JPS6347971A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は半導体装置、特に余波整流回路をワンチップ内
に構成した半導体装置に関するものである。

（ロ）従来の技術 一般にダイオードブリッジ回路装置を製作する際、複数
のダイオードチップをリードの表裏面に接着し、更に各
チップの表面に別のリードを接着する構成であったり、
更には前記リードの重なりによる短絡や製造法の困難性
の問題を解決した特開昭６０−１０１９５８号公報の如
き構成の半導体装置があった。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 前述の如き構成に於いては、４チツプのダイオードかま
たはカソード・コモンとアノード・コモンのダイオード
チップを使用して構成する必要があり、更には夫々のチ
ップをリードに半田付けする必要があるため、工程数が
多く、また工程が複雑であった。

また前述の構成では各チップの特性を整える必要がある
問題点を有していた。

（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は上述した問題点を解決するために、少なくとも
−導電型の半導体基板（２〉と、該半導体基板（２）内
に形成きれる高不純物濃度の一導電型の分離拡散領域（
３）と、前記半導体基板（２）上に形成される第１の絶
縁膜（４）と、該第１の絶縁膜（４）を介して前記半導
体基板（２）とショットキ接合される第１および第２の
ショットキ接合電極（５）（６）と、該第１および第２
のショットキ接合電極（５）（６）を分離する第２の絶
縁膜（１２）と、前記第１および第２のショットキ接合
電極（５）（６）とショットキ接合する逆導電型のシリ
コン層（１１）と、該シリコンＪＷ（１１）および半導
体基板（２）の底面とオーミンクコンタクトする電極（
１３）（９）とにより解決するものである。

（本）作用 カソード・コモン（またはアノード・コモン）の構成の
ショットキ・バリア・ダイオード（７）（８）を半導体
基板〈２）と第１および第２のショットキ接合電極（５
）（６）で左右対称に形成する。更には前記カソード・
コモン（またはアノード・コモン）の構成のショットキ
・バリア・ダイオード（７）（８）の上に、シリコン層
（１１）を形成することでアノード・コモン（またはカ
ソード・コモン）の構成のダイオード（１４）＜１５）
を左右対称に形成する。

従って夫々のカソード・コモン（アノード・コモン）と
アノード・コモン（カソード・コモン）のダイオード（
７）とり８）、（１４）と（１５）は左右対称の形で、
左右同時に形成されるため左右のダイオード（７）と（
８）、（１４）と（１５）の特性のバラツキを小きくで
きる。

更には１チップ化しであるために集積度が向上し、チッ
プを小型化でき、また各電極と端子間をワイヤーポンド
できるので量産に最適で組立工数を減らせコストを低減
できる。

（へ）実施例 以下に本発明の半導体装置（１）の実施例を図面を参照
しながら詳述する。

先ず第１図に示す如く、Ｎ型の半導体基板（２）と、該
半導体基板（２）内に形成されるＮ“型の分離拡散領域
（３）と、前記半導体基板（２）上に形成される第１の
絶縁膜＜４）と、該第１の絶縁膜（４）を介して前記半
導体基板（２）とショットキ接合きれる第１および第２
のショットキ接合電極（５Ｘ６）とがある。

ここで前記分離拡散領域（３〉はカソード・コモンの形
で形成きれる２つのダイオード（７）（８）をＰＮ接合
分離するものであり、他に絶縁分離等が考えられる。ま
た第１の絶縁膜（４）は例えばＣＶＤ法により形成きれ
るシリコン酸化膜より成る。

本構成は本発明の第１の特徴とする点であり、左右対称
にカソード・コモンの形のダイオード（７）（８）が形
成きれることにある。（またここではアノード・コモン
の形のダイオードを形成しても良い。）つまり第２図に
示す等価回路のノード■、ノード■、ノード■の部分に
よりダイオード（７）（８）が形成きれ、第１および第
２の電極（５）（６）はノード■、ノード■が対応し、
半導体基板（２）の底面部（９）はノード■と対応する
。

従って左右のダイオード（７）（８）を同時に形成する
ために、左右のダイオード（７）（８）の特性が均一に
形成できる。

またここではシールドメタル電極（１０）が反転防止用
に形成され、更にはアニユラ−・リング（３）が形成さ
れている。更には前記第１および第２のショットキ接合
電極（５）（６）は例えばＰ型やＮ型の半導体基板両方
とショットキ接合する金属であるチタンを使用するか、
または第１および第２のショットキ接合電極（５）（６
）を夫々２層構造とし、下層はＮ型の半導体基板（２）
とショットキ接合する金属、上着はＰ型のシリコン層（
１１）とショットキ接合する金属を使用しても良い。

次に前記第１および第２のショットキ接合電極（５）（
６）を分離する第２の絶縁膜（１２）と、前記第１およ
び第２のショットキ接合電極＜５）（６）とショットキ
接合するＰ型のシリコンＪＷ（１１）と、該シリコン層
（１１）および半導体基板（２）の底面とオーミンクコ
ンタクトする電極（１３）（９）とがある。

ここで第２の絶縁膜（１２）はシリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜が考えられ、シリコン！（１１）は予めドープ
されたものを使用し、更にイオン注入等で不純物濃度を
制御している。

本構成は本発明の第２の特徴とする点であり、左右対称
にアノード・コモンの形のダイオード（１４）（１５）
が形成されることにある。（またここではカソード・コ
モンの形のダイオードを形成しても良い。）つまり第２
図に示す等何回路のノード■、ノード■、ノード■の部
分によりダイオード（１４）（１５）が形成され、前記
第１および第２のショットキ接合電極（５）（６）はノ
ード■、ノード■と対応し、シリコン層（１１）とオー
ミックコンタクトする電極（１３）はノード■と対応す
る。

従って左右のダイオード（１４）（１５）を同時に形成
できるため特性が均一にできる。

ここで前記シリコン層はショットキ接合を形成できるも
のであれば良く、レーザ等による再結晶シリコン層でも
、ポリシリコン層でも良い。しかしポリシリコン層の方
が再結晶化等をしない分形成が容易である。

（ト）発明の効果 以上の説明からも明らかな如く、半導体基板（２）と第
１および第２のショットキ接合電極（５）（６）で形成
されたカソード・コモン・ダイオード（７）（８）と、
第１および第２のショットキ接合電極（７）（８）とシ
リコン層（１１）で形成きれたアノード・コモン・ダイ
オード（１４）（１５）を夫々左右対称に形成し、更に
は前記カソード・コモン・ダイオード（７）（８）、ア
ノード・コモン・ダイオード（１４）（１５）は夫々左
右同時に形成きれるために左右のダイオード（７）と（
８）、（１４）と（１５）の特性のバラツキを小さくで
きる。

更には１チップ化しであるために集積度が向上できるた
め、チップを小型化にでき、またワイヤボンディングで
きるため組豆工数を減らせコストを低減できる。

またポリシリコン層（１３）（１４）（１６）を使用し
た場合は再結晶化がない分ショットキ接合を容易にする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例である半導体装置の断面図、第
２図は本発明の等価回路図である。 （１）は半導体装置、　（２）は半導体基板、　り３〉
は分離拡散領域、　（４）はシリコン酸化膜、　（５）
〈６）は第１および第２のショットキ接合電極、（７）
（８）はカソード・コモン・ダイオード、（９）は電極
、　　（１０）はシールドメタル電極、　（１１）はシ
リコン層、（１２）はシリコン酸化膜、（１３〉は電極
、　（１４）Ｕｓ）はアノード・コモン・ダイオードで
ある。 出願人　三洋電機株式会社外１名 代理人　弁理士　西野卓嗣　外１名 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一導電型の半導体基板と、該半導体基
   板内に形成される高不純物濃度の一導電型の分離拡散領
   域と、前記半導体基板上に形成される第１の絶縁膜と、
   該第１の絶縁膜を介して前記半導体基板とショットキ接
   合される第１および第２のショットキ接合電極と、該第
   １および第２のショットキ接合電極を分離する第２の絶
   縁膜と、前記第１および第２のショットキ接合電極とシ
   ョットキ接合する逆導電型のシリコン層と、該シリコン
   層および半導体基板の底面とオーミックコンタクトする
   電極とにより構成することを特徴とした半導体装置。