JP2552121B2 - 光学式デイスク - Google Patents
光学式デイスクInfo
- Publication number
- JP2552121B2 JP2552121B2 JP61234283A JP23428386A JP2552121B2 JP 2552121 B2 JP2552121 B2 JP 2552121B2 JP 61234283 A JP61234283 A JP 61234283A JP 23428386 A JP23428386 A JP 23428386A JP 2552121 B2 JP2552121 B2 JP 2552121B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- phosgene
- mol
- disk
- torr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はレーザー光線により信号を記録しあるいは
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられる
ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関
する。
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられる
ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関
する。
（従来の技術） レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、デ
ィスクに微細なピットで信号を記録あるいはこのような
ピットによって記録された信号をレーザー光線の反射又
は透過光量を検出することによって読み出すDRAW（ダイ
レクト・リード・アフター・ライト）,Erasable−DRAW
（イレーザブル−ダイレクト・リード・アフター・ライ
ト）型光学式情報記録再生方式は著しく記録密度を上げ
ることができ特にErasable−DRAW型では記録の消去・書
き込みも可能であり、且つそれらから再生される画像や
音質が優れた特性を有することから画像や音質の記録又
は記録再生、多量の情報記録再生等に広く実用されるこ
とが期待されている。この記録再生方式に利用されるデ
ィスクにはディスク本体をレーザー光線が透過するため
に透明であることは勿論のこと読み取り誤差を少なくす
るために光学的均質性が強く求められる。ディスク本体
形成時の樹脂の冷却及び流動過程において生じた熱応
力，分子配向，ガラス転移点付近の容積変化による残留
応力が主な原因となり、レーザー光線がディスク本体を
通過する際に複屈折が生ずる。この複屈折に起因する光
学的不均一性が大きいことは光学式ディスクとしては致
命的欠陥である。
ィスクに微細なピットで信号を記録あるいはこのような
ピットによって記録された信号をレーザー光線の反射又
は透過光量を検出することによって読み出すDRAW（ダイ
レクト・リード・アフター・ライト）,Erasable−DRAW
（イレーザブル−ダイレクト・リード・アフター・ライ
ト）型光学式情報記録再生方式は著しく記録密度を上げ
ることができ特にErasable−DRAW型では記録の消去・書
き込みも可能であり、且つそれらから再生される画像や
音質が優れた特性を有することから画像や音質の記録又
は記録再生、多量の情報記録再生等に広く実用されるこ
とが期待されている。この記録再生方式に利用されるデ
ィスクにはディスク本体をレーザー光線が透過するため
に透明であることは勿論のこと読み取り誤差を少なくす
るために光学的均質性が強く求められる。ディスク本体
形成時の樹脂の冷却及び流動過程において生じた熱応
力，分子配向，ガラス転移点付近の容積変化による残留
応力が主な原因となり、レーザー光線がディスク本体を
通過する際に複屈折が生ずる。この複屈折に起因する光
学的不均一性が大きいことは光学式ディスクとしては致
命的欠陥である。
（発明が解決しようとする問題点） このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程
において生じた熱応力，分子配向，残留応力が主原因で
生ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に
大きく依存している。
において生じた熱応力，分子配向，残留応力が主原因で
生ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、すなわち光弾性定数に
大きく依存している。
（問題点を解決するための手段） 複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記（１）
式で表すことができる。
式で表すことができる。
n1−n2＝Ｃ（σ１−σ２） （１） n1−n2:複屈折 σ１−σ2:残留応力 C:光弾性定数 （１）式から光弾性定数を小さくすれば成形条件が同
じでも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明
らかである。そこで発明者らは2,2−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンと4,4′−［1,3−フェニレン
ビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノールをカー
ボネート結合によって共重合させることによって芳香族
ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく光弾性
定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至
ったものである。
じでも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明
らかである。そこで発明者らは2,2−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンと4,4′−［1,3−フェニレン
ビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノールをカー
ボネート結合によって共重合させることによって芳香族
ポリカーボネートの機械的特性を損ねることなく光弾性
定数の小さな樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至
ったものである。
（発明の構成） 本発明は2,2−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン（Ｉ）97〜３モル％と4,4′−［1,3−フェニレン
ビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノール（II）
３〜97モル％とをカーボネート結合して得られる芳香族
ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関
する。かくして、この発明によれば、下記の式（Ｉ），
（II）で示されるビスフェノールがカーボネート結合に
より共重合してなる芳香族ポリカーボネート共重合体が
提供される。
ロパン（Ｉ）97〜３モル％と4,4′−［1,3−フェニレン
ビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノール（II）
３〜97モル％とをカーボネート結合して得られる芳香族
ポリカーボネート共重合体から成る光学式ディスクに関
する。かくして、この発明によれば、下記の式（Ｉ），
（II）で示されるビスフェノールがカーボネート結合に
より共重合してなる芳香族ポリカーボネート共重合体が
提供される。
また、式（II）の構成単位は10〜90モル％が好まし
い。というのは、式（II）の構成単位が10モル％未満の
ものであると得られる芳香族ポリカーボネートの光弾性
定数が式（Ｉ）のホモポリカーボネートとほとんど変わ
らずまた、式（II）の構成単位が90モル％を超えると得
られる芳香族ポリカーボネートのガラス転移点が式
（Ｉ）のホモポリマーに較べて著しく低下する。なお、
本発明の共重合体の粘度平均分子量は13,000〜50,000が
好ましい。13,000未満では共重合体がもろくなり50,000
を越えると共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。
い。というのは、式（II）の構成単位が10モル％未満の
ものであると得られる芳香族ポリカーボネートの光弾性
定数が式（Ｉ）のホモポリカーボネートとほとんど変わ
らずまた、式（II）の構成単位が90モル％を超えると得
られる芳香族ポリカーボネートのガラス転移点が式
（Ｉ）のホモポリマーに較べて著しく低下する。なお、
本発明の共重合体の粘度平均分子量は13,000〜50,000が
好ましい。13,000未満では共重合体がもろくなり50,000
を越えると共重合体の流れが悪くなり成形性が劣る。
さらに、第３成分を共重合体させることも可能であ
る。本発明のポリカーボネート共重合体の製造法として
は、次の２つのの方法がある。
る。本発明のポリカーボネート共重合体の製造法として
は、次の２つのの方法がある。
エステル交換法 2,2−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパンと
4,4′−［1,3−フェニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）］ビスフェノールの混合物に対し化学量論的に当量
よりやや過剰のジフェニルカーボネートに通常のカーボ
ネート化触媒の存在下約160〜180℃の温度下で常圧下、
不活性ガスを導入した条件下で約30分反応させ約２時間
〜３時間かけて徐々に減圧しながら180〜220℃の温度下
で最終的に10Torr,220℃下で前縮合を終了する。その
後、10Torr,270℃下で30分,5Torr,270℃下で20分反応
し、次いで0.5Torr以下好ましくは0.3Torr〜0.1Torrの
減圧下で270℃下で1.5時間〜2.0時間後縮合を進める。
尚、カーボネート結合のためカーボネート化触媒として
はリチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系触
媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属触媒が適しており例えば水酸化リチウ
ム、炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素
カリウム、水酸化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド、酸化第１
錫が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用い
ることが好ましい。
4,4′−［1,3−フェニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）］ビスフェノールの混合物に対し化学量論的に当量
よりやや過剰のジフェニルカーボネートに通常のカーボ
ネート化触媒の存在下約160〜180℃の温度下で常圧下、
不活性ガスを導入した条件下で約30分反応させ約２時間
〜３時間かけて徐々に減圧しながら180〜220℃の温度下
で最終的に10Torr,220℃下で前縮合を終了する。その
後、10Torr,270℃下で30分,5Torr,270℃下で20分反応
し、次いで0.5Torr以下好ましくは0.3Torr〜0.1Torrの
減圧下で270℃下で1.5時間〜2.0時間後縮合を進める。
尚、カーボネート結合のためカーボネート化触媒として
はリチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系触
媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属触媒が適しており例えば水酸化リチウ
ム、炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素
カリウム、水酸化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド、酸化第１
錫が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用い
ることが好ましい。
ホスゲン法 三つ口フラスコにかき混ぜ機，温度計，ガス導入管，
排気管をつける。2,2−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンと4,4′−［1,3−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン）］ビスフェノールの混合物をピリジン
に溶かしこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガスを導
入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なド
ラフト中で操作する。また、排気末端には水酸化ナトリ
ウム10％水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化するユニッ
トをつける。ホスゲンはボンベからの洗気びん、パラフ
ィンを入れた洗気びん（泡数を数える）、空の洗気びん
を通してフラスコに導入する。ガラス導入管はかき混ぜ
機の上に差し込むようにし、析出するピリジン塩によっ
てつまらないようにするため先端を漏斗状に広げてお
く。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は
濁ってくる。反応温度は30℃以下になるように水冷す
る。縮合の進行とともに粘ちょうになってくる。ホスゲ
ン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを
通じる。反応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿
せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩
化メチレン、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフ
ランなどに溶けるから、これらの溶液からメタノールで
再沈殿して精製する。このようにして得られるポリカー
ボネート共重合体は、レーザー光線により信号を記録
し、あるいは、レーザー光線の反射又は透過により記録
された信号の読み出しをおこなうDRAW,Erasable−DRAW
光学式情報記録用ディスクに有用である。以下に本発明
を実地例について説明するが、本発明は、これらの実施
例によって限定されるものではない。
排気管をつける。2,2−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンと4,4′−［1,3−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン）］ビスフェノールの混合物をピリジン
に溶かしこれを激しくかき混ぜながらホスゲンガスを導
入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なド
ラフト中で操作する。また、排気末端には水酸化ナトリ
ウム10％水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化するユニッ
トをつける。ホスゲンはボンベからの洗気びん、パラフ
ィンを入れた洗気びん（泡数を数える）、空の洗気びん
を通してフラスコに導入する。ガラス導入管はかき混ぜ
機の上に差し込むようにし、析出するピリジン塩によっ
てつまらないようにするため先端を漏斗状に広げてお
く。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は
濁ってくる。反応温度は30℃以下になるように水冷す
る。縮合の進行とともに粘ちょうになってくる。ホスゲ
ン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを
通じる。反応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿
せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩
化メチレン、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフ
ランなどに溶けるから、これらの溶液からメタノールで
再沈殿して精製する。このようにして得られるポリカー
ボネート共重合体は、レーザー光線により信号を記録
し、あるいは、レーザー光線の反射又は透過により記録
された信号の読み出しをおこなうDRAW,Erasable−DRAW
光学式情報記録用ディスクに有用である。以下に本発明
を実地例について説明するが、本発明は、これらの実施
例によって限定されるものではない。
実施例１ 2,2−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン164
重量部（60mol％）と4,4′−［1,3−フェニレンビス
（１−メチルエチリデン）］ビスフェノール166重量部
（40mol％）とジフェニルカーボネート264重量部を３
三つ口フラスコに入れ脱気、N2パージを５回繰り返した
後、シリコンバス160℃で窒素を導入しながら溶融させ
た。溶融したら、カーボネート化触媒である水素化ホウ
素カリウムを予めフェノールに溶かした溶液（仕込んだ
ビスフェノール全量に対して10-3mol％量）を加え、160
℃,N2下,30分撹はん醸成した。次に、同温度下、100Tor
rにし30分撹はんした後、同温度下でさらに50Torrに減
圧し30分反応させた。次に徐々に温度を220℃まで上げ3
0分反応させここまでの反応でフェノール留出理論量の8
0％を留出させた。しかるのち、同温度下で10Torrに減
圧し30分反応させ温度を徐々に270℃に上げ、30分反応
させた。さらに同温度下で5Torrに減圧し30分反応さ
せ、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合
を終えた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで２時間後縮合
させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却し
た後ジクロルメタンを溶媒に用いて20℃にて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量はｖ＝
21,000であった。また、DSC（示差走査熱量計）からガ
ラス転移点はTg＝130℃であることが、わかった。光弾
性定数を測定するとＣ＝62Brewsters（10-12m2/N）であ
ることが、わかった。
重量部（60mol％）と4,4′−［1,3−フェニレンビス
（１−メチルエチリデン）］ビスフェノール166重量部
（40mol％）とジフェニルカーボネート264重量部を３
三つ口フラスコに入れ脱気、N2パージを５回繰り返した
後、シリコンバス160℃で窒素を導入しながら溶融させ
た。溶融したら、カーボネート化触媒である水素化ホウ
素カリウムを予めフェノールに溶かした溶液（仕込んだ
ビスフェノール全量に対して10-3mol％量）を加え、160
℃,N2下,30分撹はん醸成した。次に、同温度下、100Tor
rにし30分撹はんした後、同温度下でさらに50Torrに減
圧し30分反応させた。次に徐々に温度を220℃まで上げ3
0分反応させここまでの反応でフェノール留出理論量の8
0％を留出させた。しかるのち、同温度下で10Torrに減
圧し30分反応させ温度を徐々に270℃に上げ、30分反応
させた。さらに同温度下で5Torrに減圧し30分反応さ
せ、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合
を終えた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで２時間後縮合
させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出し冷却し
た後ジクロルメタンを溶媒に用いて20℃にて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度平均分子量はｖ＝
21,000であった。また、DSC（示差走査熱量計）からガ
ラス転移点はTg＝130℃であることが、わかった。光弾
性定数を測定するとＣ＝62Brewsters（10-12m2/N）であ
ることが、わかった。
実施例２ 三つ口フラスコに撹はん機，温度計，ガス導入管，排
気管をつける。水酸化ナトリウム10重量％水溶液に2,2
−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン164重量
部と4,4′−［1,3−フェニレンビス（１−メチルエチリ
デン）］ビスフェノール166重量部を溶かし、ジクロル
メタンを加えこれを激しく撹はんしながらホスゲンガス
を導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん，水を
入れた洗気びん，空の洗気びんを通してフラスコに導入
した。ホスゲンガスを導入中の反応温度は25℃以下にな
るように水冷した。縮合の進行とともに溶液は粘ちょう
になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が
消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を繰り返した。
さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタンの溶
液からメタノールで再沈精製した。精製後よく乾燥した
のちジクロルメタンを溶媒に用いて20℃にて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度を測定した。この値
から算出した粘度平均分子量はｖ＝22,000であった。
気管をつける。水酸化ナトリウム10重量％水溶液に2,2
−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン164重量
部と4,4′−［1,3−フェニレンビス（１−メチルエチリ
デン）］ビスフェノール166重量部を溶かし、ジクロル
メタンを加えこれを激しく撹はんしながらホスゲンガス
を導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気びん，水を
入れた洗気びん，空の洗気びんを通してフラスコに導入
した。ホスゲンガスを導入中の反応温度は25℃以下にな
るように水冷した。縮合の進行とともに溶液は粘ちょう
になってくる。さらにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が
消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メタ
ノールに反応溶液を注ぎこみろ別し水洗を繰り返した。
さらに生成したポリカーボネートはジクロルメタンの溶
液からメタノールで再沈精製した。精製後よく乾燥した
のちジクロルメタンを溶媒に用いて20℃にて溶液粘度を
測定した。この値から算出した粘度を測定した。この値
から算出した粘度平均分子量はｖ＝22,000であった。
（記録特性の評価） 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体
に記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例
1,2に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機
（名機製作所製、ダイナメルター）を用いて直径130m
m、厚さ1.2mmの円盤状基板に成形し、この基板上にTb
23.5Fe64.2Co12.3（原子％）の合金ターゲットを用いて
スパッタリング装置（RFスパッタリング装置、日本真空
（株）製）中で光磁気記録膜を1,000Å形成した。この
記録膜上に本出願人による特開昭60−177449号に記載の
無機ガラスの保護膜1,000Åを上記と同じスパッタリン
グ装置を用いて形成した。得られた光磁気ディスクの性
能をCN比、BERおよび60℃90RH％の条件下でのCN比変化
率で評価した。結果は表１の通りであった。
に記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例
1,2に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機
（名機製作所製、ダイナメルター）を用いて直径130m
m、厚さ1.2mmの円盤状基板に成形し、この基板上にTb
23.5Fe64.2Co12.3（原子％）の合金ターゲットを用いて
スパッタリング装置（RFスパッタリング装置、日本真空
（株）製）中で光磁気記録膜を1,000Å形成した。この
記録膜上に本出願人による特開昭60−177449号に記載の
無機ガラスの保護膜1,000Åを上記と同じスパッタリン
グ装置を用いて形成した。得られた光磁気ディスクの性
能をCN比、BERおよび60℃90RH％の条件下でのCN比変化
率で評価した。結果は表１の通りであった。
表１の結果から明らかなように、本発明によるポリカ
ーボネート共重合体は複屈折値の低下によりCN比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。
ーボネート共重合体は複屈折値の低下によりCN比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。
Claims (1)
- 【請求項１】2,2−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン97〜３モル％と4,4′−［1,3−フェニレンビス
（１−メチルエチリデン）］ビスフェノール３〜97モル
％とをカーボネート結合して得られる芳香族ポリカーボ
ネート共重合体から成る光学式デイスク
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234283A JP2552121B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 光学式デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234283A JP2552121B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 光学式デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6389539A JPS6389539A (ja) | 1988-04-20 |
| JP2552121B2 true JP2552121B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=16968550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61234283A Expired - Lifetime JP2552121B2 (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 光学式デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2552121B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2530324B2 (ja) * | 1986-09-20 | 1996-09-04 | ソニー株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| EP0362792A3 (en) * | 1988-10-05 | 1991-04-03 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Aromatic polycarbonate copolymer and optical disk having a substrate of the same |
| JP4866508B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2012-02-01 | 帝人化成株式会社 | 光学用成形材料の製造方法 |
| JP2002265585A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Mitsui Chemicals Inc | ポリカーボネート共重合体およびその用途 |
| JP4673997B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2011-04-20 | 帝人化成株式会社 | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
| JP4673998B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2011-04-20 | 帝人化成株式会社 | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
| JP4711538B2 (ja) * | 2001-05-10 | 2011-06-29 | 帝人化成株式会社 | 高精密転写性ポリカーボネート光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
| JP4674000B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2011-04-20 | 帝人化成株式会社 | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
| JP2002348367A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Teijin Chem Ltd | 芳香族ポリカーボネート樹脂およびそれからの成形品 |
| JP5030467B2 (ja) | 2006-04-28 | 2012-09-19 | 出光興産株式会社 | 導光部材及び照明ユニット |
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-
1986
- 1986-10-03 JP JP61234283A patent/JP2552121B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6389539A (ja) | 1988-04-20 |
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