JPS6366903B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6366903B2 JPS6366903B2 JP54170286A JP17028679A JPS6366903B2 JP S6366903 B2 JPS6366903 B2 JP S6366903B2 JP 54170286 A JP54170286 A JP 54170286A JP 17028679 A JP17028679 A JP 17028679A JP S6366903 B2 JPS6366903 B2 JP S6366903B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium
- coating
- alcohol
- film
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 38
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 37
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- -1 titanium alkoxide Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 claims description 9
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 57
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 20
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 6
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 3
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound CCCO[Ti](OCCC)(OCCC)OCCC HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 2
- JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N titanium ethoxide Chemical compound [Ti+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-N Arsenic acid Chemical compound O[As](O)(O)=O DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002923 B–O–B Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000010201 Exanthema Diseases 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004856 P—O—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003088 Ti−O−Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- NADDYNUVLPNTIE-UHFFFAOYSA-N [As].[Ti] Chemical compound [As].[Ti] NADDYNUVLPNTIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940058905 antimony compound for treatment of leishmaniasis and trypanosomiasis Drugs 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- PFZWDJVEHNQTJI-UHFFFAOYSA-N antimony titanium Chemical compound [Ti].[Sb] PFZWDJVEHNQTJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 description 1
- GCPXMJHSNVMWNM-UHFFFAOYSA-N arsenous acid Chemical compound O[As](O)O GCPXMJHSNVMWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QDMRQDKMCNPQQH-UHFFFAOYSA-N boranylidynetitanium Chemical compound [B].[Ti] QDMRQDKMCNPQQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000005884 exanthem Diseases 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 229940093920 gynecological arsenic compound Drugs 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical class [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N methanolate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N propionic anhydride Chemical compound CCC(=O)OC(=O)CC WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037844 rash Diseases 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- DPNUIZVZBWBCPB-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);tetraphenoxide Chemical compound [Ti+4].[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1 DPNUIZVZBWBCPB-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン系ガラス質被膜の形成方法に関
するものである。
するものである。
さらに詳しく述べるならば、本発明は電子部品
の素材になつているシリコンやゲルマニウム、金
属、ガラス、セラミツクスなどの基体上に、チタ
ン化合物を含有する溶液を塗布して加熱すること
によつてチタン系ガラス質被膜を形成する方法に
関するものである。
の素材になつているシリコンやゲルマニウム、金
属、ガラス、セラミツクスなどの基体上に、チタ
ン化合物を含有する溶液を塗布して加熱すること
によつてチタン系ガラス質被膜を形成する方法に
関するものである。
従来、基体上にチタン酸化膜を形成させるに
は、蒸着法、スパツタ法、および気相成長法など
が採用されているが、これらの方法は高温で被着
を行う必要があり、かつバツチ式をとらざるを得
ないため生産能率が劣るという欠点があつた。ま
た、チタンアルコキシドを基体上に塗布し、大気
中の水分の存在下で加水分解を起こさせ被膜を形
成する方法があるが、この方法で生成された被膜
は脆くて剥離しやすいため、樹脂等を併用しなけ
ればならないという欠点を有する。また、酸化チ
タン膜を形成させる方法としてチタン酸エステル
を含む塗布液を用いる方法も知られている(特開
昭53−146995号公報)。この方法は非常に簡単に
酸化チタン膜を形成できるという利点を有する
が、得られる被膜は均一性が悪く、ピンホールや
クラツクが発生しやすいという問題がある。
は、蒸着法、スパツタ法、および気相成長法など
が採用されているが、これらの方法は高温で被着
を行う必要があり、かつバツチ式をとらざるを得
ないため生産能率が劣るという欠点があつた。ま
た、チタンアルコキシドを基体上に塗布し、大気
中の水分の存在下で加水分解を起こさせ被膜を形
成する方法があるが、この方法で生成された被膜
は脆くて剥離しやすいため、樹脂等を併用しなけ
ればならないという欠点を有する。また、酸化チ
タン膜を形成させる方法としてチタン酸エステル
を含む塗布液を用いる方法も知られている(特開
昭53−146995号公報)。この方法は非常に簡単に
酸化チタン膜を形成できるという利点を有する
が、得られる被膜は均一性が悪く、ピンホールや
クラツクが発生しやすいという問題がある。
本発明者らは各種電子部品材料、特に半導体デ
バイスの製造材料に、ピンホールやクラツクの生
じない、高品質のチタン系ガラス質被膜で被覆し
た構造体を簡単に製造するために、鋭意研究を重
ねた結果、チタン系ガラス質被膜形成用塗布液と
して、チタンアルコキシドとカルボン酸とアルコ
ールとの反応生成物溶液にガラス質形成剤を加え
たものを用いることにより、その目的を達成しう
ることを見出し、その知見に基づいて本発明をな
すに至つた。
バイスの製造材料に、ピンホールやクラツクの生
じない、高品質のチタン系ガラス質被膜で被覆し
た構造体を簡単に製造するために、鋭意研究を重
ねた結果、チタン系ガラス質被膜形成用塗布液と
して、チタンアルコキシドとカルボン酸とアルコ
ールとの反応生成物溶液にガラス質形成剤を加え
たものを用いることにより、その目的を達成しう
ることを見出し、その知見に基づいて本発明をな
すに至つた。
すなわち、本発明はチタンアルコキシド1モル
当りカルボン酸1ないし5モルとアルコール2な
いし16モルとの反応生成物からなる溶液にガラス
質形成剤を加えて塗布液とし、これらの塗布液を
基体上に塗布して熱処理し、被覆形成させること
を特徴とするチタン系ガラス質被膜の形成方法を
提供するものである。
当りカルボン酸1ないし5モルとアルコール2な
いし16モルとの反応生成物からなる溶液にガラス
質形成剤を加えて塗布液とし、これらの塗布液を
基体上に塗布して熱処理し、被覆形成させること
を特徴とするチタン系ガラス質被膜の形成方法を
提供するものである。
チタンアルコキシドとカルボン酸とアルコール
の存在下で加水分解反応を行うと反応はスムーズ
に進行し、チタン水酸化物とカルボン酸エステル
が生成される。反応液は平衡状態を保ち、沈澱物
は生成しないで安定している。この塗布液を基体
上に塗布すると溶剤は蒸発し、平衡状態は崩れて
反応は進行し、徐々に酸化チタン被膜が形成され
る。被膜形成時の反応は、大気中の水分の影響を
受けることなく進行し、白濁のない、なめらかで
連続性の被膜が得られる。
の存在下で加水分解反応を行うと反応はスムーズ
に進行し、チタン水酸化物とカルボン酸エステル
が生成される。反応液は平衡状態を保ち、沈澱物
は生成しないで安定している。この塗布液を基体
上に塗布すると溶剤は蒸発し、平衡状態は崩れて
反応は進行し、徐々に酸化チタン被膜が形成され
る。被膜形成時の反応は、大気中の水分の影響を
受けることなく進行し、白濁のない、なめらかで
連続性の被膜が得られる。
本発明に使用するチタンアルコキシドとして
は、一般式 (R1)nTi(OR2)4-n (ただし、式中のR1およびR2は、それぞれアル
キル基、アリール基またはビニル基を表わす。) であらわされる化合物であり、チタンテトラメト
キシド、チタンテトラエトキシド、チタンテトラ
プロポキシド、チタンテトラブトキシド、チタン
テトラフエノキシド、チタンモノメチルトリプロ
ポキシド、チタンモノエチルトリエトキシド、チ
タンビニルトリブトキシドなどがある。
は、一般式 (R1)nTi(OR2)4-n (ただし、式中のR1およびR2は、それぞれアル
キル基、アリール基またはビニル基を表わす。) であらわされる化合物であり、チタンテトラメト
キシド、チタンテトラエトキシド、チタンテトラ
プロポキシド、チタンテトラブトキシド、チタン
テトラフエノキシド、チタンモノメチルトリプロ
ポキシド、チタンモノエチルトリエトキシド、チ
タンビニルトリブトキシドなどがある。
カルボン酸としては、氷酢酸、無水酢酸、プロ
ピオン酸、無水プロピオン酸など炭素原子数が2
ないし7の脂肪酸をあげることができる。
ピオン酸、無水プロピオン酸など炭素原子数が2
ないし7の脂肪酸をあげることができる。
つぎにアルコールとしては、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブ
チルアルコール、エチレングリコールなどをあげ
ることができる。
ル、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブ
チルアルコール、エチレングリコールなどをあげ
ることができる。
ガラス質形成剤としては、アルコールとエステ
ルとを主成分とする溶剤に可溶な化合物で、熱処
理することによつてガラス化される化合物が使用
される。その例としてP2O5、H3PO3、H3PO4、
H4P2O7、(RO)3P、(RO)2POH、(RO)3PO、
RP(OR′)2、R2P(OH)、R2PO(OH)、RPO
(OH)2のようなリン化合物、 B2O3、H3BO3、(RO)3B、 RB(OR′)2、R2BOR′、 RB(OH)2、R2BOH、R3B、(RBO)n、
(R2B)2Oのようなホウ素化合物、 H3AsO3、H3AsO4、(RO)3As、(RO)2AsOH、
RAs(OR′)2、RAsH2、R2AsH、R3As、RAsO、
(R2As)2O、R3AsO、RAs(OH)2、RAsO
(OH)2、R2As(OH)のようなヒ素化合物、 H3SbO4、H3SbO3、H3Sb2O7、H5Sb3O10、
R5Sb、RSbO、(R2Sb)2O、R3SbO、R2SbO
(OH)、RSbO(OH)2のようなアンチモン化合物
などをあげることができる。(ただし、上記化合
物におけるRおよびR′は、それぞれハロゲン原
子で置換されていてもよいアルキル基又はアリー
ル基を示す。) 本発明に従つて塗布液を製造するには、所定の
チタンアルコキシドと所定のカルボン酸と所定の
アルコールを混合する。これにより発熱反応が起
り、多量のカルボン酸エステルが生成される。反
応開始から3時間でチタンアルコキシドは消失
し、有機カルボン酸の量も減少する。
ルとを主成分とする溶剤に可溶な化合物で、熱処
理することによつてガラス化される化合物が使用
される。その例としてP2O5、H3PO3、H3PO4、
H4P2O7、(RO)3P、(RO)2POH、(RO)3PO、
RP(OR′)2、R2P(OH)、R2PO(OH)、RPO
(OH)2のようなリン化合物、 B2O3、H3BO3、(RO)3B、 RB(OR′)2、R2BOR′、 RB(OH)2、R2BOH、R3B、(RBO)n、
(R2B)2Oのようなホウ素化合物、 H3AsO3、H3AsO4、(RO)3As、(RO)2AsOH、
RAs(OR′)2、RAsH2、R2AsH、R3As、RAsO、
(R2As)2O、R3AsO、RAs(OH)2、RAsO
(OH)2、R2As(OH)のようなヒ素化合物、 H3SbO4、H3SbO3、H3Sb2O7、H5Sb3O10、
R5Sb、RSbO、(R2Sb)2O、R3SbO、R2SbO
(OH)、RSbO(OH)2のようなアンチモン化合物
などをあげることができる。(ただし、上記化合
物におけるRおよびR′は、それぞれハロゲン原
子で置換されていてもよいアルキル基又はアリー
ル基を示す。) 本発明に従つて塗布液を製造するには、所定の
チタンアルコキシドと所定のカルボン酸と所定の
アルコールを混合する。これにより発熱反応が起
り、多量のカルボン酸エステルが生成される。反
応開始から3時間でチタンアルコキシドは消失
し、有機カルボン酸の量も減少する。
この際反応温度を50ないし70℃に高めると、こ
の反応時間は短縮できる。生成されたチタン化合
物は、少なくとも1つの基が水酸基(残存基はア
ルコキシ基)となつているもと思われる。このよ
うにしてチタン水酸化化合物、有機カルボン酸エ
ステルおよびアルコールを含有した反応生成物が
得られる。
の反応時間は短縮できる。生成されたチタン化合
物は、少なくとも1つの基が水酸基(残存基はア
ルコキシ基)となつているもと思われる。このよ
うにしてチタン水酸化化合物、有機カルボン酸エ
ステルおよびアルコールを含有した反応生成物が
得られる。
前記のようにして得られた反応生成物の溶液に
は、ガラス質形成剤が添加溶解され、次に必要に
応じて有機溶剤を加えて濃度を調整し、0.2ない
し1.0μmのふるい目のフイルターを通してろ過し
たのち、塗布液として使用される。
は、ガラス質形成剤が添加溶解され、次に必要に
応じて有機溶剤を加えて濃度を調整し、0.2ない
し1.0μmのふるい目のフイルターを通してろ過し
たのち、塗布液として使用される。
このようにして得られた塗布液は安定性があ
り、数カ月経過しても変質しない。また基体上に
塗布すると、ただちに固体状のチタン系ガラス質
被膜となり、外気の影響を受けずに均一でなめら
かな連続性被膜となる。
り、数カ月経過しても変質しない。また基体上に
塗布すると、ただちに固体状のチタン系ガラス質
被膜となり、外気の影響を受けずに均一でなめら
かな連続性被膜となる。
この際、濃度調整に用いる有機溶剤としては、
メチルアルコール、エチルアルコール、プロピル
アルコール、ブチルアルコールなどのアルコール
類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのよう
なエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、
アセチルアセトンのようなケトン類、多価アルコ
ール類とそのエーテル類及びこれらの混合物など
をあげることができる。
メチルアルコール、エチルアルコール、プロピル
アルコール、ブチルアルコールなどのアルコール
類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのよう
なエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、
アセチルアセトンのようなケトン類、多価アルコ
ール類とそのエーテル類及びこれらの混合物など
をあげることができる。
本発明の反応に用いられる各成分の使用割合と
しては、チタンアルコキシド1モル当りカルボン
酸1ないし5モル、アルコール2ないし16モルで
あり、好適な割合は、チタンアルコキシド1モル
当り、カルボン酸2モル、アルコール4ないし8
モルが用いられる。本発明により得られるチタン
系ガラス質被膜用塗布液は、通常、チタン酸化物
(TiO2)に換算した濃度が1ないし15重量%にな
るように調整して使用に供される。また、ガラス
質形成剤は、TiO2に対して10ないし100重量%の
割合で用いる。
しては、チタンアルコキシド1モル当りカルボン
酸1ないし5モル、アルコール2ないし16モルで
あり、好適な割合は、チタンアルコキシド1モル
当り、カルボン酸2モル、アルコール4ないし8
モルが用いられる。本発明により得られるチタン
系ガラス質被膜用塗布液は、通常、チタン酸化物
(TiO2)に換算した濃度が1ないし15重量%にな
るように調整して使用に供される。また、ガラス
質形成剤は、TiO2に対して10ないし100重量%の
割合で用いる。
これらの使用割合をはずれて得られた塗布液は
安定性が悪く、かつピンホールやクラツクのな
い、しかも均一で緻密性に優れたチタン系ガラス
質被膜を得ることができない。
安定性が悪く、かつピンホールやクラツクのな
い、しかも均一で緻密性に優れたチタン系ガラス
質被膜を得ることができない。
本発明の塗布液を施すのに適した基体として
は、アルコールとエステルを主成分とする有機溶
剤に侵されない材料、例えば、シリコン、ゲルマ
ニウム、ガリウムヒ素、ガリウムヒ素リン、アル
ミニウム、銅、鉄、銀、金、ステンレス鋼、黄
銅、ポリエステル、ポリイミド樹脂、ガラス、マ
イカ、セラミツクスなどがあげられる。
は、アルコールとエステルを主成分とする有機溶
剤に侵されない材料、例えば、シリコン、ゲルマ
ニウム、ガリウムヒ素、ガリウムヒ素リン、アル
ミニウム、銅、鉄、銀、金、ステンレス鋼、黄
銅、ポリエステル、ポリイミド樹脂、ガラス、マ
イカ、セラミツクスなどがあげられる。
本発明により得られる塗布液をこれらの基体に
塗布するには、スピンナー法、浸漬引き上げ法、
スプレー法、スクリーン印刷法、ロールコーター
法、刷毛塗り法など慣用の方法を用いて行なうこ
とができる。このようにして塗布したのち、通常
は空気中で150℃以上の温度で熱処理すれば、ガ
ラス質のチタン系被膜が形成される。
塗布するには、スピンナー法、浸漬引き上げ法、
スプレー法、スクリーン印刷法、ロールコーター
法、刷毛塗り法など慣用の方法を用いて行なうこ
とができる。このようにして塗布したのち、通常
は空気中で150℃以上の温度で熱処理すれば、ガ
ラス質のチタン系被膜が形成される。
本発明により得られる塗布液を使用すると、
0.05ないし1μmの膜厚で、平滑かつ均一な、しか
もピンホールのない連続性のチタン系被膜を簡単
に形成させることができる。したがつて、表面に
段差(凹凸)を有する基体に塗布した場合でも、
表面を平滑化することができ、配線交さ部で断線
を起こしたり、またそれが原因で歩留り低下、信
頼性低下をもたらすことがないので、電子部品用
の多層配線の絶縁膜として好適である。また、形
成されたチタン系被膜は、耐摩耗性及び耐薬品性
が優れているから、アルミニウム、鉄、銅、銀、
金、ステンレス鋼、黄銅などの金属類、それらの
めつき面、あるいはゼラチン、ポリエステルなど
の高分子被膜の表面に塗布し、保護するものとし
ても好適である。さらに、半導体やガラス板に塗
布すると、ナトリウムイオンなどの妨害不純物を
捕捉するという作用を示すから、表面安定化膜
(パシベーシヨン膜)として用いることもできる。
そのほか、静電防止膜、半導体用ドープドオキシ
ド膜および反射防止膜などとしても好適である。
0.05ないし1μmの膜厚で、平滑かつ均一な、しか
もピンホールのない連続性のチタン系被膜を簡単
に形成させることができる。したがつて、表面に
段差(凹凸)を有する基体に塗布した場合でも、
表面を平滑化することができ、配線交さ部で断線
を起こしたり、またそれが原因で歩留り低下、信
頼性低下をもたらすことがないので、電子部品用
の多層配線の絶縁膜として好適である。また、形
成されたチタン系被膜は、耐摩耗性及び耐薬品性
が優れているから、アルミニウム、鉄、銅、銀、
金、ステンレス鋼、黄銅などの金属類、それらの
めつき面、あるいはゼラチン、ポリエステルなど
の高分子被膜の表面に塗布し、保護するものとし
ても好適である。さらに、半導体やガラス板に塗
布すると、ナトリウムイオンなどの妨害不純物を
捕捉するという作用を示すから、表面安定化膜
(パシベーシヨン膜)として用いることもできる。
そのほか、静電防止膜、半導体用ドープドオキシ
ド膜および反射防止膜などとしても好適である。
次に実施例によつて本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
実施例 1
チタンテトライソプロポキシド284gと氷酢酸
120gとエチルアルコール736gを室温で撹拌しな
がら混合した。これにより発熱反応が起こり、液
温は40℃まで上昇し、反応はすみやかに進行し
た。その後、そのまま3時間撹拌したのち室温で
1日放置した。これによつて得られたチタン酸化
物被膜用塗布液の固形分濃度(500℃で1時間焼
成)は、7.14重量%であり、溶剤組成は次に示す
とおりであつた。
120gとエチルアルコール736gを室温で撹拌しな
がら混合した。これにより発熱反応が起こり、液
温は40℃まで上昇し、反応はすみやかに進行し
た。その後、そのまま3時間撹拌したのち室温で
1日放置した。これによつて得られたチタン酸化
物被膜用塗布液の固形分濃度(500℃で1時間焼
成)は、7.14重量%であり、溶剤組成は次に示す
とおりであつた。
エチルアルコール 69.6%
イソプロピルアルコール 22.8%
酢酸エチル 6.1%
酢酸イソプロピル 1.5%
希釈液としてエチルアルコールを用いて、この
塗布液の固形分濃度を5.0重量%に調整した塗布
液100c.c.に対して、P2O51gを添加したチタン系
ガラス質形成用塗布液を、シリコンウエハー上に
スピンナーにより、2000rpmで塗布し600℃で30
分間熱処理したら、厚さ960Åのチタン−リン系
ガラス質被膜が得られた。この被膜は、Ti−O
−Ti、Ti−O−P、P−O−Pなる網目構造を
有するものと考えられる。またこの被膜を上島製
作所製クロスカツトテスターによつてひつかき強
度を調べたところ、50gでも傷がつかなかつた。
この事から、この被膜は半導体の表面保護膜とし
て有効である。さらにこの被膜の屈折率が1.77で
あつたから、この被膜は太陽電池の反射防止膜と
しても有効である。
塗布液の固形分濃度を5.0重量%に調整した塗布
液100c.c.に対して、P2O51gを添加したチタン系
ガラス質形成用塗布液を、シリコンウエハー上に
スピンナーにより、2000rpmで塗布し600℃で30
分間熱処理したら、厚さ960Åのチタン−リン系
ガラス質被膜が得られた。この被膜は、Ti−O
−Ti、Ti−O−P、P−O−Pなる網目構造を
有するものと考えられる。またこの被膜を上島製
作所製クロスカツトテスターによつてひつかき強
度を調べたところ、50gでも傷がつかなかつた。
この事から、この被膜は半導体の表面保護膜とし
て有効である。さらにこの被膜の屈折率が1.77で
あつたから、この被膜は太陽電池の反射防止膜と
しても有効である。
また、使用したチタン系ガラス質形成用塗布液
は、室温で1週間放置しても塗布液中にゲル化物
などの発生はなく、安定性に優れたものであつ
た。
は、室温で1週間放置しても塗布液中にゲル化物
などの発生はなく、安定性に優れたものであつ
た。
実施例 2
チタンテトラエトキシド228gとプロピオン酸
148gとメチルアルコール256gを室温で撹拌しな
がら混合した。これにより発熱反応が起こり、反
応はすみやかに進行した。その後そのまま3時間
撹拌したのち、室温で1日放置した。これによつ
て得られた反応液の固形分濃度(500℃で1時間
焼成)は、12.88重量%であつた。メチルアルコ
ールとアセト酢酸エチルが重量比で1:1の希釈
液を用いて、得られた反応液の固形分濃度を5.0
重量%に調整した塗布液100c.c.に対して、B2O31
gを添加したチタン系ガラス質形成用塗布液を、
ガラス基板にスピンナーにより250rpmで塗布し、
600℃で30分間熱処理したら、厚さ720Åのチタン
−ホウ素系ガラス質被膜が得られた。この被膜
は、Ti−O−Ti、Ti−O−B、B−O−Bなる
網目構造を有するものと考えられる。また、この
被膜は表面安定化膜及び保護膜としても有効であ
る。
148gとメチルアルコール256gを室温で撹拌しな
がら混合した。これにより発熱反応が起こり、反
応はすみやかに進行した。その後そのまま3時間
撹拌したのち、室温で1日放置した。これによつ
て得られた反応液の固形分濃度(500℃で1時間
焼成)は、12.88重量%であつた。メチルアルコ
ールとアセト酢酸エチルが重量比で1:1の希釈
液を用いて、得られた反応液の固形分濃度を5.0
重量%に調整した塗布液100c.c.に対して、B2O31
gを添加したチタン系ガラス質形成用塗布液を、
ガラス基板にスピンナーにより250rpmで塗布し、
600℃で30分間熱処理したら、厚さ720Åのチタン
−ホウ素系ガラス質被膜が得られた。この被膜
は、Ti−O−Ti、Ti−O−B、B−O−Bなる
網目構造を有するものと考えられる。また、この
被膜は表面安定化膜及び保護膜としても有効であ
る。
また、使用した塗布液は、室温に1週間放置し
ても塗布液中にゲル化物などの発生はなく、安定
性に優れたものであつた。
ても塗布液中にゲル化物などの発生はなく、安定
性に優れたものであつた。
実施例 3
チタンテトライソプロポキシド284gと氷酢酸
120gとブチルアルコール444gを室温で撹拌しな
がら混合した。これにより発熱反応が起こり反応
はすみやかに進行した。その後、そのまま3時間
撹拌したのち室温で1日放置した。これによつて
得られた反応液の固形分濃度(500℃で1時間焼
成)は、9.60重量%であつた。
120gとブチルアルコール444gを室温で撹拌しな
がら混合した。これにより発熱反応が起こり反応
はすみやかに進行した。その後、そのまま3時間
撹拌したのち室温で1日放置した。これによつて
得られた反応液の固形分濃度(500℃で1時間焼
成)は、9.60重量%であつた。
ブチルアルコールと酢酸ブチルが重量比で1:
1の希釈液を用いて、得られた反応液の固形分濃
度を5.0重量%に調整した塗布液100c.c.に対して、
SbCl30.3gを添加したチタン系ガラス質形成用塗
布液を、ナトリウムガラス基板に浸漬引き上げ法
により10cm/minのスピードで塗布し、600℃で
30分間熱処理したら640Åのチタン−アンチモン
系ガラス質被膜が得られた。この被膜は、Ti−
O−Ti、Ti−O−Sb、Sb−O−Sbなる網目構造
を有するものと考えられる。
1の希釈液を用いて、得られた反応液の固形分濃
度を5.0重量%に調整した塗布液100c.c.に対して、
SbCl30.3gを添加したチタン系ガラス質形成用塗
布液を、ナトリウムガラス基板に浸漬引き上げ法
により10cm/minのスピードで塗布し、600℃で
30分間熱処理したら640Åのチタン−アンチモン
系ガラス質被膜が得られた。この被膜は、Ti−
O−Ti、Ti−O−Sb、Sb−O−Sbなる網目構造
を有するものと考えられる。
また、使用した塗布液は、室温で1週間放置し
ても塗布液中にゲル化物などの発生はなく、安定
性に優れたものであつた。
ても塗布液中にゲル化物などの発生はなく、安定
性に優れたものであつた。
実施例 4
チタンテトライソプロポキシド284gとプロピ
オン酸148gとメチルアルコール160gを室温で撹
拌しながら混合した。その後、そのまま3時間撹
拌したのち、室温で1日放置した。これによつて
得られた反応液の固形分濃度(500℃で1時間焼
成)は、13.75重量%であつた。
オン酸148gとメチルアルコール160gを室温で撹
拌しながら混合した。その後、そのまま3時間撹
拌したのち、室温で1日放置した。これによつて
得られた反応液の固形分濃度(500℃で1時間焼
成)は、13.75重量%であつた。
メチルアルコールとアセチルアセトンが重量比
で1:1の希釈液を用いて、得られた反応液の固
形分濃度を5.0重量%に調整した塗布液100c.c.に対
して、H3AsO42gを添加したチタン系ガラス形
成用塗布液を、P型シリコンウエハー(20Ω・
cm)にスピンナーにより2500rpmで塗布し、
N2:O2=1:1、流速2/minの雰囲気中で
1250℃で2時間拡散を行い、IMフツ酸で表面の
チタン−砒素系ガラス被膜をエツチングして抵抗
値を測定したところ、100Ω/□であり、拡散深
さ2μmの接合が得られた。
で1:1の希釈液を用いて、得られた反応液の固
形分濃度を5.0重量%に調整した塗布液100c.c.に対
して、H3AsO42gを添加したチタン系ガラス形
成用塗布液を、P型シリコンウエハー(20Ω・
cm)にスピンナーにより2500rpmで塗布し、
N2:O2=1:1、流速2/minの雰囲気中で
1250℃で2時間拡散を行い、IMフツ酸で表面の
チタン−砒素系ガラス被膜をエツチングして抵抗
値を測定したところ、100Ω/□であり、拡散深
さ2μmの接合が得られた。
また、使用した塗布液は、室温で1週間放置し
ても塗布液中にゲル化物などの発生はなく、安定
性に優れたものであつた。
ても塗布液中にゲル化物などの発生はなく、安定
性に優れたものであつた。
比較例 1
実施例1ないし4において、それぞれガラス質
形成剤を添加しないものを塗布液として使用し、
それぞれの実施例と同様にしてチタン系被膜を形
成したところ、得られた全てのチタン系被膜にピ
ンホールやクラツクの発生が確認された。
形成剤を添加しないものを塗布液として使用し、
それぞれの実施例と同様にしてチタン系被膜を形
成したところ、得られた全てのチタン系被膜にピ
ンホールやクラツクの発生が確認された。
比較例 2
チタンテトライソプロポキシド284g(1モル)
と氷酢酸120g(2モル)とエチルアルコール920
g(20モル)を室温でかきまぜながら混合した。
次いで3時間かきまぜながら反応させて得られた
溶液を室温で1週間放置したところ、その溶液中
に白色結晶が析出した。また、該溶液100c.c.に対
してP2O51gを添加したのち、ろ過を行い、チタ
ン系ガラス質形成用塗布液を調製し、この塗布液
をシリコンウエハー上にスピンナーにより
2000rpmで塗布したところ、被膜は白濁してしま
い、実用性に乏しいものであつた。
と氷酢酸120g(2モル)とエチルアルコール920
g(20モル)を室温でかきまぜながら混合した。
次いで3時間かきまぜながら反応させて得られた
溶液を室温で1週間放置したところ、その溶液中
に白色結晶が析出した。また、該溶液100c.c.に対
してP2O51gを添加したのち、ろ過を行い、チタ
ン系ガラス質形成用塗布液を調製し、この塗布液
をシリコンウエハー上にスピンナーにより
2000rpmで塗布したところ、被膜は白濁してしま
い、実用性に乏しいものであつた。
比較例 3
チタンテトライソプロポキシド284g(1モル)
と氷酢酸480g(8モル)とエチルアルコール460
g(10モル)を室温でかきまぜながら混合した。
次いで3時間かきまぜながら反応させて得られた
溶液は、室温で1日間放置したことで溶液中にゲ
ル化物の発生が確認され、安定性が悪く、チタン
系ガラス質形成用塗布液の調製には使用できるも
のではなかつた。
と氷酢酸480g(8モル)とエチルアルコール460
g(10モル)を室温でかきまぜながら混合した。
次いで3時間かきまぜながら反応させて得られた
溶液は、室温で1日間放置したことで溶液中にゲ
ル化物の発生が確認され、安定性が悪く、チタン
系ガラス質形成用塗布液の調製には使用できるも
のではなかつた。
比較例 4
チタンテトライプロポキシド284g(1モル)
と氷酢酸480g(8モル)とエチルアルコール920
g(20モル)を室温でかきまぜながら混合した。
次いで3時間かきまぜながら反応させて得られた
溶液は、室温で3日間放置したことで溶液中にゲ
ル化物の発生が確認され、安定性が悪く、チタン
系ガラス質形成用塗布液の調製には使用できるも
のではなかつた。
と氷酢酸480g(8モル)とエチルアルコール920
g(20モル)を室温でかきまぜながら混合した。
次いで3時間かきまぜながら反応させて得られた
溶液は、室温で3日間放置したことで溶液中にゲ
ル化物の発生が確認され、安定性が悪く、チタン
系ガラス質形成用塗布液の調製には使用できるも
のではなかつた。
Claims (1)
- 1 チタンアルコキシド1モル当りカルボン酸1
ないし5モルとアルコール2ないし16モルとを反
応させて得られる反応生成物溶液にガラス質形成
剤(金属アルコキシドを除く)を添加溶解して成
る溶液を基板上に塗布し、加熱することを特徴と
するチタン系ガラス質被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17028679A JPS5694651A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Manufacture of material for electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17028679A JPS5694651A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Manufacture of material for electronic parts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5694651A JPS5694651A (en) | 1981-07-31 |
JPS6366903B2 true JPS6366903B2 (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=15902124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17028679A Granted JPS5694651A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Manufacture of material for electronic parts |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5694651A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6325930A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Toshiba Components Kk | 半導体装置 |
US9201305B2 (en) * | 2013-06-28 | 2015-12-01 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Spin-on compositions of soluble metal oxide carboxylates and methods of their use |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5314699A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-09 | Pechiney Aluminium | Alumina mass having good mechanical strength and method of making same |
JPS55167130A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-26 | Hitachi Ltd | Metal oxide thin film forming method |
-
1979
- 1979-12-28 JP JP17028679A patent/JPS5694651A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5314699A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-09 | Pechiney Aluminium | Alumina mass having good mechanical strength and method of making same |
JPS55167130A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-26 | Hitachi Ltd | Metal oxide thin film forming method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5694651A (en) | 1981-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4277525A (en) | Liquid compositions for forming silica coating films | |
JP2881847B2 (ja) | コーティング用組成物及びその製造法 | |
JPH0797548A (ja) | 酸化ケイ素系被膜形成用塗布液 | |
JPH083074B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液 | |
JP3163579B2 (ja) | 被膜形成用塗布液 | |
JPS639016B2 (ja) | ||
JPS6366903B2 (ja) | ||
JP3278876B2 (ja) | 金属酸化物被膜形成用塗布液 | |
JPS6343468B2 (ja) | ||
JPS58131730A (ja) | ド−ピングされた酸化フイルムおよび複合物品の製造方法 | |
US8999450B2 (en) | Metal salt-containing composition, substrate, manufacturing method of substrate | |
JPH01132004A (ja) | 透光性導基板およびその製造方法 | |
JPH10226767A (ja) | シリカ被膜形成用塗布液 | |
JPH054839A (ja) | ゾルゲル法による薄膜の作製方法 | |
JP2946569B2 (ja) | 高耐熱性高屈折率複合酸化物薄膜形成用組成物 | |
JP2708120B2 (ja) | 透明酸化物薄膜用塗布液の製造方法および透明酸化物薄膜付基材 | |
JP2003095651A (ja) | 誘電体膜形成用前駆体ゾル、前駆体ゾルの調製方法、誘電体膜、及び誘電体膜の形成方法 | |
JPS608263B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液の製法 | |
JP2561680B2 (ja) | 透明酸化物薄膜被着ガラスの製造方法 | |
JP2752968B2 (ja) | シリカ系被膜の形成法 | |
JPH05179202A (ja) | シリカ被膜形成用塗布液 | |
JPH11157832A (ja) | 透明酸化マグネシウム被膜形成用塗布液 | |
JP2678380B2 (ja) | 改良されたシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法 | |
US4835017A (en) | Liquid composition for forming silica-based coating film | |
JPH03190984A (ja) | 酸化物被膜形成用塗布液及び酸化物被膜の製造法 |