JPS6358367B2 - - Google Patents
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- JPS6358367B2 JPS6358367B2 JP57050883A JP5088382A JPS6358367B2 JP S6358367 B2 JPS6358367 B2 JP S6358367B2 JP 57050883 A JP57050883 A JP 57050883A JP 5088382 A JP5088382 A JP 5088382A JP S6358367 B2 JPS6358367 B2 JP S6358367B2
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- Japan
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- photoresist
- layer
- photoresist layer
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置をエツチングするためのホ
トレジスト処理に関し、特に、線解像度及び均一
性を改善するために吸収性染料を利用する多層ホ
トレジスト処理に関する。
トレジスト処理に関し、特に、線解像度及び均一
性を改善するために吸収性染料を利用する多層ホ
トレジスト処理に関する。
集積回路技術においては、解像度が大きいほど
多数の回路を単一チツプ上に作ることができるの
で、ホトレジスト処理の解像度を増大させること
について格段の努力が従来からなされている。こ
の回路密度の増大により、その結果得られる集積
回路の潜在的な複雑性及び速度を増大させること
ができる。
多数の回路を単一チツプ上に作ることができるの
で、ホトレジスト処理の解像度を増大させること
について格段の努力が従来からなされている。こ
の回路密度の増大により、その結果得られる集積
回路の潜在的な複雑性及び速度を増大させること
ができる。
現在、光学的投影プリンテイング技術を用い、
そして平らな低反射率の基板を用いる場合、良好
な線幅制御をもつてホトレジスト内に１ミクロン
の線を解像することができる。しかし、表面地形
を有する基板上のホトレジストを露光する場合に
は、光学的反射及びホトレジストの厚さの不均一
性によつて生ずるホトレジスト制御の問題があ
る。
そして平らな低反射率の基板を用いる場合、良好
な線幅制御をもつてホトレジスト内に１ミクロン
の線を解像することができる。しかし、表面地形
を有する基板上のホトレジストを露光する場合に
は、光学的反射及びホトレジストの厚さの不均一
性によつて生ずるホトレジスト制御の問題があ
る。
基板とホトレジストとの界面からの光の反射
は、露光中のホトレジスト内の光強度を変化さ
せ、その結果、線幅が不均一となる。光は上記界
面から露光させたくないホトレジスト領域内に散
乱し、その結果、線幅の拡がりまたはボケが生ず
る。散乱及び反射の量は領域から領域へと変化
し、その結果、線幅が不均一となる。
は、露光中のホトレジスト内の光強度を変化さ
せ、その結果、線幅が不均一となる。光は上記界
面から露光させたくないホトレジスト領域内に散
乱し、その結果、線幅の拡がりまたはボケが生ず
る。散乱及び反射の量は領域から領域へと変化
し、その結果、線幅が不均一となる。
色収差の影響を除去するには、ホトレジスト投
影プリンテイング法において、ホトレジストを露
光するために、単色光または準単色光が用いられ
ている。ところが、解像度に対する界面反射の影
響は、単色光または準単色光を用いてホトレジス
トを露光する場合に特に顕著になる。かかる光が
基板とホトレジストとの界面から反射すると、こ
の反射光は入射光と干渉し、ホトレジスト内に定
在波を形成する。反射率の高い基板領域がある場
合には、その結果生ずる大きな定在波比のため
に、定在波最小の場所に露光不足のホトレジスト
の薄い層が生ずる。この露光不足の層は完全なホ
トレジストの現像を妨げ、ジグザグのあるホトレ
ジスト形状を生ずる。反射光の一部はまたホトレ
ジストの上面から基板へ反射して戻る。ホトレジ
スト層の上面と下面との間の入射光のかかる多重
反射の結果、該ホトレジスト内の光強度に影響す
る共振が生ずる。ホトレジストを露光するのに必
要な時間は、ホトレジストの量が増加すると露光
に必要な光の全量も増加するので、ホトレジスト
の厚さの増加関数である。しかし、共振の影響の
ために、露光時間はまた高調波成分を含むことに
なる。この高調波成分は、ホトレジストの厚さが
入射光の四分の一波長にわたつて変化するにつれ
て、順次最大値と最小値との間で変化する。ホト
レジストの厚さが不均一であると露光が不均一と
なり、その結果、線幅が不均一となる。
影プリンテイング法において、ホトレジストを露
光するために、単色光または準単色光が用いられ
ている。ところが、解像度に対する界面反射の影
響は、単色光または準単色光を用いてホトレジス
トを露光する場合に特に顕著になる。かかる光が
基板とホトレジストとの界面から反射すると、こ
の反射光は入射光と干渉し、ホトレジスト内に定
在波を形成する。反射率の高い基板領域がある場
合には、その結果生ずる大きな定在波比のため
に、定在波最小の場所に露光不足のホトレジスト
の薄い層が生ずる。この露光不足の層は完全なホ
トレジストの現像を妨げ、ジグザグのあるホトレ
ジスト形状を生ずる。反射光の一部はまたホトレ
ジストの上面から基板へ反射して戻る。ホトレジ
スト層の上面と下面との間の入射光のかかる多重
反射の結果、該ホトレジスト内の光強度に影響す
る共振が生ずる。ホトレジストを露光するのに必
要な時間は、ホトレジストの量が増加すると露光
に必要な光の全量も増加するので、ホトレジスト
の厚さの増加関数である。しかし、共振の影響の
ために、露光時間はまた高調波成分を含むことに
なる。この高調波成分は、ホトレジストの厚さが
入射光の四分の一波長にわたつて変化するにつれ
て、順次最大値と最小値との間で変化する。ホト
レジストの厚さが不均一であると露光が不均一と
なり、その結果、線幅が不均一となる。
基板とホトレジストとの界面からの散乱及び反
射に基づくホトレジスト線幅変化の問題は、基板
からの反射を減少または除去することによつて解
決することができる。上記問題点に対する一つの
解決法がIBM技報（IBM Technical Disclosure
Bulletin）、Vol.13、No.１ 第38頁、1970年７月
に述べられている。この方法では、メチルオレン
ジまたはメタニルイエローのような染料を含有す
る薄い紫外光吸収層を基板とホトレジストとの界
面に沈着させている。
射に基づくホトレジスト線幅変化の問題は、基板
からの反射を減少または除去することによつて解
決することができる。上記問題点に対する一つの
解決法がIBM技報（IBM Technical Disclosure
Bulletin）、Vol.13、No.１ 第38頁、1970年７月
に述べられている。この方法では、メチルオレン
ジまたはメタニルイエローのような染料を含有す
る薄い紫外光吸収層を基板とホトレジストとの界
面に沈着させている。
線幅変化の問題はまた基板地形からも生ずる。
上述したように、共振の影響及びホトレジストの
厚さ変化は組み合わさつて線幅の不均一を生じさ
せる。更にまた、ホトレジスト層を露光及び現像
したときに、これによつて作られたホトレジスト
のパターンは一般に傾斜した壁を有しており、従
つて、基板表面におけるホトレジストのパターン
の幅はホトレジストの厚さに伴つて変化する。平
らでない面上に沈着した材料の層は本来的に厚さ
が変化するから、基板地形は線幅変化の問題を生
じさせる。基板面地形に基づく問題は、SPIE、
Vol.174、“Developments in Semiconductor
Microlithography”、第114頁（1979年）に開
示された技術の中で述べられている。この方法に
おいては、ポリメチルメタクリレート（PMMA）
の厚い（１〜３ミクロン）下部層を基板上に沈着
して平らな面を作り、該面上に第２のホトレジス
トの薄い（0.2ミクロン）層を沈着させる。次い
で、この上部ホトレジストを露光し（例えば、近
紫外光を用いる投影プリンテイング法または電子
ビーム露光により）、そして現像して、遠紫外光
に対して不透明であるマスクを作る。次いで、こ
のPMMAの下部層を上記マスクを通じて遠紫外
光で露光し、そして現像して所望のホトレジスト
パターンを作る。多色遠紫外線露光は、下部ホト
レジスト層の露光に伴う反射問題を減少させる
が、上部層の露光に影響するものとしての反射問
題は論じられてない。線解像度を更に改善するた
めに、界面反射率によつて生ずる問題及び基板面
地形によつて生ずる問題の両方を対象とする方法
が要求されている。
上述したように、共振の影響及びホトレジストの
厚さ変化は組み合わさつて線幅の不均一を生じさ
せる。更にまた、ホトレジスト層を露光及び現像
したときに、これによつて作られたホトレジスト
のパターンは一般に傾斜した壁を有しており、従
つて、基板表面におけるホトレジストのパターン
の幅はホトレジストの厚さに伴つて変化する。平
らでない面上に沈着した材料の層は本来的に厚さ
が変化するから、基板地形は線幅変化の問題を生
じさせる。基板面地形に基づく問題は、SPIE、
Vol.174、“Developments in Semiconductor
Microlithography”、第114頁（1979年）に開
示された技術の中で述べられている。この方法に
おいては、ポリメチルメタクリレート（PMMA）
の厚い（１〜３ミクロン）下部層を基板上に沈着
して平らな面を作り、該面上に第２のホトレジス
トの薄い（0.2ミクロン）層を沈着させる。次い
で、この上部ホトレジストを露光し（例えば、近
紫外光を用いる投影プリンテイング法または電子
ビーム露光により）、そして現像して、遠紫外光
に対して不透明であるマスクを作る。次いで、こ
のPMMAの下部層を上記マスクを通じて遠紫外
光で露光し、そして現像して所望のホトレジスト
パターンを作る。多色遠紫外線露光は、下部ホト
レジスト層の露光に伴う反射問題を減少させる
が、上部層の露光に影響するものとしての反射問
題は論じられてない。線解像度を更に改善するた
めに、界面反射率によつて生ずる問題及び基板面
地形によつて生ずる問題の両方を対象とする方法
が要求されている。
次に本発明を概略説明する。第１図ないし第３
Ｂ図は本発明による多層ホトレジスト処理方法を
示した図である。第１図において、上に金属相互
接続体を沈着した基板を示す。金属相互接続体
は、その後に行なうホトレジストパターンの現像
における良好な線幅解像度に対する最も大きな障
害の一つとなる。すなわち、かかる相互接続体
は、表面地形に基づく問題を生じさせるだけでな
く、更に、高い反射率をもつ局部的領域を作るか
らである。上記基板を充分な厚さ（約1.5ミクロ
ン）のホトレジスト下部層で被覆して平らな上面
を作る。そして薄い（約１ミクロン）上部層を上
記平らな面の上に沈着してマスクを作る。
Ｂ図は本発明による多層ホトレジスト処理方法を
示した図である。第１図において、上に金属相互
接続体を沈着した基板を示す。金属相互接続体
は、その後に行なうホトレジストパターンの現像
における良好な線幅解像度に対する最も大きな障
害の一つとなる。すなわち、かかる相互接続体
は、表面地形に基づく問題を生じさせるだけでな
く、更に、高い反射率をもつ局部的領域を作るか
らである。上記基板を充分な厚さ（約1.5ミクロ
ン）のホトレジスト下部層で被覆して平らな上面
を作る。そして薄い（約１ミクロン）上部層を上
記平らな面の上に沈着してマスクを作る。
上部ホトレジストは、下部ホトレジストが感光
性である範囲外の波長において感光性であるよう
に選定される。上部ホトレジスト５を露光するの
に用いる光は、上部ホトレジスト５が感光性であ
つて下部ホトレジストが感光性でない範囲内にあ
るように選定される。この光はまた、色収差を避
けるために、単色光または準単色光であるように
選定してもよい。上部及び下部のホトレジスト
は、これら上部及び下部のホトレジスト間の界面
から光を反射することを避けるために、この波長
においてほぼ等しい屈折率を有しているべきであ
る。これらのパラメータ選定及び上部層の薄い平
らな特性の結果、標準の投影プリンテイング法に
よりマスクを介して上部層上に投射される光は鋭
く焦点合せした光をもつて上部層を露光し、焦点
はずれの光で下部層の部分を活性化することがな
い。
性である範囲外の波長において感光性であるよう
に選定される。上部ホトレジスト５を露光するの
に用いる光は、上部ホトレジスト５が感光性であ
つて下部ホトレジストが感光性でない範囲内にあ
るように選定される。この光はまた、色収差を避
けるために、単色光または準単色光であるように
選定してもよい。上部及び下部のホトレジスト
は、これら上部及び下部のホトレジスト間の界面
から光を反射することを避けるために、この波長
においてほぼ等しい屈折率を有しているべきであ
る。これらのパラメータ選定及び上部層の薄い平
らな特性の結果、標準の投影プリンテイング法に
よりマスクを介して上部層上に投射される光は鋭
く焦点合せした光をもつて上部層を露光し、焦点
はずれの光で下部層の部分を活性化することがな
い。
下部層内の染料は、上部ホトレジスト層を露光
するのに用いる波長の範囲内では光を極めてよく
吸収するように選定されており、且つ、基板とホ
トレジストとの界面反射に基づく問題を許容範囲
内まで減少させるのに充分な濃度になつている。
従つて、この染料は、この程度の濃度が得られる
ように下部ホトレジスト中に充分に溶解できるこ
とが必要である。更にまた、この染料は、上部及
び下部のホトレジスト層に対して用いる焼成温度
にさらされた後も、その吸収性特性を失つたり、
または下部ホトレジストの露光及び現像の妨げと
なつたりしてはいけない。この染料はまた、下部
層のためのキヤリアが蒸発する時に結晶化しては
いけない。すなわち、結晶化すると吸収が不均一
となり、また不完全となる可能性があるからであ
る。好ましくは、この染料は下部層を露光するの
に用いる光に対して実質的に透明であるべきであ
る。さもないと、下部層に対して必要な露光時間
が著しく増大し、そのために、処理速度が減少
し、また費用が増大する。この染料はまた、投影
プリンテイング中の整合を容易ならしめるため
に、可視波長範囲内の或る点において実質的に透
明であるべきである。この染料はまた、集積回路
を汚染する可能性のあるナトリウム及びカリウム
のような元素を含有していてはいけない。
するのに用いる波長の範囲内では光を極めてよく
吸収するように選定されており、且つ、基板とホ
トレジストとの界面反射に基づく問題を許容範囲
内まで減少させるのに充分な濃度になつている。
従つて、この染料は、この程度の濃度が得られる
ように下部ホトレジスト中に充分に溶解できるこ
とが必要である。更にまた、この染料は、上部及
び下部のホトレジスト層に対して用いる焼成温度
にさらされた後も、その吸収性特性を失つたり、
または下部ホトレジストの露光及び現像の妨げと
なつたりしてはいけない。この染料はまた、下部
層のためのキヤリアが蒸発する時に結晶化しては
いけない。すなわち、結晶化すると吸収が不均一
となり、また不完全となる可能性があるからであ
る。好ましくは、この染料は下部層を露光するの
に用いる光に対して実質的に透明であるべきであ
る。さもないと、下部層に対して必要な露光時間
が著しく増大し、そのために、処理速度が減少
し、また費用が増大する。この染料はまた、投影
プリンテイング中の整合を容易ならしめるため
に、可視波長範囲内の或る点において実質的に透
明であるべきである。この染料はまた、集積回路
を汚染する可能性のあるナトリウム及びカリウム
のような元素を含有していてはいけない。
以下、本発明をその実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
第１図ないし第３図に、基板とホトレジストと
の界面からの反射によつて生ずる問題を減少また
は除去するために吸収性染料を利用する多層ホト
レジスト処理方法を示す。2.6％クマリン６レー
ザ染料（米国、コダツク社製）でドープしたポリ
メチルメタクリレート（PMMAとして知られて
おり、米国、デユポン社製）の下部ホトレジスト
層３を、金属相互接続体２を有する基板１上に沈
着させる。上記下部層は、実質的に平らな上面４
を作るのに充分な厚さ（約1.5ミクロン）である。
上記下部層を175℃で１時間焼成し、次いで、コ
ダツク809ポジテイブ・レジスト（コダツク社製）
の薄い（１ミクロン以下）上部ホトレジスト層５
を平面状面４上に沈着させる。コダツク809レジ
ストは、PMMAが感光性である200〜250nｍ領
域においては不透明であり、従つて、現像後は、
上記上部層は上記下部層に対する接触マスクとし
て働く。上記上部層を82℃で40分間焼成し、その
後、露光して該上部層のパターンを作る。
の界面からの反射によつて生ずる問題を減少また
は除去するために吸収性染料を利用する多層ホト
レジスト処理方法を示す。2.6％クマリン６レー
ザ染料（米国、コダツク社製）でドープしたポリ
メチルメタクリレート（PMMAとして知られて
おり、米国、デユポン社製）の下部ホトレジスト
層３を、金属相互接続体２を有する基板１上に沈
着させる。上記下部層は、実質的に平らな上面４
を作るのに充分な厚さ（約1.5ミクロン）である。
上記下部層を175℃で１時間焼成し、次いで、コ
ダツク809ポジテイブ・レジスト（コダツク社製）
の薄い（１ミクロン以下）上部ホトレジスト層５
を平面状面４上に沈着させる。コダツク809レジ
ストは、PMMAが感光性である200〜250nｍ領
域においては不透明であり、従つて、現像後は、
上記上部層は上記下部層に対する接触マスクとし
て働く。上記上部層を82℃で40分間焼成し、その
後、露光して該上部層のパターンを作る。
第１図は、上部層５を436nｍ投影プリンタか
らの光によつて露光する処理工程を示すものであ
る。PMMAはこの波長においては感光性でなく、
従つて、この光は上部ホトレジスト層の露光に効
果があるだけである。約１ｍＷ／cm2の露光強度に
おいてはクマリン染料は下部層内で充分に濃くな
つており、また、436nｍの波長においては充分
に吸収性であつて、下部層３に入る光の80％がこ
の層への１回の通過において吸収される。露光強
度を300ｍＷ／cm2に増すと、上記吸収性染料の遷
移の飽和のために、１回の通過における吸収は約
60％に低下する。この60％の吸収値はなお充分で
あり、従つて、約300ｍＷ／cm2の露光強度を用い
て上部ホトレジストを露光する。クマリン６の吸
収帯は狭く、可視領域においては格別に吸収はせ
ず、従つて、クマリンが存在していても、投影プ
リンテイング整合中に基板上の整合標識を見る妨
げとはならない。
らの光によつて露光する処理工程を示すものであ
る。PMMAはこの波長においては感光性でなく、
従つて、この光は上部ホトレジスト層の露光に効
果があるだけである。約１ｍＷ／cm2の露光強度に
おいてはクマリン染料は下部層内で充分に濃くな
つており、また、436nｍの波長においては充分
に吸収性であつて、下部層３に入る光の80％がこ
の層への１回の通過において吸収される。露光強
度を300ｍＷ／cm2に増すと、上記吸収性染料の遷
移の飽和のために、１回の通過における吸収は約
60％に低下する。この60％の吸収値はなお充分で
あり、従つて、約300ｍＷ／cm2の露光強度を用い
て上部ホトレジストを露光する。クマリン６の吸
収帯は狭く、可視領域においては格別に吸収はせ
ず、従つて、クマリンが存在していても、投影プ
リンテイング整合中に基板上の整合標識を見る妨
げとはならない。
上記染料を添加した下部ホトレジスト層３によ
る436nｍ光の吸収は、上部層５における線幅解
像度を改善する。なぜならば基板１と下部ホトレ
ジスト層３との間の界面６からの反射を結果的に
減らすからである。従つて、上部層５を露光して
マスクを作る時に良好な線幅制御が達成できる。
上部層を、MX931−１コダツク現像剤を脱イオ
ン水に溶解した7.5％溶液中に90秒間浸漬するこ
とによつて現像し、その後、脱イオン水で洗滌す
る。
る436nｍ光の吸収は、上部層５における線幅解
像度を改善する。なぜならば基板１と下部ホトレ
ジスト層３との間の界面６からの反射を結果的に
減らすからである。従つて、上部層５を露光して
マスクを作る時に良好な線幅制御が達成できる。
上部層を、MX931−１コダツク現像剤を脱イオ
ン水に溶解した7.5％溶液中に90秒間浸漬するこ
とによつて現像し、その後、脱イオン水で洗滌す
る。
第２図において、下部層を、上部ホトレジスト
層５内の領域７及び８のような現像済領域を通じ
て、1000WのHg−Xeの短いアークランプによつ
て放射される強度25〜30ｍＷ／cm2の遠紫外線で露
光する。下部層は、いくつかの理由により、上部
層のパターンを正確に模写する。すなわち、第１
に、下部層の広帯域遠紫外線露光により、該下部
層内の定在波及び共振の影響が減少する。第２
に、大部分の材料の反射率が、PMMA露光のた
めに用いる遠紫外波長において減少する。更に、
使用する高い周波数によつて回折が減少し、その
結果、下部層の高いコントラストの露光が得られ
る。この高いコントラストを保持するには、
PMMA処理において用いる高い周波数成分を染
料が強く吸収しないことが重要である。しかしな
がら、クマリンは220〜250nｍ領域において若干
吸収する。しかし、線幅解像度を格別劣化させる
ほどには強く吸収しない。染料を添加した
PMMAの紫外線露光時間を約２倍増加させると、
染料添加なしのPMMAと同じ垂直側壁が得られ
る。下部層を、メチルイソブチルケトン
（MIBK）の100％溶液に90秒間、イソプロパノー
ル中に溶解したMIBKの25％溶液に90秒間、及び
イソプロパノールの100％溶液に60秒間、順々に
浸漬することによつて現像し、その後、脱イオン
水で洗滌する。この現像工程から得られる構造を
第３Ａ図に示す。下部層を現像するのにクロロベ
ンゼンのような他の現像剤を用いた場合には、上
部層は影響を受けず、その結果、第３Ｂ図に示す
ような構造が得られる。
層５内の領域７及び８のような現像済領域を通じ
て、1000WのHg−Xeの短いアークランプによつ
て放射される強度25〜30ｍＷ／cm2の遠紫外線で露
光する。下部層は、いくつかの理由により、上部
層のパターンを正確に模写する。すなわち、第１
に、下部層の広帯域遠紫外線露光により、該下部
層内の定在波及び共振の影響が減少する。第２
に、大部分の材料の反射率が、PMMA露光のた
めに用いる遠紫外波長において減少する。更に、
使用する高い周波数によつて回折が減少し、その
結果、下部層の高いコントラストの露光が得られ
る。この高いコントラストを保持するには、
PMMA処理において用いる高い周波数成分を染
料が強く吸収しないことが重要である。しかしな
がら、クマリンは220〜250nｍ領域において若干
吸収する。しかし、線幅解像度を格別劣化させる
ほどには強く吸収しない。染料を添加した
PMMAの紫外線露光時間を約２倍増加させると、
染料添加なしのPMMAと同じ垂直側壁が得られ
る。下部層を、メチルイソブチルケトン
（MIBK）の100％溶液に90秒間、イソプロパノー
ル中に溶解したMIBKの25％溶液に90秒間、及び
イソプロパノールの100％溶液に60秒間、順々に
浸漬することによつて現像し、その後、脱イオン
水で洗滌する。この現像工程から得られる構造を
第３Ａ図に示す。下部層を現像するのにクロロベ
ンゼンのような他の現像剤を用いた場合には、上
部層は影響を受けず、その結果、第３Ｂ図に示す
ような構造が得られる。
選択された染料として、クマリンを使用するこ
との極めて大きな利点は、クマリンは遠紫外光に
よる露光の下で脱色することである。この脱色作
用の結果として、下部層に対する露光時間を脱色
がない場合の時間よりも短縮することができ、ま
た解像度が改善される。
との極めて大きな利点は、クマリンは遠紫外光に
よる露光の下で脱色することである。この脱色作
用の結果として、下部層に対する露光時間を脱色
がない場合の時間よりも短縮することができ、ま
た解像度が改善される。
第１図は本発明にかかる方法の上部層露光工程
を示す図、第２図は本発明にかかる方法の下部層
露光工程を示す図、第３Ａ図は下部層の現像中に
上部ホトレジスト層が既に除去されている本発明
にかかる方法によつて作つたホトレジストパター
ンを示す図、第３Ｂ図は下部層の現像中に上部ホ
トレジスト層が除去されない本発明にかかる方法
で作つたホトレジストパターンを示す図である。 １：基板、２：金属相互接続体、３：下部ホト
レジスト層、５：上部ホトレジスト層。
を示す図、第２図は本発明にかかる方法の下部層
露光工程を示す図、第３Ａ図は下部層の現像中に
上部ホトレジスト層が既に除去されている本発明
にかかる方法によつて作つたホトレジストパター
ンを示す図、第３Ｂ図は下部層の現像中に上部ホ
トレジスト層が除去されない本発明にかかる方法
で作つたホトレジストパターンを示す図である。 １：基板、２：金属相互接続体、３：下部ホト
レジスト層、５：上部ホトレジスト層。
Claims (1)
- １ 表面地形を有する基板上に該表面地形の存在
にかかわらず実質的に平らな上平面を与えるのに
充分な厚さに第１ホトレジスト層を形成し、前記
第１ホトレジスト層上に薄い第２ホトレジスト層
を形成し、これら層を処理してこれら層に所定パ
ターンを形成する方法において、前記第１ホトレ
ジスト層中に、前記第２ホトレジスト層を露光す
るのに用いる光線を吸収し且つ前記第１ホトレジ
スト層を露光するのに用いる光線に対しては実質
的に透明である物質を含ませると共に、前記第２
ホトレジスト層は前記第１ホトレジスト層が感光
性である光線に対しては不透明であるようにし、
前記第２ホトレジスト層を実質的に単色な光線に
よつて露光し、そして前記第１ホトレジスト層を
前記単色な光線の波長よりも短い紫外線によつて
露光するようにしたことを特徴とする多層ホトレ
ジスト処理方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/248,761 US4362809A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57172735A JPS57172735A (en) | 1982-10-23 |
| JPS6358367B2 true JPS6358367B2 (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=22940563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57050883A Granted JPS57172735A (en) | 1981-03-30 | 1982-03-29 | Multilayer photoresist processing |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4362809A (ja) |
| JP (1) | JPS57172735A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012030579A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Canon Inc | 構造体の製造方法および液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2012079905A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
Families Citing this family (78)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952881A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-27 | Fujitsu Ltd | 電界効果型半導体装置の製造方法 |
| US4822718A (en) * | 1982-09-30 | 1989-04-18 | Brewer Science, Inc. | Light absorbing coating |
| US4910122A (en) * | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
| JPH0612452B2 (ja) * | 1982-09-30 | 1994-02-16 | ブリュ−ワ−・サイエンス・インコ−ポレイテッド | 集積回路素子の製造方法 |
| EP0264650B1 (en) * | 1982-09-30 | 1992-08-26 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
| WO1984002986A1 (en) * | 1983-01-24 | 1984-08-02 | Western Electric Co | Bilevel ultraviolet resist system for patterning substrates of high reflectivity |
| US4553153A (en) * | 1983-10-21 | 1985-11-12 | Eastman Kodak Company | Planarizing layer for semiconductor substrates such as solid state imagers |
| US4529685A (en) * | 1984-03-02 | 1985-07-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for making integrated circuit devices using a layer of indium arsenide as an antireflective coating |
| US4508591A (en) * | 1984-03-08 | 1985-04-02 | Hewlett-Packard Company | Polymethyl methacrylate compatible silicon dioxide complexing agent |
| EP0154932A3 (en) * | 1984-03-09 | 1986-02-05 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process |
| US4535053A (en) * | 1984-06-11 | 1985-08-13 | General Electric Company | Multilayer photoresist process utilizing cinnamic acid derivatives as absorbant dyes |
| US4591546A (en) * | 1984-06-11 | 1986-05-27 | General Electric Company | Spin castable resist composition and use |
| US4576891A (en) * | 1984-06-15 | 1986-03-18 | The Mead Corporation | Photosensitive microcapsules useful in polychromatic imaging having radiation absorber |
| US5674648A (en) * | 1984-08-06 | 1997-10-07 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
| US4711836A (en) * | 1984-09-10 | 1987-12-08 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Development of positive-working photoresist compositions |
| WO1986001914A1 (en) * | 1984-09-13 | 1986-03-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photolithography process using positive photoresist containing unbleachable light absorbing agent |
| US4578344A (en) * | 1984-12-20 | 1986-03-25 | General Electric Company | Photolithographic method using a two-layer photoresist and photobleachable film |
| US4828960A (en) * | 1985-01-07 | 1989-05-09 | Honeywell Inc. | Reflection limiting photoresist composition with two azo dyes |
| NL8500455A (nl) * | 1985-02-18 | 1986-09-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij een fotolakmasker wordt gevormd met behulp van een twee-laags-laksysteem. |
| DE3515693A1 (de) * | 1985-05-02 | 1986-11-06 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Positiv-fotoresist-zusammensetzungen |
| US5334481A (en) * | 1985-05-02 | 1994-08-02 | Ciba-Geigy Corporation | Positive diazo quinone photoresist compositions containing antihalation compound |
| US4650745A (en) * | 1985-06-04 | 1987-03-17 | Philip A. Hunt Chemical Corporation | Method of forming a resist pattern by radiation exposure of positive-working resist coating comprising a dye and a trihydroxybenzophenone compound and subsequent aqueous alkaline development |
| US4626492A (en) * | 1985-06-04 | 1986-12-02 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound |
| US4618565A (en) * | 1985-06-05 | 1986-10-21 | Rca Corporation | Absorptive layer for optical lithography |
| US4609614A (en) * | 1985-06-24 | 1986-09-02 | Rca Corporation | Process of using absorptive layer in optical lithography with overlying photoresist layer to form relief pattern on substrate |
| US4828964A (en) * | 1985-08-20 | 1989-05-09 | International Business Machines Corporation | Polyimide formulation for forming a patterned film on a substrate |
| JPS6247045A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ポリイミド組成物およびパタ−ンを有する膜の形成法 |
| US4784936A (en) * | 1985-10-24 | 1988-11-15 | General Electric Company | Process of forming a resist structure on substrate having topographical features using positive photoresist layer and poly(vinyl pyrrolidone) overlayer |
| GB2190214B (en) * | 1986-03-11 | 1989-11-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method of forming an image on photosensitive material |
| DE3623891A1 (de) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Siemens Ag | Anordnung zur genauen gegenseitigen ausrichtung einer maske und einer halbleiterscheibe in einem lithographiegeraet und verfahren zu ihrem betrieb |
| US4778739A (en) * | 1986-08-25 | 1988-10-18 | International Business Machines Corporation | Photoresist process for reactive ion etching of metal patterns for semiconductor devices |
| US4681430A (en) * | 1986-08-27 | 1987-07-21 | Hewlett-Packard Company | Method for focusing projection printer |
| US4863827A (en) * | 1986-10-20 | 1989-09-05 | American Hoechst Corporation | Postive working multi-level photoresist |
| JP2611215B2 (ja) * | 1987-03-23 | 1997-05-21 | ソニー株式会社 | パターン形成方法 |
| US4810619A (en) * | 1987-08-12 | 1989-03-07 | General Electric Co. | Photolithography over reflective substrates comprising a titanium nitride layer |
| US4906552A (en) * | 1988-02-22 | 1990-03-06 | Hughes Aircraft Company | Two layer dye photoresist process for sub-half micrometer resolution photolithography |
| US5139918A (en) * | 1988-03-02 | 1992-08-18 | Hewlett-Packard Company | Photoresist system and photoetching process employing an I-line peak light source |
| JP3028816B2 (ja) * | 1988-03-02 | 2000-04-04 | アジレント・テクノロジーズ・インク | フォトレジストシステムおよびフォトエッチング方法 |
| JPH01285946A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH028852A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Fujitsu Ltd | パターニング方法 |
| JPH0253058A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| DE68928548T2 (de) * | 1988-09-28 | 1998-04-23 | Brewer Science Inc | Multifunktionelle photolithographische zusammensetzungen |
| EP0525942A2 (en) * | 1991-05-31 | 1993-02-03 | AT&T Corp. | Integrated circuit fabrication process using a bilayer resist |
| JPH0547656A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターンの形成方法および該方法に用いられる反射防止膜形成用有機シラン化合物 |
| US5276126A (en) * | 1991-11-04 | 1994-01-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected novolak resin planarization layer for lithographic applications |
| US6165697A (en) * | 1991-11-15 | 2000-12-26 | Shipley Company, L.L.C. | Antihalation compositions |
| US6528235B2 (en) | 1991-11-15 | 2003-03-04 | Shipley Company, L.L.C. | Antihalation compositions |
| US6472128B2 (en) | 1996-04-30 | 2002-10-29 | Shipley Company, L.L.C. | Antihalation compositions |
| US6773864B1 (en) | 1991-11-15 | 2004-08-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antihalation compositions |
| JP2694097B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1997-12-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 反射防止コーティング組成物 |
| US5310622A (en) * | 1992-05-29 | 1994-05-10 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Method of patterning a reflective surface in an integrated circuit |
| KR970004447B1 (ko) * | 1993-09-08 | 1997-03-27 | 삼성전자 주식회사 | 반사방지막 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US5869175A (en) * | 1994-01-31 | 1999-02-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated circuit structure having two photoresist layers |
| US5886102A (en) * | 1996-06-11 | 1999-03-23 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective coating compositions |
| US5939236A (en) | 1997-02-07 | 1999-08-17 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective coating compositions comprising photoacid generators |
| US6190839B1 (en) | 1998-01-15 | 2001-02-20 | Shipley Company, L.L.C. | High conformality antireflective coating compositions |
| US6410209B1 (en) | 1998-09-15 | 2002-06-25 | Shipley Company, L.L.C. | Methods utilizing antireflective coating compositions with exposure under 200 nm |
| US6316165B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
| EP1190277B1 (en) | 1999-06-10 | 2009-10-07 | AlliedSignal Inc. | Semiconductor having spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| US6824879B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-11-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| US6268457B1 (en) | 1999-06-10 | 2001-07-31 | Allied Signal, Inc. | Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography |
| JP2001110101A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-04-20 | Fujitsu Ltd | 記録媒体とその製造方法 |
| TW588072B (en) | 2000-10-10 | 2004-05-21 | Shipley Co Llc | Antireflective porogens |
| JP4381143B2 (ja) | 2001-11-15 | 2009-12-09 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | フォトリソグラフィー用スピンオン反射防止膜 |
| US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
| EP1691238A3 (en) | 2005-02-05 | 2009-01-21 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
| KR101366793B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2014-02-25 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 광가교 경화의 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물 |
| JP4966514B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2012-07-04 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物 |
| US8137895B2 (en) * | 2005-08-09 | 2012-03-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and method for improving photoresist pattern adhesion |
| US7470505B2 (en) * | 2005-09-23 | 2008-12-30 | Lexmark International, Inc. | Methods for making micro-fluid ejection head structures |
| JP2010131954A (ja) * | 2007-12-19 | 2010-06-17 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| US8021828B2 (en) * | 2008-02-21 | 2011-09-20 | International Business Machines Corporation | Photoresist compositions and methods related to near field masks |
| NL2004400A (en) * | 2009-04-09 | 2010-10-12 | Asml Holding Nv | Tunable wavelength illumination system. |
| US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
| JP5517848B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
| US9541834B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Ionic thermal acid generators for low temperature applications |
| EP3194502A4 (en) | 2015-04-13 | 2018-05-16 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113171A (ja) * | 1974-02-13 | 1975-09-05 | ||
| JPS51111073A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Fine pattern forming |
| JPS5618420A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-21 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3628954A (en) * | 1970-03-24 | 1971-12-21 | Keuffel And Esser Co | Diazo material and visible light development process therefore |
| US3751248A (en) * | 1971-12-27 | 1973-08-07 | Bell Telephone Labor Inc | Method of selective multilayered etching |
| US4102683A (en) * | 1977-02-10 | 1978-07-25 | Rca Corp. | Nonreflecting photoresist process |
| US4123272A (en) * | 1977-05-17 | 1978-10-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Double-negative positive-working photohardenable elements |
| JPS54109423A (en) * | 1978-02-16 | 1979-08-28 | Process Shizai | Dry imaging material |
| DE2807478A1 (de) * | 1978-02-22 | 1979-08-23 | Ibm Deutschland | Belichtungsverfahren |
| US4289844A (en) * | 1979-06-18 | 1981-09-15 | Eastman Kodak Company | Photopolymerizable compositions featuring novel co-initiators |
-
1981
- 1981-03-30 US US06/248,761 patent/US4362809A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57050883A patent/JPS57172735A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113171A (ja) * | 1974-02-13 | 1975-09-05 | ||
| JPS51111073A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Fine pattern forming |
| JPS5618420A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-21 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012030579A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Canon Inc | 構造体の製造方法および液体吐出ヘッドの製造方法 |
| US8974718B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing structure and method for producing liquid discharge head |
| JP2012079905A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4362809A (en) | 1982-12-07 |
| JPS57172735A (en) | 1982-10-23 |
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