JPS6389532A - 光学式デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。

（従来の技術） レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいはこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、Ｅｒａｓａｂ
ｌｅ−ＤＲＡＷ（イレーザブル−ダイレクト・リード・
アフター・ライト）型光学式情報記録再生方式は著しく
記録密度を上げることができ特にＥｒａｓａｂｌｅ−Ｄ
ＲＡＷ型では記録の消去、書き込みも可能であり、且つ
それらから再生される画像や音質が優れた特性を有する
ことから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報記
録再生等に広く実用されることが期待されている。この
記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体を
レーザー光線が透過するために透明であることは勿論の
こと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が強
く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷却及び流
動過程において生じた熱応力７分子配向、ガラス転移点
付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レー
ザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ずる
。この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは
、光学式ディスクとしては致命的欠陥である。

（発明が解決しようとする問題点） このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力２分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。

（問題点を解決するための手段） 複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）式
で表すことができる。

ｎ、−ｎ２＝Ｃ（ａ、−ｃｙ２）　　　　　　　（１）
ｎｌ−ｎ２：複屈折 σ１−０２’残留応力 Ｃ二元弾性定数 （１）式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。そこで発明者らは２，２−ビス−（３，５−
ジメチル４−ヒドロキシフェニル）プロパンと１，１−
ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロビ
ルベンゼンをカーボネート結合によって共重合させるこ
とによって芳香族ポリカーボネートの機械的特性を損ね
ることなく光弾性定数の小さな樹脂が得られる事実を見
出し、本発明に至ったものである。

（発明の構成） 本発明は２，２．ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン（Ｉ）９７〜３モル％と１，
１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソ
プロビルベンゼン（ＩＩ）３〜９７モル％とをカーボネ
ーＩ・結合して得られる芳香族ポリカーボネート共重合
体から成る光学式ディスクに関する。かくして、この発
明によれば、下記の式（１）、（ＩＩ）で示されるビス
フェノールがカーボネート結合により共重合してなる芳
香族ポリカーボネート共重合体が提供される。

（Ｉ）　　　　　　　（ＩＩ） また、式（ＩＩ　）の構成単位は１０〜９０モル％が好
ましい。というのは、式（ＩＩ　）の構成単位が１０モ
ル％未満のものであると得られる芳香族ポリカーボネー
トは臆くなる。また、式（ＩＩ　）の構成単位が９０モ
ル％を超えると得られる芳香族ポリカーボネートのガラ
ス転移点が式（Ｉ）よりなるホモポリカーボネートに較
べて著しく低下する。なお、本発明の共重合体の粘度平
均分子量は１３゜０００〜５０，０００が好ましい。１
３，０００未満では共重合体がもろくなり５０，０００
を越えると共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。

さらに、第３成分を共重合体させることも可能である。

本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては、
次の２つのの方法がある。

■エステル交換法 ２．２−ビス−（３，５−ジメチル４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンと１，１′−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−ｍ−ジイソプロビルベンゼンの混合物に対し
化学量論的に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネー
トに通常のカーボネート化触媒の存在下的１６０〜】、
８０°Ｃの温度下で常圧下、不活性ガスを導入した条件
下で約３０分反応させ約２時間〜３時間かけて徐々に減
圧しながら１８０〜２２０°Ｃの温度下で最終的に１０
Ｔｏｒｒ＋２２０９Ｃ下で前縮合を終了する。その後、
１０Ｔｏｒｒ、２７０°Ｃ下で３０分、５Ｔｏｒｒ。

２７０°Ｃ下で２０分反応し、次いで０．５Ｔｏｒｒ以
下好ましくは０．３Ｔｏｒｒ〜０．ＩＴｏｒｒの減圧下
で２７０°Ｃ下で１゜５時間〜２．０時間稜線合を進め
る。尚、カーボネート結合のためカーボネート化触媒と
してはリチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系
触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアル力り金属、
アルカリ土類金属触媒が適しており例えば水酸化リチウ
ム、炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素
カリウム、水酸化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム
、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド、酸化第１錫
が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用いる
ことが好ましい。

■ホスゲン法 三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管をつける。２，２．ビス−（３，５−ジメチル４−
ヒドロキシフェニル）プロパンと１，１′、ビス−（４
−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロビルベンゼン
の混合物をピリジンに溶かしこれを激しくかき混ぜなが
らホスゲンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒
であるから強力なドラフト中で操作する。また、排気末
端には水酸化ナトリウム１０％水溶液で余剰ホスゲンを
分解無毒化するユニットをつける。ホスゲンはボンベか
らの洗気びん、パラフィンを入れた洗気びん（池数を数
える）、空の洗気びんを通してフラスコに導入する。ガ
ラス導入管はかき混ぜ機の上に差し込むようにし、析出
するピリジン塩によってつまらないようにするため先端
を漏斗状に広げておく。ガス導入に伴いピリジンの塩酸
塩が析出して内容は濁ってくる。反応温度は３０°Ｃ以
下になるように水冷する。縮合の進行とともに粘ちょう
になってくる。ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えな
くなるまでホスゲンを通じる。反応終了後、メタノール
を加えて重合体を沈殿せしめ、ろ別乾燥する。生成する
ポリカーボネートは塩化メチレン、ピリジン、クロロホ
ルム、テトラヒドロフランなどに溶けるから、これらの
溶液からメタノールで再沈殿して精製する。このように
して得られるポリカーボネート共重合体は、レーザー光
線により信号を記録し、あるいは、レーザー光線の反射
又は透過により記録された信号の読み出しをおこなうＤ
ＲＡＷ。

Ｅｒａｓａｂｌｅ−ＤＲＡＷ光学式情報記録用ディスク
に有用である。以下に本発明を実施例について説明する
が、本発明は、これらの実施例によって限定されるもの
ではない。

実施例１ ２．２−ビス−（３，５−ジメチル４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン２４９重量部（６０ｍｏ１％）と１，１
′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプ
ロビルベンゼン１３７重量部（４０ｍｏ１％）とジフェ
ニルカーボネート２６５重量部を３１三つロフラスコに
入れ脱気、Ｎ２パージを５回繰り返した後、シリコンバ
ス１６０°Ｃで窒素を導入しながら溶融させた。溶融し
たら、カーボネート化触媒である水素化ホウ素カリウム
を予めフェノールに溶かした溶液（仕込んだビスフェノ
ール全量に対して１０−３ｍｏ１％量）を加え、１６０
°Ｃ，Ｎ２下、３０分攪はん醸成した。次に、同温度下
、１００Ｔｏｒｒにし３０分攪はんした後、同温度下で
さらに５ＱＴｏｒｒに減圧し６０分反応させた。次に徐
々に温度を２２０°Ｃまで上げ６０分反応させここまで
の反応でフェノール留出理論量の８０％を留出させた。

しかるのち、同温度下で１ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反
応させ温度を徐々に２７０°Ｃに上げ、３０分反応させ
た。さらに同温度下で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応さ
せ、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合
を終えた。次に同温度下で０．１〜Ｑ−３Ｔｏｒｒで２
時間径縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り
出し冷却した後ジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃ
にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均
分子量はＭｖ　＝　１９，７００であった。

実施例２ 三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。ジクロルメタンに２，２−ビス−（３，５
−ジメチル４−ヒドロキシフェニル）プロパン２４９重
量部と１．１’−ビス−（４，ヒドロキシフェニル）−
ｍ−ジイソプロビルベンゼン１３７重量部を溶かし、水
酸化ナトリウム１０重量％水溶液を加えこれを激しく攪
はんしながらホスゲンガスを導入した。ホスゲンはボン
ベから空の洗気びん、水を入れた洗気びん、空の洗気び
んを通してフラスコに導入した。ホスゲンガスを導入中
の反応温度は２５°Ｃ以下になるように水冷ｌ−だ。縮
合の進行とともに溶液は粘ちょうになってくる。さらに
ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまでホス
ゲンを通じた。反応終了後、メタノールに反応溶液を注
ぎこみろ別し水洗を繰り返した。

さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタンの溶
液からメタノールで再沈精製した。精製後よく乾燥した
のちジクロルメタンを溶媒に用いて２００Ｃにて溶液粘
度を測定した。この値から算出した粘度を測定した。こ
の値から算出した粘度平均分子量はＭｖ＝２１，８００
であった。

（記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例１
，２に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機（
多機製作所製、ダイナメルター）を用いて直径１３０ｍ
ｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成形し、この基板上
にＴｂ２３．５Ｆｅ６４゜２ＣＯ１２，３（原子％）の
合金ターゲットを用いてスパッタリング装置（ＲＦスパ
ッタリング装置、日本真空（株）製）中で光磁気記録膜
を１，０００人形成した。この記録膜上に本出願人によ
る特開昭６０−１７７４４９号に記載の無機ガラスの保
護膜１，０００人を上記と同じスパッタリング装置を用
いて形成した。得られた光磁気ディスクの性能をＣＮ比
、ＢＥＲおよび６０°Ｃ９０ＲＨ％の条件下でのＣＮ比
変化率で評価した。結果は表１の通りであった。

表１ （注１）ＣＮ比＝書き込みパワー７ｍＷ（ミリワット）
。

読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、分解
能帯域中３０ＫＨｚで測定 （注２）　ＯＮ変化率（％）＝初期ＣＮ比に対する６０
°Ｃ２９０ＲＨ％条件下で３０日経過後のＣＮ比の低下
度（注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（音大
化成（株）Ａ、Ｄ−５５０３）基板を用いて上記と同じ
手順で光磁気ディスクを作ったものである。

表１の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりＣＮ比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ２、２−ビス−（３、５−ジメチル−４−ヒドロキシフ
   ェニル）プロパン９７〜３モル％と１、１′−ビス−（
   ４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロビルベンゼ
   ン３〜９７モル％とをカーボネート結合して得られる芳
   香族ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスク