JPS6389535A

JPS6389535A - 光学式デイスク

Info

Publication number: JPS6389535A
Application number: JP61233182A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Sugano; 菅野　龍也; Ikuo Takahashi; 郁夫高橋; Yoshihiro Iguchi; 井口　善裕
Original assignee: Daicel Chemical Industries Ltd
Current assignee: Daicel Corp
Priority date: 1986-10-02
Filing date: 1986-10-02
Publication date: 1988-04-20
Anticipated expiration: 2011-07-10
Also published as: JP2515993B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関す
る。

（従来の技術）レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいほこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、Ｅｒａｓａｂ
ｌｅ−ＤＲＡＷ（イレーザブル−ダイレクト・リード・
アフター・ライト）型光学式情報記録再生方式は著しく
記録密度を上げることができ特にＥｒａｓａｂｌｅ−Ｄ
ＲＡＷ型では記録の消去、書き込みも可能であり、且つ
それらから再生される画像や音質が優れた特性を有する
ことから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報記
録再生等に広く実用されることが期待されている。この
記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体を
レーザー光線が透過するために透明であることは勿論の
こと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が強
く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷却及び流
動過程において生じた熱応力２分子配向、ガラス転移点
付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レー
ザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ずる
。この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは
光学式ディスクとしては致命的欠陥である。

（発明が解決しようとする問題点）このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力２分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。

（問題点を解決するための手段）複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）式
で表すことができる。

ｎｌ−ｎ２＝Ｃ（ａｌ−ａ２）、　　　　　　　（１）
ｎｘ−ｎ２：複屈折 ’１−０２’残留応力Ｃ：光弾性定数（１）式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。そこで発明者らは１，１−ビス、（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼンと１，
１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン
をカーボネート結合によって共重合させることによって
芳香族ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく
光弾性定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発
明に至ったものである。

（発明の構成）本発明は１，１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）
−ｐ−ジイソプロピルベンゼン（Ｉ）９７〜３モル％と
１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン（Ｉｌ）３〜９７モル％とをカーボネート結合して
得られる芳香族ポリカーボネート共重合体から成る光学
式ディスクに関する。かくして、この発明によれば、下
記の式（Ｉ）、（ＩＩ）で示されるビスフェノールがカ
ーボネート結合により共重合してなる芳香族ポリカーボ
ネート共重合体が提供される。

（Ｉ）　　　　　　　　　　　　（ＩＩ）また、式（Ｉ
Ｉ　）の構成単位は１０〜９０モル％が好ましい。とい
うのは、式（ＩＩ　）の構成単位が１０モル％未満のも
のであると得られる芳香族ポリカーボネートの光弾性定
数は式（Ｉ）よりなるホモポリカーボネートとあまり変
わらない。また、式（ＩＩ　）の構成単位が９０モル％
を超えると得られる芳香族ポリカーボネートの流動性が
式（Ｉ）よりなるホモポリカーボネートに較べて著しく
低下する。なお、本発明の共重合体の粘度平均分子量は
１３，０００〜５０，０００が好ましい。１３，０００
未満では共重合体がもろくなり５０，０００を越えると
共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。

さらに、第３成分を共重合体させることも可能である。

本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては、
次の２つのの方法がある。

■エステル交換法１．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
イソプロピルベンゼンと１，１−ビス−（４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサンの混合物に対し化学量論的
に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネートに通常の
カーボネート化触媒の存在下的１６０〜１８０°Ｃの温度下で常圧下、不活性ガスを導
入した条件下で約３０分反応させ約２時間〜３時間かけ
て徐々に減圧しながら１８０〜２２０°Ｃの温度下で最
終的に１０Ｔｏｒｒ、２２０°Ｃ下で前縮合を終了する
。　　そ　　の　　後、１０Ｔｏｒｒ、２７０°Ｃ下　
　で３０分、５Ｔｏｒｒ、２７０°Ｃ下で２０分反応し
、次いで０．５Ｔｏｒｒ以下好ましくは０．３Ｔｏｒｒ
〜０．ＩＴｏｒｒの減圧下で２７０６Ｃ下で１．５時間
〜２．０時間稜線合を進める。尚、カーボネート結合の
ためカーボネート化触媒としてはリチウム系触媒、カリ
ウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触媒、錫
系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒が適し
ており例えば水酸化リチウム、炭酸リチウム、水素化ホ
ウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナトリウム
、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、ジブチ
ル錫オキシド、酸化第１錫が挙げられる。これらのうち
、カリウム系触媒を用いることが好ましい。

■ホスゲン法三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管をつける。１．１’−ビス−（４，ヒドロキシフェ
ニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼンと１，１−ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンの混合物を
ピリジンに溶かしこれを激しくかき混ぜながらホスゲン
ガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるから
強力なドラフト中で操作する。また、排気末端には水酸
化ナトリウム１０％水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化
するユニットをつける。ホスゲンはボンベからの洗気び
ん、パラフィンを入れた洗気びん（池数を数える）、空
の洗気びんを通してフラスコに導入する。ガラス導入管
はかき混ぜ機の上に差し込むようにし、析出するピリジ
ン塩によってつまらないようにするため先端を漏斗状に
広げておく。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出し
て内容は濁ってくる。反応温度は３０°Ｃ以下になるよ
うに水冷する。縮合の進行とともに粘ちょうになってく
る。ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまで
ホスゲンを通じる。反応終了後、メタノールを加えて重
合体を沈殿せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリカーボ
ネートは塩化メチレン、ピリジン、クロロホルム、テト
ラヒドロフランなどｊこ溶けるから、これらの溶液から
メタノールで再沈殿して精製する。このようにして得ら
れるポリカーボネート共重合体は、レーザー光線により
信号を記録し、あるいは、レーザー光線の反射又は透過
により記録された信号の読み出しをおこなうＤＲＡＷ、Ｅｒａｓａｂｌｅ−ＤＲＡＷ光学式情報記録
用ディスクに有用である。以下に本発明を実地例にっい
て説明するが、本発明は、これらの実施例によって限定
されるものではない。

実施例１１．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−ジイ
ソプロピルベンゼン２５０重量部（６０ｍｏ１％）と１
，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニルフシクロヘキサ
２１２９重量部（４０ｍｏ１％）とジフェニルカーボネ
ート２６５重量部を３１三つロフラスコに入れ脱気、Ｎ
２パージを５回繰り返した後、シリコンバス１８０°Ｃ
′″ｃ−窒素を導入しながら溶融させた。溶融したら、
カーボネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを予め
フェノールに溶かした溶Ｆｌｙ（仕込んだビスフェノー
ル全量に対して１０−３ｍｏ１％量）を加え、１８０°
Ｃ５Ｎ２下、３０分攪はん醸成した。次に、同温度下、
１ＱＱＴｏｒｒにし３０分攪はんした後、同温度下でさ
らに５ＱＴｏｒｒに減圧し６０分反応させた。次に徐々
に温度を２２０°Ｃまで上げ６０分反応させここまでの
反応でフェノール留出理論量の８０％を留出させた。し
かるのち、同温度下で１ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反応
させ温度を徐々に２７０°Ｃに上げ、３０分反応させた
。さらに同温度下で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応させ
、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を
終えた。次に同温度下で０．１〜Ｑ、３Ｔｏｒｒで２時
間径縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出
し冷却した後ジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃに
て溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均分
子量はＭｖ＝１９，２００であった。

実施例２三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。ジクロルメタンに１，１′−ビス。

（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベン
ゼン２５０重量部と１，１−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン１２９重量部を溶かし、水酸化
ナトリウム１０重量％水溶液を加えこれを激しく攪はん
しながらホスゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベか
ら空の洗気びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを
通してフラスコに導入した。ホスゲンガスを導入中の反
応温度は２５°Ｃ以下になるように水冷した。縮合の進
行とともに溶液は粘ちょうになってくる。さらにホスゲ
ン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを
通じた。反応終了後、メタノールに反応溶液を注ぎこみ
、ろ別し水洗を繰り返した。さらに生成したポリカーボ
ネートはジクロルメタンの溶液からメタノールで再沈精
製した。精製後よく乾燥したのちジクロルメタンを溶媒
に用いて２０°Ｃにて溶液粘度を測定した。この値から
算出した粘度を測定した。この値から算出した粘度平均
分子量はＭｖ＝２０，５００であった。

（記録特性の評価）上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例１
，２に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機（
多機製作所製、ダイナメルター）を用いて直径１３０ｍ
ｍ５厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成形し、この基板上
にＴｂ２３．５Ｆｅ６４．２ＣＯ１２，３（原子％）の合
金ターゲットを用いてスパッタリング装置（ＲＦスパッ
タリング装置、日本真空（株）製）中で光磁気記録膜を
１．０００人形成した。この記録膜上に本出願人による
特開昭６０−１７７４４９号に記載の無機ガラスの保護
膜１，０００人を上記と同じスパッタリング装置を用い
て形成した。得られた光磁気ディスクの性能をＣＮ比、
ＢＥＲおよび６０°Ｃ９０ＲＨ％の条件下でのＣＮ比変
化率で評価した。結果は表１の通りであった。

表１（注１）ＣＮ比＝書き込みパワー７ｍＷ（ミリワット）
。

読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、分解
能帯域中３０ＫＨｚで測定（注２）　ＣＮ変化率（％）＝初期ＣＮ比に対する６０
°Ｃ，９０ＲＨ％条件下で３０日経過後のＣＮ比の低下
度（注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（音大化
成（株）ＡＤ−５５０３）基板を用いて上記と同じ手順
で光磁気ディスクを作ったものである。

表１の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりＣＮ比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。

Claims

【特許請求の範囲】

１、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニノレ）−ｐ−
ジイソプロピルベンゼン９７〜３モル％と１、１−ビス
−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン３〜９７
モル％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカ
ーボネート共重合体から成る光学式ディスク