JPS6389525A - 光学式デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。

（従来の技術） レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいほこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、Ｅｒａｓａｂ
ｌｅ−ＤＲＡＷ（イレーザブル、ダイレクト・リード・
アフター・ライト）型光学式情報記録再生方式は著しく
記録密度を上げることができ特にＥｒａｓａｂｌｅ−Ｄ
ＲＡＷ型では記録の消去、書き込みも可能であり、且つ
それらから再生される画像や音質が優れた特性を有する
ことから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報記
録再生等に広く実用されることが期待されている。この
記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体を
レーザー光線が透過するために透明であることは勿論の
こと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が強
く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷却及び流
動過程において生じた熱応力２分子配向、ガラス転移点
付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レー
ザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ずる
。この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは
光学式ディスクとしては致命的欠陥である。

（発明が解決しようとする問題点） このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力２分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。

（問題点を解決するための手段） 複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）式
で表すことができる。

ｎｌ−ｎｚ　：’：　Ｃ（ａ□−ａ２）　　　　　　　
　（１）ｎｚ−ｎｚ：複屈折 ０□−０゜：残留応力 Ｃ：光弾性定数 （１）式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。そこで発明者らは１，１−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキサンと１．１−ビス−（４
−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン
をカーボネート結合によって共重合させることによって
芳香族ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく
光弾性定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発
明に至ったものである。

（発明の構成） 本発明は１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン（Ｉ）９７〜３モル％と１，１こビス−（
４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼ
ン（ＩＩ　）３〜９７モル％とをカーボネート結合して
得られる芳香族ポリカーボネート共重合体から成る光学
式ディスクに関する。かくして、この発明によれば、下
記の式（Ｉ）、（ＩＩ）で示されるビスフェノールがカ
ーボネート結合により共重合してなる芳香族ポリカーボ
ネート共重合体が提供される。

（Ｉ）　　　　　　　　　　（ＩＩ） また、式（ＩＩ　）の構成単位は１０〜９０モル％が好
ましい。というのは、式（ＩＩ　）の構成単位が１０モ
ル％未満のものであると得られる芳香族ポリカーボネー
トの光弾性定数は式（Ｉ）のホモポリマーとほとんど変
わらず、また、式（ＩＩ　）の構成単位が９０モル％を
超えると得られる芳香族ポリカーボネートのガラス転移
点が著しく低下する。なお、本発明の共重合体の粘度平
均分子量は１３゜０００〜５０，０００が好ましい。１
３，０００未満では共重合体がもろくなり５０，０００
を越えると共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。

さらに、第３成分を共重合体させることも可能である。

本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては、
次の２つのの方法がある。

■エステル交換法 １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サンと１，１′−ビス、（４，ヒドロキシフェニル）−
ｍ−ジイソプロピルベンゼンの混合物に対し化学量論的
に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネートに通常の
カーボネート化触媒の存在下約１６０〜１８０°Ｃの温
度下で常圧下、不活性ガスを導入した条件下で約３０分
反応させ約２時間〜３時間かけて徐々に減圧しながら１
８０〜２２０°Ｃの温度下で最終的に１０Ｔｏｒｒ、２
２０°Ｃ下で前縮合を終了する。その後、１０Ｔｏｒｒ
、２７０°Ｃ下で３０分、５Ｔｏｒｒ。

２７０°Ｃ下で２０分反応し、次いで０．５Ｔｏｒｒ以
下好ましくは０．３Ｔｏｒｒ〜０．ＩＴｏｒｒの減圧下
で２７０°Ｃ下で１゜５時間〜２．０時間後縮合を進め
る。尚、カーボネート結合のためカーボネート化触媒と
してはリチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系
触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、
アルカリ土類金属触媒が適しており例えば水酸化リチウ
ム、炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素
カリウム、水酸化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム
、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド、酸化第１錫
が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用いる
ことが好ましい。

■ホスゲン法 三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管をつける。１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサンと１，１クビス、（４−ヒドロキシ
フェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンの混合物をピ
リジンに溶かしこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガ
スを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるから強
力なドラフト中で操作する。また、排気末端には水酸化
ナトリウム１０％水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化す
るユニットをつける。ホスゲンはボンベからの洗気びん
、パラフィンを入れた洗気びん（池数を数える）、空の
洗気びんを通してフラスコに導入する。ガラス導入管は
かき混ぜ機の上に差し込むようにし、析出するピリジン
塩によってつまらないようにするため先端を漏斗状に広
げておく。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して
内容は濁ってくる。反応温度は３０８Ｃ以下になるよう
に水冷する。縮合の進行とともに粘ちょうになってくる
。ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまでホ
スゲンを通じる。反応終了後、メタノールを加えて重合
体を沈殿せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリカーボネ
ートは塩化メチレン、ピリジン、クロロホルム、テトラ
ヒドロフランなどに溶けるから、これらの溶液からメタ
ノールで再沈殿して精製する。このようにして得られる
ポリカーボネート共重合体は、レーザー光線により信号
を記録し、あるいは、レーザー光線の反射又は透過によ
り記録された信号の読み出しをおこなうＤＲＡＷ。

Ｅｒａｓａｂｌｅ−ＤＲＡＷ光学式情報記録用ディスク
に有用である。以下に本発明を実地例について説明する
が、本発明は、これらの実施例によって限定されるもの
ではない。

実施例１ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン１６１重量部（５０ｍｏ１％）と１，１ニビスー（
４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼ
ン２０８重量部（５０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネ
ート２６４重量部を３１三つロフラスコに入れ脱気、Ｎ
２パージを５回繰り返した後、シリコンバス１６０°Ｃ
で窒素を導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボ
ネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノ
ールに溶かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に対
して１０−３ｍｏ１％量）を加え、１６０°Ｃ２Ｎ２下
、３０分攪はん醸成した。次に、同温度下、１ＱＱＴｏ
ｒｒにし３０分攪はんした後、同温度下でさらに５ＱＴ
ｏｒｒに減圧し６０分反応させた。次に徐々に温度を２
２０°Ｃまで上げ６０分反応させここまでの反応でフェ
ノール留出理論量の８０％を留出させた。しかるのち、
同温度下で１ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反応させ温度を
徐々に２７０’Ｃに上げ、３０分反応させた。さらに同
温度下で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応させ、フェノー
ル留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次
に同温度下で０．１〜Ｑ、３Ｔｏｒｒで２時間径縮合さ
せた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した
後ジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃにて溶液粘度
を測定した。この値から算出した粘度平均分子量はＭｖ
　＝　１８，０００であった。

実施例２ 三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。ジクロルメタンに１，１−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサン１６１重量部と１，
１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソ
プロピルベンゼン２０８重量部を溶かし、水酸ｆヒナト
リウム１０重量％水溶液を加えこれを激しく攪はんしな
がらホスゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空
の洗気びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通し
てフラスコに導入した。ホスゲンガスを導入中の反応温
度は２５°Ｃ以下になるように水冷した。縮合の進行と
ともに溶液は粘ちょうになってくる。さらにホスゲン−
塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じ
た。反応終了後、メタノールに反応溶液を注ぎこみ、ろ
別し水洗を扱り返した。さらに生成したポリカーボネー
トはジクロルメタンの溶液からメタノールで再沈精製し
た。精製後よく乾燥したのちジクロルメタンを溶媒に用
いて２０°Ｃにて溶液粘度を測定した。この値から算出
した粘度を測定した。この値から算出した粘度平均分子
量はＭｖ　＝　２０，５００であった。

（記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例１
，２に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機（
名種製作所製、ダイナメルター）を用いて直径１３０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成形し、この基板上
にＴｂ２３．５Ｆｅ６４゜２ＣＯ１２，３（原子％）の
合金ターゲットを用いてスパッタリング装置（ＲＦスパ
ッタリング装置、日本真空（株）製）ＪｊＪで光磁気記
録膜を１，０００人形成した。この記録膜上に本出願人
による特開昭６０−１７７４４９号に記載の無機ガラス
の保護膜ｉ、ｏｏｏ人を上記と同じスパッタリング装置
を用いて形成した。得られた光磁気ディスクの性能をＣ
Ｎ比、ＢＥＲおよび６０°Ｃ９０ＲＨ％の条件下でのＣ
Ｎ比変化率で評価した。結果は表１の通りであった。

表１ （注１）ＣＮ比＝書き込みパワー７ｍＷ（ミリワット）
。

読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、分解
能帯域中３０ＫＨｚで測定 （注２）　ＣＮ変化率（％）＝初期ＣＮ比に対する６０
°Ｃ２９０ＲＨ％条件下で３０日経過後のＣＮ比の低下
度（注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（音大
化成（株）ＡＤ−５５０３）基板を用いて上記と同じ手
順で光磁気ディスクを作ったものである。

表１の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりＣＮ比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
   サン９７〜３モル％と１、１′−ビス−（４−ヒドロキ
   シフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン３〜９７モ
   ル％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカー
   ボネート共重合体から成る光学式ディスク