JPS6389539A - 光学式デイスク - Google Patents
光学式デイスクInfo
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- JPS6389539A JPS6389539A JP61234283A JP23428386A JPS6389539A JP S6389539 A JPS6389539 A JP S6389539A JP 61234283 A JP61234283 A JP 61234283A JP 23428386 A JP23428386 A JP 23428386A JP S6389539 A JPS6389539 A JP S6389539A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。
(従来の技術)
レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいほこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すDRAW(ダ
イレクト・リード・アフター・ライト)、Erasab
le−DRAW(イレーザブル−ダイレクト・リード・
アフター・ライト)型光学式情報記録再生方式は著しく
記録密度を上げることができ特にErasable
DRAW型では記録の消去、書き込みも可能であり、且
つそれらから再生される画像や音質が優れた特性を有す
ることから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報
記録再生等に広く実用されることが期待されている。こ
の記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体
をレーザー光線が透過するために透明であることは勿論
のこと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が
強く求められる。ディスク本体形成時の附脂の冷却及び
流動過程において生じた熱応力9分子配向、ガラス転移
点付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レ
ーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ず
るっこの複屈折に起因する光学的不均一性が大きいこと
は光学式ディスクとしては致命的欠陥である。
スクに微細なピットで信号を記録あるいほこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すDRAW(ダ
イレクト・リード・アフター・ライト)、Erasab
le−DRAW(イレーザブル−ダイレクト・リード・
アフター・ライト)型光学式情報記録再生方式は著しく
記録密度を上げることができ特にErasable
DRAW型では記録の消去、書き込みも可能であり、且
つそれらから再生される画像や音質が優れた特性を有す
ることから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報
記録再生等に広く実用されることが期待されている。こ
の記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体
をレーザー光線が透過するために透明であることは勿論
のこと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が
強く求められる。ディスク本体形成時の附脂の冷却及び
流動過程において生じた熱応力9分子配向、ガラス転移
点付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レ
ーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ず
るっこの複屈折に起因する光学的不均一性が大きいこと
は光学式ディスクとしては致命的欠陥である。
(発明が解決しようとする問題点)
このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力2分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。
おいて生じた熱応力2分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。
(問題点を解決するための手段)
複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記(1)式
で表すことができる。
で表すことができる。
nl−n2= C(al−a2) (1
)nx−n2:複屈折 ao−02=残留応力 C:光弾性定数 (1)式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。そこで発明者らは2,2−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパンと1,1−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼンをカー
ボネート結合によって共重合させることによって芳香族
ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく光弾性
定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至
ったものである。
)nx−n2:複屈折 ao−02=残留応力 C:光弾性定数 (1)式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。そこで発明者らは2,2−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパンと1,1−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼンをカー
ボネート結合によって共重合させることによって芳香族
ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく光弾性
定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至
ったものである。
(発明の構成)
本発明は2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン(I)97〜3モル%と1.tビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼン(II
)3〜97モル%とをカーボネート結合して得られる芳
香族ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスク
に関する。かくして、この発明によれば、下記の式(I
)、(II)で示されるビスフェノールがカーボネート
結合により共重合してなる芳香族ポリカーボネート共重
合体が提供される。
ロパン(I)97〜3モル%と1.tビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼン(II
)3〜97モル%とをカーボネート結合して得られる芳
香族ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスク
に関する。かくして、この発明によれば、下記の式(I
)、(II)で示されるビスフェノールがカーボネート
結合により共重合してなる芳香族ポリカーボネート共重
合体が提供される。
(I) (II)
また、式(II )の構成単位は10〜90モル%が好
ましい。というのは、式(II )の構成単位が10モ
ル%未満のものであると得られる芳香族ポリカーボネー
トの光弾性定数が式CI)のホモポリカーボネートとほ
とんど変わらずまた、式(II )の構成単位が90モ
ル%を超えると得られる芳香族ポリカーボネートのガラ
ス転移点が式(I)のホモポリマーに較べて著しく低下
する4、なお、本発明の共重合体の粘度平均分子能は 13.000〜50,000が好ましい。13,000
未°満では共重合体がもろくなり50,000を越える
と共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。
ましい。というのは、式(II )の構成単位が10モ
ル%未満のものであると得られる芳香族ポリカーボネー
トの光弾性定数が式CI)のホモポリカーボネートとほ
とんど変わらずまた、式(II )の構成単位が90モ
ル%を超えると得られる芳香族ポリカーボネートのガラ
ス転移点が式(I)のホモポリマーに較べて著しく低下
する4、なお、本発明の共重合体の粘度平均分子能は 13.000〜50,000が好ましい。13,000
未°満では共重合体がもろくなり50,000を越える
と共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。
さらに、第3成分を共重合体させることも可能である。
本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては、
次の2つのの方法がある。
次の2つのの方法がある。
■エステル交換法
2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパンと
1.1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニルルm−ジイ
ソプロピルベンゼンの混合物に対し化学量論的に当量よ
りやや過剰のジフェニルカーボネートに通常のカーボネ
ート化触媒の存在下的160〜180°Cの温度下で常
圧下、不活性ガスを導入した条件下で約30分反応させ
約2時間〜3時間かけて徐々に減圧しながら180〜2
20°Cの温度下で最終的に10Torr、220°C
下で前縮合を終了する。その後、10Torr、270
°C下で30分、5Torr、270°C下で20分反
応し、次いで0.5Torr以下好ましくは0.3To
rr〜0.ITorrの減圧下で2708C下で土5時
間〜2.0時間後稜線を進める。尚、カーボネート結合
のためカーボネート化触媒としてはリチウム系触媒、カ
リウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触媒、
錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒が適
しており例えば水酸化リチウム、炭酸リチウム、水素化
ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナトリウ
ム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、ジブ
チル錫オキシド、酸化第1錫が挙げられる。これらのう
ち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。
1.1′−ビス−(4−ヒドロキシフェニルルm−ジイ
ソプロピルベンゼンの混合物に対し化学量論的に当量よ
りやや過剰のジフェニルカーボネートに通常のカーボネ
ート化触媒の存在下的160〜180°Cの温度下で常
圧下、不活性ガスを導入した条件下で約30分反応させ
約2時間〜3時間かけて徐々に減圧しながら180〜2
20°Cの温度下で最終的に10Torr、220°C
下で前縮合を終了する。その後、10Torr、270
°C下で30分、5Torr、270°C下で20分反
応し、次いで0.5Torr以下好ましくは0.3To
rr〜0.ITorrの減圧下で2708C下で土5時
間〜2.0時間後稜線を進める。尚、カーボネート結合
のためカーボネート化触媒としてはリチウム系触媒、カ
リウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触媒、
錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒が適
しており例えば水酸化リチウム、炭酸リチウム、水素化
ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナトリウ
ム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、ジブ
チル錫オキシド、酸化第1錫が挙げられる。これらのう
ち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。
■ホスゲン法
三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管をつける。2,2−ビス、(4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパンと1エビスー(4,ヒドロキシフェニル)
−m−ジイソプロピルベンゼンの混合物をピリジンに溶
かしこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガスを導入す
るのであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なドラフ
ト中で操作する。
気管をつける。2,2−ビス、(4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパンと1エビスー(4,ヒドロキシフェニル)
−m−ジイソプロピルベンゼンの混合物をピリジンに溶
かしこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガスを導入す
るのであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なドラフ
ト中で操作する。
また、排気末端には水酸化ナトリウム10%水溶液で余
剰ホスゲンを分解無毒化するユニットをつける。ホスゲ
ンはボンベからの洗気びん、パラフィンを入れた洗気び
ん(池数を数える)、空の洗気びんを通してフラスコに
導入する。ガラス導入管はかき混ぜ機の上に差し込むよ
うにし、析出するピリジン塩によってつまらないように
するため先端を漏斗状に広げておく。ガス導入に伴いピ
リジンの塩酸塩が析出して内容は濁ってくる。反応温度
は30°C以下になるように水冷する。縮合の進行とと
もに粘ちょうになってくる。ホスゲン−塩化水素錯体の
黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反応終了後
、メタノールを加えて重合俸を沈殿せしめ、ろ別乾燥す
る。生成するポリカーボネートは塩化メチレン、ピリジ
ン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに溶けるか
ら、これらの溶液からメタノールで再沈殿して精製する
。このようにして得られるポリカーボネート共重合体は
、レーザー光線により信号を記録し、あるいは、レーザ
ー光線の反射又は透過により記録された信号の読み出し
をおこなうDRAW、Erasable−DRAW光学
式情報記録用ディスクに有用である。以下に本発明を実
施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に
よって限定されるものではない。
剰ホスゲンを分解無毒化するユニットをつける。ホスゲ
ンはボンベからの洗気びん、パラフィンを入れた洗気び
ん(池数を数える)、空の洗気びんを通してフラスコに
導入する。ガラス導入管はかき混ぜ機の上に差し込むよ
うにし、析出するピリジン塩によってつまらないように
するため先端を漏斗状に広げておく。ガス導入に伴いピ
リジンの塩酸塩が析出して内容は濁ってくる。反応温度
は30°C以下になるように水冷する。縮合の進行とと
もに粘ちょうになってくる。ホスゲン−塩化水素錯体の
黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反応終了後
、メタノールを加えて重合俸を沈殿せしめ、ろ別乾燥す
る。生成するポリカーボネートは塩化メチレン、ピリジ
ン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに溶けるか
ら、これらの溶液からメタノールで再沈殿して精製する
。このようにして得られるポリカーボネート共重合体は
、レーザー光線により信号を記録し、あるいは、レーザ
ー光線の反射又は透過により記録された信号の読み出し
をおこなうDRAW、Erasable−DRAW光学
式情報記録用ディスクに有用である。以下に本発明を実
施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に
よって限定されるものではない。
実施例1
2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン1
64重量部(60mo1%)と1,1′−ビス−(4−
ヒドロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼン1
66重量部(40mo1%)とジフェニルカーボネート
264重量部を31三つロフラスコに入れ脱気、N2パ
ージを5回繰り返した後、シリコンバス160°Cで窒
素を導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネー
ト化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノール
に溶かした溶液(仕込んだビスフェノール全量に対して
10−3mo1%量)を加え、160°C,N2下、3
0分攪はん醸成した。次に、同温度下、1QQTorr
にし30分攪はんした後、同温度下でさらに5QTor
rに減圧し30分反応させた。次に徐々に温度を220
°Cまで上げ30分反応させここまでの反応でフェノー
ル留出理論量の80%を留出させた。しかるのち、同温
度下でl QTorrに減圧し30分反応させ温度を徐
々に270°Cに上げ、30分反応させた。さらに同温
度下で5Torrに減圧し30分反応させ、フェノール
留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に
同温度下で0.1〜Q、3Torrで2時間径縮合させ
た。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した後
ジクロルメタンを溶媒に用いて20°Cにて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量はMv=
21,000であった。また、DSC(示差走査熱量計
)からガラス転移点はTg= 130’Cであることが
、わかった。光弾性定数を測定するとC= 62 Br
ewsters(10−12m2/N)であることが、
わかった。
64重量部(60mo1%)と1,1′−ビス−(4−
ヒドロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼン1
66重量部(40mo1%)とジフェニルカーボネート
264重量部を31三つロフラスコに入れ脱気、N2パ
ージを5回繰り返した後、シリコンバス160°Cで窒
素を導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネー
ト化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノール
に溶かした溶液(仕込んだビスフェノール全量に対して
10−3mo1%量)を加え、160°C,N2下、3
0分攪はん醸成した。次に、同温度下、1QQTorr
にし30分攪はんした後、同温度下でさらに5QTor
rに減圧し30分反応させた。次に徐々に温度を220
°Cまで上げ30分反応させここまでの反応でフェノー
ル留出理論量の80%を留出させた。しかるのち、同温
度下でl QTorrに減圧し30分反応させ温度を徐
々に270°Cに上げ、30分反応させた。さらに同温
度下で5Torrに減圧し30分反応させ、フェノール
留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に
同温度下で0.1〜Q、3Torrで2時間径縮合させ
た。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した後
ジクロルメタンを溶媒に用いて20°Cにて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量はMv=
21,000であった。また、DSC(示差走査熱量計
)からガラス転移点はTg= 130’Cであることが
、わかった。光弾性定数を測定するとC= 62 Br
ewsters(10−12m2/N)であることが、
わかった。
実施例2
三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。ジクロルメタンに2,2−ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパン1642’FA A 部と
1.1′−ビス=(4−ヒドロキシフェニル)−m−ジ
イソプロピルベンゼン166重量部を溶かし、水酸化ナ
トリウム10重量%水溶液を加えこれを激しく攪はんし
ながらホスゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから
空の洗気びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通
してフラスコに導入した。
管をつける。ジクロルメタンに2,2−ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパン1642’FA A 部と
1.1′−ビス=(4−ヒドロキシフェニル)−m−ジ
イソプロピルベンゼン166重量部を溶かし、水酸化ナ
トリウム10重量%水溶液を加えこれを激しく攪はんし
ながらホスゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから
空の洗気びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通
してフラスコに導入した。
ホスゲンガスを導入中の反応温度は256C以下になる
ように水冷した。縮合の進行とともに溶液は粘ちょうに
なってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消
えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタノ
ールに反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を繰り返した。さ
らに生成したポリカーボネートはジクロルメタンの溶液
からメタノールで再沈精製した。精製後よく乾燥したの
ちジクロルメタンを溶媒に用いて20°Cにて溶液粘度
を測定した。この値から算出した粘度を測定した。この
値から算出した粘度平均分子量はMv = 22,00
0であった。
ように水冷した。縮合の進行とともに溶液は粘ちょうに
なってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消
えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタノ
ールに反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を繰り返した。さ
らに生成したポリカーボネートはジクロルメタンの溶液
からメタノールで再沈精製した。精製後よく乾燥したの
ちジクロルメタンを溶媒に用いて20°Cにて溶液粘度
を測定した。この値から算出した粘度を測定した。この
値から算出した粘度平均分子量はMv = 22,00
0であった。
(記録特性の評価)
上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施r!
IJ1,2に記載のポリカーボネート共重合体を射出成
形機(化機製作所製、ダイナメルター)を用いて直径1
30mm、厚さ1.2mmの円盤状基板に成形し、この
基板上に Tb23.5Fe64.2CO12,3(原子%)の合
金ターゲットを用いてスパッタリング装置(RFスパッ
タリング装置、日本真空(株)製)中で光磁気記録膜を
1.000人形成した。この記録膜上に本出願人による
特開昭60−177449号に記載の無機ガラスの保護
膜1,000人を上記と同じスパッタリング装置を用い
て形成した。得られた光磁気ディスクの性能をCN比、
BERおよび60°C90RH%の条件下でのCN比変
化率で評価した。結果は表1の通りであった。
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施r!
IJ1,2に記載のポリカーボネート共重合体を射出成
形機(化機製作所製、ダイナメルター)を用いて直径1
30mm、厚さ1.2mmの円盤状基板に成形し、この
基板上に Tb23.5Fe64.2CO12,3(原子%)の合
金ターゲットを用いてスパッタリング装置(RFスパッ
タリング装置、日本真空(株)製)中で光磁気記録膜を
1.000人形成した。この記録膜上に本出願人による
特開昭60−177449号に記載の無機ガラスの保護
膜1,000人を上記と同じスパッタリング装置を用い
て形成した。得られた光磁気ディスクの性能をCN比、
BERおよび60°C90RH%の条件下でのCN比変
化率で評価した。結果は表1の通りであった。
表1
(注1) CN比=書き込みパワー7mW(ミリワット
)、読み取りパワー1mW、キャリア周波数IMHz、
分解能帯域中30KHzで測定(注2) CN変化率(
%)=初期CN比に対する60°C,90RH%条件下
で31経過後のCN比の低下度 (注3)比較例=従来公知のポリカーボネート(音大化
成(株)AD−5503)基板を用いて上記と同じ手順
で光磁気ディスクを作ったものである。
)、読み取りパワー1mW、キャリア周波数IMHz、
分解能帯域中30KHzで測定(注2) CN変化率(
%)=初期CN比に対する60°C,90RH%条件下
で31経過後のCN比の低下度 (注3)比較例=従来公知のポリカーボネート(音大化
成(株)AD−5503)基板を用いて上記と同じ手順
で光磁気ディスクを作ったものである。
表1の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりCN比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりCN比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。
Claims (1)
- 2、2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン9
7〜3モル%と1、1−ビス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−m−ジイソプロピルベンゼン3〜97モル%とを
カーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネート
共重合体から成る光学式ディスク
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61234283A JP2552121B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 光学式デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61234283A JP2552121B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 光学式デイスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6389539A true JPS6389539A (ja) | 1988-04-20 |
JP2552121B2 JP2552121B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=16968550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61234283A Expired - Lifetime JP2552121B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 光学式デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2552121B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0362792A2 (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Aromatic polycarbonate copolymer and optical disk having a substrate of the same |
US5993971A (en) * | 1986-09-20 | 1999-11-30 | Sony Corporation | Optical information record medium |
JP2002241599A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002265585A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Mitsui Chemicals Inc | ポリカーボネート共重合体およびその用途 |
JP2002332398A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2002332400A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカ光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
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DE112007001016T5 (de) | 2006-04-28 | 2009-02-26 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Lichtleitelement und Beleuchtungseinheit |
DE112007001139T5 (de) | 2006-05-11 | 2009-06-10 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Lichtzerstreuende Harzzusammensetzung und lichtzerstreuende Platte unter Verwendung selbiger |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61234283A patent/JP2552121B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4673997B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2011-04-20 | 帝人化成株式会社 | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
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DE112007001016T5 (de) | 2006-04-28 | 2009-02-26 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Lichtleitelement und Beleuchtungseinheit |
DE112007001050T5 (de) | 2006-05-01 | 2009-04-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Polycarbonatharz-Zusammensetzung, optischer Formkörper unter Verwendung derselben und Beleuchtungseinheit |
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KR101393901B1 (ko) * | 2006-05-01 | 2014-05-12 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 폴리카보네이트계 수지 조성물, 그것을 이용한 광학 성형체및 조명 유닛 |
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---|---|
JP2552121B2 (ja) | 1996-11-06 |
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