JPS6373520A - ウエハ−の露光方法 - Google Patents
ウエハ−の露光方法Info
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- JPS6373520A JPS6373520A JP61218386A JP21838686A JPS6373520A JP S6373520 A JPS6373520 A JP S6373520A JP 61218386 A JP61218386 A JP 61218386A JP 21838686 A JP21838686 A JP 21838686A JP S6373520 A JPS6373520 A JP S6373520A
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- JP
- Japan
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- reticle
- pattern
- wafer
- exposure
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241000287531 Psittacidae Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の製造方法に関し、特にその
製造工程におけるウェハーの露光方法に関する。
製造工程におけるウェハーの露光方法に関する。
従来の縮小投影露光方法は、マスク上のパターンを投影
レンズを介して、ウェハー上の所定の位置へ転写するも
のとなっていた。
レンズを介して、ウェハー上の所定の位置へ転写するも
のとなっていた。
上述した従来の縮小投影露光方法は、使用している投影
レンズのＮＡ値（開口数）や縮小率などにより、１ショ
ット当りの最大露光領域が制限される。従ってデバイス
設計に於いてチップの大型化に制約を受ける欠点がある
。また今後、ＮＡ値を増々大きくして行った場合、１シ
ョット当りの最大露光領域が増々小さくなるので問題に
なる。
レンズのＮＡ値（開口数）や縮小率などにより、１ショ
ット当りの最大露光領域が制限される。従ってデバイス
設計に於いてチップの大型化に制約を受ける欠点がある
。また今後、ＮＡ値を増々大きくして行った場合、１シ
ョット当りの最大露光領域が増々小さくなるので問題に
なる。
上述した従来の露光方法に対し、本発明４マ１つのレチ
クル中に回路パターンを分割して配置し、レチクル及び
ウェハーステージの両方を移動して、前記回路パターン
を各々ウェハー上の所定の位置へ分割露光することによ
って、前記回路パターンをウェハー上で組み合わせると
言う独創的な露光方法を有する。
クル中に回路パターンを分割して配置し、レチクル及び
ウェハーステージの両方を移動して、前記回路パターン
を各々ウェハー上の所定の位置へ分割露光することによ
って、前記回路パターンをウェハー上で組み合わせると
言う独創的な露光方法を有する。
本発明のウェハーの露光方法は、１つのレチクル中に回
路パターンを分割して配置し、レチクル及びウェハース
テージの両方を移動して、前記回路パターンを各々ウェ
ハー上の所定の位置へ分割露光することによって、前記
回路パターンをウェハー上で組み合わせることを特徴と
した方法である。
路パターンを分割して配置し、レチクル及びウェハース
テージの両方を移動して、前記回路パターンを各々ウェ
ハー上の所定の位置へ分割露光することによって、前記
回路パターンをウェハー上で組み合わせることを特徴と
した方法である。
本発明に関して図面を参照して説明する。第１図は、本
発明の第１の実施例を示す模式図である。
発明の第１の実施例を示す模式図である。
まずレチクルステージ１の上にレチクル２をセットする
。この場合、従来技術と同様にレチクルの位置合わせを
行なう、チップサイズ（回路パターン）が大きくて１回
の露光ショットで転写することが出来ないので、このレ
チクル２には、チップパターンを４つのパターンＡ、Ｂ
、Ｃ，Ｄに分割して各々配置しである。この４つのパタ
ーンは、あらかじめレチクル２中の所定の位置に配置さ
れている。従ってレチクル２の位置合わせを行なえばあ
とはレチクルステージの移動精度が良ければ、第１図に
示す用にＸ方向Ｙ方向に自由にレチクルステージ１を移
動することで、図中の点線に示す光の入射領域に、露光
を行ないたいパターンを持って行き露光を行なうことが
できる。第１図では例として、パターンＤが露光されて
いるところを示しである。パターンＤは、縮小投影レン
ズ３を′媒体として、ウェハーステージ４の上にセット
されているウェハー５の表面へパターンｄを露光するこ
とができる。
。この場合、従来技術と同様にレチクルの位置合わせを
行なう、チップサイズ（回路パターン）が大きくて１回
の露光ショットで転写することが出来ないので、このレ
チクル２には、チップパターンを４つのパターンＡ、Ｂ
、Ｃ，Ｄに分割して各々配置しである。この４つのパタ
ーンは、あらかじめレチクル２中の所定の位置に配置さ
れている。従ってレチクル２の位置合わせを行なえばあ
とはレチクルステージの移動精度が良ければ、第１図に
示す用にＸ方向Ｙ方向に自由にレチクルステージ１を移
動することで、図中の点線に示す光の入射領域に、露光
を行ないたいパターンを持って行き露光を行なうことが
できる。第１図では例として、パターンＤが露光されて
いるところを示しである。パターンＤは、縮小投影レン
ズ３を′媒体として、ウェハーステージ４の上にセット
されているウェハー５の表面へパターンｄを露光するこ
とができる。
第２図には、本発明の第１の実施例に使用される装置で
レチクル２中の全パターンＡ、Ｂ、Ｃ。
レチクル２中の全パターンＡ、Ｂ、Ｃ。
Ｄに関して露光を行なった後の、ウェハー５へ転写され
た各パターンが示しである０図中の太線は、各チップの
境界線６を示す、また各チップは４つの領域に分割され
ているが各々のパターンａ、ｂ。
た各パターンが示しである０図中の太線は、各チップの
境界線６を示す、また各チップは４つの領域に分割され
ているが各々のパターンａ、ｂ。
ｃ、ｄは、レチクル２中の各々のパターンＡ、Ｂ。
Ｃ，Ｄが露光されたものである。以上、本発明の第１の
実施例に関して基本的な概念を説明をして来た。この中
でもつとも重要なのは、レチクルの位置合わせ方法であ
る。
実施例に関して基本的な概念を説明をして来た。この中
でもつとも重要なのは、レチクルの位置合わせ方法であ
る。
第３図には、第１の実施例に用いられるレチクルが例と
して示しである０図中のレチクル位置合わせ用マーク２
Ａを用いて、レチクル２ａ全体の位置合わせを行なって
、レチクル２ａ全体の座標系を設定する。レチクル２ａ
上の各パターンＡ。
して示しである０図中のレチクル位置合わせ用マーク２
Ａを用いて、レチクル２ａ全体の位置合わせを行なって
、レチクル２ａ全体の座標系を設定する。レチクル２ａ
上の各パターンＡ。
Ｂ、Ｃ，Ｄは所定の位置に配置されているので、レチク
ルステージを精度良く移動して、レチクル２ａ上の各パ
ターンを露光位置へ持って行き露光を行なうことができ
る。
ルステージを精度良く移動して、レチクル２ａ上の各パ
ターンを露光位置へ持って行き露光を行なうことができ
る。
次に本発明の第２の実施例を説明する。第２の実施例に
関する基本的な概念は、第１図及び第２図を用いて説明
して来た第１の実施例の場合とほぼ同様である。
関する基本的な概念は、第１図及び第２図を用いて説明
して来た第１の実施例の場合とほぼ同様である。
第４図には、第２の実施例に用いられるレチクル２ｂが
例として示しである。レチクル２ｂには各パターンＡ、
Ｂ、Ｃ，Ｄに対して各パターンの位置合わせ用マークＡ
Ａ、ＢＡ、ＣＡ、ＤＡが所定の位置に配置されている０
例えば、第１図に示す様にパターンＤを露光する場合に
は、レチクルステージを移動してパターンＤを露光位置
へ持って行った後、そのパターンＤに対応する位置合わ
せ用マークＤＡを用いて位置合わせを行なった後、すぐ
に露光を行なうことができる。他のパターンＡ、Ｂ、Ｃ
に対しても同様である。この第２の実施例は、露光を行
なう位置で直接位置合わせを行なうので、レチクルステ
ージの移動精度があまり良くない場合に有効である。ま
たレチクルとウェハーの位置合わせを１シヨツト露光す
る毎に行なうダイバイダイ位置合わせ露光法を行なう場
合には非常に有効である。
例として示しである。レチクル２ｂには各パターンＡ、
Ｂ、Ｃ，Ｄに対して各パターンの位置合わせ用マークＡ
Ａ、ＢＡ、ＣＡ、ＤＡが所定の位置に配置されている０
例えば、第１図に示す様にパターンＤを露光する場合に
は、レチクルステージを移動してパターンＤを露光位置
へ持って行った後、そのパターンＤに対応する位置合わ
せ用マークＤＡを用いて位置合わせを行なった後、すぐ
に露光を行なうことができる。他のパターンＡ、Ｂ、Ｃ
に対しても同様である。この第２の実施例は、露光を行
なう位置で直接位置合わせを行なうので、レチクルステ
ージの移動精度があまり良くない場合に有効である。ま
たレチクルとウェハーの位置合わせを１シヨツト露光す
る毎に行なうダイバイダイ位置合わせ露光法を行なう場
合には非常に有効である。
最後に本発明の第３の実施例を説明する。これは今まで
説明して来た実施例を応用したものである。第５図には
、第３の実施例に用いられるレチクル２ｃが例として示
しである。まずレチクル位置合わせ用マーク２Ａを用い
て、レチクル２Ｃ全体の位置合わせを行なって、レチク
ル２Ｃ全体の仮りの座標系を設定する。次に各パターン
の位置合わせであるが、例えば第１図に示す様にパター
ンＤを露光する場合、この仮りの座標系をもとにレチク
ルステージを移動してパターンＤを露光位置に持って行
く、そして更にそのパターンＤに対応する位置合わせ用
マークＤＡを用いて位置合わせ補正を行なった後、露光
を行なうことができる。
説明して来た実施例を応用したものである。第５図には
、第３の実施例に用いられるレチクル２ｃが例として示
しである。まずレチクル位置合わせ用マーク２Ａを用い
て、レチクル２Ｃ全体の位置合わせを行なって、レチク
ル２Ｃ全体の仮りの座標系を設定する。次に各パターン
の位置合わせであるが、例えば第１図に示す様にパター
ンＤを露光する場合、この仮りの座標系をもとにレチク
ルステージを移動してパターンＤを露光位置に持って行
く、そして更にそのパターンＤに対応する位置合わせ用
マークＤＡを用いて位置合わせ補正を行なった後、露光
を行なうことができる。
他のパターンに対しても同様である。これは第２の実施
例に於いて、レチクルステージを移動してレチクル２Ｃ
上の各パターン毎の位置合わせを容易にするための実施
例である。
例に於いて、レチクルステージを移動してレチクル２Ｃ
上の各パターン毎の位置合わせを容易にするための実施
例である。
以上レチクルの位置合わせ方法の違いにより、３つの本
発明の実施例に関して説明して来た。尚、本発明に於い
て、ウェハー側の位置合わせ方法及びその位置合わせに
使用するマーク等に関しては、実施例中とくに説明を行
なわなかったが、ＴＴＬ（ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ
１ｅｎｓｅ）方式。
発明の実施例に関して説明して来た。尚、本発明に於い
て、ウェハー側の位置合わせ方法及びその位置合わせに
使用するマーク等に関しては、実施例中とくに説明を行
なわなかったが、ＴＴＬ（ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ
１ｅｎｓｅ）方式。
露光軸外での位置合わせ（ｏｆｆａｘｉｓ）方式。
またグローバル（ウェハー中の所定の数ケ所にて位置合
わせを行なう）方式、ダイバイダイ（据置光ショット毎
に位置合わせを行なう）方式等、従来の方法を適用すれ
ば良い、実施例図のレチクル中の回路パターンは、４つ
に分割して配置しであるが、パターンの分割数及び各面
積は、レチクル中に入れられる限りに於いて特に制限し
ない、またレチクル全体の位置合わせ及び各パターンの
位置合わせに用いるマークは、各々２対の十字マークで
示しであるが、マーク数及び形状は、支障のない限り特
に指定しない。
わせを行なう）方式、ダイバイダイ（据置光ショット毎
に位置合わせを行なう）方式等、従来の方法を適用すれ
ば良い、実施例図のレチクル中の回路パターンは、４つ
に分割して配置しであるが、パターンの分割数及び各面
積は、レチクル中に入れられる限りに於いて特に制限し
ない、またレチクル全体の位置合わせ及び各パターンの
位置合わせに用いるマークは、各々２対の十字マークで
示しであるが、マーク数及び形状は、支障のない限り特
に指定しない。
以上説明したように本発明の第１の効果は、レチクルの
寸法を大きくして、その中に１チップ分のパターンを幾
つかに分割して入れて、何回かに分けて露光を行なうこ
とにより、縮小投影露光に於いて、１ショット当りの最
大露光領域に制限されることなくチップの大型化を行な
うことができる効果がある。第２の効果は、今後投影レ
ンズのＮＡ値を増々大きくして行っても、１ショット当
りの最大露光領域に制限されることなく、超微細パター
ンの露光を行なうことができる効果がある。
寸法を大きくして、その中に１チップ分のパターンを幾
つかに分割して入れて、何回かに分けて露光を行なうこ
とにより、縮小投影露光に於いて、１ショット当りの最
大露光領域に制限されることなくチップの大型化を行な
うことができる効果がある。第２の効果は、今後投影レ
ンズのＮＡ値を増々大きくして行っても、１ショット当
りの最大露光領域に制限されることなく、超微細パター
ンの露光を行なうことができる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の模式図、第２図は第１
図の方法により露光されたウェハーの平面図、第３図は
第１図中のレチクルを示す模式図、第４図は本発明の第
２の実施例の模式図、第５図は本発明の第３の実施例の
模式図である。 １・・・レチクルステージ、２．２ａ、２ｂ、２ｃ・・
・レチクル、３・・・投影レンズ、４・・・ウェハース
テージ、５・・・ウェハー、６・・・チップ境界線、Ａ
〜Ｄ・・・レチクルのパターン、ａ〜ｄ・・・チップパ
ターン、２Ａ・・・レチクル全体の位置合わせ用マーク
、ＡＡ。 ＢＡ、ＣＡ、ＤＡ・・・レチクルパターンの位置合わせ
用マーク。 第４日 纂３区 ２υ 第４図 鵡５図
図の方法により露光されたウェハーの平面図、第３図は
第１図中のレチクルを示す模式図、第４図は本発明の第
２の実施例の模式図、第５図は本発明の第３の実施例の
模式図である。 １・・・レチクルステージ、２．２ａ、２ｂ、２ｃ・・
・レチクル、３・・・投影レンズ、４・・・ウェハース
テージ、５・・・ウェハー、６・・・チップ境界線、Ａ
〜Ｄ・・・レチクルのパターン、ａ〜ｄ・・・チップパ
ターン、２Ａ・・・レチクル全体の位置合わせ用マーク
、ＡＡ。 ＢＡ、ＣＡ、ＤＡ・・・レチクルパターンの位置合わせ
用マーク。 第４日 纂３区 ２υ 第４図 鵡５図
Claims (1)
- １つのレチクル中に回路パターンを分割して配置し、レ
チクル及びウェハーステージの両方を移動して、該回路
パターンを各々ウェハー上の所定の位置へ分割露光する
ことによって、該回路パターンをウェハー上で組み合わ
せることを特徴とするウェハーの露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218386A JP2647835B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ウェハーの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218386A JP2647835B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ウェハーの露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373520A true JPS6373520A (ja) | 1988-04-04 |
| JP2647835B2 JP2647835B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=16719091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61218386A Expired - Lifetime JP2647835B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ウェハーの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2647835B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6421111B1 (en) | 1997-08-19 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6466301B1 (en) | 1999-01-25 | 2002-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Transfer apparatus and transfer method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226924A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Canon Inc | 露光装置 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61218386A patent/JP2647835B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226924A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Canon Inc | 露光装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6421111B1 (en) | 1997-08-19 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6563568B2 (en) | 1997-08-19 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6646722B2 (en) | 1997-08-19 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6466301B1 (en) | 1999-01-25 | 2002-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Transfer apparatus and transfer method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2647835B2 (ja) | 1997-08-27 |
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