されている。更に、特開昭５７−１７
１２６号公報には、黒鉛質パイプの内周面又は外周面
に、厚さ２ｍｍ以上のＳｉＣコーティングを施し、その
後、黒鉛質パイプを燃焼除去するプロセスチューブの製
造方法が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のウェハボー
トのうち、石英製のものは、割れ易い、失透し易い、高
温強度が不足する、不純物が次第に蓄積して純度が低下
するなどの問題がある。また、Ｓｉ−ＳｉＣ質ボートで
は純度の面で不十分である。これに更にＳｉＣコーティ
ングを施したものでは、ＳｉＣコーティング膜が割れた
り剥離した場合には、やはりＳｉ−ＳｉＣ質基材による
不純物汚染が発生する恐れがある。
トのうち、石英製のものは、割れ易い、失透し易い、高
温強度が不足する、不純物が次第に蓄積して純度が低下
するなどの問題がある。また、Ｓｉ−ＳｉＣ質ボートで
は純度の面で不十分である。これに更にＳｉＣコーティ
ングを施したものでは、ＳｉＣコーティング膜が割れた
り剥離した場合には、やはりＳｉ−ＳｉＣ質基材による
不純物汚染が発生する恐れがある。
【０００８】また、特開昭５７−７９２３号公報に記載
の方法では、小型のカセットボートのように、ごく小さ
なボートでは製造可能であるが、マザーボートとカセッ
トボートが一体となった、長さの長いウェハボートで
は、一体品としての黒鉛基材の加工がきわめて困難であ
ることから、製造が非常に難しい。しかも、ＳｉＣコー
ティングを施した後スリットを切り込む段階で大きな応
力が発生し、コーティング膜にクラックが発生するとい
う問題もある。
の方法では、小型のカセットボートのように、ごく小さ
なボートでは製造可能であるが、マザーボートとカセッ
トボートが一体となった、長さの長いウェハボートで
は、一体品としての黒鉛基材の加工がきわめて困難であ
ることから、製造が非常に難しい。しかも、ＳｉＣコー
ティングを施した後スリットを切り込む段階で大きな応
力が発生し、コーティング膜にクラックが発生するとい
う問題もある。
【０００９】ところで、本発明者らは、ＳｉＣ膜のみか
らなるウェハボートについて検討を重ねた結果、次のよ
うなことを知見した。即ち、ＳｉＣ膜のみからなる製品
を良好な形状保持性にて製造するためには、相当量の膜
厚が必要とされるが、この膜厚を十分に確保するために
は、用いる黒鉛基材の物性、特に熱膨張特性を管理する
必要がある。また、黒鉛基材を燃焼除去した後に残存す
る灰分についても制限する必要もある。
らなるウェハボートについて検討を重ねた結果、次のよ
うなことを知見した。即ち、ＳｉＣ膜のみからなる製品
を良好な形状保持性にて製造するためには、相当量の膜
厚が必要とされるが、この膜厚を十分に確保するために
は、用いる黒鉛基材の物性、特に熱膨張特性を管理する
必要がある。また、黒鉛基材を燃焼除去した後に残存す
る灰分についても制限する必要もある。
【００１０】しかしながら、従来において、黒鉛基材に
ついての検討はなされておらず、特開昭５７−７９２３
号公報及び特開昭５７−１７１２６号公報の方法におい
ても、熱膨張特性や灰分等について何ら触れられていな
い。
ついての検討はなされておらず、特開昭５７−７９２３
号公報及び特開昭５７−１７１２６号公報の方法におい
ても、熱膨張特性や灰分等について何ら触れられていな
い。
【００１１】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、高純度ＳｉＣ膜のみからなる中空殻状構
造の半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法であって、
不純物によるウェハ汚染の問題がなく、軽量かつ低熱容
量で耐熱衝撃に優れ、大型ロングウェハボートの製造に
も有効な半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法を提供
することを目的とする。
ものであって、高純度ＳｉＣ膜のみからなる中空殻状構
造の半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法であって、
不純物によるウェハ汚染の問題がなく、軽量かつ低熱容
量で耐熱衝撃に優れ、大型ロングウェハボートの製造に
も有効な半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体拡散炉用
ウェハボートの製造方法はウェハを保持するための複数
の溝が、側面長さ方向に並列して形成された棒状部材を
備える、ＳｉＣ膜よりなる中空殻状構造のウェハボート
を、黒鉛基材の表面に化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成
した後、前記黒鉛基材を燃焼除去することにより製造す
る方法において、前記棒状部材形成部に相当する黒鉛基
材にマスキングを施してＳｉＣ膜を形成する方法であっ
て、該黒鉛基材は熱膨張異方性比が１．０８以下の等方
性高純度黒鉛よりなり、前記マスキングは、前記黒鉛基
材の溝が形成された面の反対側の面に、前記棒状部材の
直径又は幅の１／４以上の幅で、該黒鉛基材の長さ方向
に施し、かつ前記ＳｉＣ膜の厚さを０．２ｍｍ以上とす
ることを特徴とする。
ウェハボートの製造方法はウェハを保持するための複数
の溝が、側面長さ方向に並列して形成された棒状部材を
備える、ＳｉＣ膜よりなる中空殻状構造のウェハボート
を、黒鉛基材の表面に化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成
した後、前記黒鉛基材を燃焼除去することにより製造す
る方法において、前記棒状部材形成部に相当する黒鉛基
材にマスキングを施してＳｉＣ膜を形成する方法であっ
て、該黒鉛基材は熱膨張異方性比が１．０８以下の等方
性高純度黒鉛よりなり、前記マスキングは、前記黒鉛基
材の溝が形成された面の反対側の面に、前記棒状部材の
直径又は幅の１／４以上の幅で、該黒鉛基材の長さ方向
に施し、かつ前記ＳｉＣ膜の厚さを０．２ｍｍ以上とす
ることを特徴とする。
【００１３】以下に本発明を図面を参照して詳細に説明
する。
する。
【００１４】第１図は本発明の方法により製造されるウ
ェハボートの棒状部材の部分縦断面図、第２図は第１図
の−線に沿う横断面図である。
ェハボートの棒状部材の部分縦断面図、第２図は第１図
の−線に沿う横断面図である。
【００１５】第１，２図において、１は棒状部材、２は
ウェハ保持用の溝、３は開孔であり、全体は化学蒸着法
による高純度ＳｉＣ膜製である。
ウェハ保持用の溝、３は開孔であり、全体は化学蒸着法
による高純度ＳｉＣ膜製である。
【００１６】本発明の方法においては、まず、黒鉛基材
を、製造するウェハボートの形状に加工する。この場
合、大型のウェハボートであれば、溝を有する棒状部材
形成部とフランジ部材形成部とをそれぞれ機械加工によ
り作製し、これらを接合一体化する。接合は、無機系接
着剤を用いる接着法やはめ込み方式が採用されるが、そ
の他の方法であっても良い。
を、製造するウェハボートの形状に加工する。この場
合、大型のウェハボートであれば、溝を有する棒状部材
形成部とフランジ部材形成部とをそれぞれ機械加工によ
り作製し、これらを接合一体化する。接合は、無機系接
着剤を用いる接着法やはめ込み方式が採用されるが、そ
の他の方法であっても良い。
【００１７】本発明において用いる黒鉛基材は、熱膨張
異方性比が１．０８以下、灰分が好ましくは８００ｐｐ
ｍ以下のものである。黒鉛基材の熱膨張異方性比が１．
０８を超えると、後工程において、０．２ｍｍ以上とい
う比較的厚さの厚いＳｉＣ膜を形成する際、ＳｉＣ膜に
クラックが発生するおそれがある。
異方性比が１．０８以下、灰分が好ましくは８００ｐｐ
ｍ以下のものである。黒鉛基材の熱膨張異方性比が１．
０８を超えると、後工程において、０．２ｍｍ以上とい
う比較的厚さの厚いＳｉＣ膜を形成する際、ＳｉＣ膜に
クラックが発生するおそれがある。
【００１８】目的とするウェハボート形状の黒鉛基材を
作製した後は、この黒鉛基材にマスキングを施した後、
化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成する。
作製した後は、この黒鉛基材にマスキングを施した後、
化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成する。
【００１９】このマスキングは、ウェハボートの棒状部
材形成部の黒鉛基材の、ウェハ保持用の溝を形成した面
の反対側の面に、該黒鉛基材の長さ方向に設ける。しか
して、このマスキングの幅は、第１図及び第２図に示す
如く、形成される棒状部材１の直径又は幅Ｋの１／４以
上とする。即ち、後述の化学蒸着によるＳｉＣ膜の形成
により、溝２の反対側の面に、幅Ｗ≧１／４×Ｋの開孔
部３が形成されるようにする。（なお、第８図の様な角
棒であれば幅ａ≧１／４×ｂとする。）なお、このマス
キングの幅は小さすぎると、マスキングを行なうことに
よる十分な効果が得られず、大きすぎると棒状部材の強
度が低下するおそれがある。従って、マスキングの幅
は、棒状部材の直径又は幅の１／４以上、４／５以下と
するのが好ましい。
材形成部の黒鉛基材の、ウェハ保持用の溝を形成した面
の反対側の面に、該黒鉛基材の長さ方向に設ける。しか
して、このマスキングの幅は、第１図及び第２図に示す
如く、形成される棒状部材１の直径又は幅Ｋの１／４以
上とする。即ち、後述の化学蒸着によるＳｉＣ膜の形成
により、溝２の反対側の面に、幅Ｗ≧１／４×Ｋの開孔
部３が形成されるようにする。（なお、第８図の様な角
棒であれば幅ａ≧１／４×ｂとする。）なお、このマス
キングの幅は小さすぎると、マスキングを行なうことに
よる十分な効果が得られず、大きすぎると棒状部材の強
度が低下するおそれがある。従って、マスキングの幅
は、棒状部材の直径又は幅の１／４以上、４／５以下と
するのが好ましい。
【００２０】なお、マスキングは、棒状部材形成部の黒
鉛基材の全長さ方向にわたって連続的に形成しても良
く、また、部分的ないし断続的に形成しても良い。ま
た、マスキングは、棒状部材形成部の黒鉛基材とフラン
ジ部形成部の黒鉛基材とを接合する前に行なっても良
い。
鉛基材の全長さ方向にわたって連続的に形成しても良
く、また、部分的ないし断続的に形成しても良い。ま
た、マスキングは、棒状部材形成部の黒鉛基材とフラン
ジ部形成部の黒鉛基材とを接合する前に行なっても良
い。
【００２１】マスキングを施した後は、常法に従って、
化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成する。
化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成する。
【００２２】本発明においては、このＳｉＣ膜は、厚さ
０．２ｍｍ以上とする。このＳｉＣ膜の厚さが０．２ｍ
ｍ未満であると得られるウェハボートの剛性や強度が不
足する。ＳｉＣ膜は過度に厚くても、コスト面で不利で
あるため、その厚さは０．８ｍｍ以下とするのが好まし
い。
０．２ｍｍ以上とする。このＳｉＣ膜の厚さが０．２ｍ
ｍ未満であると得られるウェハボートの剛性や強度が不
足する。ＳｉＣ膜は過度に厚くても、コスト面で不利で
あるため、その厚さは０．８ｍｍ以下とするのが好まし
い。
【００２３】ＳｉＣ膜を形成した後は、常法に従って、
黒鉛を燃焼除去し、その後、洗浄により灰分を完全に除
去する。この場合、マスキングで形成された開孔部か
ら、黒鉛及び灰分を効果的に除去可能であるが、必要で
あれば、フランジ部に更に開孔を形成しても良い。
黒鉛を燃焼除去し、その後、洗浄により灰分を完全に除
去する。この場合、マスキングで形成された開孔部か
ら、黒鉛及び灰分を効果的に除去可能であるが、必要で
あれば、フランジ部に更に開孔を形成しても良い。
【００２４】本発明で製造されるウェハボートは、その
形状、大きさ等に特に制限はなく、例えば、棒状部材の
形状においても、第１，２図に示す略円形断面形状のも
のの他、角形断面形状のものとすることもできる。ま
た、フランジ部に取り付ける棒状部材の本数等にも特に
制限はない。
形状、大きさ等に特に制限はなく、例えば、棒状部材の
形状においても、第１，２図に示す略円形断面形状のも
のの他、角形断面形状のものとすることもできる。ま
た、フランジ部に取り付ける棒状部材の本数等にも特に
制限はない。
【００２５】
【作用】熱膨張異方性比が１．０８以下の黒鉛基材であ
れば、化学蒸着法によるＳｉＣ膜形成時或いはその後の
昇温、降温条件において、ＳｉＣ膜に熱膨張の異方性に
よる応力を殆ど付加することがなく、厚膜のＳｉＣ膜を
クラックの発生等をひき起こすことなく容易に形成する
ことができる。
れば、化学蒸着法によるＳｉＣ膜形成時或いはその後の
昇温、降温条件において、ＳｉＣ膜に熱膨張の異方性に
よる応力を殆ど付加することがなく、厚膜のＳｉＣ膜を
クラックの発生等をひき起こすことなく容易に形成する
ことができる。
【００２６】また、マスキングを溝と反対側の面に形成
することにより、得られるＳｉＣ膜の棒状部材部分の湾
曲、反りを有効に防止することができる。即ち、化学蒸
着法により黒鉛基材表面にＳｉＣ膜を形成する場合、第
４図に示す如く、黒鉛基材１０の溝形成面（Ｂ面とい
う。）のＳｉＣコーティング量は、溝内面のＳｉＣコー
ティング量が少ないことから、反対側面（Ａ面とい
う。）のＳｉＣコーティング量に比べて少なくなる。こ
のため、マスキングを行なわないと、第５図に示す如
く、ＳｉＣ膜１０Ａ形成後においては、黒鉛基材１０
は、Ａ面の剛性がＢ面の剛性より大となり、Ａ面が凸面
となるように湾曲する。これに対して、本発明の方法に
従って、このＡ面側にマスキングを施し、Ａ面のＳｉＣ
コーティング量を減らし、Ａ面の剛性を小さくして、Ａ
面とＢ面とのバランスを保つことにより、上記湾曲は防
止される。
することにより、得られるＳｉＣ膜の棒状部材部分の湾
曲、反りを有効に防止することができる。即ち、化学蒸
着法により黒鉛基材表面にＳｉＣ膜を形成する場合、第
４図に示す如く、黒鉛基材１０の溝形成面（Ｂ面とい
う。）のＳｉＣコーティング量は、溝内面のＳｉＣコー
ティング量が少ないことから、反対側面（Ａ面とい
う。）のＳｉＣコーティング量に比べて少なくなる。こ
のため、マスキングを行なわないと、第５図に示す如
く、ＳｉＣ膜１０Ａ形成後においては、黒鉛基材１０
は、Ａ面の剛性がＢ面の剛性より大となり、Ａ面が凸面
となるように湾曲する。これに対して、本発明の方法に
従って、このＡ面側にマスキングを施し、Ａ面のＳｉＣ
コーティング量を減らし、Ａ面の剛性を小さくして、Ａ
面とＢ面とのバランスを保つことにより、上記湾曲は防
止される。
【００２７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２８】実施例１ 本発明方法に従って、第６図（平面図）及び第７図（側
面図）に示すロングウェハボート５（５Ａはフランジ部
材、５Ｂは棒状部材）を製造した。なお、このロングウ
ェハボートの各部の大きさは次の通りである。
面図）に示すロングウェハボート５（５Ａはフランジ部
材、５Ｂは棒状部材）を製造した。なお、このロングウ
ェハボートの各部の大きさは次の通りである。
【００２９】 棒状部材直径 １５ｍｍ フランジ部材直径 １７０ｍｍ 全長 ９２０ｍｍ まず、異方性比１．０３、灰分１００ｐｐｍの等方性高
純度黒鉛を用い、組立方式によりウェハボート形状の黒
鉛基材を作製した。次に、その棒状部材形成部の溝と反
対側の面に幅８ｍｍのマスキングを施し、ＳｉＣｌ4 ／
Ｃ3 Ｈ8 ／Ｈ2の混合ガスにより、温度１４５０℃でＳ
ｉＣコーティングを行なった。ＳｉＣ膜の厚さは０．３
５ｍｍとした。このコーティング段階での、棒状部材形
成部のたわみは０．１ｍｍ以下であった。
純度黒鉛を用い、組立方式によりウェハボート形状の黒
鉛基材を作製した。次に、その棒状部材形成部の溝と反
対側の面に幅８ｍｍのマスキングを施し、ＳｉＣｌ4 ／
Ｃ3 Ｈ8 ／Ｈ2の混合ガスにより、温度１４５０℃でＳ
ｉＣコーティングを行なった。ＳｉＣ膜の厚さは０．３
５ｍｍとした。このコーティング段階での、棒状部材形
成部のたわみは０．１ｍｍ以下であった。
【００３０】次いで、黒鉛基材の燃焼除去を行なった。
【００３１】その結果、所望形状のウェハボートを形状
精度良く作製することができた。
精度良く作製することができた。
【００３２】一方、マスキングを行なわなかったこと以
外は、上記と同様にしてウェハボートを作製したとこ
ろ、コーティング段階で棒状部材形成部に最大約７ｍ
ｍ，の湾曲があった。しかして、その後の黒鉛基材の燃
焼除去後においても、大きく湾曲したままであった。
外は、上記と同様にしてウェハボートを作製したとこ
ろ、コーティング段階で棒状部材形成部に最大約７ｍ
ｍ，の湾曲があった。しかして、その後の黒鉛基材の燃
焼除去後においても、大きく湾曲したままであった。
【００３３】実施例２ 実施例１の方法と同様にして、第８図に示す断面形状の
棒状部材を有するウェハボートを作製した。図示の如
く、本実施例で作製したウェハボートは棒状部材の断面
形状が異なるのみで、その他の構成は実施例１のものと
同様である。なお、第８図において各部の寸法は次の通
りである。
棒状部材を有するウェハボートを作製した。図示の如
く、本実施例で作製したウェハボートは棒状部材の断面
形状が異なるのみで、その他の構成は実施例１のものと
同様である。なお、第８図において各部の寸法は次の通
りである。
【００３４】 ａ＝ ８ｍｍ ｂ＝１８ｍｍ ｃ＝ ２ｍｍ ｄ＝１２ｍｍ ｅ＝ ４ｍｍ その結果、たわみのない良好なウェハボートが得られ
た。
た。
【００３５】一方、マスキングを行なわないこと以外は
上記と同様にしてウェハボートを作製したところ、棒状
部材の部分に最大約５ｍｍの湾曲があった。
上記と同様にしてウェハボートを作製したところ、棒状
部材の部分に最大約５ｍｍの湾曲があった。
【００３６】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の半導体拡散
炉用ウェハボートの製造方法によれば、高純度ＳｉＣ膜
よりなる中空殻状構造のウェハボートを、良好な形状精
度により、容易かつ効率的に、確実に製造することがで
きる。特に、黒鉛基材の組立法を採用することにより、
大型ウェハボートの製造も容易である。
炉用ウェハボートの製造方法によれば、高純度ＳｉＣ膜
よりなる中空殻状構造のウェハボートを、良好な形状精
度により、容易かつ効率的に、確実に製造することがで
きる。特に、黒鉛基材の組立法を採用することにより、
大型ウェハボートの製造も容易である。
【００３７】本発明の方法で得られるウェハボートは、 中空殻状で、基材がないため、基材からの不純物拡
散によるウェハ汚染の問題が全くない。 仮りに、ＳｉＣ膜にクラックが発生してもウェハを
載置できれば良く、クラック発生による影響は全くな
い。 中空殻状であるため、軽量で、熱容量が小さく短時
間で加熱できる。 熱衝撃に強い。 等の効果を奏し、大型、高純度ウェハボートとしてもき
わめて有効に使用される。
散によるウェハ汚染の問題が全くない。 仮りに、ＳｉＣ膜にクラックが発生してもウェハを
載置できれば良く、クラック発生による影響は全くな
い。 中空殻状であるため、軽量で、熱容量が小さく短時
間で加熱できる。 熱衝撃に強い。 等の効果を奏し、大型、高純度ウェハボートとしてもき
わめて有効に使用される。
【図１】第１図は本発明の方法により製造されるウェハ
ボートの棒状部材の部分の断面図である。
ボートの棒状部材の部分の断面図である。
【図２】第２図は第１図の−線に沿う断面図であ
る。
る。
【図３】第３図はウェハボートの斜視図である。
【図４】第４図はＳｉＣコーティングによる湾曲の状態
を説明する模式的な断面図である。
を説明する模式的な断面図である。
【図５】第５図はＳｉＣコーティングによる湾曲の状態
を説明する模式的な断面図である。
を説明する模式的な断面図である。
【図６】第６図は実施例１で作製したウェハボートの平
面図である。
面図である。
【図７】第７図は同側面図である。
【図８】第８図は実施例２で作製したウェハボートの棒
状部材の断面図である。
状部材の断面図である。
１ 棒状部材 ２ 溝 ３ 開孔部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 和明 岡山県玉野市玉３丁目１番１号 三井造船 株式会社玉野事業所内
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハを保持するための複数の溝が、側
面長さ方向に並列して形成された棒状部材を備える、炭
化珪素膜よりなる中空殻状構造のウェハボートを、黒鉛
基材の表面に化学蒸着法により炭化珪素膜を形成した
後、前記黒鉛基材を燃焼除去することにより製造する方
法において、前記棒状部材形成部に相当する黒鉛基材に
マスキングを施して炭化珪素膜を形成する方法であっ
て、 該黒鉛基材は熱膨張異方性比が１．０８以下の等方性高
純度黒鉛よりなり、 前記マスキングは、前記黒鉛基材の溝が形成された面の
反対側の面に、前記棒状部材の直径又は幅の１／４以上
の幅で、該黒鉛基材の長さ方向に施し、かつ前記炭化珪
素膜の厚さを０．２ｍｍ以上とすることを特徴とする半
導体拡散炉用ウェハボートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926891A JP2701615B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24926891A JP2701615B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590184A true JPH0590184A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2701615B2 JP2701615B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=17190443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24926891A Expired - Lifetime JP2701615B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体拡散炉用ウェハボートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701615B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6673198B1 (en) | 1999-12-22 | 2004-01-06 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved process drift control |
| KR102066382B1 (ko) * | 2019-02-28 | 2020-01-14 | 가부시키가이샤 아드맵 | SiC막 구조체 |
| CN111868885A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-10-30 | 艾德麦普株式会社 | SiC膜单体构造体 |
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| JPS5062579A (ja) * | 1973-10-02 | 1975-05-28 | ||
| JPS577923A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Manufacture of receiving table for processing single silicon crystal wafer |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24926891A patent/JP2701615B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US11508570B2 (en) | 2019-02-28 | 2022-11-22 | Admap Inc. | SiC film structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2701615B2 (ja) | 1998-01-21 |
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