JPS6389541A - 光学式デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられるポ
リカーボネート重合体から成る光学式ディスクに関する
。

（従来の技術） レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいはこのようなビ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すＤＲＡＷ（ダ
イレクト・リード・アフター・ライト）、Ｅｒａｓａｂ
ｌｅ−ＤＲＡＷ（イレーザブル−ダイレクト・リード・
アフター・ライト）型光学式情報記録再生方式は著しく
記録密度を上げることができ特にＥｒａｓａｂｌｅ−Ｄ
ＲＡＷ型では記録の消去、書き込みも可能であり、且つ
それらから再生される画像や音質が優れた特性を有する
ことから画像や音質の記録又は記録再生、多量の情報記
録再生等に広く実用されることが期待されている。この
記録再生方式に利用されるディスクにはディスク本体を
レーザー光線が透過するために透明であることは勿論の
こと読み取り誤差を少なくするために光学的均質性が強
く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷却及び流
動過程において生じた熱応力２分子配向、ガラス転移点
付近の容積変化による残留応力が主な原因となり、レー
ザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折が生ずる
。この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは
光学式ディスクとしては致命的欠陥である。

（発明が解決しようとする問題点） このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力２分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるディ
スクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成形
樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に大
きく依存している。

（問題点を解決するための手段） 複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）式
で表すことができる。

ｎｌ−ｎ２　＝　Ｃ（ｃｙｌ−ａ２）　　　　　　　　
（１）ｎｘ−ｎ２：複屈折 σ□−６２：残留応力 Ｃ：光弾性定数 （１）式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。そこで発明者らは１，１−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼンをカー
ボネート結合によって重合させることによって芳香族ポ
リカーボネートの機械的特性を損ねることなく光弾性定
数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至っ
たものである。

（発明の構成） 本発明は１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−
ｐ−成る光学式ディスクに関する。かくして、この発明
によれば、下記の式（Ｉ）で示されるビスフェノールが
カーボネート結合により重合してなる芳香族ポリカーボ
ネート重合体が提供される。

なお、本発明の重合体の粘度平均分子量は１３．０００
〜５０，０００が好ましい。１３，０００未満では重合
体がもろくなり５０，０００を越えると重合体の流れが
悪くなり成形性が劣る。

（Ｉ） 本発明のポリカーボネート重合体の製造法としては、次
の２つのの方法がある。

■エステル交換法 １．１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｐ−ジ
イソプロピルベンゼンに対し化学量論的に当量よりやや
過剰のジフェニルカーボネートに通常のカーボネート化
触媒の存在下的１６０〜１８０°Ｃの温度下で常圧下、
不活性ガスを導入した条件下で約３０分反応させ約２時
間〜３時間かけて徐々に減圧しながら１８０〜２２０°
Ｃの温度下で最終的に１０Ｔｏｒｒ、２２０°Ｃ下で前
縮合を終了する。その後、１０Ｔｏｒｒ、２７０°Ｃ下
で３０分、５Ｔｏｒｒ、２７０°Ｃ下で２０分反応し、
次いで０．５Ｔｏｒｒ以下好ましくは０．３Ｔｏｒｒ〜
０．ＩＴｏｒｒの減圧下で２７０８Ｃ下で１．５時間〜
２．０時間稜線合を進める。尚、カーボネート結合のた
めカーボネート化触媒としてはリチウム系触媒、カリウ
ム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触媒、錫系
触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒が適して
おり例えば水酸化リチウム、炭酸リチウム、水素化ホウ
素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、
水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、ジブチル
錫オキシド、酸化第１錫が挙げられる。これらのうち、
カリウム系触媒を用いることが好ましい。

■ホスゲン法 三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管をつける。１，１′−ビス、（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼンをピリジンに溶か
しこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガスを導入する
のであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なドラフト
中で操作する。また、排気末端には水酸化ナトリウム１
０重量％水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化するユニッ
トをつける。ホスゲンはボンベからの洗気びん、パラフ
ィンを入れた洗気びん（池数を数える）、空の洗気びん
を通してフラスコに導入する。ガラス導入管はかき混ぜ
機の上に差し込むようにし、析出するピリジン塩によっ
てつまらないようにするため先端を漏斗状に広げておく
。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁
ってくる。反応温度は３０°Ｃ以下になるように水冷す
る。縮合の進行とともに粘ちょうになってくる。ホスゲ
ン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを
通じる。反応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿
せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩
化メチレン、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフ
ランなどに溶けるから、これらの溶液からメタノールで
再沈殿して精製する。このようにして得られるポリカー
ボネート重合体は、レーザー光線により信号を記録し、
あるいは、レーザー光線の反射又は透過により記録され
た信号の読み出しをおこなうＤＲＡＷ、Ｅｒａｓａｂｌ
ｅ−ＤＲＡＷ光学式情報記録用ディスクに有用である。

以下に本発明を実施例について説明するが、本発明は、
これらの実施例によって限定されるものではない。

実施例１ １．１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイ
ソプロピルベンゼン４１６重量部とジフェニルカーボネ
ート２６４重量部を３１三つロフラスコに入れ脱気、Ｎ
２パージを５回繰り返した後、シリコンバス１６０°Ｃ
で窒素を導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボ
ネート化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノ
ールに溶かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に対
して１〇−３ｍｏ１％量）を加え、１６０°Ｃ，Ｎ２下
、３０分授はん醸成した。次に、同温度下、１ＱＱＴｏ
ｒｒにし３０分攪はんした後、同温度下でさらに５ＱＴ
ｏｒｒに減圧し３０分反応させた。次に徐々に温度を２
２０°Ｃまで上げ３０分反応させここまでの反応でフェ
ノール留出理論量の８０％を留出させた。しかるのち、
同温度下で１ＱＴｏｒｒに減圧し３０分反応させ温度を
徐々に２７０°Ｃに上げ、３０分反応させた。さらに同
温度下で５Ｔｏｒｒに減圧し３０分反応させ、フェノー
ル留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を終えた。次
に同温度下で０．１〜Ｑ、３Ｔｏｒｒで２時間径縮合さ
せた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却した
後ジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃにて溶液粘度
を測定した。この値から算出した粘度平均分子量はＭｖ
＝２０，０００であった。

実施例２ 三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。ジクロルメタンに１，１′−ビス−（４−
ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン４
１６重量部を溶かし、水酸化ナトリウム１０重量％水溶
液を加えこれを激しく攪はんしながらホスゲンガスを導
入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん、水を入れ
た洗気びん、空の洗気びんを通してフラスコに導入した
。ホスゲンガスを導入中の反応温度は２５°Ｃ以下にな
るように水冷した。縮合の進行とともに溶液は粘ちょう
になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が
消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を繰り返した。

さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタンの溶
液からメタノールで再沈精製した。精製後よく乾燥した
のちジクロルメタンを溶媒に用いて２０°Ｃにて溶液粘
度を測定した。この値から算出した粘度を測定した。こ
の値から算出した粘度平均分子量はＭｖ＝２１，０００
であった。

（記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート重合体に記
録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例１，
２に記載のポリカーボネート重合体を射出成形機（多機
製作所製、ダイナメルター）を用いて直径１３０ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍの円盤状基板に成形し、この基板上に Ｔｂ２３．５Ｆｅ６４．２ＣＯ１２，３（原子％）の合
金ターゲットを用いてスパッタリング装置（ＲＦスパッ
タリング装置、日本真空（株）製）中で光磁気記録膜を
１．０００人形成した。この記録膜上に本出願人による
特開昭６０−１７７４４９号に記載の無機ガラスの保護
膜１，０００人を上記と同じスパッタリング装置を用い
て形成した。得られた光磁気ディスクの性能をＣＮ比、
ＢＥＲおよび６０°Ｃ９０ＲＨ％の条件下でのＣＮ比変
化率で評価した。結果は表１の通りであった。

表１ （注１）ＣＮ比＝書き込みパワー７ｍＷ（ミリワット）
。

読み取りパワー１ｍＷ、キャリア周波数ＩＭＨｚ、分解
能帯域中３０ＫＨｚで測定 （注２）　ＣＮ変化率（％）＝初期ＣＮ比に対する６０
°Ｃ２９０ＲＨ％条件下で３０日経過後のＣＮ比の低下
度（注３）比較例＝従来公知のポリカーボネート（音大
化成（株）ＡＤ−５５０３）基板を用いて上記と同じ手
順で光磁気ディスクを作ったものである。

表１の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート重合体は複屈折値の低下によりＣＮ比が大幅に
向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、１′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジ
   イソプロピルベンゼンをカーボネート結合して得られる
   芳香族ポリカーボネート重合体から成る光学式ディスク