JPH0253058A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0253058A JPH0253058A JP20514388A JP20514388A JPH0253058A JP H0253058 A JPH0253058 A JP H0253058A JP 20514388 A JP20514388 A JP 20514388A JP 20514388 A JP20514388 A JP 20514388A JP H0253058 A JPH0253058 A JP H0253058A
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- resist
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造等のリングラフィ工程におけるパ
ターン形成方法に関する。
ターン形成方法に関する。
従来の技術
下地からの反射を抑える方法としてアンチ・レフレクテ
ィフ・コーティング（ＡＦｔＣ）と言う下地反射防止膜
をひく方法が考案されている（たとえば、東京応化社製
５ＷＫ−４３６）。
ィフ・コーティング（ＡＦｔＣ）と言う下地反射防止膜
をひく方法が考案されている（たとえば、東京応化社製
５ＷＫ−４３６）。
第２図を用いて従来例を説明する。先ず反射の激しいア
ルミニウム基板１上にＡＢＣ２を塗布し、その上にボジ
レジス） （ＭＰＳ−１４００）３を塗布する（第２図
ａ）。クロムマスク４全通して、紫外線６（ｇ線４ｓｅ
ｎｍ ）で露光する（第２図ｂ）。次に現像液（ＭＦ
３１９ ）を用いて、ポジレジストとＡＲＣを同時に現
像する（第２図Ｃ）。
ルミニウム基板１上にＡＢＣ２を塗布し、その上にボジ
レジス） （ＭＰＳ−１４００）３を塗布する（第２図
ａ）。クロムマスク４全通して、紫外線６（ｇ線４ｓｅ
ｎｍ ）で露光する（第２図ｂ）。次に現像液（ＭＦ
３１９ ）を用いて、ポジレジストとＡＲＣを同時に現
像する（第２図Ｃ）。
その結果、下地反射は抑えられるがＡＲＣは図のように
内側に入り込んだり、逆にベーク温度を高くするとスカ
ムが残りやすくなる。
内側に入り込んだり、逆にベーク温度を高くするとスカ
ムが残りやすくなる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、ＡＢＣはレジストの現像と同時に溶解す
るので膜のこりや、溶解しすぎて下地への入り込みなど
で次のエツチング工程での形状が不安定になる。またＡ
ＲＣをエツチングする際にはレジストとのエツチングの
レート比がほぼ同様のため、うまくエツチングすること
が難かしい。
るので膜のこりや、溶解しすぎて下地への入り込みなど
で次のエツチング工程での形状が不安定になる。またＡ
ＲＣをエツチングする際にはレジストとのエツチングの
レート比がほぼ同様のため、うまくエツチングすること
が難かしい。
またこの膜は非常にうすい（約０．２μｍ ）ため段差
上ではうまくぬれない。また上層のレジストとミキシン
グするため高温でベークしなければならないが、すれば
するほど光の透過率が上がると言う相反した性質をもっ
ている。以上の観点からＡＲＣは実際の工程では大変使
いにくいというのが現状である。
上ではうまくぬれない。また上層のレジストとミキシン
グするため高温でベークしなければならないが、すれば
するほど光の透過率が上がると言う相反した性質をもっ
ている。以上の観点からＡＲＣは実際の工程では大変使
いにくいというのが現状である。
本発明はこれらの欠点を補ない、下地の反射や段差にか
かわらず、安定したレジストパターンを形成することを
目的とするものである。
かわらず、安定したレジストパターンを形成することを
目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は、上層レジストと下地反射防止用のレジストの
エツチングレートの違いによって上層のパターンを損う
ことなく垂直に下地までエツチングすることを可能とし
たものである。ここで下地反射防止用のレジストとして
ベンゼン環を含まない耐プラズマエツチング性の乏しい
有機物を用いる。そして露光する波長に吸光のある染色
材（たとえばクマリンやアクリジン）を混ぜる。
エツチングレートの違いによって上層のパターンを損う
ことなく垂直に下地までエツチングすることを可能とし
たものである。ここで下地反射防止用のレジストとして
ベンゼン環を含まない耐プラズマエツチング性の乏しい
有機物を用いる。そして露光する波長に吸光のある染色
材（たとえばクマリンやアクリジン）を混ぜる。
作用
たとえば、ポリメチルメタアクリレート（Ｐ辿ａ ）は
ノボラック系の通常のレジストに比べるト耐プラズマエ
ツチング性が乏しく一般に使いにくい。
ノボラック系の通常のレジストに比べるト耐プラズマエ
ツチング性が乏しく一般に使いにくい。
ここではこれを逆に駒片してレジストパターンをマスク
として異方性エツチングを行う。これによってＡＲＣに
比べ安定した寸法、形状を保証することができる。
として異方性エツチングを行う。これによってＡＲＣに
比べ安定した寸法、形状を保証することができる。
またＰＭＭＡ系のレジストは容易に粘度を変えることが
できるので、段差上においても塗布性がよく、平坦化と
の二股を坦うことかできる。これによって上層のレジス
トパターンは、バラツキが少なく安定した形状を得るこ
とができる。なお、下層材料としては、ポリグリシジル
メタアクリレートなども剛プラズマ性が乏しいことから
用いることができる。
できるので、段差上においても塗布性がよく、平坦化と
の二股を坦うことかできる。これによって上層のレジス
トパターンは、バラツキが少なく安定した形状を得るこ
とができる。なお、下層材料としては、ポリグリシジル
メタアクリレートなども剛プラズマ性が乏しいことから
用いることができる。
実施例
（実施例１）
本究明の一実施例を第１図とともに説明する。
アルミニウム基板１上にＰＭＭＡ（クマリンを含有）２
′を塗布し、その上にボシレジス）（ＭＰＳｌ ４００
）３を塗布する（第１図ａ）。次に第２図におけると
同様にクロムマスク４を通して紫外線（ｇ線）５で露光
する（第１図ｂ）。次に現像液（ＭＰＳｌ９）を用いて
ポジレジストだけを現像する（第１図Ｇ）。さらにＣＦ
４系のガスを用い、ポジレジスト３をマスクとしてエツ
チングする（第１図ｄ）。その結果、反射の影響が出な
い垂直なパターンが形成された。
′を塗布し、その上にボシレジス）（ＭＰＳｌ ４００
）３を塗布する（第１図ａ）。次に第２図におけると
同様にクロムマスク４を通して紫外線（ｇ線）５で露光
する（第１図ｂ）。次に現像液（ＭＰＳｌ９）を用いて
ポジレジストだけを現像する（第１図Ｇ）。さらにＣＦ
４系のガスを用い、ポジレジスト３をマスクとしてエツ
チングする（第１図ｄ）。その結果、反射の影響が出な
い垂直なパターンが形成された。
（実施例２）
基板にポリシリコンを蒸着しその上に酸化膜（ＰＳＧ）
を５００ｎｍ蒸着したものを２枚つくる。
を５００ｎｍ蒸着したものを２枚つくる。
一方はレジスト（１，５μｍ厚のＴＳｋＲ−Ｖｌ ）を
［１＝塗布し、他方はＰＭＭＡに染色料（クマリン）を
混ぜ、０６μｍの膜厚に塗布し、２００℃べ−りで硬化
させた後に、レジスト（１，５μｍ厚のＴＳＭＲ−Ｖｌ
）を塗布する。これらをｇ線ステッパー（Ｎム０．４５
）で露光したのち現ＩＮ、パターンを形成した。これ
をウェハー面内９点で寸方泗」定した所直接塗布した方
の３σは０．８μｍのＬ／Ｓで０．０８μｍであったの
に対し、２ＭＭ人を下地に塗布した方は３σが０．０２
μｍであった。
［１＝塗布し、他方はＰＭＭＡに染色料（クマリン）を
混ぜ、０６μｍの膜厚に塗布し、２００℃べ−りで硬化
させた後に、レジスト（１，５μｍ厚のＴＳＭＲ−Ｖｌ
）を塗布する。これらをｇ線ステッパー（Ｎム０．４５
）で露光したのち現ＩＮ、パターンを形成した。これ
をウェハー面内９点で寸方泗」定した所直接塗布した方
の３σは０．８μｍのＬ／Ｓで０．０８μｍであったの
に対し、２ＭＭ人を下地に塗布した方は３σが０．０２
μｍであった。
その後、酸化膜をエツチングし、再び面内９点の３σを
測定した所直接塗布したもので０．１５μｍ下地にＰＭ
ＭＡを塗布したものでは０．０６μｍであった。
測定した所直接塗布したもので０．１５μｍ下地にＰＭ
ＭＡを塗布したものでは０．０６μｍであった。
発明の効果
本発明の方法により、リソダラフイ工程におけるレジス
トパターン形成をより安定に行なうことかでき、下地の
状態にかかわらす、すぐれた寸法精度を得ることができ
る。またスル−フ゛ノドも良く歩留まりが一層向上し、
素子のｆｆ１Ｍという面から見ても非常に工業的価値が
高い。
トパターン形成をより安定に行なうことかでき、下地の
状態にかかわらす、すぐれた寸法精度を得ることができ
る。またスル−フ゛ノドも良く歩留まりが一層向上し、
素子のｆｆ１Ｍという面から見ても非常に工業的価値が
高い。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の方法によるパターン形
成方法の一実施例の工程断面図、第２図（２Ｌ）〜（Ｃ
）は従来のパターン形成方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ムＲＣ，２’・・
・・・・ＰＭＭＡ（染色斜入シ）、３・・・・・・ポジ
レジスト（ＭＰＳ１４００）、４・・・・・・マスク、
６・・・・・・紫外線〔ｇ線（４３６１ｍ）光〕。
成方法の一実施例の工程断面図、第２図（２Ｌ）〜（Ｃ
）は従来のパターン形成方法の工程断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ムＲＣ，２’・・
・・・・ＰＭＭＡ（染色斜入シ）、３・・・・・・ポジ
レジスト（ＭＰＳ１４００）、４・・・・・・マスク、
６・・・・・・紫外線〔ｇ線（４３６１ｍ）光〕。
Claims (3)
- （１）基板上に、染色材を混ぜたベンゼン環を含まない
有機物の膜を形成し、その上にレジスト膜を形成したの
ち、前記レジスト膜を露光、現像しエッチングにより前
記有機物膜、レジスト膜２層からなるパターンを形成し
てなるパターン形成方法。 - （２）染色材がクマリン又はアクリジンである特許請求
の範囲第１項に記載のパターン形成方法。 - （３）有機物がポリメチルメタアクリレート又はポリグ
リシリルメタアクリレートである特許請求の範囲第１項
に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20514388A JPH0253058A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20514388A JPH0253058A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0253058A true JPH0253058A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16502134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20514388A Pending JPH0253058A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0253058A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5498514A (en) * | 1994-08-09 | 1996-03-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Lithographic double-coated patterning plate with undercoat levelling layer |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655046A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Fujitsu Ltd | Formation of resist pattern |
| JPS57172735A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-23 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Multilayer photoresist processing |
| JPS5993448A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-05-29 | ブリューワー・サイエンス・インコーポレイテッド | 反射防止コ−テイング |
| JPS61117539A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-04 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61180242A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-08-12 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | 光食刻法 |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP20514388A patent/JPH0253058A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655046A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Fujitsu Ltd | Formation of resist pattern |
| JPS57172735A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-23 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Multilayer photoresist processing |
| JPS5993448A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-05-29 | ブリューワー・サイエンス・インコーポレイテッド | 反射防止コ−テイング |
| JPS61117539A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-04 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61180242A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-08-12 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | 光食刻法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5498514A (en) * | 1994-08-09 | 1996-03-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Lithographic double-coated patterning plate with undercoat levelling layer |
| US5599653A (en) * | 1994-08-09 | 1997-02-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Pattern forming method with selective silylation utilizing lithographic double-coated patterning plate with undercoat levelling layer |
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