JPS6389527A - 光学式デイスク - Google Patents
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- JPS6389527A JPS6389527A JP61233174A JP23317486A JPS6389527A JP S6389527 A JPS6389527 A JP S6389527A JP 61233174 A JP61233174 A JP 61233174A JP 23317486 A JP23317486 A JP 23317486A JP S6389527 A JPS6389527 A JP S6389527A
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。
(従来の技術)
レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいはこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すDRAW(ダ
イレクト・リード・アフター・ライト)、Erasab
le−DRAW(イレーザブル−ダイレクト・リード・
アフター・ライト)型光学式情報記録再生方式は著しく
記録密度を上げることができ特にErasable−D
RAW型では記録の消去、書き込みも可能であり、且つ
それらから再生される画像や音質が優れた特性を有する
ことから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報記
録再生等に広く実用されることが期待されている。この
記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体を
レーザー光線が透過するために透明であることは勿論の
こと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が強
く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷却及び流
動過程において生じた熱応力2分子配向、ガラス転移点
付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レー
ザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ずる
。この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは
光学式ディスクとしては致命的欠陥である。
スクに微細なピットで信号を記録あるいはこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すDRAW(ダ
イレクト・リード・アフター・ライト)、Erasab
le−DRAW(イレーザブル−ダイレクト・リード・
アフター・ライト)型光学式情報記録再生方式は著しく
記録密度を上げることができ特にErasable−D
RAW型では記録の消去、書き込みも可能であり、且つ
それらから再生される画像や音質が優れた特性を有する
ことから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報記
録再生等に広く実用されることが期待されている。この
記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体を
レーザー光線が透過するために透明であることは勿論の
こと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が強
く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷却及び流
動過程において生じた熱応力2分子配向、ガラス転移点
付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レー
ザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ずる
。この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは
光学式ディスクとしては致命的欠陥である。
(発明が解決しようとする問題点)
このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力2分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。
おいて生じた熱応力2分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。
(問題点を解決するための手段)
複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記(1)式
で表すことができる。
で表すことができる。
nx−n2=C(01−a2) (1)
nx−nz:複屈折 σ1.。2:残留応力 C:光弾性定数 (1)式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
土・・である。そこで発明者らは1,1−ビス−(4−
ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンと4.4”−ジヒ
ドロキシ−2,2,2−トリフェニルエタンをカーボネ
ート結合によって共重合させることによって芳香族ポリ
カーボネートの機械的特性を損ねることなく光弾性定数
の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至った
ものである。
nx−nz:複屈折 σ1.。2:残留応力 C:光弾性定数 (1)式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
土・・である。そこで発明者らは1,1−ビス−(4−
ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンと4.4”−ジヒ
ドロキシ−2,2,2−トリフェニルエタンをカーボネ
ート結合によって共重合させることによって芳香族ポリ
カーボネートの機械的特性を損ねることなく光弾性定数
の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至った
ものである。
(発明の構成)
本発明は1,1.ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シ
クロヘキサン(I)97〜3モル%と4,4゛−ジヒド
ロキシ−2,2,2−トリフェニルエタン(II )3
〜97モル%とをカーボネート結合して得られる芳香族
ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関
する。かくして、この発明によれば、下記の式(I)、
(II)で示されるビスフェノールがカーボネート結合
により共重合してなる芳香族ポリカーボネート共重合体
が提供される。
クロヘキサン(I)97〜3モル%と4,4゛−ジヒド
ロキシ−2,2,2−トリフェニルエタン(II )3
〜97モル%とをカーボネート結合して得られる芳香族
ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関
する。かくして、この発明によれば、下記の式(I)、
(II)で示されるビスフェノールがカーボネート結合
により共重合してなる芳香族ポリカーボネート共重合体
が提供される。
(I) (II)
また、式(II )の構成単位は10〜90モル%が好
ましい。というのは、式(II )の構成単位が10モ
ル%未満のものであると得られる芳香族ポリカーボネー
トの光弾性定数は式(I)よりなるホモポリカーボネー
トとあまり変わらない。また、式(II )の構成単位
が90モル%を超えると得られる芳香族ポリカーボネー
トの成形性が式(I)よりなるホモポリカーボネートに
較べて著しく劣る。なお、本発明の共重合体の粘度平均
分子量は13,000〜50,000が好ましい。13
,000未満では共重合体がもろくなり50,000を
越えると共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。
ましい。というのは、式(II )の構成単位が10モ
ル%未満のものであると得られる芳香族ポリカーボネー
トの光弾性定数は式(I)よりなるホモポリカーボネー
トとあまり変わらない。また、式(II )の構成単位
が90モル%を超えると得られる芳香族ポリカーボネー
トの成形性が式(I)よりなるホモポリカーボネートに
較べて著しく劣る。なお、本発明の共重合体の粘度平均
分子量は13,000〜50,000が好ましい。13
,000未満では共重合体がもろくなり50,000を
越えると共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。
さらに、第3成分を共重合体させることも可能である。
本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては、
次の2つのの方法がある。
次の2つのの方法がある。
■エステル交換法
1.1−ビス、(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキ
サンと4,4′−ジヒドロキシ−2,2,2−トリフェ
ニルエタンの混合物に対し化学量論的に当量よりやや過
剰のジフェニルカーボネートに通常のカーボネート化触
媒の存在下的160〜180’Cの温度下で常圧下、不
活性ガスを導入した条件下で約30分反応させ約2時間
〜3時間かけて徐々に減圧しながら180〜220°C
の温度下で最終的に10Torr。
サンと4,4′−ジヒドロキシ−2,2,2−トリフェ
ニルエタンの混合物に対し化学量論的に当量よりやや過
剰のジフェニルカーボネートに通常のカーボネート化触
媒の存在下的160〜180’Cの温度下で常圧下、不
活性ガスを導入した条件下で約30分反応させ約2時間
〜3時間かけて徐々に減圧しながら180〜220°C
の温度下で最終的に10Torr。
220°C下で前縮合を終了する。その後、10Tor
r。
r。
270°C下で30分、5Torr、270°C下で2
0分反応し、次いで0.5Torr以下好ましくは0.
3Torr〜0.ITorrの減圧下で270°C下で
1.5時間〜2.0時間後縮合を進める。尚、カーボネ
ート結合のためカーボネート化触媒としてはリチウム系
触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム
系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属
触媒が適しており例えば水酸化リチウム、炭酸リチウム
、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化
ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウ
ム、ジブチル錫オキシド、酸化第1錫が挙げられる。こ
れらのうち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。
0分反応し、次いで0.5Torr以下好ましくは0.
3Torr〜0.ITorrの減圧下で270°C下で
1.5時間〜2.0時間後縮合を進める。尚、カーボネ
ート結合のためカーボネート化触媒としてはリチウム系
触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム
系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属
触媒が適しており例えば水酸化リチウム、炭酸リチウム
、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化
ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウ
ム、ジブチル錫オキシド、酸化第1錫が挙げられる。こ
れらのうち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。
■ホスゲン法
三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管をつける。1,1.ビス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサンと4,4′−ジヒドロキシ−2゜2
.2− )リフェニルエタンの混合物をピリジンに溶か
しこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガスを導入する
のであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なドラフト
中で操作する。また、排気末端には水酸化ナトリウム1
0%水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化するユニットを
つける。
気管をつける。1,1.ビス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサンと4,4′−ジヒドロキシ−2゜2
.2− )リフェニルエタンの混合物をピリジンに溶か
しこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガスを導入する
のであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なドラフト
中で操作する。また、排気末端には水酸化ナトリウム1
0%水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化するユニットを
つける。
ホスゲンはボンベからの洗気びん、パラフィンを入れた
洗気びん(池数を数える)、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入する。ガラス導入管はかき混ぜ機の上に差し
込むようにし、析出するピリジン塩によってつまらない
ようにするため先端を漏斗状に広げておく。ガス導入に
伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁ってくる。反
応温度は30°C以下になるように水冷する。縮合の進
行とともに粘ちょうになってくる。ホスゲン−塩化水素
錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反応
終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、ろ別
乾燥する。生成するポリカルボネートは塩化メチレン、
ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに溶
けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿して精
製する。このようにして得られるポリカーボネート共重
合体は、レーザー光線により信号を記録し、あるいは、
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しをおこなうDRAW、Erasable−DRA
W光学式情報記録用ディスクに有用である。以下に本発
明を実地例について説明するが、本発明は、これらの実
施例によって限定されるものではない。
洗気びん(池数を数える)、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入する。ガラス導入管はかき混ぜ機の上に差し
込むようにし、析出するピリジン塩によってつまらない
ようにするため先端を漏斗状に広げておく。ガス導入に
伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁ってくる。反
応温度は30°C以下になるように水冷する。縮合の進
行とともに粘ちょうになってくる。ホスゲン−塩化水素
錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反応
終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、ろ別
乾燥する。生成するポリカルボネートは塩化メチレン、
ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに溶
けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿して精
製する。このようにして得られるポリカーボネート共重
合体は、レーザー光線により信号を記録し、あるいは、
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しをおこなうDRAW、Erasable−DRA
W光学式情報記録用ディスクに有用である。以下に本発
明を実地例について説明するが、本発明は、これらの実
施例によって限定されるものではない。
実施例1
1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキ
サン161重量部(50mo1%)と4,4′−ジヒド
ロキシ−2,2゜2−トリフェニルエタン174重量部
(50mo1%)とジフェニルカーボネート264重量
部を31三つロフラスコに入れ脱気、N2パージを5回
繰り返した後、シリコンバス180°Cで窒素を導入し
ながら溶融させた。溶融したら、カーボネート化触媒で
ある水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶かした
溶液(仕込んだビスフェノール全量に対して10−3m
o1%量)を加え、180°C,N2下、30分攪はん
醸成した。次に、同温度下、1QQTorrにし30分
攪はんした後、同温度下でさらに5QTorrに減圧し
60分反応させた。次に徐々に温度を220°Cまで上
げ60分反応させここまでの反応でフェノール留出理論
量の80%を留出させた。しかるのち、同温度下で10
Torrに減圧し30分反応させ温度を徐々に270°
Cに上げ、30分反応させた。さらに同温度下で5To
rrに減圧し30分反応させ、フェノール留出理論量の
ほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に同温度下で0
.1〜0゜3Torrで2時間径縮合させた。窒素下に
て生成物のポリマーを取り出し冷却した後ジクロルメタ
ンを溶媒に用いて20°Cにて溶液粘度を測定した。こ
の値から算出した粘度平均分子量はMv=21,000
であった。
サン161重量部(50mo1%)と4,4′−ジヒド
ロキシ−2,2゜2−トリフェニルエタン174重量部
(50mo1%)とジフェニルカーボネート264重量
部を31三つロフラスコに入れ脱気、N2パージを5回
繰り返した後、シリコンバス180°Cで窒素を導入し
ながら溶融させた。溶融したら、カーボネート化触媒で
ある水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶かした
溶液(仕込んだビスフェノール全量に対して10−3m
o1%量)を加え、180°C,N2下、30分攪はん
醸成した。次に、同温度下、1QQTorrにし30分
攪はんした後、同温度下でさらに5QTorrに減圧し
60分反応させた。次に徐々に温度を220°Cまで上
げ60分反応させここまでの反応でフェノール留出理論
量の80%を留出させた。しかるのち、同温度下で10
Torrに減圧し30分反応させ温度を徐々に270°
Cに上げ、30分反応させた。さらに同温度下で5To
rrに減圧し30分反応させ、フェノール留出理論量の
ほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次に同温度下で0
.1〜0゜3Torrで2時間径縮合させた。窒素下に
て生成物のポリマーを取り出し冷却した後ジクロルメタ
ンを溶媒に用いて20°Cにて溶液粘度を測定した。こ
の値から算出した粘度平均分子量はMv=21,000
であった。
実施例2
三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。ジクロルメタンに1,1−ビス。
管をつける。ジクロルメタンに1,1−ビス。
(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサ22161重
量部と4.4’−ジヒドロキシ−2,2,2−トリフェ
ニルエタン174重量部を溶かし、水酸化ナトリウム1
0重量%水溶液を加えこれを激しく攪はんしながらホス
ゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気び
ん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラス
コに導入した。ホスゲンガスを導入中の反応温度は25
°C以下になるように水冷した。縮合の進行とともに溶
液は粘ちょうになってくる。さらにホスゲン、塩化水素
錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応
終了後、メタノールに反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を
繰り返した。さらに生成したポリカーボネートはジクロ
ルメタンの溶液からメタノールで再沈精製した。精製後
よく乾燥したのちジクロルメタンを溶媒に用いて20°
Cにて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量jよMv
=25,000であった。
量部と4.4’−ジヒドロキシ−2,2,2−トリフェ
ニルエタン174重量部を溶かし、水酸化ナトリウム1
0重量%水溶液を加えこれを激しく攪はんしながらホス
ゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気び
ん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラス
コに導入した。ホスゲンガスを導入中の反応温度は25
°C以下になるように水冷した。縮合の進行とともに溶
液は粘ちょうになってくる。さらにホスゲン、塩化水素
錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応
終了後、メタノールに反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を
繰り返した。さらに生成したポリカーボネートはジクロ
ルメタンの溶液からメタノールで再沈精製した。精製後
よく乾燥したのちジクロルメタンを溶媒に用いて20°
Cにて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量jよMv
=25,000であった。
(記録特性の評価)
上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例1
,2に記載のポリカーボネート共重合体゛を射出成形機
(多機製作所製、ダイナメルター)を用いて直径130
mm、厚さ1.2mmの円盤状基板に成形し、この基板
上にTb23.5Fee4゜2CO12,3(原子%)
の合金ターゲットを用いてスパッタリング装置(RFス
パッタリング装置、日本真空(株)製)中で光磁気記録
膜を1,000人形成した。この記録膜上に本出願人に
よる特開昭60゜177449号に記載の無機ガラスの
保護膜1,000人を上記と同じスパッタリング装置を
用いて形成した。得られた光磁気ディスクの性能をCN
比、BERおよび60°C90RH%の条件下でのCN
比変化率で評価した。結果は表1の通りであった。
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例1
,2に記載のポリカーボネート共重合体゛を射出成形機
(多機製作所製、ダイナメルター)を用いて直径130
mm、厚さ1.2mmの円盤状基板に成形し、この基板
上にTb23.5Fee4゜2CO12,3(原子%)
の合金ターゲットを用いてスパッタリング装置(RFス
パッタリング装置、日本真空(株)製)中で光磁気記録
膜を1,000人形成した。この記録膜上に本出願人に
よる特開昭60゜177449号に記載の無機ガラスの
保護膜1,000人を上記と同じスパッタリング装置を
用いて形成した。得られた光磁気ディスクの性能をCN
比、BERおよび60°C90RH%の条件下でのCN
比変化率で評価した。結果は表1の通りであった。
表1
(注1)CN比=書き込みパワー7mW(ミリワット)
。
。
読み取りパワー1mW、キャリア周波数IMHz、分解
能帯域中30KHzで測定 (注2) CN変化率(%)=初期CN比に対する60
°C990RH%条件下で30日経過後のCN比の低下
度(注3)比較例=従来公知のポリカーボネート(音大
化成(株)AD−5503)基板を用いて上記と同じ手
順で光磁気ディスクを作ったもの 表1の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりCN比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。
能帯域中30KHzで測定 (注2) CN変化率(%)=初期CN比に対する60
°C990RH%条件下で30日経過後のCN比の低下
度(注3)比較例=従来公知のポリカーボネート(音大
化成(株)AD−5503)基板を用いて上記と同じ手
順で光磁気ディスクを作ったもの 表1の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりCN比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。
Claims (1)
- 1、1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキ
サン97〜3モル%と4、4’−ジヒドロキシ−2、2
、2−トリフェニルエタン3〜97モル%とをカーボネ
ート結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重合体
から成る光学式ディスク
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61233174A JPS6389527A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 光学式デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61233174A JPS6389527A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 光学式デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6389527A true JPS6389527A (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=16950888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61233174A Pending JPS6389527A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 光学式デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6389527A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01292030A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-24 | Tosoh Corp | 光学材料用樹脂組成物 |
EP0362792A2 (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Aromatic polycarbonate copolymer and optical disk having a substrate of the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6245623A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP61233174A patent/JPS6389527A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6245623A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01292030A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-24 | Tosoh Corp | 光学材料用樹脂組成物 |
EP0362792A2 (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Aromatic polycarbonate copolymer and optical disk having a substrate of the same |
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