JPH01130522A - ウェハボートの製造方法 - Google Patents
ウェハボートの製造方法Info
- Publication number
- JPH01130522A JPH01130522A JP28977287A JP28977287A JPH01130522A JP H01130522 A JPH01130522 A JP H01130522A JP 28977287 A JP28977287 A JP 28977287A JP 28977287 A JP28977287 A JP 28977287A JP H01130522 A JPH01130522 A JP H01130522A
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Links
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
未発明はウェハボートの製造方法の改良に関する。
半導体デバイスの製造工程のうち９例えば酸化工程や拡
散工程では半導体ウェハをウェハボートにａ置し、この
ウェハボートを拡散炉内に装入して熱処理が行なわれる
。上記ウェハボートは、半導体ウェハを保持するための
溝が形成された支持部を有し、多数の半導体ウェハを立
設できるようになっている。また、ウェハボートを構成
する材質としては、耐熱性に劣る石英ガラスに代って、
ＳｉＣ系の材質が用いられるようになってきている。
散工程では半導体ウェハをウェハボートにａ置し、この
ウェハボートを拡散炉内に装入して熱処理が行なわれる
。上記ウェハボートは、半導体ウェハを保持するための
溝が形成された支持部を有し、多数の半導体ウェハを立
設できるようになっている。また、ウェハボートを構成
する材質としては、耐熱性に劣る石英ガラスに代って、
ＳｉＣ系の材質が用いられるようになってきている。
従来、こうしたＳｉＣ系の材質からなるウェハボートは
、スリップキャスティングされた成形体を機械加工する
方法、又は押出成形された成形体を機械加工する方法を
用いて製造されている。
、スリップキャスティングされた成形体を機械加工する
方法、又は押出成形された成形体を機械加工する方法を
用いて製造されている。
しかしながら、これらの方法では、高硬度のＳｉＣ系の
材質を機械加工しなければならないため、加工費が高く
コスト上昇につながるという問題がある。
材質を機械加工しなければならないため、加工費が高く
コスト上昇につながるという問題がある。
本発明は上記問題点を解消するためになされたものであ
り、コスト上昇を招くことなく容易にウェハボートを製
造し得る方法を提供することを目的とする。
り、コスト上昇を招くことなく容易にウェハボートを製
造し得る方法を提供することを目的とする。
本発明のウェハボートの製造方法は、半導体ウェハを保
持する溝が形成された複数の棒状部材と、これら棒状部
材の両端部を保持する支持板とをそれぞれ５ｉＣ−３ｔ
で作製し、両者をＳｉＣを分散させた樹脂で接着した後
、加熱溶接することを牛ν徴とするものである。
持する溝が形成された複数の棒状部材と、これら棒状部
材の両端部を保持する支持板とをそれぞれ５ｉＣ−３ｔ
で作製し、両者をＳｉＣを分散させた樹脂で接着した後
、加熱溶接することを牛ν徴とするものである。
本発明において、樹脂としては熱硬化性樹脂を用いるこ
とが望ましい。
とが望ましい。
このような方法によれば、５ｉＣ−３ｔからなる棒状部
材と支持板とを別々に作製し、ＳｉＣを分散させた樹脂
で接着した後、加熱溶接することによりＳｉと樹脂中の
Ｃとが反応してＳｉＣが生成し、両者が固定される。し
たがって、高硬度のＳｉＣ系の材質を機械加工する必要
がないので、コスト上昇を招くこともない。
材と支持板とを別々に作製し、ＳｉＣを分散させた樹脂
で接着した後、加熱溶接することによりＳｉと樹脂中の
Ｃとが反応してＳｉＣが生成し、両者が固定される。し
たがって、高硬度のＳｉＣ系の材質を機械加工する必要
がないので、コスト上昇を招くこともない。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
まず、第２図に示すような棒状部材１及び第３図に示す
ような支持板３をそれぞれ別々に作製した。上記棒状部
材ｌはカーボン製の棒を機械加工してｙｔ２．・・・を
形成した後、珪化し、更にＳｔを含浸させたものである
。また、支持板３もカーボン製の半円弧状の板を機械加
工して嵌合部４を形成した後、珪化し、更にＳｉを含浸
させたものである。
ような支持板３をそれぞれ別々に作製した。上記棒状部
材ｌはカーボン製の棒を機械加工してｙｔ２．・・・を
形成した後、珪化し、更にＳｔを含浸させたものである
。また、支持板３もカーボン製の半円弧状の板を機械加
工して嵌合部４を形成した後、珪化し、更にＳｉを含浸
させたものである。
次いで、第１図に示すように、棒状部材１と支持板３と
をＳｉＣを分散させたフェノール樹脂５で接着した後、
加熱溶接した。この結果、フェノール樹脂５のカーボン
と棒状部材１及び保持板３中のＳｉとが反応してＳｉＣ
となり、両者が固定された。
をＳｉＣを分散させたフェノール樹脂５で接着した後、
加熱溶接した。この結果、フェノール樹脂５のカーボン
と棒状部材１及び保持板３中のＳｉとが反応してＳｉＣ
となり、両者が固定された。
このような方法によれば、高硬度のＳｉＣ系の材質を機
械加工する必要がないので、コスト上昇を招くことがな
い。
械加工する必要がないので、コスト上昇を招くことがな
い。
以北詳述したように本発明方法によれば、コスト上昇を
招くことなく、耐熱性の高いＳｉＣ系のウェハボートを
製造できるものである。
招くことなく、耐熱性の高いＳｉＣ系のウェハボートを
製造できるものである。
第１図は本発明の実施例におけるウェハボートの斜視図
、第２図は同ウェハボートを構成する棒状部材の側面図
、第３図は同ウェハボートを構成する支持板の側面図で
ある。 ｌ・・・棒状部材、２・・・溝、３・・・支持板、４・
・・嵌合部、５・・・フェノール樹脂。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 す 第１図 第２図 第３図
、第２図は同ウェハボートを構成する棒状部材の側面図
、第３図は同ウェハボートを構成する支持板の側面図で
ある。 ｌ・・・棒状部材、２・・・溝、３・・・支持板、４・
・・嵌合部、５・・・フェノール樹脂。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 す 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）半導体ウェハを保持する溝が形成された複数の棒
状部材と、これら棒状部材の両端部を保持する支持板と
をそれぞれＳｉＣ−Ｓｉで作製し、両者をＳｉＣを分散
させた樹脂で接着した後、加熱溶接することを特徴とす
るウェハボートの製造方法。 - （２）樹脂が熱硬化性樹脂であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のウェハボートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28977287A JPH01130522A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | ウェハボートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28977287A JPH01130522A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | ウェハボートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130522A true JPH01130522A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17747563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28977287A Pending JPH01130522A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | ウェハボートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130522A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100350448B1 (ko) * | 1999-08-25 | 2002-08-28 | 삼성전자 주식회사 | 실리카 소결용 웨이퍼 카세트 |
| US7055702B1 (en) | 2000-06-06 | 2006-06-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat |
| US7381768B2 (en) | 2001-09-04 | 2008-06-03 | W.R. Grace & Co. -Conn. | Two-phase compositions |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5293409A (en) * | 1976-01-31 | 1977-08-05 | Kyushu Refractories | Manufacture of refractory brick blocks |
| JPS53142183A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-11 | Toshiba Ceramics Co | Silicon wafer jig |
| JPS59184773A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-20 | 日立化成工業株式会社 | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
| JPS6161831B2 (ja) * | 1984-01-12 | 1986-12-27 | Yamato Sewing Machine Mfg |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP28977287A patent/JPH01130522A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5293409A (en) * | 1976-01-31 | 1977-08-05 | Kyushu Refractories | Manufacture of refractory brick blocks |
| JPS53142183A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-11 | Toshiba Ceramics Co | Silicon wafer jig |
| JPS59184773A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-20 | 日立化成工業株式会社 | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
| JPS6161831B2 (ja) * | 1984-01-12 | 1986-12-27 | Yamato Sewing Machine Mfg |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100350448B1 (ko) * | 1999-08-25 | 2002-08-28 | 삼성전자 주식회사 | 실리카 소결용 웨이퍼 카세트 |
| US7055702B1 (en) | 2000-06-06 | 2006-06-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat |
| US7381768B2 (en) | 2001-09-04 | 2008-06-03 | W.R. Grace & Co. -Conn. | Two-phase compositions |
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