JP2513725B2 - ポリカ―ボネ―ト共重合体 - Google Patents
ポリカ―ボネ―ト共重合体Info
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- JP2513725B2 JP2513725B2 JP62234391A JP23439187A JP2513725B2 JP 2513725 B2 JP2513725 B2 JP 2513725B2 JP 62234391 A JP62234391 A JP 62234391A JP 23439187 A JP23439187 A JP 23439187A JP 2513725 B2 JP2513725 B2 JP 2513725B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bisphenol
- mol
- phenylethane
- bis
- hydroxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、1,1−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシ
ャリブチルフェニル）−１−フェニルエタンと1,3−ビ
ス（４−ヒドロキシ−１−イソプロピリデンフェニル）
ヘンゼン〔以下ビスフェノールＭと略称〕を二価フェノ
ール成分とする優れた耐熱性と透明性を有するポリカー
ボネート共重合体に関するものである。更に、レーザー
光線により信号を記録し、或いはレーザー光線の反射又
は透過により記録された信号の読み出しを行う光学式情
報記録用ディスクに用いられるポリカーボネート共重合
体に関するものである。
ャリブチルフェニル）−１−フェニルエタンと1,3−ビ
ス（４−ヒドロキシ−１−イソプロピリデンフェニル）
ヘンゼン〔以下ビスフェノールＭと略称〕を二価フェノ
ール成分とする優れた耐熱性と透明性を有するポリカー
ボネート共重合体に関するものである。更に、レーザー
光線により信号を記録し、或いはレーザー光線の反射又
は透過により記録された信号の読み出しを行う光学式情
報記録用ディスクに用いられるポリカーボネート共重合
体に関するものである。
レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、デ
ィスクに微細なピットで信号を記録し、或いはこのよう
なピットによって記録された信号をレーザー光線の反射
又は透過光量を検出することによって読み出すDRAW,Era
sable-DRAW型光学式情報記録・再生方式は著しく記録密
度を上げることができ、特にErasable-DRAW型では記録
の消去・書き込みも可能であり、且つそれらから再生さ
れる画像や音質が優れた特性を有することから、画像や
音声の記録又は記録再生、多量の情報記録再生等に広く
実用されることが期待されている。この記録再生方式に
利用されるディスクにはディスク本体をレーザー光線が
透過するために透明であることは勿論のこと、読み取り
誤差を少なくするために光学的均質性が強く求められ
る。ディスク本体成形時の樹脂の冷却及び流動過程にお
いて生じた熱応力、分子配向、ガラス転移点付近の容積
変化等による残留応力が主な原因となり、レーザー光線
がディスク本体を通過する際に複屈折が生ずる。この複
屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは光学式デ
ィスクとしては致命的欠陥である。
ィスクに微細なピットで信号を記録し、或いはこのよう
なピットによって記録された信号をレーザー光線の反射
又は透過光量を検出することによって読み出すDRAW,Era
sable-DRAW型光学式情報記録・再生方式は著しく記録密
度を上げることができ、特にErasable-DRAW型では記録
の消去・書き込みも可能であり、且つそれらから再生さ
れる画像や音質が優れた特性を有することから、画像や
音声の記録又は記録再生、多量の情報記録再生等に広く
実用されることが期待されている。この記録再生方式に
利用されるディスクにはディスク本体をレーザー光線が
透過するために透明であることは勿論のこと、読み取り
誤差を少なくするために光学的均質性が強く求められ
る。ディスク本体成形時の樹脂の冷却及び流動過程にお
いて生じた熱応力、分子配向、ガラス転移点付近の容積
変化等による残留応力が主な原因となり、レーザー光線
がディスク本体を通過する際に複屈折が生ずる。この複
屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは光学式デ
ィスクとしては致命的欠陥である。
このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程
において生じた熱応力・分子配向・残留応力が主原因で
生ずる複屈折は成形条件を選ぶことによって、得られる
ディスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、
成形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大
きく依存している。
において生じた熱応力・分子配向・残留応力が主原因で
生ずる複屈折は成形条件を選ぶことによって、得られる
ディスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、
成形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大
きく依存している。
複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記式
（１）で表すことができる。
（１）で表すことができる。
n1−n2＝Ｃ（σ１−σ２） （１） 式（１）の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じ
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。
でも得られるディスクの複屈折が小さくなることは明ら
かである。
そこで本発明者らは式（III） で表される1,1−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャ
リブチルフェニル）−１−フェニルエタンと、式（IV） で表されるビスフェノールＭをカーボネート結合によっ
て共重合させることによって、芳香族ポリカーボネート
の機械的特性を損ねることなく光弾性定数の小さな樹脂
が得られる事実を見出し、本発明に至ったものである。
リブチルフェニル）−１−フェニルエタンと、式（IV） で表されるビスフェノールＭをカーボネート結合によっ
て共重合させることによって、芳香族ポリカーボネート
の機械的特性を損ねることなく光弾性定数の小さな樹脂
が得られる事実を見出し、本発明に至ったものである。
即ち、本発明は、1,1−ビス（４−ヒドロキシ−３−
ターシャリブチルフェニル）−１−フェニルエタンを99
〜１モル％、好ましくは90〜10モル％と、ビスフェノー
ルＭを１〜99モル％、好ましくは10〜90モル％とをカー
ボネート結合して得られ、下記の式（Ｉ）及び（II）で
表される繰り返し単位からなる芳香族ポリカーボネート
共重合体であって、（Ｉ）なる繰り返し単位と（II）な
る繰り返し単位とのモル比率が1:99〜99:1、好ましくは
10:90〜90:10であり、かつ粘度平均分子量が1,000〜10
0,000であることを特徴とする芳香族ポリカーボネート
共重合体に関する。
ターシャリブチルフェニル）−１−フェニルエタンを99
〜１モル％、好ましくは90〜10モル％と、ビスフェノー
ルＭを１〜99モル％、好ましくは10〜90モル％とをカー
ボネート結合して得られ、下記の式（Ｉ）及び（II）で
表される繰り返し単位からなる芳香族ポリカーボネート
共重合体であって、（Ｉ）なる繰り返し単位と（II）な
る繰り返し単位とのモル比率が1:99〜99:1、好ましくは
10:90〜90:10であり、かつ粘度平均分子量が1,000〜10
0,000であることを特徴とする芳香族ポリカーボネート
共重合体に関する。
式（Ｉ）の構成単位が１モル％未満であると得られる
芳香族ポリカーボネートの光弾性定数は式（II）よりな
るホモポリカーボネートとあまり変わらない。また式
（Ｉ）の構成単位が99モル％を超えると得られる芳香族
ポリカーボネートは脆くなる。
芳香族ポリカーボネートの光弾性定数は式（II）よりな
るホモポリカーボネートとあまり変わらない。また式
（Ｉ）の構成単位が99モル％を超えると得られる芳香族
ポリカーボネートは脆くなる。
本発明の共重合体の粘度平均分子量は1,000〜100,000
が好ましく、13,000〜50,000が更に好ましい。1,000未
満では成形品が脆くなり、また100,000を越えると流動
性が低下し成形性に劣り、何れも成形用樹脂として、更
には光ディスク用樹脂として不向きである。
が好ましく、13,000〜50,000が更に好ましい。1,000未
満では成形品が脆くなり、また100,000を越えると流動
性が低下し成形性に劣り、何れも成形用樹脂として、更
には光ディスク用樹脂として不向きである。
本発明のポリカーボネート共重合体の製造法としては
次の二つの方法がある。
次の二つの方法がある。
エステル交換法 1,1−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチル
フェニル）−１−フェニルエタンとビスフェノールＭの
混合物、これに対し化学量論的に当量よりやや過剰のジ
フェニルカーボネートに、通常のカーボネート化触媒の
存在下、約160〜180℃の温度で常圧下、不活性ガスを導
入した条件で約30分反応させ、２時間かけて徐々に減圧
しながら約180〜220℃の温度下で最終的に10Torr,220℃
で前縮合を終了する。その後、10Torr,270℃で30分、5T
orr,270℃で20分反応し、次いで0.5Torr以下、好ましく
は0.3Torr〜0.1Torrの減圧下で270℃で1.5時間〜2.0時
間後縮合を進める。
フェニル）−１−フェニルエタンとビスフェノールＭの
混合物、これに対し化学量論的に当量よりやや過剰のジ
フェニルカーボネートに、通常のカーボネート化触媒の
存在下、約160〜180℃の温度で常圧下、不活性ガスを導
入した条件で約30分反応させ、２時間かけて徐々に減圧
しながら約180〜220℃の温度下で最終的に10Torr,220℃
で前縮合を終了する。その後、10Torr,270℃で30分、5T
orr,270℃で20分反応し、次いで0.5Torr以下、好ましく
は0.3Torr〜0.1Torrの減圧下で270℃で1.5時間〜2.0時
間後縮合を進める。
尚、カーボネート結合のためのカーボネート化触媒と
しては、リチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム
系触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金
属、アルカリ土類金属触媒が適しており、例えば、水酸
化リチウム・炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム・リ
ン酸水素カリウム、水酸化ナトリウム・水素化ホウ素ナ
トリウム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド・酸
化第１錫が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒
を用いることが好ましい。
しては、リチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム
系触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金
属、アルカリ土類金属触媒が適しており、例えば、水酸
化リチウム・炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム・リ
ン酸水素カリウム、水酸化ナトリウム・水素化ホウ素ナ
トリウム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド・酸
化第１錫が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒
を用いることが好ましい。
ホスゲン法 三つ口フラスコに撹拌機、温度計、ガス導入管、排気
管を付ける。1,1−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシ
ャリブチルフェニル）−１−フェニルエタンとビスフェ
ノールＭの混合物をピリジン、ジクロルエタン等の溶媒
に溶かし、これを激しく撹拌しながらホスゲンガスを導
入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なド
ラフト中で操作する。また排気末端には水酸化ナトリウ
ム10％水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化するユニット
を付ける。ホスゲンはボンベから空の洗気びん、パラフ
ィンを入れた洗気びん（泡数を数える）、空の洗気びん
を通してフラスコに導入する。ガス導入管は撹拌機の上
に差し込むようにし、析出するピリジン塩によって詰ま
らないようにするため先端を漏斗状に広げておく。
管を付ける。1,1−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシ
ャリブチルフェニル）−１−フェニルエタンとビスフェ
ノールＭの混合物をピリジン、ジクロルエタン等の溶媒
に溶かし、これを激しく撹拌しながらホスゲンガスを導
入するのであるが、ホスゲンは猛毒であるから強力なド
ラフト中で操作する。また排気末端には水酸化ナトリウ
ム10％水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒化するユニット
を付ける。ホスゲンはボンベから空の洗気びん、パラフ
ィンを入れた洗気びん（泡数を数える）、空の洗気びん
を通してフラスコに導入する。ガス導入管は撹拌機の上
に差し込むようにし、析出するピリジン塩によって詰ま
らないようにするため先端を漏斗状に広げておく。
ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁
ってくる。反応温度は30℃以下になるように水冷する。
縮合の進行と共に粘稠になってくる。ホスゲン−塩化水
素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反
応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、濾
別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレ
ン、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなど
に溶けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿し
て精製する。
ってくる。反応温度は30℃以下になるように水冷する。
縮合の進行と共に粘稠になってくる。ホスゲン−塩化水
素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反
応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、濾
別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレ
ン、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなど
に溶けるから、これらの溶液からメタノールで再沈殿し
て精製する。
このようにして得られるポリカーボネート共重合体
は、レーザー光線により信号を記録し、或いはレーザー
光線の反射又は透過により記録された信号の読み出しを
行うDRAW,E-DRAW型光学式情報記録用ディスクに有用で
ある。
は、レーザー光線により信号を記録し、或いはレーザー
光線の反射又は透過により記録された信号の読み出しを
行うDRAW,E-DRAW型光学式情報記録用ディスクに有用で
ある。
以下に本発明を実施例について説明するが、本発明は
これらの実施例によって限定されるものではない。
これらの実施例によって限定されるものではない。
尚、部、％は重量基準を示す。
実施例１ 1,1−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチル
フェニル）−１−フェニルエタン48部（10mol％）と、
ビスフェノールM 374部（90mol％）と、ジフェニルカー
ボネート264部を3l三つ口フラスコに入れ、脱気、窒素
パージを５回繰り返した後、シリコンバス160℃で窒素
を導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネート
化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに
溶かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に対して10
-3mol％量）を加え、160℃、N2下30分撹拌醸成した。次
に同温度下100Torrに減圧し、30分撹拌した後、同温度
下で更に50Torrに減圧し、30分反応させた。次に徐々に
温度を220℃まで上げ60分反応させ、フェノール留出理
論量の80％を留出させた。しかる後、同温度下で10Torr
に減圧し30分反応させ、温度を徐々に270℃に上げ30分
反応させた。さらに同温度下で5Torrまで減圧し30分反
応させ、ここまでの反応でフェノール留出理論量のほぼ
全量を留出させ前縮合を終えた。次に同温度下で0.1〜
0.3Torrで２時間後縮合させた。窒素下にて生成物のポ
リマーを取り出し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒に
用いて20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出し
た粘度平均分子量ｖは26,000であった。IRスペクトル
を測定すると1760〜1810cm-1にカーボネート結合の特性
吸収が見られた（図１）。また1H-NMRを測定すると1.3p
pmにターシャリブチル基のメチル基水素の吸収、1.65pp
mにプロパンのメチル基水素の吸収、2.2ppmにフェニル
エタンのメチル基水素の吸収、7.0〜7.4ppmにフェニル
基に由来する吸収を観測した（図２）。またDSC（ディ
ファレンシャル・スキャニング・カロリメーター;Perki
n-Elmer 2C型）からガラス転移点はTg＝108℃であるこ
とがわかった。更に光弾性定数を測定するとＣ＝45 Bre
wsters（10-12m2/N）であることがわかった。またNMRの
積分値から生成したポリマーは1,1−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フェニル
エタンとビスフェノールＭが1:9（モル比）のポリカー
ボネート共重合体であることが確認できる。
フェニル）−１−フェニルエタン48部（10mol％）と、
ビスフェノールM 374部（90mol％）と、ジフェニルカー
ボネート264部を3l三つ口フラスコに入れ、脱気、窒素
パージを５回繰り返した後、シリコンバス160℃で窒素
を導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネート
化触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに
溶かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に対して10
-3mol％量）を加え、160℃、N2下30分撹拌醸成した。次
に同温度下100Torrに減圧し、30分撹拌した後、同温度
下で更に50Torrに減圧し、30分反応させた。次に徐々に
温度を220℃まで上げ60分反応させ、フェノール留出理
論量の80％を留出させた。しかる後、同温度下で10Torr
に減圧し30分反応させ、温度を徐々に270℃に上げ30分
反応させた。さらに同温度下で5Torrまで減圧し30分反
応させ、ここまでの反応でフェノール留出理論量のほぼ
全量を留出させ前縮合を終えた。次に同温度下で0.1〜
0.3Torrで２時間後縮合させた。窒素下にて生成物のポ
リマーを取り出し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒に
用いて20℃にて溶液粘度を測定した。この値から算出し
た粘度平均分子量ｖは26,000であった。IRスペクトル
を測定すると1760〜1810cm-1にカーボネート結合の特性
吸収が見られた（図１）。また1H-NMRを測定すると1.3p
pmにターシャリブチル基のメチル基水素の吸収、1.65pp
mにプロパンのメチル基水素の吸収、2.2ppmにフェニル
エタンのメチル基水素の吸収、7.0〜7.4ppmにフェニル
基に由来する吸収を観測した（図２）。またDSC（ディ
ファレンシャル・スキャニング・カロリメーター;Perki
n-Elmer 2C型）からガラス転移点はTg＝108℃であるこ
とがわかった。更に光弾性定数を測定するとＣ＝45 Bre
wsters（10-12m2/N）であることがわかった。またNMRの
積分値から生成したポリマーは1,1−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フェニル
エタンとビスフェノールＭが1:9（モル比）のポリカー
ボネート共重合体であることが確認できる。
測定に使用した機器はIRスペクトルメーター；日本分
光製IR-810、1H-NMR；日本電子製JNM-MH-100、DSC;ディ
ファレンシャル・スキャニング・カロリメーターPerkin
-Elmer 2C型、光弾性定数は自作のものを用いて測定し
たが、光弾性定数の算出方法は、試験片（5mm×100mm×
1mm）に異なる大きさの引張応力を長さ方向に印加し、
発生する複屈折を測定し、前記式（１）に各々の値を代
入し、その傾きから光弾性定数を求めた。因みに2,2−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンのポリカーボ
ネートの光弾性定数はＣ＝82 Brewsters（10-12m2/N）
であった。結果を表１に示す。
光製IR-810、1H-NMR；日本電子製JNM-MH-100、DSC;ディ
ファレンシャル・スキャニング・カロリメーターPerkin
-Elmer 2C型、光弾性定数は自作のものを用いて測定し
たが、光弾性定数の算出方法は、試験片（5mm×100mm×
1mm）に異なる大きさの引張応力を長さ方向に印加し、
発生する複屈折を測定し、前記式（１）に各々の値を代
入し、その傾きから光弾性定数を求めた。因みに2,2−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンのポリカーボ
ネートの光弾性定数はＣ＝82 Brewsters（10-12m2/N）
であった。結果を表１に示す。
粘度平均分子量の評価方法は、20℃における塩化メチ
レン溶液の固有粘度〔η〕をウベローデ粘度計を用いて
測定し、次式を用いて粘度平均分子量ｖを計算した。
レン溶液の固有粘度〔η〕をウベローデ粘度計を用いて
測定し、次式を用いて粘度平均分子量ｖを計算した。
〔η〕＝1.11×10-4（ｖ）0.82 実施例２ １の三つ口フラスコに撹拌機、温度計、ガス導入
管、排気管を付ける。ピリジン400mlに1,1−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フ
ェニルエタン4.8部（10mol％）とビスフェノールM 37.4
部（90mol％）を溶かし、これを激しく撹拌しながらホ
スゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気
びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は25
℃以下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶液は
粘稠になってくる。更にホスゲン−塩化水素錯体の黄色
が消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メ
タノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を繰り返
した。更に生成したポリカーボネートはジクロルメタン
の溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
管、排気管を付ける。ピリジン400mlに1,1−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フ
ェニルエタン4.8部（10mol％）とビスフェノールM 37.4
部（90mol％）を溶かし、これを激しく撹拌しながらホ
スゲンガスを導入した。ホスゲンはボンベから空の洗気
びん、水を入れた洗気びん、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入した。ホスゲンガスの導入中の反応温度は25
℃以下になるように水冷した。縮合の進行と共に溶液は
粘稠になってくる。更にホスゲン−塩化水素錯体の黄色
が消えなくなるまでホスゲンを通じた。反応終了後、メ
タノールに反応溶液を注ぎ込み、濾別し、水洗を繰り返
した。更に生成したポリカーボネートはジクロルメタン
の溶液からメタノールで再沈殿して精製した。
精製後よく乾燥した後、ジクロルメタンを溶媒に用い
て20℃で溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度
平均分子量ｖは27,200であった。また、実施例１と同
様に機器分析を行ったところ、実施例１と同じ結果が得
られたことから、生成したポリマーは1,1−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フ
ェニルエタンとビスフェノールＭの1:9（モル比）のポ
リカーボネートの共重合体であると確認することができ
る。
て20℃で溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度
平均分子量ｖは27,200であった。また、実施例１と同
様に機器分析を行ったところ、実施例１と同じ結果が得
られたことから、生成したポリマーは1,1−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フ
ェニルエタンとビスフェノールＭの1:9（モル比）のポ
リカーボネートの共重合体であると確認することができ
る。
実施例３ 1,1−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチル
フェニル）−１−フェニルエタン240部（50mol％）と、
ビスフェノールM 208部（50mol％）とジフェニルカーボ
ネート264部を3l三つ口フラスコに入れ、脱気、窒素パ
ージを５回繰り返した後、シリコンバス160℃で窒素を
導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネート化
触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶
かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に対して３×
10-3mol％量）を加え、160℃、N2下30分撹拌醸成した。
以下実施例１と同様にした。
フェニル）−１−フェニルエタン240部（50mol％）と、
ビスフェノールM 208部（50mol％）とジフェニルカーボ
ネート264部を3l三つ口フラスコに入れ、脱気、窒素パ
ージを５回繰り返した後、シリコンバス160℃で窒素を
導入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネート化
触媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶
かした溶液（仕込んだビスフェノール全量に対して３×
10-3mol％量）を加え、160℃、N2下30分撹拌醸成した。
以下実施例１と同様にした。
粘度平均分子量ｖは25,700であった。IRスペクトル
を測定すると1760〜1810cm-1にカーボネート結合の特定
吸収が見られた。また1H-NMRを測定すると1.3ppmにター
シャリブチル基のメチル基水素の吸収、1.62ppmにプロ
パンのメチル基水素の吸収、2.2ppmにフェニルエタンの
メチル基の水素の吸収、7.0〜7.3ppmにフェニル基に由
来する吸収を観測した。またDSCからガラス転移点はTg
＝126℃であることがわかった。更に光弾性定数を測定
するとＣ＝36 Brewsters（10-12m2/N）であることがわ
かった。またNMRの積分値から生成したポリマーは1,1−
ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニ
ル）−１−フェニルエタンとビスフェノールＭの1:1
（モル比）のポリカーボネート共重合体であることが確
認できる。結果を表１に示す。
を測定すると1760〜1810cm-1にカーボネート結合の特定
吸収が見られた。また1H-NMRを測定すると1.3ppmにター
シャリブチル基のメチル基水素の吸収、1.62ppmにプロ
パンのメチル基水素の吸収、2.2ppmにフェニルエタンの
メチル基の水素の吸収、7.0〜7.3ppmにフェニル基に由
来する吸収を観測した。またDSCからガラス転移点はTg
＝126℃であることがわかった。更に光弾性定数を測定
するとＣ＝36 Brewsters（10-12m2/N）であることがわ
かった。またNMRの積分値から生成したポリマーは1,1−
ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニ
ル）−１−フェニルエタンとビスフェノールＭの1:1
（モル比）のポリカーボネート共重合体であることが確
認できる。結果を表１に示す。
実施例４ １の三つ口フラスコに撹拌機、温度計、ガス導入
管、排気管を付ける。ピリジン400mlに1,1−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フ
ェニルエタン24部（50mol％）とビスフェノールM 21部
（50mol％）を溶かし、これを激しく撹拌しながらホス
ゲンガスを導入した。以下実施例２と同様とした。
管、排気管を付ける。ピリジン400mlに1,1−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フ
ェニルエタン24部（50mol％）とビスフェノールM 21部
（50mol％）を溶かし、これを激しく撹拌しながらホス
ゲンガスを導入した。以下実施例２と同様とした。
粘度平均分子量ｖは26,600であった。また、実施例
３と同様に機器分析を行ったところ、実施例３と同じ結
果が得られたことから、生成したポリマーは1,1−ビス
（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−
１−フェニルエタンとビスフェノールＭの1:1（モル
比）のポリカーボネートの共重合体であると確認するこ
とができる。
３と同様に機器分析を行ったところ、実施例３と同じ結
果が得られたことから、生成したポリマーは1,1−ビス
（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−
１−フェニルエタンとビスフェノールＭの1:1（モル
比）のポリカーボネートの共重合体であると確認するこ
とができる。
実施例５ 1,1−ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチル
フェニル）−１−フェニルエタン432部（90mol％）とビ
スフェノールM 42部（10mol％）とジフェニルカーボネ
ート264部を3l三つ口フラスコに入れ、脱気、窒素パー
ジを５回繰り返した後、シリコンバス160℃で窒素を導
入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネート化触
媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶か
した溶液（仕込んだビスフェノール全量に対して５×10
-3mol％量）を加え、160℃、N2下30分撹拌醸成した。以
下実施例１と同様とした。
フェニル）−１−フェニルエタン432部（90mol％）とビ
スフェノールM 42部（10mol％）とジフェニルカーボネ
ート264部を3l三つ口フラスコに入れ、脱気、窒素パー
ジを５回繰り返した後、シリコンバス160℃で窒素を導
入しながら溶融させた。溶融したら、カーボネート化触
媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶か
した溶液（仕込んだビスフェノール全量に対して５×10
-3mol％量）を加え、160℃、N2下30分撹拌醸成した。以
下実施例１と同様とした。
粘度平均分子量ｖは23,200であった。IRスペクトル
を測定すると1760〜1810cm-1にカーボネート結合の特性
吸収が見られた。また1H-NMRを測定すると1.3ppmにター
シャリーブチル基のメチル基水素の吸収、1.65ppmにプ
ロパンのメチル基水素の吸収、2.2ppmにフェニルエタン
のメチル基水素の吸収、6.9〜7.4ppmにフェニル基に由
来する吸収を観測した。またDSCからガラス転移点はTg
＝149℃であることがわかった。更に光弾性定数を測定
するとＣ＝29 Brewsters（10-12m2/N）であることがわ
かった。またNMRの積分値から生成したポリマーは1,1−
ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニ
ル）−１−フェニルエタンとビスフェノールＭの9:1
（モル比）のポリカーボネート共重合体であることが確
認できる。結果を表１に示す。
を測定すると1760〜1810cm-1にカーボネート結合の特性
吸収が見られた。また1H-NMRを測定すると1.3ppmにター
シャリーブチル基のメチル基水素の吸収、1.65ppmにプ
ロパンのメチル基水素の吸収、2.2ppmにフェニルエタン
のメチル基水素の吸収、6.9〜7.4ppmにフェニル基に由
来する吸収を観測した。またDSCからガラス転移点はTg
＝149℃であることがわかった。更に光弾性定数を測定
するとＣ＝29 Brewsters（10-12m2/N）であることがわ
かった。またNMRの積分値から生成したポリマーは1,1−
ビス（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニ
ル）−１−フェニルエタンとビスフェノールＭの9:1
（モル比）のポリカーボネート共重合体であることが確
認できる。結果を表１に示す。
実施例６ １の三つ口フラスコに撹拌機、温度計、ガス導入
管、排気管を付ける。ピリジン400mlに1,1−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フ
ェニルエタン43部（90mol％）とビスフェノールM 4部
（10mol％）を溶かし、これを激しく撹拌しながらホス
ゲンガスを導入した。以下実施例２と同様とした。
管、排気管を付ける。ピリジン400mlに1,1−ビス（４−
ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−１−フ
ェニルエタン43部（90mol％）とビスフェノールM 4部
（10mol％）を溶かし、これを激しく撹拌しながらホス
ゲンガスを導入した。以下実施例２と同様とした。
粘度平均分子量ｖは23,000であった。また、実施例
５と同様に機器分析を行ったところ、実施例５と同じ結
果が得られたことから、生成したポリマーは1,1−ビス
（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−
１−フェニルエタンとビスフェノールＭの9:1（モル
比）のポリカーボネートの共重合体であると確認するこ
とができる。
５と同様に機器分析を行ったところ、実施例５と同じ結
果が得られたことから、生成したポリマーは1,1−ビス
（４−ヒドロキシ−３−ターシャリブチルフェニル）−
１−フェニルエタンとビスフェノールＭの9:1（モル
比）のポリカーボネートの共重合体であると確認するこ
とができる。
比較例１ 2,2−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビ
スフェノールＡ）を273部用いて、以下実施例１と同様
とした。結果を表１に示す。
スフェノールＡ）を273部用いて、以下実施例１と同様
とした。結果を表１に示す。
〔発明の効果〕 本発明のポリカーボネート共重合体は優れた光学特性
を示し、高い耐熱性と透明性を備えているので、広く光
学材料として用いることができる。
を示し、高い耐熱性と透明性を備えているので、広く光
学材料として用いることができる。
更には光弾性係数が小さいためレーザー光線により信
号を記録し、或いはレーザー光線の反射又は透過により
記録された信号の読み出しを行う光学式情報記録用ディ
スクに有用である。
号を記録し、或いはレーザー光線の反射又は透過により
記録された信号の読み出しを行う光学式情報記録用ディ
スクに有用である。
図１、図３、図５はそれぞれ実施例１、３、５で得られ
た本発明の共重合体のIRスペクトル、図２、図４、図
６、はそれぞれ実施例１、３、５で得られた本発明の共
重合体の1H-NMRスペクトルである。
た本発明の共重合体のIRスペクトル、図２、図４、図
６、はそれぞれ実施例１、３、５で得られた本発明の共
重合体の1H-NMRスペクトルである。
Claims (1)
- 【請求項１】下記の式（Ｉ）及び（II）で表される繰り
返し単位からなる芳香族ポリカーボネート共重合体であ
って、（Ｉ）なる繰り返し単位と（II）なる繰り返し単
位とのモル比率が1:99〜99:1であり、かつ粘度平均分子
量が1,000〜100,000であることを特徴とする芳香族ポリ
カーボネート共重合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62234391A JP2513725B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | ポリカ―ボネ―ト共重合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62234391A JP2513725B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | ポリカ―ボネ―ト共重合体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6475523A JPS6475523A (en) | 1989-03-22 |
| JP2513725B2 true JP2513725B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=16970264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62234391A Expired - Lifetime JP2513725B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | ポリカ―ボネ―ト共重合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513725B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01178519A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-14 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学材料用樹脂 |
-
1987
- 1987-09-18 JP JP62234391A patent/JP2513725B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6475523A (en) | 1989-03-22 |
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