JPS63227390A - 光学式デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。

（従来の技術） レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいほこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、　Ｅｒａｓａ
ｂｌｅ−ＤＲＡＷ（’イレーザブルーダイレクト・リー
ド・アフター・ライト）型光学式情報記録再生方式は著
しく記録密度を上げることができ待にＥｒａｓａｂｌｅ
−ＤＲＡＷ型では記録の消去、書き込みも可能であり、
且つそれらから再生される画像や音質が優れた特性を有
することから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情
報記録再生等に広く実用されることが期待されている。

この記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本
体をレーザー光線が透過するために透明であることは勿
論のこと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性
が強く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷却及
び流動過程において生じた熱応力２分子配向、ガラス転
移点付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、
レーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生
ずる。この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいこ
とは光学式ディスクとしては致命的欠陥である。

（発明が解決しようとする問題点） このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力２分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。

（問題点を解決するための手段） 複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）式
で表すことができる。

ｎｌ−ｎ２　＝＝　Ｃ（ａｌ−ａ２）　　　　　　　　
（’）ｎｌ−ｎ２：複屈折 σ１−ａ２：残留応力 Ｃ：光弾性定数 （１）式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。そこで発明者らは２，２−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンと２，２−ビス、（４−ヒド
ロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル）プロパンを
カーボネート結合によって共重合させることによって芳
香族ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく光
弾性定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明
に至ったものである。

（発明の構成） 本発明は２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン（Ｉ）９５〜５モル％と２，２−ビス−（４−ヒ
ドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル）プロパン
（ＩＩ　）５〜９５モル％とをカーボネート結合して得
られる芳香族ポリカーボネート共重合体から成る光学式
ディスクに関する。かくして、この発明によれば、下記
の式（Ｉ）、（ＩＩ）で示されるビスフェノールがカー
ボネート結合により共重合してなる芳香族ポリカーボネ
ート共重合体が提供される。

（Ｉ）　　　　　　　　　　　　（ＩＩ）また、式（Ｉ
Ｉ　）の構成単位は１０〜９０モル％が好ましい。とい
うのは、式（ＩＩ　）の構成単位が１０モル％未満のも
のであると得られる芳香族ポリカーボネートの光弾性定
数は式（Ｉ）よりなるホモポリカーボネートとあまり変
わらない。また、式（ＩＩ　）の構成単位が９０モル％
を超えると得られる芳香族ポリカーボネートのガラス転
移点が式（Ｉ）よりなるホモポリカーボネートに較べて
著しく低下する。なお、本発明の共重合体の粘度平均分
子量は１３，０００〜５０，０００が好ましい。１３，
０００未満では共重合体がもろくなり５０，０００を越
えると共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。

さらに、第３成分を共重合体させることも可能である。

本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては、
次の２つのの方法がある。

■エステル交換法 ２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパンと
２゜２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリーブ
チルフェニル）プロパンの混合物に対し化学量論的に当
量よりやや過剰のジフェニルカーボネートに通常のカー
ボネート化触媒の存在下約１６０〜１８０°Ｃの温度下
で常圧下、不活性ガスを導入した条件下で約３０分反応
させ約２時間〜３時間かけて徐々に減圧しながら１８０
〜２２０°Ｃの温度下で最終的に１０Ｔｏｒｒ、　２２
０°Ｃ下で前縮合を終了する。その後、１０Ｔｏｒｒ、
２７０°Ｃ下で３０分、　５Ｔｏｒｒ、　２７０°Ｃ下
で２０分反応し、次いで０．５Ｔｏｒｒ以下好ましくは
０．３Ｔｏｒｒ〜０゜ＩＴｏｒｒの減圧下で２７０°Ｃ
下で１．５時間〜２．０時間後縮合を進める。尚、カー
ボネート結合のためカーボネート化触媒としてはリチウ
ム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシ
ウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類
金属触媒が適しており例えば水酸化リチウム、炭酸リチ
ウム、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水
酸化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カル
シウム、ジブチル錫オキシド、酸化第１錫が挙げられる
。これらのうち、カリウム系触媒を用いることが好まし
い。

■ホスゲン法 三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管をつける。２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンと２，２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−
ターシャリープチルフェニル）プロパンの混合物をピリ
ジンに溶かしこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガス
を導入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力
なドラフト中で操作する。また、排気末端には水酸化ナ
トリウム１０％水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化する
ユニットをつける。ホスゲンはボンベからの洗気びん、
パラフィンを入れた洗気びん（池数を数える）、空の洗
気びんを通してフラスコに導入する。ガラス導入管はか
き混ぜ機の上に差し込むようにし、析出するピリジン塩
によってつまらないようにするため先端を漏斗状に広げ
ておく。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内
容は濁ってくる。反応温度は３０°Ｃ以下になるように
水冷する。縮合の進行とともに粘ちょうになってくる。

ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまでホス
ゲンを通じる。反応終了後、メタノールを加えて重合体
を沈殿せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリカーボネー
トは塩化メチレン、ピリジン、クロロホルム、テトラヒ
ドロフランなどに溶けるから、これらの溶液からメタノ
ールで再沈殿して精製する。このようにして得られるポ
リカーボネート共重合体は、レーザー光線により信号を
記録し、あるいは、レーザー光線の反射又は透過により
記録された信号の読み出しをおこなうＤＲＡＷ。

Ｅｒａｓａｂｌｅ−ＤＲＡＷ光学式情報記録用ディスク
に有用である。以下に本発明を実施例について説明する
が、本発明は、これらの実施例によって限定されるもの
ではない。

実施例１ ２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン１
９２重量部（５０ｍｏ１％）と２，２−ビス−（４−ヒ
ドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニル）プロパン
１２２重量部（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネー
ト２６４重量部を３１三つロフラスコに入れ脱気、Ｎ２
パージを５回繰り返した後、シリコンバス１６０°Ｃで
窒素を導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネ
ート化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノー
ルに溶かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に対し
て１０−３ｍｏ１％量）を加え、１６０°Ｃ２Ｎ２下、
３０分攪はん醸成した。次に、同温度下、１ＱＱＴｏｒ
ｒにし３０分攪はんした後、同温度下でさらに５ＱＴｏ
ｒｒに減圧し６０分反応させた。次に徐々に温度を２２
０°Ｃまで上げ６０分反応させここまでの反応でフェノ
ール留出理論量の８０％を留出させた。しかるのち、同
温度下で１ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反応させ温度を徐
々に２７０°Ｃに上げ、３０分反応させた。さらに同温
度下で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応させ、フェノール
留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に
同温度下で０．１〜Ｑ、３Ｔｏｒｒで２時間径縮合させ
た。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した後
ジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃにて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量はＭｖ＝
２３，０００であった。

実施例２ 三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。ジクロルメタンに２，２−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン１９２重量部と２゜２−ビ
ス−（４−ヒドロキシ−３−ターシャリーブチルフェニ
ル）プロパン１２２重量部を溶かし、水酸化ナトリウム
１０重量％水溶液を加えこれを激しく攪はんしながらホ
スゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気
びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入した。

ホスゲンガスを導入中の反応温度は２５°Ｃ以下になる
ように水冷した。縮合の進行とともに溶液は粘ちょうに
なってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消
えてなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を繰り返した。

さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタンの溶
液からメタノールで再沈精製した。精製後よく乾燥した
のちジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃにて溶液粘
度を測定した。この値から算出した粘度を測定した。こ
の値から算出した粘度平均分子量はＭｖ＝２６，０００
であった。

（記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例１
，２に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機（
名機製作所製、グイナメルター）を用いて直径１３０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成形し、この基板上
にＴｂ２３，５Ｆｅ６４゜２ＣＯ１２，３（原子％）の
合金ターゲットを用いてスパッタリング装置（ＲＦスパ
ッタリング装置、日本真空（株）製）中で光磁気記録膜
を１，０００人形成した。この記録膜上に本出願人によ
る特開昭６０−１７７４４９号に記載の無機ガラスの保
護膜１，０００人を上記と同じスパッタリング装置を用
いて形成した。得られた光磁気ディスクの性能をＣＮ比
、ＢＥＲおよび６０°Ｃ９０ＲＨ％の条件下でのＣＮ比
変化率で評価した。結果は表１の通りであった。

表１ （？主１）ＣＮ比＝書き込みパワー７ｍＷ（ミリワット
）。

読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、分解
能帯域中３０ＫＨｚで測定 （注２）　ＣＮ変化率（％）＝初期ＣＮ比に対する６０
°Ｃ２９０ＲＨ％条件下で３０日経過後のＣＮ比の低下
度（注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（音大
化成（株）ＡＤ−５５０３）基板を用いて上記と同じ手
順で光磁気ディスクを作ったものである。

表１の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりＣＮ比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ２、２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン９
   ５〜５モル％と２、２−ビス−（４−ヒドロキシ−３−
   ターシャリーブチルフェニル）プロパン５〜９５モル％
   とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボネ
   ート共重合体から成る光学式ディスク