JP2007127727A - 干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】フォトレジスト層の下層に、高反射率界面が存在した場合でも、現像後におけるフォトレジストの断面形状を損なうことなく、高アスペクト比で形成可能な干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法、それらを用いた光学部品を提供する。
【解決手段】基板上に高反射界面を含む単層または多層構造を有し、その上層に反射防止層を介して設けられたフォトレジスト層に、干渉露光法による露光を施し、現像を経て形成された干渉露光法によるフォトレジストパターンがつぎのような構成を有している。
前記反射防止層が、前記露光に用いられる光源波長における該反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとし、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、
前記消衰係数kが0.3以上、1以下とされ、膜厚が50nm以上とされている。
【選択図】 図1
【解決手段】基板上に高反射界面を含む単層または多層構造を有し、その上層に反射防止層を介して設けられたフォトレジスト層に、干渉露光法による露光を施し、現像を経て形成された干渉露光法によるフォトレジストパターンがつぎのような構成を有している。
前記反射防止層が、前記露光に用いられる光源波長における該反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとし、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、
前記消衰係数kが0.3以上、1以下とされ、膜厚が50nm以上とされている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品に関するものである。
例えば、その表面に可視光の波長より面内周期の短い構造を有する偏光ビームスプリッタ、位相板、反射防止機能付与レンズなどの光学部品を得るためのフォトレジストパターンに関し、特に誘電体の高アスペクト構造を得るためのものに関する。
例えば、その表面に可視光の波長より面内周期の短い構造を有する偏光ビームスプリッタ、位相板、反射防止機能付与レンズなどの光学部品を得るためのフォトレジストパターンに関し、特に誘電体の高アスペクト構造を得るためのものに関する。
従来においては、波長よりも周期の短い周期構造を得るに際し、ステッパを用いたフォトリソグラフィ法や、EB描画法、X線リソグラフィ法、等の手法が用いられてきた。
しかしながら、これらの手法は、高価な装置を用いなければならなず、またスループットが低く、一括処理面積が小さい、等の問題を有している。とりわけ、光学部品の製造法には不適当である。
これらを解決する方法の一つとして、回折格子等の光学部品の製造法に用いられてきた干渉露光法が挙げられる。
しかしながら、これらの手法は、高価な装置を用いなければならなず、またスループットが低く、一括処理面積が小さい、等の問題を有している。とりわけ、光学部品の製造法には不適当である。
これらを解決する方法の一つとして、回折格子等の光学部品の製造法に用いられてきた干渉露光法が挙げられる。
このような干渉露光法によるものとして、例えば、特許文献1では干渉露光法により露光を行う場合、光源からの光が弱いことからフォトレジストを薄くし、露光感度をアップするようにした提案がなされている。
この方法では、フォトレジストを薄くしたことにより、厚い下地をエッチングすることができなくたるため、つぎのような工夫が施されている。
すなわち、厚いフォトレジスト層を設けた後、その上にCr製の金属膜を形成し、この金属膜上に薄いフォトレジスト層を形成する。
ついで、干渉露光法を用いて薄いフォトレジスト層をパターニングし、このパターニングされた薄いフォトレジスト層をマスクとしてCr層をエッチングする。ついで、このCr層をマスクとして厚いレジスト層をパターニングするようにされている。
この方法では、フォトレジストを薄くしたことにより、厚い下地をエッチングすることができなくたるため、つぎのような工夫が施されている。
すなわち、厚いフォトレジスト層を設けた後、その上にCr製の金属膜を形成し、この金属膜上に薄いフォトレジスト層を形成する。
ついで、干渉露光法を用いて薄いフォトレジスト層をパターニングし、このパターニングされた薄いフォトレジスト層をマスクとしてCr層をエッチングする。ついで、このCr層をマスクとして厚いレジスト層をパターニングするようにされている。
また、、特許文献2では、ラインアンドスペース構造におけるスペース部のレジストを十分に露光して、スペース部に残るレジストを無くし、その後のエッチング工程をスムーズにしようとする干渉露光法による回折格子の製造方法が提案されている。
この方法では、GaAs結晶基板に、絶縁膜を設け、その上層にフォトレジスト層を形成し、絶縁膜の膜厚を、フォトレジストと絶縁膜の界面に、露光時の定在波の腹が存在するように調整される。
特開昭61−3489号公報
特開昭61−217003号公報
この方法では、GaAs結晶基板に、絶縁膜を設け、その上層にフォトレジスト層を形成し、絶縁膜の膜厚を、フォトレジストと絶縁膜の界面に、露光時の定在波の腹が存在するように調整される。
しかしながら、上記従来例の特許文献1及び特許文献2のものにおいては、高アスペクト形状のフォトレジストパターンを得る上で、つぎのような問題を有している。
すなわち、これらによる場合、特許文献1でのCr、フォトレジスト界面からの反射戻り光、あるいは特許文献2でのGaAs、SiO2界面からの反射戻り光は、フォトレジストを露光する作用を有している。
したがって、これらによって高アスペクト形状のフォトレジストパターンを得るのは、きわめて困難である。
特に、基板法線方向に対する入射角が、大きくなった場合、基板側からの戻り光の出射角も大きくなり、その傾向は顕著となる。
すなわち、これらによる場合、特許文献1でのCr、フォトレジスト界面からの反射戻り光、あるいは特許文献2でのGaAs、SiO2界面からの反射戻り光は、フォトレジストを露光する作用を有している。
したがって、これらによって高アスペクト形状のフォトレジストパターンを得るのは、きわめて困難である。
特に、基板法線方向に対する入射角が、大きくなった場合、基板側からの戻り光の出射角も大きくなり、その傾向は顕著となる。
これらを更に説明するため、図3にGaAs基板10上にSiO2層11を設けた後、ポジ型フォトレジスト層12を設けた基板に対し、光線14及び15で2光束干渉を行った場合の、断面模式図を示す。
図3において、10はGaAs基板、11はSiO2層、12はフォトレジスト層、13は本来得られなければ成らない現像後のフォトレジスト断面形状である。
また、14、15は干渉露光法に用いられる光源から射出された光線である。
図3において、10はGaAs基板、11はSiO2層、12はフォトレジスト層、13は本来得られなければ成らない現像後のフォトレジスト断面形状である。
また、14、15は干渉露光法に用いられる光源から射出された光線である。
ここで、光線14及び光線15をたどると、図3に示されているようにGaAs、SiO2界面からの反射戻り光は、本来得られなければならないフォトレジスト断面と重なりを生じている。
実際の干渉露光法においては、光線はある面積を持つ光束となり、且、各界面での多重反射、多重干渉が有るため、さらに複雑な光の強度分布を持つこととなる。
したがって、基板側の界面からの戻り反射光は、図3に示された模式図よりも、さらに現像後のフォトレジスト断面形状に対し、影響を及ぼすことがある。
ネガ型レジストの場合も同様である。特に、光反射率界面がフォトレジスト層よりも下層に存在する時、この影響は顕著となる。
実際の干渉露光法においては、光線はある面積を持つ光束となり、且、各界面での多重反射、多重干渉が有るため、さらに複雑な光の強度分布を持つこととなる。
したがって、基板側の界面からの戻り反射光は、図3に示された模式図よりも、さらに現像後のフォトレジスト断面形状に対し、影響を及ぼすことがある。
ネガ型レジストの場合も同様である。特に、光反射率界面がフォトレジスト層よりも下層に存在する時、この影響は顕著となる。
また、干渉露光法は同一光源から射出された光を、2光束、または、多光束に分けた後、各光束を基板法線方向に対して、一定の角度で基板上に集結させ、一定の規則配列を持つパターンを得ようとするものである。
例えば、2光束の場合、ラインアンドスペース構造、3光束の場合、ドット構造、またはホール構造となる。
また、干渉露光に用いられる光源としては、コヒーレンスに優れた光が用いられる。これは、光束を干渉させた場合、その光束のコヒーレント長と、基板に対する光束の入射角に応じて干渉縞の得られるエリアが、規定されるためである。
例えば、2光束の場合、ラインアンドスペース構造、3光束の場合、ドット構造、またはホール構造となる。
また、干渉露光に用いられる光源としては、コヒーレンスに優れた光が用いられる。これは、光束を干渉させた場合、その光束のコヒーレント長と、基板に対する光束の入射角に応じて干渉縞の得られるエリアが、規定されるためである。
図4に、2光束干渉の光束のコヒーレント長及び基板に対する光束の入射角と、干渉縞発生エリアの関係の模式図を示す。
基板16に対し、第1光束17aと、第2光束17bを、それぞれ基板法線方向に対する入射角θ(以下、入射角と記す)で、光束の中心線が基板の中央に位置するように結合させている。
第1光束17aと第2光束17bのコヒーレントエリアは、それぞれ18aと18bで、このコヒーレント長をLとする。
つぎに、それぞれの光束のコヒーレント部が重なったエリアで、干渉縞が立つエリア19の基板上の幅をlとした時、
l=L/sinθ ・・・(1)
で示される。
(1)式より、コヒーレント長が短い光源では、干渉縞の立つエリアが小さく、また、狭いピッチパターンを得るための、入射角の大きな領域でも、干渉縞の立つエリアが小さくなることが解る。3光束以上の干渉でも同様の傾向を示す。
基板16に対し、第1光束17aと、第2光束17bを、それぞれ基板法線方向に対する入射角θ(以下、入射角と記す)で、光束の中心線が基板の中央に位置するように結合させている。
第1光束17aと第2光束17bのコヒーレントエリアは、それぞれ18aと18bで、このコヒーレント長をLとする。
つぎに、それぞれの光束のコヒーレント部が重なったエリアで、干渉縞が立つエリア19の基板上の幅をlとした時、
l=L/sinθ ・・・(1)
で示される。
(1)式より、コヒーレント長が短い光源では、干渉縞の立つエリアが小さく、また、狭いピッチパターンを得るための、入射角の大きな領域でも、干渉縞の立つエリアが小さくなることが解る。3光束以上の干渉でも同様の傾向を示す。
これらを回避するために、干渉露光法では、光源として、コヒーレント長の長いレーザを用いることが一般的である。
しかしながら、レーザは、ビーム直径方向にエネルギー強度分布を持っており、ビーム中心を頂点とし、周辺に行くほどエネルギー強度が低下する、ガウス分布を示すのが一般的である。
したがって、基板上でも、基板中央をピークとし、周辺に行くにしたがって、露光エネルギーの小さい照度分布の傾向が示される。
一方、フォトレジストは、ポジ型、ネガ型が存在するが、ポジ型の場合、露光部が現像液に対して可溶性となり、ネガ型は、露光部が難溶性となるため、露光によりパターンを形成することが可能となる。
特に、波長以下の構造を形成する為のフォトレジストは、化学増幅型レジストを用いることが主流と成っている。
しかしながら、レーザは、ビーム直径方向にエネルギー強度分布を持っており、ビーム中心を頂点とし、周辺に行くほどエネルギー強度が低下する、ガウス分布を示すのが一般的である。
したがって、基板上でも、基板中央をピークとし、周辺に行くにしたがって、露光エネルギーの小さい照度分布の傾向が示される。
一方、フォトレジストは、ポジ型、ネガ型が存在するが、ポジ型の場合、露光部が現像液に対して可溶性となり、ネガ型は、露光部が難溶性となるため、露光によりパターンを形成することが可能となる。
特に、波長以下の構造を形成する為のフォトレジストは、化学増幅型レジストを用いることが主流と成っている。
化学増幅型レジストは、ポジ型の場合、露光量に応じて酸を発生し(ネガ型は酸を分解)、アルカリ溶液に対しての溶解度を増加させる。
露光量が少ない場合は、酸の発生量が十分でなく、アルカリ溶液に対し、溶解度が十分得られないため、満足なパターンは得られない。また、露光量が多すぎる場合、酸の発生量が過多となり、未露光部への酸の拡散が発生するため、パターンは全て溶解してしまう。すなわち、適正露光量が存在し、均一な露光量をレジストに供給する必要がある。露光量は、照度と時間の積で表される。
露光量が少ない場合は、酸の発生量が十分でなく、アルカリ溶液に対し、溶解度が十分得られないため、満足なパターンは得られない。また、露光量が多すぎる場合、酸の発生量が過多となり、未露光部への酸の拡散が発生するため、パターンは全て溶解してしまう。すなわち、適正露光量が存在し、均一な露光量をレジストに供給する必要がある。露光量は、照度と時間の積で表される。
ガウス分布を持ったレーザで干渉露光を施す場合に、基板中央で適正露光量を設定すると、基板周辺に行くほど適正露光量から外れた露光量となってしまう。特に、フォトレジスト層以下の界面に高反射界面が存在する時、その範囲が小さくなる場合がある。
例えば、高反射率界面からの戻り光が入射光強度の50%で、高反射率界面からフォトレジスト表面までの光の位相遅れが波長をλとした時、λ/4の整数倍のとき、適正露光エリアは小さくなる。
例えば、高反射率界面からの戻り光が入射光強度の50%で、高反射率界面からフォトレジスト表面までの光の位相遅れが波長をλとした時、λ/4の整数倍のとき、適正露光エリアは小さくなる。
このような場合の、適正露光エリアを図5に示す。
図中の●は、高反射界面が無い場合の面内露光量を示し、□は前述の高反射界面が存在する場合の面内露光量を示している。
適正露光エリアは、高反射界面が無い場合20で示される範囲だが、高反射界面が存在する場合21で示されるように小さくなる。
図中の●は、高反射界面が無い場合の面内露光量を示し、□は前述の高反射界面が存在する場合の面内露光量を示している。
適正露光エリアは、高反射界面が無い場合20で示される範囲だが、高反射界面が存在する場合21で示されるように小さくなる。
本発明は、上記課題を解決するため、フォトレジスト層の下層に、高反射率界面が存在した場合でも、現像後におけるフォトレジストの断面形状を損なうことがないようにする。
そして、これにより、高アスペクト比で形成することが可能となる干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、上記課題に加え、大面積で安定なフォトレジストパターンが得られる干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品を提供することを目的とするものである。
そして、これにより、高アスペクト比で形成することが可能となる干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、上記課題に加え、大面積で安定なフォトレジストパターンが得られる干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品を提供することを目的とするものである。
本発明は上記課題を解決するため、つぎのように構成した干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品を提供するものである。
本発明は、フォトレジストパターンを、つぎのように構成したことを特徴としている。
本発明のフォトレジストパターンは、基板上に高反射界面を含む単層または多層構造を有し、その上層に反射防止層を介して設けられたフォトレジスト層に、干渉露光法による露光を施し、現像を経て形成された干渉露光法により形成されている。
その際、前記反射防止層がつぎのように構成されていることを特徴としている。前記反射防止層は、前記露光に用いられる光源波長における該反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとし、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、
前記消衰係数kが0.3以上、1以下とされ、膜厚が50nm以上とされている。
また、本発明のフォトレジストパターンは、前記露光に用いられる光源波長が266nm以下で、且つ基板に対する法線と干渉露光の各光束の成す角度が40°以上において形成されたものであることを特徴としている。
また、本発明は、前記フォトレジストパターンの形状が、ラインアンドスペース形状またはドット形状であることを特徴としている。
また、本発明の基板上に設けられたフォトレジスト層に干渉露光法による露光を施し、フォトレジストパターンを形成する干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法は、つぎの(1)〜(3)の工程を有することを特徴としている。
(1)基板上に高反射界面を含む単層または多層構造を形成する工程。
(2)前記単層または多層構造の上層に反射防止層を形成するに当たり、前記露光に用いられる光源波長における前記反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとする。
これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、前記消衰係数kを0.3以上、1以下とし、膜厚を50nm以上として前記反射防止層を形成する工程。
(3)前記反射防止層上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層に干渉露光法による露光を施して現像し、フォトレジストパターンを形成する露光・現像工程。
また、本発明の干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法は、前記露光・現像工程において、前記露光に用いられる光源波長を266nm以下とする。
且つ、基板に対する法線と干渉露光の各光束の成す角度を40°以上として、フォトレジストパターンを形成することを特徴としている。
また、本発明の干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法は、前記干渉露光法を用いて形成されるフォトレジストパターンの形状が、ラインアンドスペース形状またはドット形状であることを特徴としている。
また、本発明の光学部品は、上記のいずれかに記載の、干渉露光法によるフォトレジストパターンまたは干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法を用いて作製されたことを特徴としている。
本発明は、フォトレジストパターンを、つぎのように構成したことを特徴としている。
本発明のフォトレジストパターンは、基板上に高反射界面を含む単層または多層構造を有し、その上層に反射防止層を介して設けられたフォトレジスト層に、干渉露光法による露光を施し、現像を経て形成された干渉露光法により形成されている。
その際、前記反射防止層がつぎのように構成されていることを特徴としている。前記反射防止層は、前記露光に用いられる光源波長における該反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとし、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、
前記消衰係数kが0.3以上、1以下とされ、膜厚が50nm以上とされている。
また、本発明のフォトレジストパターンは、前記露光に用いられる光源波長が266nm以下で、且つ基板に対する法線と干渉露光の各光束の成す角度が40°以上において形成されたものであることを特徴としている。
また、本発明は、前記フォトレジストパターンの形状が、ラインアンドスペース形状またはドット形状であることを特徴としている。
また、本発明の基板上に設けられたフォトレジスト層に干渉露光法による露光を施し、フォトレジストパターンを形成する干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法は、つぎの(1)〜(3)の工程を有することを特徴としている。
(1)基板上に高反射界面を含む単層または多層構造を形成する工程。
(2)前記単層または多層構造の上層に反射防止層を形成するに当たり、前記露光に用いられる光源波長における前記反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとする。
これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、前記消衰係数kを0.3以上、1以下とし、膜厚を50nm以上として前記反射防止層を形成する工程。
(3)前記反射防止層上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層に干渉露光法による露光を施して現像し、フォトレジストパターンを形成する露光・現像工程。
また、本発明の干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法は、前記露光・現像工程において、前記露光に用いられる光源波長を266nm以下とする。
且つ、基板に対する法線と干渉露光の各光束の成す角度を40°以上として、フォトレジストパターンを形成することを特徴としている。
また、本発明の干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法は、前記干渉露光法を用いて形成されるフォトレジストパターンの形状が、ラインアンドスペース形状またはドット形状であることを特徴としている。
また、本発明の光学部品は、上記のいずれかに記載の、干渉露光法によるフォトレジストパターンまたは干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法を用いて作製されたことを特徴としている。
本発明によれば、フォトレジスト層の下層に、高反射率界面が存在した場合でも、現像後におけるフォトレジストの断面形状を損なうことがないようにすることができる。
そして、これにより、高アスペクト比で形成することが可能となる干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品を実現することができる。
また、それに加え、大面積で安定なフォトレジストパターンが得られる干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品を実現することができる。
そして、これにより、高アスペクト比で形成することが可能となる干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品を実現することができる。
また、それに加え、大面積で安定なフォトレジストパターンが得られる干渉露光法によるフォトレジストパターン、その形成方法およびそれらを用いて作製した光学部品を実現することができる。
本発明は、以上の構成により、フォトレジスト層の下層に、高反射率界面が存在した場合でも、現像後におけるフォトレジストの断面形状を損なうことなく、高アスペクト比で形成することが可能となるフォトレジストパターンを得ることができる。
それは、本発明者らが鋭意研究した結果によるつぎのような知見に基づくものである。
本発明者らは、露光に用いられる光源波長における該反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとし、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、前記消衰係数kと膜厚を所定値とすることにより、上記課題が達成されることを見出した。
すなわち、前記消衰係数kを0.3以上、1以下とし、膜厚を50nm以上とすることにより、本発明の上記課題が達成されることを見出した。
つまり、消衰係数kが0.3の時、フォトレジスト下層に高反射率界面が存在しても、反射防止層内で光が吸収されるため、フォトレジスト層への戻り光は低減される。
例えば、下層に100%反射する界面が存在し、最も吸収量の小さい領域である、0°で入射した場合でも、75%は吸収される。
また、消衰係数kが1の時、ほぼ100%吸収される。但し、消衰係数kが1を超える場合、フォトレジスト層と反射防止層の界面での反射率が高くなるため、消衰係数kは1以下が望ましい。
ここで、反射防止層の屈折率nは、フォトレジストの屈折率nに近いことが望ましい。
しかしながら、この界面での反射率は、一般的な材料の屈折率範囲である1.4から2.6で最も反射率の高い組み合わせとなった場合でも、0°入射で10%以下の反射率であるため、フォトレジストの屈折率nに近いものに限られるものではない。
また、特に、露光波長が266nm以下で、且、入射角が40°以上である場合でも、戻り光を低減し、ハイアスペクト形状を広い面積で得ることが可能となる。
それは、本発明者らが鋭意研究した結果によるつぎのような知見に基づくものである。
本発明者らは、露光に用いられる光源波長における該反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとし、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、前記消衰係数kと膜厚を所定値とすることにより、上記課題が達成されることを見出した。
すなわち、前記消衰係数kを0.3以上、1以下とし、膜厚を50nm以上とすることにより、本発明の上記課題が達成されることを見出した。
つまり、消衰係数kが0.3の時、フォトレジスト下層に高反射率界面が存在しても、反射防止層内で光が吸収されるため、フォトレジスト層への戻り光は低減される。
例えば、下層に100%反射する界面が存在し、最も吸収量の小さい領域である、0°で入射した場合でも、75%は吸収される。
また、消衰係数kが1の時、ほぼ100%吸収される。但し、消衰係数kが1を超える場合、フォトレジスト層と反射防止層の界面での反射率が高くなるため、消衰係数kは1以下が望ましい。
ここで、反射防止層の屈折率nは、フォトレジストの屈折率nに近いことが望ましい。
しかしながら、この界面での反射率は、一般的な材料の屈折率範囲である1.4から2.6で最も反射率の高い組み合わせとなった場合でも、0°入射で10%以下の反射率であるため、フォトレジストの屈折率nに近いものに限られるものではない。
また、特に、露光波長が266nm以下で、且、入射角が40°以上である場合でも、戻り光を低減し、ハイアスペクト形状を広い面積で得ることが可能となる。
なお、露光光源は、使用フォトレジストに対して、感光性を有する波長であり、コヒーレント長が長いものであれば良い。特に、266nm以下の波長を用い、入射角40°以上の場合、ピッチ140nm以下の構造を実施する上で有効である。本技術を可視用光学部品に適用しようとした場合、ピッチが大きい場合(約200nm以上)は、波長400から700nmにおける可視域において、回折現象によるアノマリーが発生し、好ましくない。
前記条件において、206.9nm以下のピッチを実現することができる。
さらに、このフォトレジストパターンは、二光束干渉法や、さらに、多光束干渉法への適用も可能で、得られるフォトレジストのパターンがラインアンドスペース形状、または、ドット形状で有っても良い。
前記条件において、206.9nm以下のピッチを実現することができる。
さらに、このフォトレジストパターンは、二光束干渉法や、さらに、多光束干渉法への適用も可能で、得られるフォトレジストのパターンがラインアンドスペース形状、または、ドット形状で有っても良い。
このようにして得られたフォトレジストパターンは、表面に可視光の波長より面内周期の短い構造を有する偏光ビームスプリッタ、位相板、反射防止機能付与レンズなどの光学部品を得るために有効に利用することができる。
特に、構造部とスペースの領域を調整する必要のある光学部品を得るためのフォトレジストパターンとして有益である。
特に、構造部とスペースの領域を調整する必要のある光学部品を得るためのフォトレジストパターンとして有益である。
以下に、本発明の実施例について説明する。
[実施例1]
本発明を適用した実施例1における二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法について説明する。
図1に本実施例の二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法に用いた基板の構成を示す。
直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板(1)に、膜厚400nmのTiO2(2)、100nmのCr(3)、100nmのSiO2(4)を、この順にスパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
この基板に、反射防止層として、クラリアントジャパン社製AZ Exp.KrF−17C8を、スピンコート法で50nmになるよう、形成した(5)。
露光に用いられる光源波長266nmにおける上記反射防止層の屈折率nが2.0、消衰係数kが0.3のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が2.0−i0.3のものを用いた。
[実施例1]
本発明を適用した実施例1における二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法について説明する。
図1に本実施例の二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法に用いた基板の構成を示す。
直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板(1)に、膜厚400nmのTiO2(2)、100nmのCr(3)、100nmのSiO2(4)を、この順にスパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
この基板に、反射防止層として、クラリアントジャパン社製AZ Exp.KrF−17C8を、スピンコート法で50nmになるよう、形成した(5)。
露光に用いられる光源波長266nmにおける上記反射防止層の屈折率nが2.0、消衰係数kが0.3のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が2.0−i0.3のものを用いた。
その後、プリベークを180℃で1分間施した。
次に、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるよう、形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
この得られたレジスト塗布基板に対し、二光束干渉露光法にて、1.54mJ/cm2の露光を施した(オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−280センサを使用)。
干渉露光装置は、光源として、Φ1mmのNe−YAGレーザの4倍波である266nmのレーザ光源を用いた。
このレーザをビームエキスパンダで100倍に拡大し、Φ100mmの露光エリアとした。
また、入射角は、30°とした。露光後、PEB(Post Exposure Bake、露光後焼きしめ)工程として、120℃で1.5分間、熱処理を施した。
その後、室温のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)2.38%現像液に30秒浸漬後、速やかに流水水洗を施し、エアブローにて、乾燥し、フォトレジストパターンを得た。
次に、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるよう、形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
この得られたレジスト塗布基板に対し、二光束干渉露光法にて、1.54mJ/cm2の露光を施した(オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−280センサを使用)。
干渉露光装置は、光源として、Φ1mmのNe−YAGレーザの4倍波である266nmのレーザ光源を用いた。
このレーザをビームエキスパンダで100倍に拡大し、Φ100mmの露光エリアとした。
また、入射角は、30°とした。露光後、PEB(Post Exposure Bake、露光後焼きしめ)工程として、120℃で1.5分間、熱処理を施した。
その後、室温のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)2.38%現像液に30秒浸漬後、速やかに流水水洗を施し、エアブローにて、乾燥し、フォトレジストパターンを得た。
得られたフォトレジスト像は、上記レーザ光を用いて、1次回折光の回折角測定から、ピッチ266nmであった。
また、断面を作成後、SEMで観察した結果、ピッチ266nmで、高さの1/2の場所でライン幅は、100nm、パターンの高さは140nmであった。
また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は1.4であった。
また、図2に、本実施例により得られたフォトレジストパターンの模式図を示す。図2において、7は基板、8は露光エリアである。
図2の符号9に示すように、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ60mmの範囲で得られた。
また、断面を作成後、SEMで観察した結果、ピッチ266nmで、高さの1/2の場所でライン幅は、100nm、パターンの高さは140nmであった。
また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は1.4であった。
また、図2に、本実施例により得られたフォトレジストパターンの模式図を示す。図2において、7は基板、8は露光エリアである。
図2の符号9に示すように、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ60mmの範囲で得られた。
[実施例2]
実施例2では、光源を波長325nmのHe−Cdレーザに、反射防止層として、TiO2を50nmスパッタリングで形成した。
この時得られるTiO2層は、アルゴンガスに酸素を混合したガスで、スパッタリングを行ったが、酸素の割合を適宜調整し、吸収係数を持つTiOx(0<X<2)組成の構造とすることで、消衰係数kを任意に調整することが可能である。
また、フォトレジスト層として、富士フィルムアーチ社製i線用ポジレジストFH−EX3L1を200nm設け、フォトレジストパターンを作成した。
露光に用いられる光源波長325nmにおける上記反射防止層の屈折率nが3.26、消衰係数kが0.477のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が3.26−i0.477のものを用いた。
また、露光量は100mJ/cm2であった (オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−325センサを使用)。
これらの点で実施例1と異なっているだけで、基本的には実施例1と同様の二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法によりフォトレジストパターンを形成した。
実施例2では、光源を波長325nmのHe−Cdレーザに、反射防止層として、TiO2を50nmスパッタリングで形成した。
この時得られるTiO2層は、アルゴンガスに酸素を混合したガスで、スパッタリングを行ったが、酸素の割合を適宜調整し、吸収係数を持つTiOx(0<X<2)組成の構造とすることで、消衰係数kを任意に調整することが可能である。
また、フォトレジスト層として、富士フィルムアーチ社製i線用ポジレジストFH−EX3L1を200nm設け、フォトレジストパターンを作成した。
露光に用いられる光源波長325nmにおける上記反射防止層の屈折率nが3.26、消衰係数kが0.477のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が3.26−i0.477のものを用いた。
また、露光量は100mJ/cm2であった (オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−325センサを使用)。
これらの点で実施例1と異なっているだけで、基本的には実施例1と同様の二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法によりフォトレジストパターンを形成した。
得られたフォトレジスト像は、上記レーザ光を用いて、1次回折光の回折角測定から、ピッチ325nmであった。
また、断面を作成後、SEMで観察した結果、ピッチ325nmで、高さの1/2の場所でライン幅は、162nm、パターンの高さは190nmであった。また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は1.17であった。
また、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ60mmの範囲で得られた。
また、断面を作成後、SEMで観察した結果、ピッチ325nmで、高さの1/2の場所でライン幅は、162nm、パターンの高さは190nmであった。また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は1.17であった。
また、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ60mmの範囲で得られた。
[実施例3]
実施例3では、反射防止層の膜厚を100nmとし、入射角を75°とした。このときの露光量は、0.9mJ/cm2とした(オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−280センサを使用)。
これらの点で実施例1と異なっているだけで、基本的には実施例1と同様の二光露光に用いられる光源波長266nmにおける上記反射防止層の屈折率nが2.0、消衰係数kが0.3のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が2.0−i0.3のものを用いた。
束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法によりフォトレジストパターンを形成した。
実施例3では、反射防止層の膜厚を100nmとし、入射角を75°とした。このときの露光量は、0.9mJ/cm2とした(オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−280センサを使用)。
これらの点で実施例1と異なっているだけで、基本的には実施例1と同様の二光露光に用いられる光源波長266nmにおける上記反射防止層の屈折率nが2.0、消衰係数kが0.3のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が2.0−i0.3のものを用いた。
束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法によりフォトレジストパターンを形成した。
得られたフォトレジスト像は、上記レーザ光を用いて、1次回折光の回折角測定から、ピッチ137.7nmであった。
また、断面を作成後、SEMで観察した結果、ピッチ138nmで、高さの1/2の場所でライン幅は、68nm、パターンの高さは140nmであった。
また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は2.1であった。
また、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ40mmの範囲で得られた。
また、断面を作成後、SEMで観察した結果、ピッチ138nmで、高さの1/2の場所でライン幅は、68nm、パターンの高さは140nmであった。
また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は2.1であった。
また、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ40mmの範囲で得られた。
[実施例4]
実施例4では、直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板に、膜厚100nmのCr(3)を、スパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
この基板に、反射防止層として、クラリアントジャパン社製AZ Exp.KrF−17C8を、スピンコート法で50nmになるように形成した。
露光に用いられる光源波長266nmにおける上記反射防止層の屈折率nが2.0、消衰係数kが0.3のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が2.0−i0.3のものを用いた。
実施例4では、直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板に、膜厚100nmのCr(3)を、スパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
この基板に、反射防止層として、クラリアントジャパン社製AZ Exp.KrF−17C8を、スピンコート法で50nmになるように形成した。
露光に用いられる光源波長266nmにおける上記反射防止層の屈折率nが2.0、消衰係数kが0.3のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が2.0−i0.3のものを用いた。
その後、プリベークを180℃で1分間施した。
つぎに、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるよう、形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
この得られたレジスト塗布基板に対し、三光束干渉露光法にて、1.54mJ/cm2の露光を施した(オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−280センサを使用)。
干渉露光装置は、光源として、Φ1mmのNe−YAGレーザの4倍波である266nmのレーザ光源を用いた。
このレーザをビームエキスパンダで100倍に拡大し、Φ100mmの露光エリアとした。
また、入射角は、75°とした。露光後、PEB工程として、120℃で1.5分間、熱処理を施した。
その後、室温のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)2.38%現像液に30秒浸漬後、速やかに流水水洗を施し、エアブローにて、乾燥し、フォトレジストパターンを得た。
つぎに、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるよう、形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
この得られたレジスト塗布基板に対し、三光束干渉露光法にて、1.54mJ/cm2の露光を施した(オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−280センサを使用)。
干渉露光装置は、光源として、Φ1mmのNe−YAGレーザの4倍波である266nmのレーザ光源を用いた。
このレーザをビームエキスパンダで100倍に拡大し、Φ100mmの露光エリアとした。
また、入射角は、75°とした。露光後、PEB工程として、120℃で1.5分間、熱処理を施した。
その後、室温のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)2.38%現像液に30秒浸漬後、速やかに流水水洗を施し、エアブローにて、乾燥し、フォトレジストパターンを得た。
図6に、本実施例により得られたフォトレジストパターンの斜めから観察した断面模式図を示す。
このパターンの断面を作成後、SEMで観察した結果、ピッチ138nmで、深さの1/2の場所でホール幅は、72nm、パターンの高さは140nmであった。
また、ホールのアスペクト比は1.9であった。また、ホール径のばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ40mmの範囲で得られた。
このパターンの断面を作成後、SEMで観察した結果、ピッチ138nmで、深さの1/2の場所でホール幅は、72nm、パターンの高さは140nmであった。
また、ホールのアスペクト比は1.9であった。また、ホール径のばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ40mmの範囲で得られた。
(比較例1)
比較例1における二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法について説明する。
図7に比較例1の二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法に用いた基板の構成を示す。
直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板(27)に、膜厚400nmのTiO2(28)、100nmのCr(29)、100nmのSiO2(30)を、この順にスパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
この基板に、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるように形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
比較例1における二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法について説明する。
図7に比較例1の二光束干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法に用いた基板の構成を示す。
直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板(27)に、膜厚400nmのTiO2(28)、100nmのCr(29)、100nmのSiO2(30)を、この順にスパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
この基板に、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるように形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
この得られたレジスト塗布基板に対し、二光束干渉露光法にて、0.8mJ/cm2の露光を施した(オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−280センサを使用)。
露光量は、最大面積の均一パターンが得られるように、繰り返し検討を行い、決定した。干渉露光装置は、光源として、Φ1mmのNe−YAGレーザの4倍波である266nmのレーザ光源を用いた。
このレーザをビームエキスパンダで100倍に拡大し、Φ100mmの露光エリアとした。また、入射角は、30°とした。
露光後、PEB(Post Exposure Bake、露光後焼きしめ)工程として、120℃で1.5分間、熱処理を施した。
その後、室温のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)2.38%現像液に30秒浸漬後、速やかに流水水洗を施し、エアブローにて、乾燥し、フォトレジストパターンを得た。
露光量は、最大面積の均一パターンが得られるように、繰り返し検討を行い、決定した。干渉露光装置は、光源として、Φ1mmのNe−YAGレーザの4倍波である266nmのレーザ光源を用いた。
このレーザをビームエキスパンダで100倍に拡大し、Φ100mmの露光エリアとした。また、入射角は、30°とした。
露光後、PEB(Post Exposure Bake、露光後焼きしめ)工程として、120℃で1.5分間、熱処理を施した。
その後、室温のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)2.38%現像液に30秒浸漬後、速やかに流水水洗を施し、エアブローにて、乾燥し、フォトレジストパターンを得た。
得られたフォトレジスト像は、上記レーザ光を用いて、1次回折光の回折角測定から、ピッチ266nmであった。
また、断面を作成後、SEMで観察した結果、(31)で示されるように、ピッチ266nmで、高さの1/2の場所でライン幅は、80nm、パターンの高さは60nmであった。
また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は0.75であった。
また、図8に、比較例1により得られたフォトレジストパターンの模式図を示す。図8において、32は基板、33は露光エリアである。
図8の符号34に示すように、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ10mmの範囲で得られた。
また、断面を作成後、SEMで観察した結果、(31)で示されるように、ピッチ266nmで、高さの1/2の場所でライン幅は、80nm、パターンの高さは60nmであった。
また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は0.75であった。
また、図8に、比較例1により得られたフォトレジストパターンの模式図を示す。図8において、32は基板、33は露光エリアである。
図8の符号34に示すように、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ10mmの範囲で得られた。
(比較例2)
比較例2では、直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板に、膜厚400nmのTiO2、100nmのCrを、この順にスパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
この基板に、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるよう、形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
比較例2では、直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板に、膜厚400nmのTiO2、100nmのCrを、この順にスパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
この基板に、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるよう、形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
この得られたレジスト塗布基板に対し、二光束干渉露光法にて、露光を施した。
干渉露光装置は、光源として、Φ1mmのNe−YAGレーザの4倍波である266nmのレーザ光源を用いた。
このレーザをビームエキスパンダで100倍に拡大し、Φ100mmの露光エリアとした。
また、入射角は、30°とした。露光後、PEB(Post Exposure Bake、露光後焼きしめ)工程として、120℃で1.5分間、熱処理を施した。
干渉露光装置は、光源として、Φ1mmのNe−YAGレーザの4倍波である266nmのレーザ光源を用いた。
このレーザをビームエキスパンダで100倍に拡大し、Φ100mmの露光エリアとした。
また、入射角は、30°とした。露光後、PEB(Post Exposure Bake、露光後焼きしめ)工程として、120℃で1.5分間、熱処理を施した。
その後、室温のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)2.38%現像液に30秒浸漬後、速やかに流水水洗を施し、エアブローにて、乾燥し、フォトレジストパターンを作成した。露光量は、最大面積の均一パターンが得られるように、繰り返し検討を行ったが、ラインアンドスペースの構造を得ることはできなかった。
(比較例3)
比較例3では、直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板に、膜厚400nmのTiO2、100nmのCr、100nmのSiを、この順にスパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
露光に用いられる光源波長266nmにおける上記Si層の屈折率nが1.83、消衰係数k4.43のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が1.83−i4.43のものを用いた。
この基板に、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるよう、形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
比較例3では、直径150mm、厚さ0.625mmの石英基板に、膜厚400nmのTiO2、100nmのCr、100nmのSiを、この順にスパッタリング法にて、成膜を施し、露光用の基板を形成した。
露光に用いられる光源波長266nmにおける上記Si層の屈折率nが1.83、消衰係数k4.43のものを用いた。
したがって、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、複素屈折率が1.83−i4.43のものを用いた。
この基板に、クラリアントジャパン社製フォトレジスト剤AX6850Pを、スピンコート法で140nmになるよう、形成した。その後、プリベークを130℃で1分間施した。
この得られたレジスト塗布基板に対し、二光束干渉露光法にて、0.9mJ/cm2の露光を施した(オーク社製UV−M10−S紫外線光量計、UV−280センサを使用)。露光量は、最大面積の均一パターンが得られるように、繰り返し検討を行い、決定した。以下、比較例1と同様にしてフォトレジストパターンを得た。
得られたフォトレジスト像は、上記レーザ光を用いて、1次回折光の回折角測定から、ピッチ266nmであった。また、断面を作成後、SEMで観察した結果、ピッチ266nmで、高さの1/2の場所でライン幅は、80nm、パターンの高さは80nmであった。
また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は1.0であった。
また、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ15mmの範囲で得られた。
本比較例では、ラインアンドスペース構造は得られる物の、その獲得エリアは小さく、光学部品として用いるには十分な大きさではない。
また、形状は釣鐘型、ラインのアスペクト比は1.0であった。
また、ラインアンドスペースのばらつきが±5%のエリアは、短軸径Φ15mmの範囲で得られた。
本比較例では、ラインアンドスペース構造は得られる物の、その獲得エリアは小さく、光学部品として用いるには十分な大きさではない。
1、7、16、22、27、32:基板
2、28:TiO2層
3、23、29:Cr層
4、11、30:SiO2層
5、24:反射防止層
6、13、25、31:フォトレジスト断面形状
8、33:露光領域
9、34:均一パターン領域
10:GaAs基板
12:フォトレジスト層
14、15:光線
17a、17b:光束
18a、18b:コヒーレントエリア
19:干渉縞の立つエリア
20:高反射率界面が無い場合の均一露光エリア
21:高反射率界面が有る場合の均一露光エリア
26:ホールパターン
2、28:TiO2層
3、23、29:Cr層
4、11、30:SiO2層
5、24:反射防止層
6、13、25、31:フォトレジスト断面形状
8、33:露光領域
9、34:均一パターン領域
10:GaAs基板
12:フォトレジスト層
14、15:光線
17a、17b:光束
18a、18b:コヒーレントエリア
19:干渉縞の立つエリア
20:高反射率界面が無い場合の均一露光エリア
21:高反射率界面が有る場合の均一露光エリア
26:ホールパターン
Claims (7)
- 基板上に高反射界面を含む単層または多層構造を有し、その上層に反射防止層を介して設けられたフォトレジスト層に、干渉露光法による露光を施し、現像を経て形成された干渉露光法によるフォトレジストパターンであって、
前記反射防止層は、前記露光に用いられる光源波長における該反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとし、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、
前記消衰係数kが0.3以上、1以下とされ、膜厚が50nm以上とされていることを特徴とする干渉露光法によるフォトレジストパターン。 - 前記フォトレジストパターンは、
前記露光に用いられる光源波長が266nm以下で、且つ基板に対する法線と干渉露光の各光束の成す角度が40°以上において形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の干渉露光法によるフォトレジストパターン。 - 前記フォトレジストパターンの形状は、ラインアンドスペース形状またはドット形状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の干渉露光法によるフォトレジストパターン。
- 基板上に設けられたフォトレジスト層に干渉露光法による露光を施し、フォトレジストパターンを形成する干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法において、
基板上に高反射界面を含む単層または多層構造を形成する工程と、
前記単層または多層構造の上層に反射防止層を形成するに当たり、前記露光に用いられる光源波長における前記反射防止層の屈折率をn、消衰係数をkとし、これらnとkとによる複素屈折率をn−ikとするとき、
前記消衰係数kを0.3以上、1以下とし、膜厚を50nm以上として前記反射防止層を形成する工程と、
前記反射防止層上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層に干渉露光法による露光を施して現像し、フォトレジストパターンを形成する露光・現像工程と、
を有することを特徴とする干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法。 - 前記露光・現像工程において、前記露光に用いられる光源波長を266nm以下とし、且つ基板に対する法線と干渉露光の各光束の成す角度を40°以上として、
フォトレジストパターンを形成することを特徴とする請求項4に記載の干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法。 - 前記干渉露光法を用いて形成されるフォトレジストパターンの形状は、ラインアンドスペース形状またはドット形状であることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の干渉露光法によるフォトレジストパターン、または請求項4〜6のいずれか1項に記載の干渉露光法によるフォトレジストパターンの形成方法を用いて作製されたことを特徴とする光学部品。
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JP2013505482A (ja) * | 2009-09-22 | 2013-02-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 光配向膜製造用紫外線高透過二重ワイヤグリッド偏光板及びその製造方法 |
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2005
- 2005-11-01 JP JP2005318781A patent/JP2007127727A/ja active Pending
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