JPS6367802A - スイツチ回路 - Google Patents
スイツチ回路Info
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- JPS6367802A JPS6367802A JP21318986A JP21318986A JPS6367802A JP S6367802 A JPS6367802 A JP S6367802A JP 21318986 A JP21318986 A JP 21318986A JP 21318986 A JP21318986 A JP 21318986A JP S6367802 A JPS6367802 A JP S6367802A
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- JP
- Japan
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- fets
- gate
- fet
- drain
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスイッチ回路に関し、特に同一面上にマイクロ
波回路をモノリシックマイクロ波集積回路で構成したマ
イクロ波スイッチに関する。
波回路をモノリシックマイクロ波集積回路で構成したマ
イクロ波スイッチに関する。
従来、この種のマイクロ波スイッチは、第４図に示すよ
うに、ＦＥＴ回路のＦＥＴ４のゲートｌに与えるＤＣ電
極６のＤＣ電圧によって、ソース２とドレイン３の間を
通過する信号源５からのマイクロ波信号をＯＮ、ＯＦＦ
し、ていた。この回路を等価回路で表わすと、ＦＥＴは
第５図の様にＯＮ時には抵抗成分Ｒｏｎとして働き、Ｏ
ＦＦ時には高抵抗ＲｏｆｆとキャパシタＣｏｆｆの並列
回路として勿いていた。
うに、ＦＥＴ回路のＦＥＴ４のゲートｌに与えるＤＣ電
極６のＤＣ電圧によって、ソース２とドレイン３の間を
通過する信号源５からのマイクロ波信号をＯＮ、ＯＦＦ
し、ていた。この回路を等価回路で表わすと、ＦＥＴは
第５図の様にＯＮ時には抵抗成分Ｒｏｎとして働き、Ｏ
ＦＦ時には高抵抗ＲｏｆｆとキャパシタＣｏｆｆの並列
回路として勿いていた。
上述した従来のマイクロ波スイッチは、ＦＥＴの持つＯ
Ｎ抵抗ＲｏｎとＯＦＦ時のキャパシタＣｏｆｆにより、
マイクロ波スイッチの通過損失やアイソレーションの特
性が決定されるため、ロスが少なく、かつアイソレーシ
ョンの良いマイクロ波スイッチを実現するには、ＯＮ抵
抗Ｒｏｎが小さく、かつＯＦＦ時のキャパシタＣｏｒ「
が小さいＦＥＴが必要である。
Ｎ抵抗ＲｏｎとＯＦＦ時のキャパシタＣｏｆｆにより、
マイクロ波スイッチの通過損失やアイソレーションの特
性が決定されるため、ロスが少なく、かつアイソレーシ
ョンの良いマイクロ波スイッチを実現するには、ＯＮ抵
抗Ｒｏｎが小さく、かつＯＦＦ時のキャパシタＣｏｒ「
が小さいＦＥＴが必要である。
しかしながら、従来用いられるＦＥＴは、第６図の平面
図に示される様に、ゲート１とソース２の電極を交差さ
せるｔＷ ３′！ｉであるため、ゲート１とソース２の
間に生じるキャパシタが増加するという欠点がある。ま
た、第４図の様にＦＥＴのゲートをコントロールしてソ
ースとドレイン間を通過するマイクロ波信号をＯＮ、Ｏ
ＦＦするマイクロ波スイッチをモノリシックマイクロ波
集積回路として構成する場合、他のＦＥＴとの接続が難
しく、回路を集積化するには不利な構造であるという欠
点もあった。
図に示される様に、ゲート１とソース２の電極を交差さ
せるｔＷ ３′！ｉであるため、ゲート１とソース２の
間に生じるキャパシタが増加するという欠点がある。ま
た、第４図の様にＦＥＴのゲートをコントロールしてソ
ースとドレイン間を通過するマイクロ波信号をＯＮ、Ｏ
ＦＦするマイクロ波スイッチをモノリシックマイクロ波
集積回路として構成する場合、他のＦＥＴとの接続が難
しく、回路を集積化するには不利な構造であるという欠
点もあった。
本発明の目的は、このような欠点を除き、ゲー）・・ソ
ース間のキャパシタを増加させないと共に、集積化を容
易にしたスイッチ回路を提供することにある。
ース間のキャパシタを増加させないと共に、集積化を容
易にしたスイッチ回路を提供することにある。
本発明のスイ・ソチ回路の構成は、ソースおよびドレイ
ンをそれぞれくし形構造として対向させ点対称に配置し
、これらソースとドレインの間に沿ってゲー１−を配置
したＦＥＴを４個用いて、各ソース同志を接して配置し
入力端子とした第１および第２のＦＥＴと、これら第１
および第２のＦＥＴの各ドレインとそれぞれ接して各出
力端子とした第３および第４のＰＥＴとを配置したこと
を特徴とする。
ンをそれぞれくし形構造として対向させ点対称に配置し
、これらソースとドレインの間に沿ってゲー１−を配置
したＦＥＴを４個用いて、各ソース同志を接して配置し
入力端子とした第１および第２のＦＥＴと、これら第１
および第２のＦＥＴの各ドレインとそれぞれ接して各出
力端子とした第３および第４のＰＥＴとを配置したこと
を特徴とする。
次に、本発明（二ついて図面を９照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路の平面図、第２図は第
１図の等価回路図、第３図は第１図のＦＥＴの平面図で
ある。本実施例のＦＥＴのゲート電極１は、シリーズに
接続され、くし形楕遣をしたソース電極２とドレイン電
極３の間を通すことによりＦＥＴを構成している。
１図の等価回路図、第３図は第１図のＦＥＴの平面図で
ある。本実施例のＦＥＴのゲート電極１は、シリーズに
接続され、くし形楕遣をしたソース電極２とドレイン電
極３の間を通すことによりＦＥＴを構成している。
第２図の回路は、入力端子９に入力されるマイクロ波信
号を、出力端子１０．１１のどちらかに切替えるマイク
ロ波スイッチの回路例であり、第１図はこの回路を第３
図のＦＥＴを用いて構成したマイクロ波スイッチを示す
。
号を、出力端子１０．１１のどちらかに切替えるマイク
ロ波スイッチの回路例であり、第１図はこの回路を第３
図のＦＥＴを用いて構成したマイクロ波スイッチを示す
。
入力端子９は、Ｆ ）Ｅ Ｔ １２とＦＥＴ１Ｂのソー
ス２と接続され、出力端子１０はＦＥＴ１２〈Ｑ＋）と
ＦＥＴＩ ４ （Ｑ３ ）のドレイン３と、又出力端子
１１はＦＥＴ１３（Ｑ２）とＦＥＴ１５（Ｑ４）のドレ
インに接続されている。入力端子９に入力されるマイク
ロ波信号は、ＦＥＴ１２゜１５のゲー１−１とＦＥＴ１
３．１４のゲートに、それぞれ反転したコントロール電
圧を与えることにより、出力端子１０．１１のどちらか
に切替えられる。
ス２と接続され、出力端子１０はＦＥＴ１２〈Ｑ＋）と
ＦＥＴＩ ４ （Ｑ３ ）のドレイン３と、又出力端子
１１はＦＥＴ１３（Ｑ２）とＦＥＴ１５（Ｑ４）のドレ
インに接続されている。入力端子９に入力されるマイク
ロ波信号は、ＦＥＴ１２゜１５のゲー１−１とＦＥＴ１
３．１４のゲートに、それぞれ反転したコントロール電
圧を与えることにより、出力端子１０．１１のどちらか
に切替えられる。
以上説明したように、本発明は、ＦＥＴの構造をくし形
格造をしたソースとドレインの間にシリーズに接続され
たゲー■・を通し、ソース及びドレインを点対称に配置
することにより、ゲートとソースの交差するｔｊｉ 造
の場合に生じるキャパシタ成分を無クシ、スイッチＯＦ
Ｆ時のアイソレーションを改善する効果があると共に、
モノリシックマイクロ波集積回路としてマイクロ波スイ
ッチを構成する場合に他のＦＥＴどの接続が容易となり
集［１′Ｆ化才ろのに適した構造となる効果がある。
格造をしたソースとドレインの間にシリーズに接続され
たゲー■・を通し、ソース及びドレインを点対称に配置
することにより、ゲートとソースの交差するｔｊｉ 造
の場合に生じるキャパシタ成分を無クシ、スイッチＯＦ
Ｆ時のアイソレーションを改善する効果があると共に、
モノリシックマイクロ波集積回路としてマイクロ波スイ
ッチを構成する場合に他のＦＥＴどの接続が容易となり
集［１′Ｆ化才ろのに適した構造となる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のマイクロ波スイッチの平面
図、第２図は第１Ｉ２Ｉの回路図、第３図は第１図に用
いるＦＥＴの平面図、第１１図は第３図のＦＥＴを単体
のスイッチとして用いる場合の回路図、第５図は第２図
のスイッチをＯＮ、ＯＦＦした場合の等価回路図、第６
図は従来のＦＥＴの一例の平面図である。 １・・・デー１〜電極、２・・・ソース電極、３・・・
ドレイン電極、４・・・ＦＥＴ、５・・・マイクロ波信
号源、６・・・ＤＣ電源、７・・・負荷、８・・・ゲー
ト抵抗、９・−マイクロ波スイッチの入力端子、１０，
１．１・・・マイクロ波スイッチの出力端子、１２〜１
５・・・ＦＥＴ（Ｑｌ〜Ｑ４）。 χ ノ 図 是２ 函
図、第２図は第１Ｉ２Ｉの回路図、第３図は第１図に用
いるＦＥＴの平面図、第１１図は第３図のＦＥＴを単体
のスイッチとして用いる場合の回路図、第５図は第２図
のスイッチをＯＮ、ＯＦＦした場合の等価回路図、第６
図は従来のＦＥＴの一例の平面図である。 １・・・デー１〜電極、２・・・ソース電極、３・・・
ドレイン電極、４・・・ＦＥＴ、５・・・マイクロ波信
号源、６・・・ＤＣ電源、７・・・負荷、８・・・ゲー
ト抵抗、９・−マイクロ波スイッチの入力端子、１０，
１．１・・・マイクロ波スイッチの出力端子、１２〜１
５・・・ＦＥＴ（Ｑｌ〜Ｑ４）。 χ ノ 図 是２ 函
Claims (1)
- ソースおよびドレインをそれぞれくし形構造として対
向させ点対称に配置し、これらソースとドレインの間に
沿ってゲートを配置したＦＥＴを４個用いて、各ソース
同志を接して配置し入力端子とした第１および第２のＦ
ＥＴと、これら第１および第２のＦＥＴの各ドレインと
それぞれ接して各出力端子とした第３および第４のＦＥ
Ｔとを配置したことを特徴とするスイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21318986A JPS6367802A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | スイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21318986A JPS6367802A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | スイツチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367802A true JPS6367802A (ja) | 1988-03-26 |
Family
ID=16635011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21318986A Pending JPS6367802A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | スイツチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367802A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4939485A (en) * | 1988-12-09 | 1990-07-03 | Varian Associates, Inc. | Microwave field effect switch |
| JPH02214125A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-08-27 | Raytheon Co | 無線周波数スイッチング回路 |
| EP0784345A2 (en) | 1995-12-28 | 1997-07-16 | Nec Corporation | Switching circuit comprising field effect transistors |
| GB2439820A (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-09 | Filtronic Compound Semiconduct | Linear antenna switch arm FET |
| JP2009231583A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
| JP2011249821A (ja) * | 2011-07-12 | 2011-12-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP21318986A patent/JPS6367802A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4939485A (en) * | 1988-12-09 | 1990-07-03 | Varian Associates, Inc. | Microwave field effect switch |
| JPH02214125A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-08-27 | Raytheon Co | 無線周波数スイッチング回路 |
| EP0784345A2 (en) | 1995-12-28 | 1997-07-16 | Nec Corporation | Switching circuit comprising field effect transistors |
| US5973377A (en) * | 1995-12-28 | 1999-10-26 | Nec Corporation | Semiconductor device having FETs with shared source and drain regions |
| EP0784345A3 (en) * | 1995-12-28 | 1999-12-29 | Nec Corporation | Switching circuit comprising field effect transistors |
| GB2439820A (en) * | 2006-06-28 | 2008-01-09 | Filtronic Compound Semiconduct | Linear antenna switch arm FET |
| US7705698B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-04-27 | Rfmd (Uk) Limited | Field effect transistor and a linear antenna switch arm |
| GB2439820B (en) * | 2006-06-28 | 2011-06-01 | Filtronic Compound Semiconductors Ltd | A field effect transistor and a linear antenna switch arm |
| JP2009231583A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
| JP2011249821A (ja) * | 2011-07-12 | 2011-12-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
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