JPS6348843A - アルミニウム配線形成方法 - Google Patents
アルミニウム配線形成方法Info
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- JPS6348843A JPS6348843A JP19203186A JP19203186A JPS6348843A JP S6348843 A JPS6348843 A JP S6348843A JP 19203186 A JP19203186 A JP 19203186A JP 19203186 A JP19203186 A JP 19203186A JP S6348843 A JPS6348843 A JP S6348843A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
コンタクトホール領域とその近くのみにアルミニウム（
ＡＪ）膜を配置し、しかる後にパルスレーザ光の照射に
より Ａｎ膜を溶融して４へｌをコンタクトホール内に
流し込み、コンタクトホールのＡｆｆｉによる埋込みを
行う。
ＡＪ）膜を配置し、しかる後にパルスレーザ光の照射に
より Ａｎ膜を溶融して４へｌをコンタクトホール内に
流し込み、コンタクトホールのＡｆｆｉによる埋込みを
行う。
本発明はへ２配線形成方法に関し、さらに詳しく言えば
、半導体基板上の絶縁膜に設けた小直径で深さが小なる
コンタクトホールに電極引出し用のＡｌ配線を形成する
方法に関するものである。
、半導体基板上の絶縁膜に設けた小直径で深さが小なる
コンタクトホールに電極引出し用のＡｌ配線を形成する
方法に関するものである。
半導体基板に形成されたデバイスを電気的に接続するに
は例えば第２図に示される技術が用いられる。第２図に
おいて、１１は半導体基板（例えばシリコン基板）、１
２は基板１１上に形成された絶縁膜（例えば５ｉｏ２１
１東）、１３は５ｉｎ２膜１２に形成されたコンタクト
ホール、１４はＡｌ配線であり、ごのｌ［配線１４がシ
リコン基板１１に形成されたデバイスを電気的に接続す
る機能を果す。
は例えば第２図に示される技術が用いられる。第２図に
おいて、１１は半導体基板（例えばシリコン基板）、１
２は基板１１上に形成された絶縁膜（例えば５ｉｏ２１
１東）、１３は５ｉｎ２膜１２に形成されたコンタクト
ホール、１４はＡｌ配線であり、ごのｌ［配線１４がシ
リコン基板１１に形成されたデバイスを電気的に接続す
る機能を果す。
” Ａｌ配線１イの形成について、コンタクトホール１
３の寸法が直径１μｍと小になり、深さ１μｍになると
コンタクトホールの側壁への八Ａ’の付着率が低下し、
コンタクト抵抗が増大し、断線の発注する問題がある。
３の寸法が直径１μｍと小になり、深さ１μｍになると
コンタクトホールの側壁への八Ａ’の付着率が低下し、
コンタクト抵抗が増大し、断線の発注する問題がある。
へβ配線１４は一般に蒸着によって形成されるが、Ａｌ
の蒸着を第３図の模式図を参照して説明すると、るつぼ
２１に ｉを入れて熔融し、直進するＡＩ！蒸発流を形
成して八ｌを基板１１上に付着させる。コンタクトホー
ルが同図の左に示されるもののように大であるとコンタ
クトホールの底面、側壁にｉは問題なく付着するが、第
３図の右に示されるものの如き上記した寸法の小さなコ
ンタクトホールにおいては、第４図に示すような状態で
ｌが付着することがある。その理由は、かかる小さなコ
ンタクトホールにおいては、 ＡＡの蒸発流２２に対し
てかげ（ｓ）＋ａｄｏｗ）の部分があり、コンタクトホ
ールの側壁で八βが付着しないからである（シャドウ効
果）。
の蒸着を第３図の模式図を参照して説明すると、るつぼ
２１に ｉを入れて熔融し、直進するＡＩ！蒸発流を形
成して八ｌを基板１１上に付着させる。コンタクトホー
ルが同図の左に示されるもののように大であるとコンタ
クトホールの底面、側壁にｉは問題なく付着するが、第
３図の右に示されるものの如き上記した寸法の小さなコ
ンタクトホールにおいては、第４図に示すような状態で
ｌが付着することがある。その理由は、かかる小さなコ
ンタクトホールにおいては、 ＡＡの蒸発流２２に対し
てかげ（ｓ）＋ａｄｏｗ）の部分があり、コンタクトホ
ールの側壁で八βが付着しないからである（シャドウ効
果）。
従来、このような場合には、基板全面にへ１膜を被着し
、次いで大なるパワーのレーザ光でＡｌ膜を溶融し、コ
ンタクトホールに溶融した八ｐを流し込んでコンタクト
ホールをｉで埋め込み、しかる後にＡＮｌｇをパターニ
ングしてＡｌ配線を形成する技術が用いられている。し
かし、この方法では、コンタクトホールのみを照射する
のであっても、当該領域に発生した熱が基板全面を覆う
Ａｌ中に逃げるためにコンタクトホール領域のＡ６が熔
融せず、コンタクトホールにＡＮを流し込むにはパワー
の大なるレーザ光を得るために装置が大規模かつ高価な
ものになる問題がある。
、次いで大なるパワーのレーザ光でＡｌ膜を溶融し、コ
ンタクトホールに溶融した八ｐを流し込んでコンタクト
ホールをｉで埋め込み、しかる後にＡＮｌｇをパターニ
ングしてＡｌ配線を形成する技術が用いられている。し
かし、この方法では、コンタクトホールのみを照射する
のであっても、当該領域に発生した熱が基板全面を覆う
Ａｌ中に逃げるためにコンタクトホール領域のＡ６が熔
融せず、コンタクトホールにＡＮを流し込むにはパワー
の大なるレーザ光を得るために装置が大規模かつ高価な
ものになる問題がある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、寸法
の小なるコンタクトホール領域にもコンタクト抵抗が小
で断線などのおそれのないＡｌ配線を形成する方法を提
供することを目的とする。
の小なるコンタクトホール領域にもコンタクト抵抗が小
で断線などのおそれのないＡｌ配線を形成する方法を提
供することを目的とする。
第１図（ａｌと（ｂｌは本発明実施例断面図である。
本発明の方法においては、基板全面にへβ膜を形成した
後に、第１図（ａ）に示される如＜１１１ｍがコンタク
トホールとそのまわりのみを覆うようにパターニングし
、次いでパルスレーザ光でこのようにパターニングされ
たＡＪ膜１４ａを溶融して第１図（ｂｌに示されるよう
にＡ２でコンタクトホールを埋め込み、次いでへβ配線
１４を形成する。
後に、第１図（ａ）に示される如＜１１１ｍがコンタク
トホールとそのまわりのみを覆うようにパターニングし
、次いでパルスレーザ光でこのようにパターニングされ
たＡＪ膜１４ａを溶融して第１図（ｂｌに示されるよう
にＡ２でコンタクトホールを埋め込み、次いでへβ配線
１４を形成する。
上記した方法によると、コンタクトホールを埋め込むた
めのｉの溶融は、コンタクトホールのまわりにのみ存在
するＡＡを加熱すれば足りるから、レーザ光のパワー密
度を下げても十分にｉが溶融してコンタクトホールにＡ
りの流し込みが実現する。
めのｉの溶融は、コンタクトホールのまわりにのみ存在
するＡＡを加熱すれば足りるから、レーザ光のパワー密
度を下げても十分にｉが溶融してコンタクトホールにＡ
りの流し込みが実現する。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図（ａｌと（ｂｌは本発明実施例断面図である。先
ず同［Ｊ （ａ）に示される如く、半導体基板（シリコ
ン基板）１１上に例えば１μｍの膜厚に ５ｉ０２１１
１：Ｗ１２を形成し、通常のりソグラフィ技術でＳｉＯ
２膜１２にコンタクトホール１３を窓開けし、全面に八
βを蒸着で被着し、次いでコンタクトホールとそのまわ
りの部分（以下コンタクト領域という）のみにＡＮ １
４ａを残すようパターニングする。このようなＡｐの蒸
着において、コンタクトホールの寸法が直径１μｍ、深
さ１μｍと小なるものであれば、コンタクトホールの側
壁に第１図（ａ）に示される如く 八βが付着していな
いところがありうる。
ず同［Ｊ （ａ）に示される如く、半導体基板（シリコ
ン基板）１１上に例えば１μｍの膜厚に ５ｉ０２１１
１：Ｗ１２を形成し、通常のりソグラフィ技術でＳｉＯ
２膜１２にコンタクトホール１３を窓開けし、全面に八
βを蒸着で被着し、次いでコンタクトホールとそのまわ
りの部分（以下コンタクト領域という）のみにＡＮ １
４ａを残すようパターニングする。このようなＡｐの蒸
着において、コンタクトホールの寸法が直径１μｍ、深
さ１μｍと小なるものであれば、コンタクトホールの側
壁に第１図（ａ）に示される如く 八βが付着していな
いところがありうる。
次に、第１図（ｂ）に示されるようにコンタクトホール
領域のＡＩ膜１４ａにパルスレーザ光１５を照射すると
、Ａ℃膜１４ａは溶融し、コンタクトホールはＡｌ１４
ｂで埋め込まれる。
領域のＡＩ膜１４ａにパルスレーザ光１５を照射すると
、Ａ℃膜１４ａは溶融し、コンタクトホールはＡｌ１４
ｂで埋め込まれる。
本発明者の実験によると、ＡｒＦエキシマレーザ（パワ
ー約５Ｊ／ｃｍ２）を１シヨツト照射してコンタクトホ
ール１３をＡ１４ｂで埋め込むことができ、このパワー
密度は従来例の約１１５０の密度であることが確認され
た。
ー約５Ｊ／ｃｍ２）を１シヨツト照射してコンタクトホ
ール１３をＡ１４ｂで埋め込むことができ、このパワー
密度は従来例の約１１５０の密度であることが確認され
た。
次いで全面に八βを被着し、それをパターニングしてへ
ｌ配線１４を形成したところ、コンタクトホール１３内
は表面が平坦な状態で完全に八βが埋め込まれているの
で、第１図（ｂｌに示される如き表面が平坦なへβ配線
１４が形成され、コンタクト抵抗の増大、断線のおそれ
などの従来の問題が解決された。
ｌ配線１４を形成したところ、コンタクトホール１３内
は表面が平坦な状態で完全に八βが埋め込まれているの
で、第１図（ｂｌに示される如き表面が平坦なへβ配線
１４が形成され、コンタクト抵抗の増大、断線のおそれ
などの従来の問題が解決された。
以上述べてきたように本発明によれば、溶融させるｉ膜
の平面的な面積を減少させ、レーザ光の照射によって発
生する熱が逃げることを防止するものであるので、レー
ザ光のパワー密度を下げることが可能になり、高価で大
規模な装置を用いることなく ｉ配線形成のスループ
ットを向上するに有効である。
の平面的な面積を減少させ、レーザ光の照射によって発
生する熱が逃げることを防止するものであるので、レー
ザ光のパワー密度を下げることが可能になり、高価で大
規模な装置を用いることなく ｉ配線形成のスループ
ットを向上するに有効である。
第１図（ａｌと（ｂｌは本発明実施例断面図、第２図は
従来例断面図、 第３図はＡＩ！の蒸着を示す図、 第４図は従来例の問題点を示す図である。 第１図において、 １１はシリコン基板、 １２は ＳｉＯ；ｚ膜、 １３はコンタクトホール、 １４は Ａβ配線、 １５はパルスレーザ光である。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 ↓ｉ’句しスレーＴ゛光１５ 本４：ｅＦ４史蝿例（ｌＩｆｒｉｌｆｆｌ第１図 、 ） ＞９７ｆ−１゛−１′１３ ＜ｉ Ｌ （ｌｌｌ ｇＩ 勿Ｂ 第２図 Ａｌｌ７１青１を示Ｔ！１７１ 第３区 ７フーーコンククｒ不−Ｊし１３ 従Ｌ １ｓのへＩＩ態５．を才、１コ 第４図
従来例断面図、 第３図はＡＩ！の蒸着を示す図、 第４図は従来例の問題点を示す図である。 第１図において、 １１はシリコン基板、 １２は ＳｉＯ；ｚ膜、 １３はコンタクトホール、 １４は Ａβ配線、 １５はパルスレーザ光である。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 ↓ｉ’句しスレーＴ゛光１５ 本４：ｅＦ４史蝿例（ｌＩｆｒｉｌｆｆｌ第１図 、 ） ＞９７ｆ−１゛−１′１３ ＜ｉ Ｌ （ｌｌｌ ｇＩ 勿Ｂ 第２図 Ａｌｌ７１青１を示Ｔ！１７１ 第３区 ７フーーコンククｒ不−Ｊし１３ 従Ｌ １ｓのへＩＩ態５．を才、１コ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板（１１）上の絶縁膜（１２）に形成されたコ
ンタクトホール（１３）を埋め込むアルミニウム配線（
１４）を形成するにおいて、 基板全面に形成したアルミニウム膜をアルミニウム（１
４ａ）がコンタクトホール（１３）内とそのまわりにの
み残る如くパターニングし、 前記アルミニウム（１４ａ）を選択的に加熱溶融してコ
ンタクトホール（１３）をアルミニウム（１４ｂ）で埋
め、 次いで所定のアルミニウム配線（１４）を形成すること
を特徴とするアルミニウム配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19203186A JPS6348843A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | アルミニウム配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19203186A JPS6348843A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | アルミニウム配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348843A true JPS6348843A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16284446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19203186A Pending JPS6348843A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | アルミニウム配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06168943A (ja) * | 1991-02-01 | 1994-06-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザ切除波状模様処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592352A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6193650A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19203186A patent/JPS6348843A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592352A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6193650A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06168943A (ja) * | 1991-02-01 | 1994-06-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザ切除波状模様処理方法 |
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