JPS6389539A - 光学式デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。

（従来の技術） レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいほこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、Ｅｒａｓａｂ
ｌｅ−ＤＲＡＷ（イレーザブル−ダイレクト・リード・
アフター・ライト）型光学式情報記録再生方式は著しく
記録密度を上げることができ特にＥｒａｓａｂｌｅ　　
ＤＲＡＷ型では記録の消去、書き込みも可能であり、且
つそれらから再生される画像や音質が優れた特性を有す
ることから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報
記録再生等に広く実用されることが期待されている。こ
の記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体
をレーザー光線が透過するために透明であることは勿論
のこと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が
強く求められる。ディスク本体形成時の附脂の冷却及び
流動過程において生じた熱応力９分子配向、ガラス転移
点付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レ
ーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ず
るっこの複屈折に起因する光学的不均一性が大きいこと
は光学式ディスクとしては致命的欠陥である。

（発明が解決しようとする問題点） このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力２分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。

（問題点を解決するための手段） 複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）式
で表すことができる。

ｎｌ−ｎ２＝　Ｃ（ａｌ−ａ２）　　　　　　　　（１
）ｎｘ−ｎ２：複屈折 ａｏ−０２＝残留応力 Ｃ：光弾性定数 （１）式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。そこで発明者らは２，２−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンと１，１−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンをカー
ボネート結合によって共重合させることによって芳香族
ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく光弾性
定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至
ったものである。

（発明の構成） 本発明は２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン（Ｉ）９７〜３モル％と１．ｔビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン（ＩＩ
）３〜９７モル％とをカーボネート結合して得られる芳
香族ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスク
に関する。かくして、この発明によれば、下記の式（Ｉ
）、（ＩＩ）で示されるビスフェノールがカーボネート
結合により共重合してなる芳香族ポリカーボネート共重
合体が提供される。

（Ｉ）　　　　　　　　　　（ＩＩ） また、式（ＩＩ　）の構成単位は１０〜９０モル％が好
ましい。というのは、式（ＩＩ　）の構成単位が１０モ
ル％未満のものであると得られる芳香族ポリカーボネー
トの光弾性定数が式ＣＩ）のホモポリカーボネートとほ
とんど変わらずまた、式（ＩＩ　）の構成単位が９０モ
ル％を超えると得られる芳香族ポリカーボネートのガラ
ス転移点が式（Ｉ）のホモポリマーに較べて著しく低下
する４、なお、本発明の共重合体の粘度平均分子能は １３．０００〜５０，０００が好ましい。１３，０００
未°満では共重合体がもろくなり５０，０００を越える
と共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。

さらに、第３成分を共重合体させることも可能である。

本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては、
次の２つのの方法がある。

■エステル交換法 ２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパンと
１．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニルルｍ−ジイ
ソプロピルベンゼンの混合物に対し化学量論的に当量よ
りやや過剰のジフェニルカーボネートに通常のカーボネ
ート化触媒の存在下的１６０〜１８０°Ｃの温度下で常
圧下、不活性ガスを導入した条件下で約３０分反応させ
約２時間〜３時間かけて徐々に減圧しながら１８０〜２
２０°Ｃの温度下で最終的に１０Ｔｏｒｒ、２２０°Ｃ
下で前縮合を終了する。その後、１０Ｔｏｒｒ、２７０
°Ｃ下で３０分、５Ｔｏｒｒ、２７０°Ｃ下で２０分反
応し、次いで０．５Ｔｏｒｒ以下好ましくは０．３Ｔｏ
ｒｒ〜０．ＩＴｏｒｒの減圧下で２７０８Ｃ下で土５時
間〜２．０時間後稜線を進める。尚、カーボネート結合
のためカーボネート化触媒としてはリチウム系触媒、カ
リウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触媒、
錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒が適
しており例えば水酸化リチウム、炭酸リチウム、水素化
ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナトリウ
ム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、ジブ
チル錫オキシド、酸化第１錫が挙げられる。これらのう
ち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。

■ホスゲン法 三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管をつける。２，２−ビス、（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンと１エビスー（４，ヒドロキシフェニル）
−ｍ−ジイソプロピルベンゼンの混合物をピリジンに溶
かしこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガスを導入す
るのであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なドラフ
ト中で操作する。

また、排気末端には水酸化ナトリウム１０％水溶液で余
剰ホスゲンを分解無毒化するユニットをつける。ホスゲ
ンはボンベからの洗気びん、パラフィンを入れた洗気び
ん（池数を数える）、空の洗気びんを通してフラスコに
導入する。ガラス導入管はかき混ぜ機の上に差し込むよ
うにし、析出するピリジン塩によってつまらないように
するため先端を漏斗状に広げておく。ガス導入に伴いピ
リジンの塩酸塩が析出して内容は濁ってくる。反応温度
は３０°Ｃ以下になるように水冷する。縮合の進行とと
もに粘ちょうになってくる。ホスゲン−塩化水素錯体の
黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反応終了後
、メタノールを加えて重合俸を沈殿せしめ、ろ別乾燥す
る。生成するポリカーボネートは塩化メチレン、ピリジ
ン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに溶けるか
ら、これらの溶液からメタノールで再沈殿して精製する
。このようにして得られるポリカーボネート共重合体は
、レーザー光線により信号を記録し、あるいは、レーザ
ー光線の反射又は透過により記録された信号の読み出し
をおこなうＤＲＡＷ、Ｅｒａｓａｂｌｅ−ＤＲＡＷ光学
式情報記録用ディスクに有用である。以下に本発明を実
施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に
よって限定されるものではない。

実施例１ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン１
６４重量部（６０ｍｏ１％）と１，１′−ビス−（４−
ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン１
６６重量部（４０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネート
２６４重量部を３１三つロフラスコに入れ脱気、Ｎ２パ
ージを５回繰り返した後、シリコンバス１６０°Ｃで窒
素を導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネー
ト化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノール
に溶かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に対して
１０−３ｍｏ１％量）を加え、１６０°Ｃ，Ｎ２下、３
０分攪はん醸成した。次に、同温度下、１ＱＱＴｏｒｒ
にし３０分攪はんした後、同温度下でさらに５ＱＴｏｒ
ｒに減圧し３０分反応させた。次に徐々に温度を２２０
°Ｃまで上げ３０分反応させここまでの反応でフェノー
ル留出理論量の８０％を留出させた。しかるのち、同温
度下でｌ　ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反応させ温度を徐
々に２７０°Ｃに上げ、３０分反応させた。さらに同温
度下で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応させ、フェノール
留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に
同温度下で０．１〜Ｑ、３Ｔｏｒｒで２時間径縮合させ
た。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した後
ジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃにて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量はＭｖ＝
２１，０００であった。また、ＤＳＣ（示差走査熱量計
）からガラス転移点はＴｇ＝　１３０’Ｃであることが
、わかった。光弾性定数を測定するとＣ＝　６２　Ｂｒ
ｅｗｓｔｅｒｓ（１０−１２ｍ２／Ｎ）であることが、
わかった。

実施例２ 三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。ジクロルメタンに２，２−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン１６４２’ＦＡ　Ａ　部と
１．１′−ビス＝（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジ
イソプロピルベンゼン１６６重量部を溶かし、水酸化ナ
トリウム１０重量％水溶液を加えこれを激しく攪はんし
ながらホスゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから
空の洗気びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通
してフラスコに導入した。

ホスゲンガスを導入中の反応温度は２５６Ｃ以下になる
ように水冷した。縮合の進行とともに溶液は粘ちょうに
なってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消
えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタノ
ールに反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を繰り返した。さ
らに生成したポリカーボネートはジクロルメタンの溶液
からメタノールで再沈精製した。精製後よく乾燥したの
ちジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃにて溶液粘度
を測定した。この値から算出した粘度を測定した。この
値から算出した粘度平均分子量はＭｖ　＝　２２，００
０であった。

（記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施ｒ！
ＩＪ１，２に記載のポリカーボネート共重合体を射出成
形機（化機製作所製、ダイナメルター）を用いて直径１
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成形し、この
基板上に Ｔｂ２３．５Ｆｅ６４．２ＣＯ１２，３（原子％）の合
金ターゲットを用いてスパッタリング装置（ＲＦスパッ
タリング装置、日本真空（株）製）中で光磁気記録膜を
１．０００人形成した。この記録膜上に本出願人による
特開昭６０−１７７４４９号に記載の無機ガラスの保護
膜１，０００人を上記と同じスパッタリング装置を用い
て形成した。得られた光磁気ディスクの性能をＣＮ比、
ＢＥＲおよび６０°Ｃ９０ＲＨ％の条件下でのＣＮ比変
化率で評価した。結果は表１の通りであった。

表１ （注１）　ＣＮ比＝書き込みパワー７ｍＷ（ミリワット
）、読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、
分解能帯域中３０ＫＨｚで測定（注２）　ＣＮ変化率（
％）＝初期ＣＮ比に対する６０°Ｃ，９０ＲＨ％条件下
で３１経過後のＣＮ比の低下度 （注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（音大化
成（株）ＡＤ−５５０３）基板を用いて上記と同じ手順
で光磁気ディスクを作ったものである。

表１の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりＣＮ比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ２、２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン９
   ７〜３モル％と１、１−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
   ル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン３〜９７モル％とを
   カーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート
   共重合体から成る光学式ディスク