JPS59200431A - ウエハ−ボ−ト搬送用具 - Google Patents

ウエハ−ボ−ト搬送用具

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JPS59200431A
JPS59200431A JP7390083A JP7390083A JPS59200431A JP S59200431 A JPS59200431 A JP S59200431A JP 7390083 A JP7390083 A JP 7390083A JP 7390083 A JP7390083 A JP 7390083A JP S59200431 A JPS59200431 A JP S59200431A
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JP
Japan
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wafer
wafer boat
sic
furnace core
boat
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Pending
Application number
JP7390083A
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English (en)
Inventor
Takashi Tanaka
隆 田中
Shigeru Abe
茂 安部
Yutaka Ishizuka
豊 石塚
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Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
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Publication of JPS59200431A publication Critical patent/JPS59200431A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体ウェハーを載置したウェハーポートを
炉芯管へ出し入れする際に用いるウェハーポート搬送用
具に関するものである。
従来、半導体装置の製造工程中に半導体ウェハーの不純
物拡散処理や酸化処理等を行う場合、半導体ウェハーを
ボートに乗せて炉芯管へ引出棒を用いて出し入れしてい
た。
第1図は、従来のウェハーボートの炉芯管への出し入れ
の状況を示すものである。図中、21は炉芯管であり、
石英ガラス又はSi −8iC質等から成る。炉芯管2
1の外側には図示しないヒーターがあり、それにより炉
芯管21内を加熱する。炉芯管21内には、ウェハーW
を載置したウェハーボート22を入れて処理を行う。ウ
ェハーボート22の材質は、通常石英ガラス、SiC質
等が使用されている。このウェハーボート22には、車
輪25が設けられている。(また、図示しない車輪のつ
いたマザーボートにウェハーボートを乗せて処理を行う
場合もある。) ウェハーボート22を炉芯管21へ出し入れするのであ
るが、その際、ウェハーボート22の係止部24に引出
棒26の首部27を掛止して引出棒26を前後に移動さ
せていた。
引出棒26は高純度が要求されるため、一般に石英ガラ
スが用いられている。
前述のように引出棒26を用いてウェハーボート22の
出し入れを行うと、ウェハーボート22(又はマザーボ
ート)の車輪25が炉芯管21の底部に接触するため、
出し入れをたとえ緩速で行ったとしても、ウェハーボー
ト22が振動したり、あるいは若干の粉じんが炉芯管2
1内で飛散したりした。このような振動や粉じんの飛散
は、S1ウエハーに対して結晶欠陥を惹起する原因とな
り問題であった。
このため、最近になってソフトローディング方式が検討
されるようになってきた。
ソフトローディング方式とは、つlバーボートを搬送用
具に載せて炉芯管内壁に接触させないで出し入れするも
のである。
従来のソフトローディング用の搬送用具としては、例え
ば特開昭56−36129月公報に開示のボート1(第
2図)がある。ウェハー2はボート1の先端に載置用治
具3を介して載せられている。4は炉芯管である。
この他の従来のソフトローディング用搬送用具としては
、例えば特開昭56−45020号公報に開示のボート
5(第3図)や、特開昭57−170523号公報に開
示のボート支えアーム7(第4図)がある。ウェハー2
はそれぞれボート5、ボート支えアーム7の先端にそれ
ぞれ収納治具6、ウェハーボート8を介して載せられて
いる。第4図において符号9は炉芯管を示す。
第4図のウェハーボート8は、ボート支えアーム7から
降されて炉芯管9内に直接置かれる。このため、ウェハ
ーボート8には足8aが設けられている。
これら従来のウェハーボート搬送用具は、純度的な観点
から、石英ガラス材質のものが主体であった。
しかし、ソフトローディングは、高温の炉内に搬送用具
の一端を挿入し、他端は室温にて固定支持するものであ
るため、搬送用具内に温度勾配が発生する。この温度勾
配によって搬送用具の材質内に熱的応力が発生し、残留
応力として材質の機械的強度を低下させる。
このため、ソフトローディング用の搬送用具の材質とし
て高純度のものが当然必要となるのであるが、高強度で
あること及び高温での耐クリープ特性に優れていること
も要求される。
しかし、石英ガラスは周知の如く高温で変形を起し、ま
た表面のキズ等により強度が極端に小さくなる等の問題
点を有していた。
この発明は、上記の実情に鑑みてなされたもので、材質
が高純度であるとともに高温でも機械的強度が低下せず
、しかも高温での耐クリープ性に優れたウェハーポート
搬送用具を提供することを目的とするものである。
本発明は半導体ウェハーを載置したウェハーボートを炉
芯管へ出し入れする際に用いるウェハーポート搬送用具
であって、SiC質から成り、2本以上の棒状の支持部
で上記ウェハーボートを支持し、炉芯管内壁にウェハー
ボートを接触させずに出し入れするように構成したもの
である。
炉芯管内壁に無接触でウェハーボートを出し入れするた
めの搬送用具として要求される主な特性は次のとおりで
ある。
(1)ウェハーを載置したウェハーポートを塔載しても
変形しない。
(2)高純度。
(3)耐熱性。
(4)高強度。
本発明は、耐熱性を有するだけでなく高強度であり、し
かも高温でも変形のしないSiC質を用いるものである
。しかし、S i C質の成形体は気孔が約10〜20
%あるため、Siを10〜40%含浸し、高純度化する
のが望ましい。また、表面に緻密質SiCをCVDコー
トすれば、さらに高純度化することができる。
本発明の最も好しい実施態様にあっては。
純度99.95重働%以上のSiC材質で、しかもSi
含有率を3〜25重量%にする。
このようにS:が含有率3〜25重量%含まれていると
、熱伝導が良く、支持具内に極端な温度勾配が発生しな
い。このため、熱的応力が発生せずi1!濃でも機械的
強度の低下がみられない。また、5iC−3iCの焼結
−Bondingが大きく、しかも材質の純度が高いの
で高温での耐クリープ性に優れている。そのためウェハ
ーポート搬送用具は高温でもほとんど撓むことがない。
したがってウェハーポートの位置設定が大変容易である
SiC質の材料とSi含有率をいろいろと変えたSiC
質の材料を用い、これらの材料の一端を1200℃の炉
内に出し入れして抗折強度を測定し、その低下率を測定
した。材料はいずれも外径25IIll11内径10n
+n+、長さ2000mmのものを用いた。出し入れの
操作は2(1m/分のスピードで100回くり返した。
測定結果を第1表(後掲)に示す。
Siが40重量%以上のものは、100回出し入れする
前に折損した。この測定結果から、Siを25重量%よ
りも多く含有づ°るSiC材質は、使用状況によっては
問題が生じることが分った。
SiC材質はいわゆる反応焼結法で構成されるコンポジ
ッ十である。その特性は3iとSiCとの組成比で決定
される。
そこで、3i含有率を5〜45重量%まで段階的に変え
てSiC材質を構成し、高温でのSiC材質の特性を調
査した。材料の形状はいずれも外径25IIIII11
内径15IllIl、長さ200ommであった。調査
は第5図に示すように材料30の片端30aを固定支持
し他端3obに10.0koの荷重Wをかけた状態で、
1200℃の濃度中に15時間保持して行い、端30b
の変位りを測定し、全長しに対する変位りの割合(%)
を計算した。測定結果を第6図にグラフ33として示す
調査の結果、変位量はSi含有率25重量%付近を境に
して急激に増大することが分った。
Si含有率の違いによる変位りの変化は、次のように説
明できる。すなわちSiC粒子同士の3ondingが
Si含有率と相関しており。
S1含有率が30〜35重口%以上では51C−8iC
の焼結−B ond ing+7) 数カ小’a <、
Siのクリープ特性に近づくために変位りが大きくなる
のである。
又、A1等の不純物が500 ppm以上存在する材料
についても、上記の測定と同じ条f1で変位量を測定し
たところ、不純物が多くなると変位が増大する傾向があ
った。
変位りが大きいと、搬送用具の支持部におけるウェハー
ポートの位置の設定がむずかしくなる。
変位りは支持用具の形状°やサイズによっても左右され
るが、いずれのサイズや形状であってもSi含有率が2
5重量%よりも多くなるとクリープ特性による変形が大
きく ’、>る。
また、S1含有率が25重量%よりも多くなると5ic
−s+ cのBondingが小す(ナルため機械的強
度が低下する。
炉芯管内壁に無接触でウェハーボートを出し入れするた
めには、搬送用具の形状が大きな問題となる。変形を防
止して強度をもたせるためには搬送用具の一形状を大き
くすればよいが、炉芯管の直径が大きければ、ウェハー
ボート搬送用具を大きくしてもウェハーボートを無接触
で出し入れすることはできる。しかし、炉芯管を必要以
上に大きくすると、装置が大型化するばかりでなく、熱
効率の点からも問題が生じる。
本発明は、ウェハーボート搬送用具のウェハーボート支
持部を2本以上の棒状とし、狭い炉芯管内であっても炉
芯管内壁に接触することな(出し入れが出来るようにし
、棒状であっても変形のない高強度のSiC質で作った
ものである。
次に本発明の好適な実施例を第8〜12図に基づいて詳
細に説明する。
第8図は本発明によるウェハーボート搬送用具の一例を
示す斜視図である。図面において、10はウェハーボー
ト11(第11〜12図)を保持するウェハーボート支
持部であり、棒状になっていて、ブロック12でアーム
13と一体に構成されている。この実施例では、ウェハ
ーボート支持部10は丸棒状になっており、SiCに3
iを20%含浸したもので構成されている。アーム13
の左端は従来どおり適当な駆動手段に固定する。
第9図は、本発明の一変形例を示しており、ウェハーボ
ート支持部10’を3本とし、ウェハーボート11を塔
載しIC時の安定性をさらに良(している。このウェハ
ーボート支持部10’ は高温の炉内に入れIC時の熱
変形を防ぐために断面四角形とし、強度をさらに向上さ
せである。
ウェハーボート支持部の断面形状は上記形状に限らず、
三角形、六角形、へ角形等適宜選択できる。
また、ウェハ−ボー1〜支持部の本数は」二記本数に限
らず2〜3本以上にして安定性や強度を向上させること
もできる。
第10図の実施例は第8図の実施例に似ているが、支持
部10の先端に上方に突起したストッパ10aが形成さ
れている。アーム13の一端は駆動手段の一部16に固
定されている。
次に本発明の搬送用具を用いて炉芯管内にウェハーボー
トを搬送する場合について、第11〜12図に基づいて
説明する。
炉芯管21(第1図)又は4(第2図)の中に、ウェハ
ーW又は2を載置したウェハーボート11(第11〜1
2図)を出し入れする。ウェハーボー1〜11の下部に
は足(凸部)14が4ケ所に設けである。また両側面に
は腕15が設けてあり、内面には、ウェハーW又は2を
載置する溝が切っである。
上記のようなウェハーボート11にウェハーW又は2を
載置した後、ウェハーボート搬送用具のアーム13を移
動させて、ウェハーボート支持部10,10’を矢印方
向に動かし、ウェハーボート11の腕15(又は足14
間のウェハーボート下部)を下側から支持し、図示しな
い上下動用駆動モーターで所定位置まで持ち上げ、図示
しない前後動用駆動モーターで炉芯管1内の所定位置ま
で搬送し、しかる後、前記上下動用駆動モーターでウェ
ハーボート11を炉芯管1内に降し、ウェハーポート搬
送用具だけを前記前後動用駆動モーターで炉外へ戻す。
以上のように本発明のウェハーポート搬送用具は、狭い
炉芯管内であってもウェハーボート支持部10,10’
を炉芯管内壁に接触させることなくウェハーボート11
を炉芯管内へ出し入れすることができる。
また、SiC質であるため、耐熱性がある。
さらに、高強度であるため、高温の炉芯管内であっても
、熱変形を起すことがない。
なお、前述の実施例では、アーム13と支持部10,1
0’をブロック12で一体的に固定しているが、ブロッ
ク12を用いずにフ夕等に固定してもよい。その場合、
搬送具を炉内に入れたままで処理できる。また、アーム
13を設けずに支持部10.10’を長くし、直接支持
部10,10’の一端を固定手段16に固定するように
してもよい。
また、本発明の搬送用具で搬送するウェハーボート11
は図示した形状に限定されるものでない。ウェハーボー
トの形状は自由であり、ウェハーポート搬送用具の支持
部10゜10′が炉芯管内壁に接触しないでウェハーポ
ートを支持できる形状であればよい。またSiC質に石
英ガラス管をかぶせてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の炉芯管の内部状況を示す説明図、第2図
は従来の支持具を示す側面図、第3図は従来の他の支持
具を示す斜視図、第4図は従来のさらに他の支持具を示
す側面図、第5図はSiC材質の変位量を測定する方法
を示す側面図、第6図はSiC材質の3i含有率と変位
量の関係を示すグラフ、第7図はSiC材質のSi含有
率と機械的強度の関係を示すグラフ、第8図は本発明の
ウェハーポート搬送用具の一例を示す斜視図、第9図は
他の例を示す斜視図、第10図は本発明のさらに他の例
を示す斜視図、第11図は本発明のウェハーポート搬送
用具の使用例を示す斜視図、第12図はその正面図であ
る。 10.10′ ・・・ウェハ−ボー1〜支持部11・・
・・・・・ウェハーポート 12・・・・・・・ブロック 13・・・・・・・アーム 第1表 SLt噛雫 第8図 0 第9図 手続補正口(自発) 昭和58年8月Z日 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 特願昭58−73900号 2、発明の名称 ウェハーポート搬送用具 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿1−26−2名称 東芝セラ
ミックス株式会社 代表者 村松文雄 4、代理人 住所 東京都港区西新橋2−39−8 鈴丸ビル 6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄及び図面 7、補正の内容 1)明細書第17頁の第1表を別紙のように補正します
。 2)第6図及び第7図を別紙のように補正します。 第1表 146− 5Lt嘴帛

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェハーを載置したウェハーボートを炉芯
    管へ出し入れする際に用いるウェハーポート搬送用具に
    おいて、SiC質から成り、2本以上の棒状の支持部で
    上記ウェハーボートを支持して炉芯管に接触させずに出
    し入れする構成にしたことを特徴とするウェハーボート
    搬送用具。
  2. (2)前記棒状の支持部にSiを含浸したことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項に記載のウェハーポート搬送
    用具。
  3. (3)前記棒状の支持部に緻密質SiCをCvDコー1
    〜したことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2
    項に記載のウェハーポート搬送用具。
  4. (4)前記棒状の支持部を石英ガラスで被覆したことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項に
    記載のウェハーポート搬送用具。
  5. (5)純度99.95重量%以上のSiC質にし、しか
    もSi含有率が3〜25重量%であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の
    ウェハーポート搬送用具。
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