JPS6389538A

JPS6389538A - 光学式デイスク

Info

Publication number: JPS6389538A
Application number: JP61234282A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Sugano; 菅野　龍也; Ikuo Takahashi; 郁夫高橋; Kenichi Sasaki; 佐々城　賢一
Original assignee: Daicel Chemical Industries Ltd
Current assignee: Daicel Corp
Priority date: 1986-10-03
Filing date: 1986-10-03
Publication date: 1988-04-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。

（従来の技術）レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいはこのようなビ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、　Ｅｒａｓａ
ｂｌｅ−ＤＲＡＷ（イレーザブル−ダイレクト・リード
・アフター・ライト）型光学式情報記録再生方式は著し
く記録密度を上げることができ特にＥｒａｓａｂｌｅ−
ＤＲＡＷ型では記録の消去、書き込みも可能であり、且
つそれらから再生される画像や音質が優れた特性を有す
ることから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報
記録再生等に広く実用されることが期待されている。こ
の記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体
をレーザー光線が透過するために透明であることは勿論
のこと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が
強く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷却及び
流動過程において生じた熱応力２分子配向、ガラス転移
点付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レ
ーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ず
る。この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいこと
は光学式ディスクとしては致命的欠陥である。

（発明が解決しようとする問題点）このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力２分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はがなり小さくすることができるが、成彩
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。

（問題点を解決するための手段）複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）式
で表すことができる。

ｎｔ−ｎ２”Ｃ（０１−０２）　　　　　　　（１）ｎ
、−ｎ２：複屈折 σ１−σ２：残留応力Ｃ：光弾性定数（１）式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。そこで発明者らは２，２゜ビス−（３，５−
ジメチル４−ヒドロキシフェニル）プロパンと（２，２
−ビス−（４−ヒドロキシ、３イソプロピルフエニル）
プロパンをカーボネート結合によって共重合させること
によって芳香族ポリカーボネートの機械的特性を損ねる
ことなく光弾性定数の小さな樹脂が得られる事実を見出
し、本発明に至ったものである。

（発明の構成）本発明は２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン（Ｉ）９７〜３モル％と２，
２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニ
ル）プロパン（ＩＩ　）３〜９７モル％とをカーボネー
ト結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重合体か
ら成る光学式ディスクに関する。かくして、この発明に
よれば、下記の式（Ｉ）、（ＩＩ）で示されるビスフェ
ノールがカーボネート結合により共重合してなる芳香族
ポリカーボネート共重合体が提供される。

（ｉ）　　　　　　　　　　　（ＩＩ）また、式（ＩＩ
　）の構成単位は１０〜９０モル％が好ましい。という
のは、式（ＩＩ　）の構成単位が１０モル％未満のもの
であると得られる芳香族ポリカーボネートの光弾性定数
は式（Ｉ）よりなるホモポリカーボネートとあまり変わ
らない。また、式（１１）の構成単位が９０モル％を超
えると得られる芳香族ポリカーボネートの力゛ラス転移
点が式（Ｉ）よりなるホモポリカーボネートに較べて著
しく低下する。なお、本発明の共重合体の粘度平均分子
量は１３，０００〜５０，０００が好ましい。１３，０
００未満では共重合体がもろくなり５０，０００を越え
ると共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。

さらに、第３成分を共重合体させることも可能である。

本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては、
次の２つのの方法がある。

■エステル交換法２．２−ビス−（３，５−ジメチル、４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパンと２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−
３−イソプロピルフェニル）プロパンの混合物に対し化
学量論的に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネート
に通常のカーボネート化触媒の存在下的１６０〜１８０
°Ｃの温度下で常圧下、不活性ガスを導入した条件下で
約３０分反応させ約２時間〜３時間かけて徐々に減圧し
ながら１８０〜２２０°Ｃの温度下で最終的に１０Ｔｏ
ｒｒ、　２２０°Ｃ下で前縮合を終了する。その後、１
０Ｔｏｒｒ、２７０°Ｃ下で３０分、　５Ｔｏｒｒ。

２７０’Ｃ下で２０分反応し、次いで０．５Ｔｏｒｒ以
下好ましくは０．３Ｔｏｒｒ〜０．ＩＴｏｒｒの減圧下
で２７０°Ｃ下で１゜５時間〜２．０時間稜線合を進め
る。尚、カーボネート結合のためカーボネート化触媒と
してはリチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系
触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、
アルカリ土類金属触媒が適しており例えば水酸化リチウ
ム、炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素
カリウム、水酸化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム
、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド、酸化第１錫
が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用いる
ことが好ましい。

■ホスゲン法三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管をつける。２，２−ビス−（３，５−ジメチル４−
ヒドロキシフェニル）プロパンと２，２−ビス−（４−
ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパンの混
合物をピリジンに溶かしこれを激しくかき混ぜながらホ
スゲンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒であ
るから強力なドラフト中で操作する。また、排気末端に
は水酸化ナトリウム１０％水溶液で余剰ホスゲンを分解
無毒化するユニットをつける。ホスゲンはボンベからの
洗気びん、パラフィンを入れた洗気びん（池数を数える
）、空の洗気びんを通してフラスコに導入する。ガラス
導入管はかき混ぜ機の上に差し込むようにし、析出する
ピリジン塩によってつまらないようにするため先端を漏
斗状に広げておく。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が
析出して内容は濁ってくる。反応温度は３０８Ｃ以下に
なるように水冷する。縮合の進行とともに粘ちょうにな
ってくる。ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくな
るまでホスゲンを通じる。反応終了後、メタノールを加
えて重合体を沈殿せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリ
カーボネートは塩化メチレン、ピリジン、クロロホルム
、テトラヒドロフランなどに溶けるから、これらの溶液
からメタノールで再沈殿して精製する。このようにして
得られるポリカーボネート共重合体は、レーザー光線に
より信号を記録し、あるいは、レーザー光線の反射又は
透過により記録された信号の読み出しをおこなうＤＲＡ
Ｗ。

Ｅｒａｓａｂｌｅ−ＤＲＡＷ光学式情報記録用ディスク
に有用である。以下に本発明を実施例について説明する
が、本発明は、これらの実施例によって限定されるもの
ではない。

実施例１２．２−ビス−（３，５−ジメチル４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン１０２重量部（３０ｍｏ１％）と２，２
−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル
）プロパン２６２重量部（７０ｍｏ１％）とジフェニル
カーボネート２６４重量部を３１三つロフラスコに入れ
脱気、Ｎ２パージを５回繰り返した後、シリコンバス１
６０°Ｃで窒素を導入しながら溶融させた。溶融したら
、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを予
めフェノールに溶かした溶液（仕込んだビスフェノール
全量に対して１０−３ｍｏ１％量）を加え、１６０°Ｃ
，Ｎ２下、３０分攪はん醸成した。次に、同温度下、１
ＱＱＴｏｒｒにし３０分攪はんした後、同温度下でさら
に５ＱＴｏｒｒに減圧し６０分反応させた。次に徐々に
温度を２２０°Ｃまで上げ６０分反応させここまでの反
応でフェノール留出理論量の８０％を留出させた。しか
るのち、同温度下で１ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反応さ
せ温度を徐々に２７０°Ｃに上げ、３０分反応させた。

さらに同温度下で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応させ、
フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終
えた。次に同温度下で０．１〜Ｑ、３Ｔｏｒｒで２時間
稜線合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し
冷却した後ジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃにて
溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均分子
量はＭｖ＝１６，０００であった。

実施例２三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。ジクロルメタンに２，２−ビス−（３，５
−ジメチル４−ヒドロキシフェニル）プロパン１０２重
量部と２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロ
ピルフェニル）プロパン２６２重量部を溶がし、水酸化
ナトリウム１０重量％水溶液を加えこれを激しく攪はん
しながらホスゲンガスを導入した。

ホスゲンはボンベから空の洗気びん、水を入れた洗気び
ん、空の洗気びんを通してフラスコに導入した。ホスゲ
ンガスを導入中の反応温度は２５°Ｃ以下になるように
水冷した。縮合の進行とともに溶液は粘ちょうになって
くる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えてな
くなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタノール
に反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を繰り返した。さらに
生成したポリカーボネートはジクロルメタンの溶液から
メタノールで再沈精製した。精製後よく乾燥したのちジ
クロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃにて溶液粘度を測
定した。この値から算出した粘度を測定した。この値か
ら算出した粘度平均分子量はＭｖ＝１９，０００であっ
た。

（記録特性の評ｆ１１ｉ）上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例１
，２に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機（
多機製作所製、ダイナメルター）を用いて直径１３０ｍ
−ｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成形し、この基板
上にＴｂ２３．５Ｆｅ６４゜２ＣＯ１２，３（原子％）
の合金ターゲットを用いてスパッタリング装置（ＲＦス
パッタリング装置、日本真空（株）製）中で光磁気記録
膜をｉ、ｏｏｏ入形酸形成。この記録膜上に本出願人に
よる特開昭６０−１７７４４９号に記載の無機ガラスの
保護膜１，０００人を上記と同じスパッタリング装置を
用いて形成した。得られた光磁気ディスクの性能をＣＮ
比、ＢＥＲおよび６０°Ｃ９０ＲＨ％の条件下でのＣＮ
比変化率で評価した。結果は表１の通りであった。

表１（注１）ＣＮ比＝書き込みパワー７ｍＷ（ミリワット）
。

読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、分解
能帯域中３０ＫＨｚで測定（注２）　ＣＮ変化率（％）＝初期ＣＮ比に対する６０
°Ｃ２９０ＲＨ％条件下で３０日経過後のＣＮ比の低下
度（注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（音大
化成（株）ＡＤ−５５０３）基板を用いて上記と同じ手
順で光磁気ディスクを作ったものである。

表１の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりＣＮ比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。

Claims

【特許請求の範囲】

２、２−ビス−（３、５−ジメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン９７〜３モル％と２、２−ビス−（４
−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン３
〜９７モル％とをカーボネート結合して得られる芳香族
ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスク