JPH01285946A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH01285946A JPH01285946A JP11488188A JP11488188A JPH01285946A JP H01285946 A JPH01285946 A JP H01285946A JP 11488188 A JP11488188 A JP 11488188A JP 11488188 A JP11488188 A JP 11488188A JP H01285946 A JPH01285946 A JP H01285946A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＬＳＩ等の半導体製造分野に利用される精密
なパターン形成方法に関するものである。
なパターン形成方法に関するものである。
（従来の技術）
従来のパターン形成方法で精密なパターンを形成するに
は、レジストを２層あるいは３層にする多層化が提案さ
れている。これは、単層塗布では基板からの反射により
定在波が発生して露光量が変わるばかりでなく、基板段
差による乱反射やレジストの厚さむらがパターンの解像
性を低下させる対策として考案されたものである。
は、レジストを２層あるいは３層にする多層化が提案さ
れている。これは、単層塗布では基板からの反射により
定在波が発生して露光量が変わるばかりでなく、基板段
差による乱反射やレジストの厚さむらがパターンの解像
性を低下させる対策として考案されたものである。
例えば、２層レジスト法では、下の第１フォトレジスト
層が基板からの反射光防止および基板段差の解消を、ま
た、上のポジ形の第２フォ１−レジス１〜層がパターン
形成用の第２次マスクとなるバターニングレジストの役
割をそれぞれ担当するものである。
層が基板からの反射光防止および基板段差の解消を、ま
た、上のポジ形の第２フォ１−レジス１〜層がパターン
形成用の第２次マスクとなるバターニングレジストの役
割をそれぞれ担当するものである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、この下層の第１フォトレジスト層の分光
透過率は、波長４３６ｎｍで１０％以上あり、基板から
の反射光防止が十分でないという問題があった。
透過率は、波長４３６ｎｍで１０％以上あり、基板から
の反射光防止が十分でないという問題があった。
本発明は、上記の課題を解決するもので、基板表面から
の反射光の影響を受けない、精細なパターンが形成され
るパターン形成方法を提供するものである。
の反射光の影響を受けない、精細なパターンが形成され
るパターン形成方法を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するため、本発明は、金属薄膜を形成
した基板に顔料を分散する感光性樹脂液を塗布して第１
フォトレジスト層を形成する工程と、上記の第１フォト
レジスト層の上にポジ形の第２フォトレジスト層を形成
する工程と、露光した後現像処理を施し第２次マスクを
形成する工程と、上記の第１フォトレジスト層および金
属薄膜をエツチング処理する工程とから構成するもので
ある。
した基板に顔料を分散する感光性樹脂液を塗布して第１
フォトレジスト層を形成する工程と、上記の第１フォト
レジスト層の上にポジ形の第２フォトレジスト層を形成
する工程と、露光した後現像処理を施し第２次マスクを
形成する工程と、上記の第１フォトレジスト層および金
属薄膜をエツチング処理する工程とから構成するもので
ある。
（作 用）
本発明は、第１フォトレジスト層は顔料を分散している
ため、露光光線の入射光がほぼ吸収され、しかも基板表
面からの反射光も十分吸収するため。
ため、露光光線の入射光がほぼ吸収され、しかも基板表
面からの反射光も十分吸収するため。
第２フオ１ヘレジスト層に反射光がほとんど達しない。
従って、基板表面からの反射光がなく、精細なパターン
が形成される。
が形成される。
（実施例）
第１図（ａ）ないし第１図（ｄ）は、本発明の一実施例
を示す工程断面図である。
を示す工程断面図である。
第１図（ａ）において、Ｓｉ等の基板１の表面に、真空
蒸着等によりＡＱ等の金属薄膜２を形成した上に、さら
に顔料を分散した感光性樹脂をスピンナにより塗布し、
厚さ約１μｍの第１フォトレジスト層３を形成する。顔
料にはカーボンブラック、チタンカーボン、酸化鉄の群
から選択された少なくとも一種からなる顔料を、感光性
樹脂液には多官能アクリレートモノマー、有機重合体結
合剤およびトリハロメチル−ｓ−トリアジン系化合物か
らなる光重合開始剤を組成としたもので、本実施例では
富士ハントエレクトロニクステクノロジー■製、黒色感
光性樹脂（商品名：カラーモザイクＣＫ）をそれぞれ使
用した。
蒸着等によりＡＱ等の金属薄膜２を形成した上に、さら
に顔料を分散した感光性樹脂をスピンナにより塗布し、
厚さ約１μｍの第１フォトレジスト層３を形成する。顔
料にはカーボンブラック、チタンカーボン、酸化鉄の群
から選択された少なくとも一種からなる顔料を、感光性
樹脂液には多官能アクリレートモノマー、有機重合体結
合剤およびトリハロメチル−ｓ−トリアジン系化合物か
らなる光重合開始剤を組成としたもので、本実施例では
富士ハントエレクトロニクステクノロジー■製、黒色感
光性樹脂（商品名：カラーモザイクＣＫ）をそれぞれ使
用した。
第１図（ｂ）において、次に上記の第１フォトレジスト
層３の上にポジ形感光液（例えば東京応化■製、ＯＦ
Ｐ Ｒ−８００）を約１ｐｍの厚さに塗布し、第２フオ
トレジストＮ４を形成した後、既定のフォトマスク（図
示せず）を当て、紫外線５を照射して第２フォトレジス
ト層４に露光する。
層３の上にポジ形感光液（例えば東京応化■製、ＯＦ
Ｐ Ｒ−８００）を約１ｐｍの厚さに塗布し、第２フオ
トレジストＮ４を形成した後、既定のフォトマスク（図
示せず）を当て、紫外線５を照射して第２フォトレジス
ト層４に露光する。
次に、通常の現像およびリンス処理を行なうと、第２フ
ォトレジスト層４の露光された部分がエツチングされ、
上記のフォトマスクを忠実に写した第２次マスク６が、
第１図（ｃ）に示すように形成される。次に、酸素リア
クティブイオンエツチング（０，ＲＩ Ｅ）処理を施す
と、第２次マスク６から露光した第１フォトレジスト層
３および金属薄膜２がエツチングされ、第１図（’ｄ）
に示すように基板１の表面に所望の金属薄膜パターン７
が形成される。
ォトレジスト層４の露光された部分がエツチングされ、
上記のフォトマスクを忠実に写した第２次マスク６が、
第１図（ｃ）に示すように形成される。次に、酸素リア
クティブイオンエツチング（０，ＲＩ Ｅ）処理を施す
と、第２次マスク６から露光した第１フォトレジスト層
３および金属薄膜２がエツチングされ、第１図（’ｄ）
に示すように基板１の表面に所望の金属薄膜パターン７
が形成される。
第２図は、上記の第１フォトレジスト層３の厚さが１μ
ｍの時の透過率特性図で、横軸に波長を単位ｎｍで、縦
軸に透過率を％で示しである。
ｍの時の透過率特性図で、横軸に波長を単位ｎｍで、縦
軸に透過率を％で示しである。
同図から判るように、第１フォトレジスト層３の透過率
は、波長３００ｎｍないし７００ｎｍにわたり透過率が
５％以下であり、極めて遮光性に優れている。
は、波長３００ｎｍないし７００ｎｍにわたり透過率が
５％以下であり、極めて遮光性に優れている。
従って、基板表面からの露光光線の反射の影響もほとん
どなくなり、精細なパターン形成が可能となる。
どなくなり、精細なパターン形成が可能となる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、顔料入り感光性
樹脂液を使用して第１フォトレジスト層を形成した二層
レジスト法で、精細なパターンの形成が可能となる。
樹脂液を使用して第１フォトレジスト層を形成した二層
レジスト法で、精細なパターンの形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）ないし第１図（ｄ）は本発明によるパター
ン形成法を示す工程断面図、第２図は顔料入りの第２フ
ォトレジスト層の透過率特性図である。 １・・・基板、 ２・金属薄膜、 ３・・・第１フォ
トレジスト層、 ４・・・第２フォトレジスト層、
５ ・紫外線、 ６・・・第２次マスク、７・・金属薄
膜パターン。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 ↓ １ ↓ Ｊ−５京外橡
ン形成法を示す工程断面図、第２図は顔料入りの第２フ
ォトレジスト層の透過率特性図である。 １・・・基板、 ２・金属薄膜、 ３・・・第１フォ
トレジスト層、 ４・・・第２フォトレジスト層、
５ ・紫外線、 ６・・・第２次マスク、７・・金属薄
膜パターン。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 ↓ １ ↓ Ｊ−５京外橡
Claims (3)
- （１）金属薄膜が形成された基板の表面に第１フォトレ
ジスト層を形成する工程と、上記の第１フォトレジスト
層の上にポジ形の第２フォトレジスト層を形成する工程
、フォトマスクを通して露光し現像処理によって第２次
マスクを形成する工程、第２次マスクから露呈した第１
フォトレジスト層および金属薄膜をエッチングする工程
とからなるパターン形成方法において、顔料を分散した
感光性樹脂液を用い第１フォトレジスト層を形成したこ
とを特徴とするパターン形成方法。 - （２）顔料は、カーボンブラック、チタンカーボン、酸
化鉄の群から選択された少なくとも一種からなることを
特徴とする請求項（１）記載のパターン形成方法。 - （３）顔料を分散する感光性樹脂液は、多官能アクリレ
ートモノマー、有機重合体結合剤およびトリハロメチル
−Ｓ−トリアジン系化合物からなる光重合開始剤を組成
としたものであることを特徴とする請求項（１）記載の
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11488188A JPH01285946A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11488188A JPH01285946A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01285946A true JPH01285946A (ja) | 1989-11-16 |
Family
ID=14649016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11488188A Pending JPH01285946A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01285946A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991012706A1 (en) * | 1990-02-16 | 1991-08-22 | Leedy Glenn J | Making and testing an integrated circuit using high density probe points |
| JPH05134402A (ja) * | 1991-02-26 | 1993-05-28 | Hitachi Ltd | ドライエツチング用レジストマスク並びにそのレジストマスク樹脂組成物とそのレジストマスクを用いたドライエツチングによる微細加工方法 |
| ES2073986A2 (es) * | 1993-03-23 | 1995-08-16 | Paricio Fernando Marin | Procedimiento de micrograbado fotografico sobre metal. |
| US5629137A (en) * | 1988-05-16 | 1997-05-13 | Elm Technology Corporation | Method of repairing an integrated circuit structure |
| EP0744662A3 (en) * | 1995-05-25 | 1997-10-29 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Anti-reflection film forming composition |
| JP2016136200A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
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| JPS5993448A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-05-29 | ブリューワー・サイエンス・インコーポレイテッド | 反射防止コ−テイング |
| JPS61263219A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11488188A patent/JPH01285946A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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| JP2016136200A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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