JPS6347970A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は半導体装置、特に全波整流回路をワンチップ内
に構成した半導体装置に関するものである。

（ロ）従来の技術 一般にグイオードブリッジ回路装置を製作する際、複数
のダイオードチップをリードの表裏面に接着し、更に各
チップの表面に別のリードを接着する構成であったり、
更には前記リードの重なりによる短絡や製造法の困難性
等の問題を解決した特開昭６０−１０１９５８号公報の
如き構成の半導体装置があった。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 前述の如き構成ト於いては、４テツプのダイオードか又
はカソード・コモンとアノード・コモンのダイオードチ
ップを使用して構成する必要があり、更には夫々のチッ
プをリードに半田付けする必要があるため、工程数が多
く、また工程が複雑であった。

また前述の構成では各チップの特性を整える必要がある
問題点を有していた。

（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は上述した問題点を解決するために、少なくとも
一導電型の半導体基板（２）と、該半導体基板（２）内
に形成される逆導電型の第１および第２の拡散領域（３
）（４）と、該第１および第２の拡散領域（３）（４）
とを分離する一導電型の第３の拡散領域（５）と、前記
半導体基板（２）上に形成される第１の絶縁膜（６）と
、該第１の絶縁膜（６）を介して前記第１および第２の
拡散領域（３）（４）と夫々オーミックコンタクトする
第１および第２の電極（７）（８）と、該第１および第
２の電極（７）（８）と夫々オーミックコンタクトする
一導電型の第１および第２のシリコン層（１３）（１４
）と、前記第１の電極（７）と第２の電極（８）および
第１のシリコン層（１３）と第２のシリコン層（１４）
を夫々絶縁分離する第２の絶縁膜（１５）と、前記半導
体基板（２）上に形成し、前記第１および第２のシリコ
ン層（１３）（１４）と接合する逆導電型の第３のシリ
コン層（１６）と、該第３のシリコン層（１６）および
半導体基板の底面とオーミックコンタクトする電極（１
７）（１１）とにより解決するものである。

（＊）作用 カソード・コモン（またはアノード・コモン）の構成の
ダイオード（９）（１０）を半導体基板（２）内に左右
対称に形成する。更には第１の絶縁層（６）および第１
層目の電極（７）（８）を介してアノード・コモン（ま
たはカソード・コモン）の構成のダイオード（１８）（
１９）を左右対称に形成する。

従って半導体基板（２）内のダイオード（９）（１０）
と前記ダイオード（９）（１０）上に形成されるダイオ
ード（１８）（１９）は夫々左右対称の形で、左右同時
に形成きれるため左右のダイオード（９）と（１０）、
（１８）と（１９）の特性のバラツキを小さくできる。

更には１チップ化しであるために集積度が向上できるた
め、チップを小型化にでき、また各電極と端子間をワイ
ヤーポンドできるので量産に最適で組立工数を減らせ、
コストを低減できる。

（へ）実施例 以下に本発明の半導体装置（１）の実施例を図面を参照
しながら詳述する。

先ず第１図に示す如く、Ｎ型の半導体基板（２）と、該
Ｎ型の半導体基板（２）内に形成されるＰ型の第１およ
び第２の拡散領域（３）（４＞と、該第１および第２の
拡散領域（３）（４）を分離するＮ＋型の第３の拡散領
域（５）と、前記半導体基板（２）上に形成される第１
の絶縁膜（６）と、該第１の絶縁膜（６）を介して前記
第１および第２の拡散領域（３）（４＞と夫々オーミッ
クコンタクトする第１および第２の電極（７）（８）と
がある。

ここで前記第１、第２および第３の拡散領域（３）（４
）（５）は例えば熱拡散法やイオン注入法等で形成きれ
、前記第３の拡散領域（５）はＰＮ接合分離であり他に
絶縁分離等が考えられる。また第１の絶縁膜（６）は例
えばＣＶＤ法で形成きれるシリコン酸化膜より成る。

本構成は本発明の第１の特徴とする点であり、左右対称
にカソード・コモンの形のダイオード（９）（１０）が
形成されることにある。（またここではアノード・コモ
ンの形のダイオードを形成しても良い。）つまり第２図
に示す等価回路のノード■、ノード■、ノード■の部分
に形成するダイオード（９）（１０）と対応し、第１お
よび第２の電極（７）（８）はノード■、ノード■と対
応し、半導体基板（２）の底面部（１１）はノード■と
対応する。従って左右のダイオード（９）（１０）を同
時に形成するため、左右のダイオード（９）（１０）の
特性を均一に形成できる。

またここではシールドメタル電極（１２）が反転防止用
に形成され、更にはアニユラ−・リングク５）が形成き
れている。

次に前記第１および第２の電極（７）（８）と夫々オー
ミックコンタクトするＮ型の第１および第２のシリコン
層（１３）（１４）と、前記第１の電極（７）と第２の
電極（８）および第１のシリコン層（１３）と第２のシ
リコン層（１４）を夫々絶縁分離する第２の絶縁膜（１
５）と、前記半導体基板（２）上に形成し、前記第１お
よび第２のシリコン層（１３）（１４）とＰＮ接合する
Ｐ型の第３のシリコン層（１６）と、該第３のシリコン
層（１６）および半導体基板（２）の底面とオーミック
コンタクトする電極（１７）（１１）とがある。

ここで第２の絶縁膜（１５〉はシリコン酸化膜またはシ
リコン窒化膜より成り、シリコン層（１３）（１４）（
１６）は予めドープきれたものを使用し、更にイオオ注
入法により不純物濃度を制御している。

本構成は本発明の第２の特徴とする点であり、左右対称
にアノード・コモンの形のダイオード（１８）（１９）
が形成されることにある。つまり第２図に示す等何回路
のノード■、ノード■、ノード■の部分によりダイオー
ド（１８）（１９）が形成きれ、第１および第２の電極
（７）（８）はノード■、ノード■が対応し、第３のシ
リコン層（１６）とオーミックコンタクトする電極（１
７）がノード■と対応する。

従って左右のダイオード（１８）（１９）を同時に形成
するため、左右のダイオード（１８）（１９）の特性を
均一に形成できる。

ここで前記シリコン層はＰＮ接合を形成できるものであ
れば良く、レーザ等による再結晶シリコン層でも、ポリ
シリコン層でも良い。しかしポリシリコン層の方が再結
晶化等をしない分形成が容易である。

（ト）発明の効果 以上の説明からも明らかな如く、半導体基板（２）内に
形成されたカソード・コモン・ダイオード（９）（１０
）とシリコン層（１３）（１４）（１６）に形成きれた
アノード・コモン・ダイオード（１８）（１９）を左右
対称に形成し、更には前記カソード・コモン・ダイオー
ド（９）（１０）、アノード・コモン・ダイオード（１
８）（１９）は夫々左右同時に形成されるために左右の
ダイオード（９）と（１０）、（１８）と（１９）の特
性のバラツキを小さくできる。

更には１チップ化しであるために集積度が向上できるた
め、チップを小型化にでき、またワイヤポンディングで
きるため組立工数を減らせコストを低減できる。

またポリシリコン層（１３）　（１４）（１６）を使用
した場合はＰＮ接合の形成を容易にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例である半導体装置の断面図、第
２図は本発明の等価回路図である。 （１）は半導体装置、　（２）は半導体基板、　（３）
（４）は第１および第２の拡散領域、　（５）は第３の
拡散領域、　（６）はシリコン酸化膜、　（７）（８）
は第２の電極、（９）（１０）はカソード・コモン・ダ
イオード、　　（１１）は電極、　（１２）はシールド
メタル電極、　（１３）（１４）は第１および第２のシ
リコン層、　　（１５）はシリコン酸化膜、　（１６）
は第３のシリコン層、　　（１７）は電極、　（１Ｂ）
（１９）はアノード・コモン・ダイオードである。 出願人　三洋電機株式会社外１名 代理人　弁理士　西野卓嗣　外１名 第１閃　　　　　■ 第２図　　　　■

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一導電型の半導体基板と、該半導体基
   板内に形成される逆導電型の第１および第２の拡散領域
   と、該第１および第２の拡散領域とを分離する一導電型
   の第３の拡散領域と、前記半導体基板上に形成される第
   １の絶縁膜と、該第１の絶縁膜を介して前記第１および
   第２の拡散領域と夫々オーミックコンタクトする第１お
   よび第２の電極と、該第１および第２の電極と夫々オー
   ミックコンタクトする一導電型の第１および第２のシリ
   コン層と、前記第１の電極と第２の電極および第１のシ
   リコン層と第２のシリコン層を夫々絶縁分離する第２の
   絶縁膜と、前記半導体基板上に形成し、前記第１および
   第２のシリコン層と接合する逆導電型の第３のシリコン
   層と、該第３のシリコン層および半導体基板の底面とオ
   ーミックコンタクトする電極とにより構成することを特
   徴とした半導体装置。