JPS6354792B2 - - Google Patents
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- JPS6354792B2 JPS6354792B2 JP57212820A JP21282082A JPS6354792B2 JP S6354792 B2 JPS6354792 B2 JP S6354792B2 JP 57212820 A JP57212820 A JP 57212820A JP 21282082 A JP21282082 A JP 21282082A JP S6354792 B2 JPS6354792 B2 JP S6354792B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基体表面の無電解めつき方法に関す
る。
る。
化学めつき及び次の電気めつきの前に、重合体
材料を前処理しなければならないことは公知であ
る〔ザウルガウ ヴユルト市オイゲンG.ロイツ
出版社(Eugen G.Lewze Verlag)発行、R.ワ
イネル(R.Weiner)著“プラスチツクめつき”
(Kunststoff Galvanisierung)(1973)参照〕。こ
れらの前処理は、一般に、例えばクロム硫酸を用
いる重合体表面のエツチング、単純で繰返し行う
水洗、希重亜硫酸ナトリウム溶液を用いる解毒、
更に水洗、及びパラジウム塩溶液又はパラジウム
ゾルのような適当な活性化浴を用いる該基体表面
の処理からなる。
材料を前処理しなければならないことは公知であ
る〔ザウルガウ ヴユルト市オイゲンG.ロイツ
出版社(Eugen G.Lewze Verlag)発行、R.ワ
イネル(R.Weiner)著“プラスチツクめつき”
(Kunststoff Galvanisierung)(1973)参照〕。こ
れらの前処理は、一般に、例えばクロム硫酸を用
いる重合体表面のエツチング、単純で繰返し行う
水洗、希重亜硫酸ナトリウム溶液を用いる解毒、
更に水洗、及びパラジウム塩溶液又はパラジウム
ゾルのような適当な活性化浴を用いる該基体表面
の処理からなる。
エツチングは重合体表面を変化させ、その結
果、ピツト及び空泡が生成する。これは、特定の
重合体で可能であるに過ぎず、その例には、
ABS重合体、耐衝撃性ポリスチレンのような2
相性の多成分グラフト又は共重合体、あるいは部
分的に結晶質のポリプロピレンのような2相性の
ホモポリマーがある。更に、クロム硫酸又は他の
酸化剤の使用は、基本となる重合体物質の切欠き
衝撃強度及び電気表面抵抗のような物理的性質に
おける劣化を伴う。
果、ピツト及び空泡が生成する。これは、特定の
重合体で可能であるに過ぎず、その例には、
ABS重合体、耐衝撃性ポリスチレンのような2
相性の多成分グラフト又は共重合体、あるいは部
分的に結晶質のポリプロピレンのような2相性の
ホモポリマーがある。更に、クロム硫酸又は他の
酸化剤の使用は、基本となる重合体物質の切欠き
衝撃強度及び電気表面抵抗のような物理的性質に
おける劣化を伴う。
更に、活性化浴及びめつき浴中に連行される6
価のクロムが両浴を毒する。
価のクロムが両浴を毒する。
重合体表面を、熱SO3蒸気のような強力なガス
状酸化剤によつて重合体表面を化学的に変化させ
る方法においても、同じ欠点が見出されている。
状酸化剤によつて重合体表面を化学的に変化させ
る方法においても、同じ欠点が見出されている。
金属イオンが、化学めつき浴中で接触的に還元
されることを可能にするためには、基体の表面に
固定された無機パラジウムを金属まで還元しなけ
ればならない。無機パラジウムの還元は、酸性塩
化錫()浴中で、又は強塩酸塩化パラジウム
()溶液中への塩化錫()の導入によつての
いずれかで行われている。
されることを可能にするためには、基体の表面に
固定された無機パラジウムを金属まで還元しなけ
ればならない。無機パラジウムの還元は、酸性塩
化錫()浴中で、又は強塩酸塩化パラジウム
()溶液中への塩化錫()の導入によつての
いずれかで行われている。
無機パラジウムの還元後、基体の表面を洗浄す
ることが必要であるから、その工程中に錫水酸化
物のゲルが生成し、それがパラジウムの追加の固
定に寄与すると推測することができる。
ることが必要であるから、その工程中に錫水酸化
物のゲルが生成し、それがパラジウムの追加の固
定に寄与すると推測することができる。
例えば、銅、ニツケル、金及びコバルトの金属
イオンを、めつき浴中で、基体表面上の活性パラ
ジウム中心の接触作用によつて還元することを可
能とするためには、前記の過剰の保護コロイド
は、次の操作で、基体表面から除去しなければな
らない。
イオンを、めつき浴中で、基体表面上の活性パラ
ジウム中心の接触作用によつて還元することを可
能とするためには、前記の過剰の保護コロイド
は、次の操作で、基体表面から除去しなければな
らない。
それ故、材料を無電解めつきするための公知方
法は、比較的多数の工程からなり、そして、それ
らの基体が、その物理的特性又は化学的組成のた
めに、物理的又は化学的方法によつて粗面化する
ことができるものに限定されるという別の欠点を
持つている。
法は、比較的多数の工程からなり、そして、それ
らの基体が、その物理的特性又は化学的組成のた
めに、物理的又は化学的方法によつて粗面化する
ことができるものに限定されるという別の欠点を
持つている。
本発明の目的は、新規な温和で技術的に簡易
な、基体表面の無電解めつき方法を提供すること
にあり、それによつて、好ましくは前エツチング
することなく、めつきすることが一般に困難であ
る表面でも、堅固に密着する金属被膜をうること
が可能となる。
な、基体表面の無電解めつき方法を提供すること
にあり、それによつて、好ましくは前エツチング
することなく、めつきすることが一般に困難であ
る表面でも、堅固に密着する金属被膜をうること
が可能となる。
元素の周期表の第1B族の銀又は第8族のパラ
ジウムの有機金属化合物であつて、その有機部分
が、金属を結合させるために必要な基に加えて、
少なくとも1個の官能基を持つもので該表面を活
性化することによつて従来の問題点が解決され
る。
ジウムの有機金属化合物であつて、その有機部分
が、金属を結合させるために必要な基に加えて、
少なくとも1個の官能基を持つもので該表面を活
性化することによつて従来の問題点が解決され
る。
それ故本発明は、無電解めつき方法を提供する
ものであり、それは、a)4―シクロヘキセン―
1,2ジカルボン酸無水物―塩化パラジウム
()、4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン
酸無水物硝酸銀()、イソブチルビニルエーテ
ル2塩化パラジウム、9―オクタデセン―1―オ
ール―塩化パラジウム、及び/又はビス―(アリ
ルパラジウム)―ジクロライドを含む活性化系で
めつきすべき基体表面を湿らせる工程、b)めつ
きすべき表面に付着している該有機金属化合物を
還元剤にて還元する工程、c)上記の如く処理し
た基体を水性めつき浴に導入する工程、の各工程
を包含することを特徴とする基体表面の無電解め
つき方法である。
ものであり、それは、a)4―シクロヘキセン―
1,2ジカルボン酸無水物―塩化パラジウム
()、4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン
酸無水物硝酸銀()、イソブチルビニルエーテ
ル2塩化パラジウム、9―オクタデセン―1―オ
ール―塩化パラジウム、及び/又はビス―(アリ
ルパラジウム)―ジクロライドを含む活性化系で
めつきすべき基体表面を湿らせる工程、b)めつ
きすべき表面に付着している該有機金属化合物を
還元剤にて還元する工程、c)上記の如く処理し
た基体を水性めつき浴に導入する工程、の各工程
を包含することを特徴とする基体表面の無電解め
つき方法である。
この追加の官能基が、基体表面への非常に堅固
な密着をもたらし、それは、基体表面との化学反
応、又は吸着に基づくものと思われる。
な密着をもたらし、それは、基体表面との化学反
応、又は吸着に基づくものと思われる。
基体表面に活性体を化学的に固定させるために
特に適当な官能基には、カルボン酸無水物基、エ
ーテル基、ビニル基、アリル基、水酸基、及び
C18の鎖長を持つアルケニル基のような基がある。
特に適当な官能基には、カルボン酸無水物基、エ
ーテル基、ビニル基、アリル基、水酸基、及び
C18の鎖長を持つアルケニル基のような基がある。
化学的反応による固定が生起しない場合には、
基体表面への密着は、例えば、水素橋結合又はフ
アンデルワールス力に基づく表面への有機金属活
性体の吸着によつてもたらすことができる。
基体表面への密着は、例えば、水素橋結合又はフ
アンデルワールス力に基づく表面への有機金属活
性体の吸着によつてもたらすことができる。
吸着をもたらす官能基は、特定の基体に適当に
適合させるようにすべきである。例えば、活性体
分子中の長鎖アルケニル基は、ポリエチレン又は
ポリプロピレン製の基体への密着性を改良する
が、それに対して、例えば追加のカルボニル基を
含有する活性体は、ポリアミド又はポリエステル
をベースとした物品をめつきするために特に適当
なものである。
適合させるようにすべきである。例えば、活性体
分子中の長鎖アルケニル基は、ポリエチレン又は
ポリプロピレン製の基体への密着性を改良する
が、それに対して、例えば追加のカルボニル基を
含有する活性体は、ポリアミド又はポリエステル
をベースとした物品をめつきするために特に適当
なものである。
カルボン酸基及びカルボン酸無水物基のような
官能基は、基体表面へ活性体を吸着によつて固定
させるために特に適当なものである。
官能基は、基体表面へ活性体を吸着によつて固定
させるために特に適当なものである。
有機金属化合物中で金属の銀、パラジウムを結
合させるための有機部分中の基は、それ自体公知
である。それらの例には、C―Cの二重結合、又
はキレート錯体を形成することができる基、例え
ばOH,CO基を挙げることができる。
合させるための有機部分中の基は、それ自体公知
である。それらの例には、C―Cの二重結合、又
はキレート錯体を形成することができる基、例え
ばOH,CO基を挙げることができる。
有機金属化合物は、例えば有機溶媒中に、溶解
若しくは分散させてもよく、又は溶媒と一緒に粉
砕した形のものであつてもよい。
若しくは分散させてもよく、又は溶媒と一緒に粉
砕した形のものであつてもよい。
もし、有機金属化合物が、該化合物を基体表面
に化学的に固定することを可能にする配位子を含
有するものであるならば、活性化は、水性相から
達成することもできる。
に化学的に固定することを可能にする配位子を含
有するものであるならば、活性化は、水性相から
達成することもできる。
しかしながら、本発明の範囲を制限する意味で
なく、工業的規模で本発明方法を実施する場合に
は、下記の好適な条件を順守するのが賢明であ
る: 1 使用する有機金属化合物は、大気中、及び水
分の存在下で安定であるべきである。それら
は、有機溶媒中には易溶性であるが、水中には
ほんの僅かに可溶性であるべきである。更に、
それらは、通常の還元剤によつて、無電解めつ
きで触媒として作用する化合物にまで還元する
ことが可能であるべきである。
なく、工業的規模で本発明方法を実施する場合に
は、下記の好適な条件を順守するのが賢明であ
る: 1 使用する有機金属化合物は、大気中、及び水
分の存在下で安定であるべきである。それら
は、有機溶媒中には易溶性であるが、水中には
ほんの僅かに可溶性であるべきである。更に、
それらは、通常の還元剤によつて、無電解めつ
きで触媒として作用する化合物にまで還元する
ことが可能であるべきである。
2 有機溶媒中の有機金属化合物の溶液は、大気
中及び水分の存在下で安定であるべきである。
中及び水分の存在下で安定であるべきである。
3 該有機溶媒は、容易に除去可能なものである
べきである。
べきである。
4 有機金属化合物の還元は、めつき浴を毒す
る、いかなる配位子の放出も伴つてはならな
い。
る、いかなる配位子の放出も伴つてはならな
い。
5 水性溶媒中では、還元した活性核は、浴中に
連行される金属による浴の分解を防止するため
に、表面へ堅固に密着させるべきである。
連行される金属による浴の分解を防止するため
に、表面へ堅固に密着させるべきである。
本発明による新規な方法は、一般に下記のとお
り実施される: 追加の官能基を含有する、特にAgPdの有機金
属化合物を、有機溶媒中に溶解する。もちろん、
これら化合物の混合物を使用してもよい。有機金
属化合物の濃度は、好適には0.01g〜10g/と
すべきである。
り実施される: 追加の官能基を含有する、特にAgPdの有機金
属化合物を、有機溶媒中に溶解する。もちろん、
これら化合物の混合物を使用してもよい。有機金
属化合物の濃度は、好適には0.01g〜10g/と
すべきである。
特に適当な有機溶媒には、塩化メチレン、クロ
ロホルム、1,1,1―トリクロロエタン、トリ
クロロエチレン、パークロロエチレン、アセト
ン、メチルエチルケトン、ブタノール、エチレン
グリコール及びテトラヒドロフランのような極
性、プロトン性及び非プロトン性溶媒がある。
ロホルム、1,1,1―トリクロロエタン、トリ
クロロエチレン、パークロロエチレン、アセト
ン、メチルエチルケトン、ブタノール、エチレン
グリコール及びテトラヒドロフランのような極
性、プロトン性及び非プロトン性溶媒がある。
もちろん、これら有機溶媒の混合物、及び石油
炭化水素、リグロイン、トルエン等のような他の
溶媒との混合物を使用することもできる。本発明
方法においては、これらの溶液で、めつきすべき
基体の表面を、好ましくは1秒〜10分間湿らせ
る。活性体溶液中に基体を浸漬する、又は該溶液
を表面にスプレーするというような方法が特に適
しているが、もちろん本発明方法においては、該
活性体溶液を、スタンピング又はプリントによつ
て適用してもよい。
炭化水素、リグロイン、トルエン等のような他の
溶媒との混合物を使用することもできる。本発明
方法においては、これらの溶液で、めつきすべき
基体の表面を、好ましくは1秒〜10分間湿らせ
る。活性体溶液中に基体を浸漬する、又は該溶液
を表面にスプレーするというような方法が特に適
しているが、もちろん本発明方法においては、該
活性体溶液を、スタンピング又はプリントによつ
て適用してもよい。
本発明方法のために適当な基体には、例えば、
スチール、チタン、ガラス、石英、セラミツク
ス、炭素、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ABS重合体、エポキシ樹脂、ポリエステルが含
まれ、また、ポリアミド、ポリエステル、ポリオ
レフイン、ポリアクリロニトリル、ポリビニルハ
ライド、木綿若しくはウール又はそれらの混合物
の、あるいは上記した単量体の共重合体の織物シ
ート、糸及び繊維が含まれる。
スチール、チタン、ガラス、石英、セラミツク
ス、炭素、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ABS重合体、エポキシ樹脂、ポリエステルが含
まれ、また、ポリアミド、ポリエステル、ポリオ
レフイン、ポリアクリロニトリル、ポリビニルハ
ライド、木綿若しくはウール又はそれらの混合物
の、あるいは上記した単量体の共重合体の織物シ
ート、糸及び繊維が含まれる。
有機溶媒は、この湿潤処理後除去する。低沸点
有機溶媒は、例えば真空下の蒸発によつて除去す
るのが好ましい。より高沸点の有機溶媒のために
は、有機金属化合物が不溶性である溶媒を用いる
抽出のような他の方法がより適したものである。
有機溶媒は、例えば真空下の蒸発によつて除去す
るのが好ましい。より高沸点の有機溶媒のために
は、有機金属化合物が不溶性である溶媒を用いる
抽出のような他の方法がより適したものである。
上記したように前処理した表面は、還元、有利
には、電気めつきのために使用される、ヒドラジ
ン水和物、ホルムアルデヒド、次亜リン酸塩又は
ボラン類のような常用の還元剤を用いる還元によ
つて活性化しなければならない。もちろん、他の
還元剤を使用することもできる。還元は、水性溶
液中で好適に行われるが、アルコール、エーテ
ル、又は炭化水素のような他の溶媒を使用しても
よい。もちろん、還元剤は、懸濁液又は分散液の
形で使用してもよい。
には、電気めつきのために使用される、ヒドラジ
ン水和物、ホルムアルデヒド、次亜リン酸塩又は
ボラン類のような常用の還元剤を用いる還元によ
つて活性化しなければならない。もちろん、他の
還元剤を使用することもできる。還元は、水性溶
液中で好適に行われるが、アルコール、エーテ
ル、又は炭化水素のような他の溶媒を使用しても
よい。もちろん、還元剤は、懸濁液又は分散液の
形で使用してもよい。
表面を上記したように活性化した場合に、これ
ら表面は、無電解めつきのための準備ができてい
るが、最初、還元剤の残留物を除去するために、
すすぎによつて表面を清浄することが必要な場合
もある。
ら表面は、無電解めつきのための準備ができてい
るが、最初、還元剤の残留物を除去するために、
すすぎによつて表面を清浄することが必要な場合
もある。
本発明方法の特に好適な一実施の態様において
は、還元を、めつき浴中で、無電解めつきの還元
剤を用いて行う。ところで、この非常に簡易な操
作は、僅か3つの工程からなる:該有機化合物の
溶液中への基体の浸漬、有機溶媒の蒸発、及びこ
うして活性化した表面のめつき浴中への浸漬(還
元及びめつき)。
は、還元を、めつき浴中で、無電解めつきの還元
剤を用いて行う。ところで、この非常に簡易な操
作は、僅か3つの工程からなる:該有機化合物の
溶液中への基体の浸漬、有機溶媒の蒸発、及びこ
うして活性化した表面のめつき浴中への浸漬(還
元及びめつき)。
この実施の態様は、アミノボランを含有するニ
ツケル浴及びホルマリンを含有する銅浴のために
特に適当なものである。
ツケル浴及びホルマリンを含有する銅浴のために
特に適当なものである。
本発明方法で使用するめつき浴は、ニツケル
塩、コバルト塩、銅塩、金及び銀塩、又はこれら
塩類と、その相互の、若しくは鉄塩との混合物を
含有する浴が好適なものである。この種のめつき
浴は、無電解めつきにおいて使用するために公知
のものである。
塩、コバルト塩、銅塩、金及び銀塩、又はこれら
塩類と、その相互の、若しくは鉄塩との混合物を
含有する浴が好適なものである。この種のめつき
浴は、無電解めつきにおいて使用するために公知
のものである。
本発明方法は、無電解めつきによつて析出する
金属が、基体表面を前エツチングしなくても、堅
固に密着するという利点を持つている。
金属が、基体表面を前エツチングしなくても、堅
固に密着するという利点を持つている。
他方、―エツチングを採用した場合におけるよ
うな―重合体基体を化学的に実質上変化させると
いうことなく、又はそれらを分解もさせることな
く、基体表面を適当な溶媒で処理することによつ
て、該表面を膨潤又は溶解するのが、しばしば有
利である。
うな―重合体基体を化学的に実質上変化させると
いうことなく、又はそれらを分解もさせることな
く、基体表面を適当な溶媒で処理することによつ
て、該表面を膨潤又は溶解するのが、しばしば有
利である。
このような各方法は、一般的に公知であり、例
えば、下記の特許文献に記載されている:米国特
許3574070号、3445350号及び3574070号及び英国
特許1124556号。
えば、下記の特許文献に記載されている:米国特
許3574070号、3445350号及び3574070号及び英国
特許1124556号。
本発明方法の特に好適な変形法に従えば、めつ
きすべき重合体基体のための膨潤剤又は有機溶媒
からなる、これらの溶媒系中に、活性化のために
使用する有機金属化合物を均一に分配させること
によつて、活性化及び膨潤又は溶解を、1つのプ
ロセス工程で行う。
きすべき重合体基体のための膨潤剤又は有機溶媒
からなる、これらの溶媒系中に、活性化のために
使用する有機金属化合物を均一に分配させること
によつて、活性化及び膨潤又は溶解を、1つのプ
ロセス工程で行う。
有機金属活性体は、真の溶液、乳濁液又は懸濁
液の形とすることができる。
液の形とすることができる。
その特徴ある膨潤作用を伴う活性体系の作用に
よつて、基体上には、一種の“密着性核生成”が
達成され、それは多分、核を活性化するために到
達できる、基体表面上に中間のスペースを形成さ
せるような方法で具象化することができ、それに
よつて、無電解めつきで析出した金属が、堅固に
固定される。
よつて、基体上には、一種の“密着性核生成”が
達成され、それは多分、核を活性化するために到
達できる、基体表面上に中間のスペースを形成さ
せるような方法で具象化することができ、それに
よつて、無電解めつきで析出した金属が、堅固に
固定される。
この“膨潤密着性核生成”によつて生成した表
面における変化が、光散乱、不透明度、透明度
(透明なフイルム及びシートの場合)における変
化、層厚における変化、又は―走査電子顕微鏡写
真において―クラツク、ピツト又は空泡の形にお
ける変化を通じて、顕著なものとなる。
面における変化が、光散乱、不透明度、透明度
(透明なフイルム及びシートの場合)における変
化、層厚における変化、又は―走査電子顕微鏡写
真において―クラツク、ピツト又は空泡の形にお
ける変化を通じて、顕著なものとなる。
めつきすべき重合体基体のために適当な膨潤剤
は、各々の場合に、適当な予備試験によつて、ケ
ースごとに決定すべきである。基体を完全に分解
することなく、又はその衝撃強さのような機械的
性質に全く消極的な影響さえも与えることなく、
そして有機金属活性体を変化させることなしに、
合理的な時間内に基体の表面を膨潤させるとき、
その膨潤剤は最も有効なものである。
は、各々の場合に、適当な予備試験によつて、ケ
ースごとに決定すべきである。基体を完全に分解
することなく、又はその衝撃強さのような機械的
性質に全く消極的な影響さえも与えることなく、
そして有機金属活性体を変化させることなしに、
合理的な時間内に基体の表面を膨潤させるとき、
その膨潤剤は最も有効なものである。
適当な膨潤剤には、例えば前記の特許文献に示
された各溶媒に加えて、例えばニユーヨーク、J.
ブランドラツプほか(J.Brandrup)著“ポリマ
ーハンドブツク”(Polymer Handbook)157
〜175頁(1974)に記載のような、いわゆるO―
溶媒又はそれと沈殿剤との混合物がある。
された各溶媒に加えて、例えばニユーヨーク、J.
ブランドラツプほか(J.Brandrup)著“ポリマ
ーハンドブツク”(Polymer Handbook)157
〜175頁(1974)に記載のような、いわゆるO―
溶媒又はそれと沈殿剤との混合物がある。
適当な膨潤剤又は有機溶媒には、低級及び高級
のアルコール、アルデヒド、エーテル、ケトン、
ハロゲン化炭化水素、単純若しくは飽和炭化水
素、有機酸、エステル又はそれらのハロゲン化し
た誘導体、またブタン、プロピレン及び1,4―
シス―ブタジエンのような液化ガスがある。
のアルコール、アルデヒド、エーテル、ケトン、
ハロゲン化炭化水素、単純若しくは飽和炭化水
素、有機酸、エステル又はそれらのハロゲン化し
た誘導体、またブタン、プロピレン及び1,4―
シス―ブタジエンのような液化ガスがある。
もちろん、これら各溶媒の混合物、及びベンジ
ン、リグロイン、トルエン、n―ヘキサン等のよ
うな他の有機溶媒との混合物を使用してもよい。
基体表面とこの密着性核生成媒体との間に、改良
した相互作用を達成させるために、そのような媒
体に、有機及び/又は無機添加剤を供給してもよ
い。このためには、例えばパルミチン酸、ステア
リン酸、オレイン酸の各アルカリ金属塩、又は6
〜20個の炭素原子を含有するパラフインをベース
とし、それをスルホクロル化することによつて調
製されるスルホン酸の塩のようなアニオン乳化
剤;例えば長鎖アルコール又はフエノール類のエ
トキシル化によつて調製することができる非イオ
ン乳化剤;例えば、12〜20個の炭素原子を持つ長
鎖、特に不飽和アミンの塩類、又は長鎖オレフイ
ン若しくはパラフインエステルの第4級アンモニ
ウム化合物のようなカチオン乳化剤;例えばゼラ
チン類、ペクチン類、アルギネート類、メチルセ
ルロース、イオン性及び中性のポリウレタン分散
体若しくはそれらのオリゴマー誘導体、ポリビニ
ルアルコール類、ポリビニルピロリドン及びポリ
メチルビニルアセテートのような高分子化合物を
ベースとした保護コロイド;アルミナ、ケイ藻土
及びリン酸カルシウムのような微粉砕した水溶性
無機物;及びアルカリ金属やアルカリ土類金属塩
のCaCl2、MgSO4又はK3PO4が、非常に適したも
のである。
ン、リグロイン、トルエン、n―ヘキサン等のよ
うな他の有機溶媒との混合物を使用してもよい。
基体表面とこの密着性核生成媒体との間に、改良
した相互作用を達成させるために、そのような媒
体に、有機及び/又は無機添加剤を供給してもよ
い。このためには、例えばパルミチン酸、ステア
リン酸、オレイン酸の各アルカリ金属塩、又は6
〜20個の炭素原子を含有するパラフインをベース
とし、それをスルホクロル化することによつて調
製されるスルホン酸の塩のようなアニオン乳化
剤;例えば長鎖アルコール又はフエノール類のエ
トキシル化によつて調製することができる非イオ
ン乳化剤;例えば、12〜20個の炭素原子を持つ長
鎖、特に不飽和アミンの塩類、又は長鎖オレフイ
ン若しくはパラフインエステルの第4級アンモニ
ウム化合物のようなカチオン乳化剤;例えばゼラ
チン類、ペクチン類、アルギネート類、メチルセ
ルロース、イオン性及び中性のポリウレタン分散
体若しくはそれらのオリゴマー誘導体、ポリビニ
ルアルコール類、ポリビニルピロリドン及びポリ
メチルビニルアセテートのような高分子化合物を
ベースとした保護コロイド;アルミナ、ケイ藻土
及びリン酸カルシウムのような微粉砕した水溶性
無機物;及びアルカリ金属やアルカリ土類金属塩
のCaCl2、MgSO4又はK3PO4が、非常に適したも
のである。
上記した添加剤の量は、存在する媒体に基づい
て、0.01〜20重量%と変えることができる。
て、0.01〜20重量%と変えることができる。
有機媒体中の有機金属活性体の安定性を増大さ
せるために、これらに対して、ジメチルホルムア
ミド、ホルムアミド、ジメチルスルホニド又はテ
トラメチル尿素を10%まで追加することが必要な
ことがある。
せるために、これらに対して、ジメチルホルムア
ミド、ホルムアミド、ジメチルスルホニド又はテ
トラメチル尿素を10%まで追加することが必要な
ことがある。
有機媒体の密着性核生成効果を増大させるため
に、これら媒体に対して、Cl2,HCl,H2O,
HF,HI,H2SO4,H3PO4,H3PO3,H3SO3、
ホウ酸、NaOH又はKOHのような無機化合物を
追加することが必要なことがある。これら無機化
合物の量は、当該の媒体に基づいて0.1〜30重量
%と変えることができ、ある場合には、無機化合
物の添加量を、より多く、又はより少なくするこ
とも可能である。有機媒体中におけるこれら無機
添加剤の均一な分配をうけるためには、有機媒体
に対する可溶化剤として、少量の水を添加するこ
とが必要なことがある。
に、これら媒体に対して、Cl2,HCl,H2O,
HF,HI,H2SO4,H3PO4,H3PO3,H3SO3、
ホウ酸、NaOH又はKOHのような無機化合物を
追加することが必要なことがある。これら無機化
合物の量は、当該の媒体に基づいて0.1〜30重量
%と変えることができ、ある場合には、無機化合
物の添加量を、より多く、又はより少なくするこ
とも可能である。有機媒体中におけるこれら無機
添加剤の均一な分配をうけるためには、有機媒体
に対する可溶化剤として、少量の水を添加するこ
とが必要なことがある。
本発明方法においては、めつきすべき基体の表
面を、これら媒体で湿らせるが、その反応時間
は、1秒〜90分間が好適である。この目的のため
に特に適当な方法には、媒体中に基体を浸漬す
る、又は基体表面に活性化媒体をスプレーする、
又は基体表面にこれらを蒸着処理によつて適用す
るような方法がある。
面を、これら媒体で湿らせるが、その反応時間
は、1秒〜90分間が好適である。この目的のため
に特に適当な方法には、媒体中に基体を浸漬す
る、又は基体表面に活性化媒体をスプレーする、
又は基体表面にこれらを蒸着処理によつて適用す
るような方法がある。
更に、この密着性核生成工程においては、活性
化溶液を、スタンピングによつて、又は加圧法に
よつて適用することも可能である。
化溶液を、スタンピングによつて、又は加圧法に
よつて適用することも可能である。
本発明による密着性核生成は、−20℃〜100℃の
温度で行うことができ、低沸点有機溶媒及び化学
的に容易にアタツクされる基体の場合には、低温
を使用するのが好ましく、他方、化学的に耐性の
基体には、高温を必要とする。特殊な場合には、
この密着性核生成を、−20℃より低温、又は100℃
より高温で行うこともできる。0〜80℃の温度が
好適である。
温度で行うことができ、低沸点有機溶媒及び化学
的に容易にアタツクされる基体の場合には、低温
を使用するのが好ましく、他方、化学的に耐性の
基体には、高温を必要とする。特殊な場合には、
この密着性核生成を、−20℃より低温、又は100℃
より高温で行うこともできる。0〜80℃の温度が
好適である。
基体表面を湿らせた後、既述のように有機溶媒
を除去する。
を除去する。
めつき反応の析出速度を増大させるために、重
合体物質のための沈殿剤である活性化媒体中にお
いて、基体表面の追加の活性化を行つてもよい。
そのような沈殿剤は公知のものであり、既述の
“ポリマーハンドブツク”、241〜267頁に記載
されている。
合体物質のための沈殿剤である活性化媒体中にお
いて、基体表面の追加の活性化を行つてもよい。
そのような沈殿剤は公知のものであり、既述の
“ポリマーハンドブツク”、241〜267頁に記載
されている。
例 1
4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン酸無
水物―塩化パラジウム()の0.4gと、1の
CH2Cl2から調製した活性化浴中に、10×10cmの
大きさのポリエステル重合体(100%ポリエチレ
ンテレフタレート)の編成した方形体を、室温で
10秒間浸漬し、室温で乾燥し、ついで、1当り
3.5gのジメチルアミノボラン、30gの塩化ニツ
ケル及び10gのクエン酸を含有し、濃アンモニア
溶液でPH8.2に調節した、水性のアルカリ性ニツ
ケルめつき浴中で、無電解めつき法によつて10分
間ニツケルめつきする。その表面は、約60秒後に
は金属の光沢及び色に染まり、10分間後には、12
g/m2が析出した。
水物―塩化パラジウム()の0.4gと、1の
CH2Cl2から調製した活性化浴中に、10×10cmの
大きさのポリエステル重合体(100%ポリエチレ
ンテレフタレート)の編成した方形体を、室温で
10秒間浸漬し、室温で乾燥し、ついで、1当り
3.5gのジメチルアミノボラン、30gの塩化ニツ
ケル及び10gのクエン酸を含有し、濃アンモニア
溶液でPH8.2に調節した、水性のアルカリ性ニツ
ケルめつき浴中で、無電解めつき法によつて10分
間ニツケルめつきする。その表面は、約60秒後に
は金属の光沢及び色に染まり、10分間後には、12
g/m2が析出した。
例 2
アクリロニトリル/ブタジエン/スチレングラ
フト共重合体の射出成形したABSの150×100mm
の大きさの板を、15重量%水酸化ナトリウム水溶
液中で脱脂し、蒸留水で中和し、1のメタノー
ル中の0.8gの4―シクロヘキセン―1,2―ジ
カルボン酸無水物―硝酸銀()の活性体溶液中
に30秒間浸漬し、室温で乾燥し、ついで例1に記
載のようにニツケルめつきする。この試料は、僅
か60秒後に、ニツケルの非常にきれいな層で被覆
されることが認められる。およそ10分後、この化
学ニツケル層は、約0.20μmの平均厚となつた。
試料を、この化学めつき浴から取出して、蒸留水
ですすいだ後、電気銅めつき浴中の陰極に接続す
ると、0.5A/dm2で30分間の電気めつきによつ
て、その厚さは約6.6μmまで増大した。
フト共重合体の射出成形したABSの150×100mm
の大きさの板を、15重量%水酸化ナトリウム水溶
液中で脱脂し、蒸留水で中和し、1のメタノー
ル中の0.8gの4―シクロヘキセン―1,2―ジ
カルボン酸無水物―硝酸銀()の活性体溶液中
に30秒間浸漬し、室温で乾燥し、ついで例1に記
載のようにニツケルめつきする。この試料は、僅
か60秒後に、ニツケルの非常にきれいな層で被覆
されることが認められる。およそ10分後、この化
学ニツケル層は、約0.20μmの平均厚となつた。
試料を、この化学めつき浴から取出して、蒸留水
ですすいだ後、電気銅めつき浴中の陰極に接続す
ると、0.5A/dm2で30分間の電気めつきによつ
て、その厚さは約6.6μmまで増大した。
例 3
120×120mmの大きさの方形の木綿布を、例1に
記載の方法で20秒間活性化し、ついでニツケルめ
つきする。この材料は、金属光沢を得、およそ11
重量%のニツケルで被覆される。
記載の方法で20秒間活性化し、ついでニツケルめ
つきする。この材料は、金属光沢を得、およそ11
重量%のニツケルで被覆される。
例 4
35×100mmの大きさのポリエステル箔の長方形
片を、例1に記載のように20秒間活性化し、溶媒
の蒸発後7分間ニツケルめつきする。得られる箔
は、金属光沢を持ち、厚さ0.15μmのニツケル層
で被覆されている。
片を、例1に記載のように20秒間活性化し、溶媒
の蒸発後7分間ニツケルめつきする。得られる箔
は、金属光沢を持ち、厚さ0.15μmのニツケル層
で被覆されている。
例 5
10重量%のポリブタジエンを含有し、40×60mm
の大きさの粗面化したポリカーボネート箔の長方
形片を、1のメタノール中の0.5gの4―シク
ロヘキセン―1,2―ジカルボン酸無水物―2塩
化パラジウムの溶液中に浸漬し、乾燥し、ついで
例1に記載のようにニツケルめつきする。
の大きさの粗面化したポリカーボネート箔の長方
形片を、1のメタノール中の0.5gの4―シク
ロヘキセン―1,2―ジカルボン酸無水物―2塩
化パラジウムの溶液中に浸漬し、乾燥し、ついで
例1に記載のようにニツケルめつきする。
7分間後に、金属光沢を持つ、厚さ0.2μmのニ
ツケルの堅固に密着した層が析出することが認め
られる。この層を、電気銅めつき浴中の陰極に接
続し、1.0アンペアで30分間作用させると、30μm
の厚さまで電気銅で補強された。この電気銅めつ
き浴は、200gのCuSO4及び30gのH2SO4(96%)
を、蒸留水で1とすることによつて調製した。
ツケルの堅固に密着した層が析出することが認め
られる。この層を、電気銅めつき浴中の陰極に接
続し、1.0アンペアで30分間作用させると、30μm
の厚さまで電気銅で補強された。この電気銅めつ
き浴は、200gのCuSO4及び30gのH2SO4(96%)
を、蒸留水で1とすることによつて調製した。
例 6
150×150mmの大きさの方形の木綿布を、1の
1,1,1―トリクロロエタン中の0.5gのイソ
ブチルビニルエーテル2塩化パラジウムの溶液中
に30秒間浸漬し、室温で乾燥し、例1に記載のニ
ツケル浴中で20分間ニツケルめつきする。
1,1,1―トリクロロエタン中の0.5gのイソ
ブチルビニルエーテル2塩化パラジウムの溶液中
に30秒間浸漬し、室温で乾燥し、例1に記載のニ
ツケル浴中で20分間ニツケルめつきする。
約20秒後に表面が暗色化し始め、10分間後に、
金属光沢を持つニツケル層が析出することが認め
られる。
金属光沢を持つニツケル層が析出することが認め
られる。
例 7
100×100mmの大きさの方形のガラス繊維強化エ
ポキシド樹脂板を、1の1,1,1―トリクロ
ロエタン中の0.6gのイソブチルビニルエーテル
2塩化パラジウムの溶液でスプレーし、室温で乾
燥し、ついで例1に記載のように、化学ニツケル
浴中でニツケルめつきする。板の表面は、僅か約
30秒後に暗色化し始めて、60秒後にはきれいなニ
ツケル層で被覆される。およそ10分間後、化学的
に析出したニツケル層は約0.2μmの厚さを持つて
いる。
ポキシド樹脂板を、1の1,1,1―トリクロ
ロエタン中の0.6gのイソブチルビニルエーテル
2塩化パラジウムの溶液でスプレーし、室温で乾
燥し、ついで例1に記載のように、化学ニツケル
浴中でニツケルめつきする。板の表面は、僅か約
30秒後に暗色化し始めて、60秒後にはきれいなニ
ツケル層で被覆される。およそ10分間後、化学的
に析出したニツケル層は約0.2μmの厚さを持つて
いる。
例 8
150×50mmの大きさのポリエチレンプラスチツ
クの長方形片を、1の1,1,1―トリクロロ
エタンと0.75gの9―オクタデセン―1―オール
―塩化パラジウムとから調製した活性化浴中に浸
漬し、ついで例1に記載のように、化学ニツケル
浴中でニツケルめつきする。
クの長方形片を、1の1,1,1―トリクロロ
エタンと0.75gの9―オクタデセン―1―オール
―塩化パラジウムとから調製した活性化浴中に浸
漬し、ついで例1に記載のように、化学ニツケル
浴中でニツケルめつきする。
次に金属光沢を持つこのプラスチツク片を、電
気半光沢ニツケルめつき浴中の陰極として接続す
ると、その厚さは、50℃で30分間作用する1アン
ペアの電流下、約8.1μmまで増大する。
気半光沢ニツケルめつき浴中の陰極として接続す
ると、その厚さは、50℃で30分間作用する1アン
ペアの電流下、約8.1μmまで増大する。
この例で使用した有機金属化合物は、下記のよ
うにして得られる: 4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン酸無
水物―塩化パラジウム(): 4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン酸無
水物を、その量の3倍のジメチルホルムアミド中
に溶解する。それと等モル量のアセトニトリル2
塩化パラジウムを、2時間の間に40℃で添加す
る。ジメチルホルムアミド及びアセトニトリル
を、45℃/25ミリバールで留去する。53〜54℃の
融点を持つ帯褐色固体が、90%の収率で得られ
る。
うにして得られる: 4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン酸無
水物―塩化パラジウム(): 4―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン酸無
水物を、その量の3倍のジメチルホルムアミド中
に溶解する。それと等モル量のアセトニトリル2
塩化パラジウムを、2時間の間に40℃で添加す
る。ジメチルホルムアミド及びアセトニトリル
を、45℃/25ミリバールで留去する。53〜54℃の
融点を持つ帯褐色固体が、90%の収率で得られ
る。
イソブチルビニルエーテル2塩化パラジウム
が、類似の方法で、アセトニトリル2塩化パラジ
ウムとイソブチルビニルエーテルとから得られ
る。融点57〜60℃ 例 9 10%の無機物で強化したポリアミド6プラスチ
ツクの層厚が3mmで10×15cmの試験シートを、室
温において25%水酸化ナトリウム溶液で脱脂す
る。ついで、このシートを、1のメタノールに
対して100gの塩化カルシウム及び0.3gのビス―
(アリルパラジウム)―ジクロライドを含有する
溶液中に1時間浸漬する。このシートを、メタノ
ールで洗浄し、乾燥し、ついで、25g/の塩化
ニツケル、3g/のジメチルアミノボラン及び
10g/のクエン酸を含有し、アンモニアでPH
7.9に調節した無電解ニツケルめつき浴中に浸漬
する。20分間後、均一な、光沢のないニツケル層
が析出する。電気めつきによつて増厚後、この金
属被膜のストリツピング力は、金属層の引張強さ
より大きい。
が、類似の方法で、アセトニトリル2塩化パラジ
ウムとイソブチルビニルエーテルとから得られ
る。融点57〜60℃ 例 9 10%の無機物で強化したポリアミド6プラスチ
ツクの層厚が3mmで10×15cmの試験シートを、室
温において25%水酸化ナトリウム溶液で脱脂す
る。ついで、このシートを、1のメタノールに
対して100gの塩化カルシウム及び0.3gのビス―
(アリルパラジウム)―ジクロライドを含有する
溶液中に1時間浸漬する。このシートを、メタノ
ールで洗浄し、乾燥し、ついで、25g/の塩化
ニツケル、3g/のジメチルアミノボラン及び
10g/のクエン酸を含有し、アンモニアでPH
7.9に調節した無電解ニツケルめつき浴中に浸漬
する。20分間後、均一な、光沢のないニツケル層
が析出する。電気めつきによつて増厚後、この金
属被膜のストリツピング力は、金属層の引張強さ
より大きい。
例 10
30重量%のガラス繊維を含有するポリアミド6
の重合体シートを、20%水酸化ナトリウム溶液
中、室温で脱脂する。ついで、それを、40重量%
の塩酸(37%濃度)、60重量%のメタノール及び
0.9g/の4―シクロヘキセン―1,2―ジカ
ルボン酸無水物―塩化パラジウム()からなる
密着性核生成溶液中に8分間浸漬する。ついでこ
の試料を、30g/の硫酸ニツケル、3.8g/
のジメチルアミノボラン及び10g/のクエン酸
を含有し、濃アンモニア水溶液で7.6のPHに調節
しためつき浴中で20分間ニツケルめつきする。
GIN53494に従つてストリツピング力により測定
したこの金属層の密着力は、6N/2.5cmである。
の重合体シートを、20%水酸化ナトリウム溶液
中、室温で脱脂する。ついで、それを、40重量%
の塩酸(37%濃度)、60重量%のメタノール及び
0.9g/の4―シクロヘキセン―1,2―ジカ
ルボン酸無水物―塩化パラジウム()からなる
密着性核生成溶液中に8分間浸漬する。ついでこ
の試料を、30g/の硫酸ニツケル、3.8g/
のジメチルアミノボラン及び10g/のクエン酸
を含有し、濃アンモニア水溶液で7.6のPHに調節
しためつき浴中で20分間ニツケルめつきする。
GIN53494に従つてストリツピング力により測定
したこの金属層の密着力は、6N/2.5cmである。
例 11
35重量%のブタジエングラフト重合体を含むポ
リアミド6の重合体シートを、15%水酸化ナトリ
ウム溶液中、室温で脱脂する。ついで、それを、
90gのHCl(37%濃度)、410gのエチレングリコ
ール及び0.5gの4―シクロヘキセン―1,2―
ジカルボン酸無水物―塩化パラジウム()から
調製した浴中で10分間活性化し、ついで例10に従
つためつき浴中で20分の間にめつきする。
リアミド6の重合体シートを、15%水酸化ナトリ
ウム溶液中、室温で脱脂する。ついで、それを、
90gのHCl(37%濃度)、410gのエチレングリコ
ール及び0.5gの4―シクロヘキセン―1,2―
ジカルボン酸無水物―塩化パラジウム()から
調製した浴中で10分間活性化し、ついで例10に従
つためつき浴中で20分の間にめつきする。
電気めつきによつて増厚後、その金属被膜のス
トリツピング力は、金属層の引張強さより大き
い。
トリツピング力は、金属層の引張強さより大き
い。
例 12
ABS(アクリロニトリル/ブタジエン/スチレ
ン)プラスチツクの3mmの層厚をもつ10×10cmの
試験シートを、22%水酸化ナトリウム溶液を用い
室温で脱脂する。ついで、このシートを、700ml
のメタノール、100mlのアセト酢酸エチル、50ml
のDMF(ジメチルホルムアミド)及び0.9mlの4
―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン酸無水物
―塩化パラジウム()を含有する溶液中に10分
間浸漬する。このシートを、メタノールで洗浄
し、乾燥し、ついで例10に従つて、無電解ニツケ
ルめつき浴中でめつきする。25分間後、均一な、
光沢のないニツケル被膜が析出した。DIN53494
に従いストリツピング力によつて測定した密着力
は5N/2.5cmである。
ン)プラスチツクの3mmの層厚をもつ10×10cmの
試験シートを、22%水酸化ナトリウム溶液を用い
室温で脱脂する。ついで、このシートを、700ml
のメタノール、100mlのアセト酢酸エチル、50ml
のDMF(ジメチルホルムアミド)及び0.9mlの4
―シクロヘキセン―1,2―ジカルボン酸無水物
―塩化パラジウム()を含有する溶液中に10分
間浸漬する。このシートを、メタノールで洗浄
し、乾燥し、ついで例10に従つて、無電解ニツケ
ルめつき浴中でめつきする。25分間後、均一な、
光沢のないニツケル被膜が析出した。DIN53494
に従いストリツピング力によつて測定した密着力
は5N/2.5cmである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 a)4―シクロヘキセン―1,2ジカルボン
酸無水物―塩化パラジウム()、4―シクロヘ
キセン―1,2―ジカルボン酸無水物硝酸銀
()、イソブチルビニルエーテル2塩化パラジウ
ム、9―オクタデセン―1―オール―塩化パラジ
ウム、及び/又はビス―(アリルパラジウム)―
ジクロライドを含む活性化系でめつきすべき基体
表面を湿らせる工程、b)めつきすべき表面に付
着している該有機金属化合物を還元剤にて還元す
る工程、c)上記の如く処理した基体を水性めつ
き浴に導入する工程、の各工程を包含することを
特徴とする基体表面の無電解めつき方法。 2 上記において、a)めつきすべき表面に付着
している該有機金属化合物を還元剤にて還元する
工程及びb)上記の如く処理した基体を水性めつ
き浴に導入する工程を一工程として行う特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 3 該活性化が該有機金属化合物を熱分解するこ
となく0〜80℃で行う特許請求の範囲第1項に記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3148280.5 | 1981-12-05 | ||
| DE19813148280 DE3148280A1 (de) | 1981-12-05 | 1981-12-05 | Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104170A JPS58104170A (ja) | 1983-06-21 |
| JPS6354792B2 true JPS6354792B2 (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=6148037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57212820A Granted JPS58104170A (ja) | 1981-12-05 | 1982-12-06 | 無電解めっき方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4764401A (ja) |
| EP (1) | EP0081129B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58104170A (ja) |
| DE (2) | DE3148280A1 (ja) |
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| JPH0517081U (ja) * | 1991-08-15 | 1993-03-05 | ミサワホーム株式会社 | 玄関の排水装置 |
| JPH0630394U (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-19 | ワイケイケイアーキテクチュラルプロダクツ株式会社 | 浴室ドアユニット |
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| DE3339857A1 (de) * | 1983-11-04 | 1985-05-15 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur vorbehandlung von polyamidsubstraten fuer die stromlose metallisierung |
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| DE3423457A1 (de) * | 1984-06-26 | 1986-01-02 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von leiterplatten |
| DE3424065A1 (de) * | 1984-06-29 | 1986-01-09 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
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