JPS6377152A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （り産業上の利用分野 本発明は半導体装置、特に全波整流回路をワンチップ内
に構成した半導体装置に関するものである。

（ロ）従来の技術 一般にダイオードブリッジ回路装置を製作する際、複数
のダイオードチップをリードの表裏面に接着し、更に各
チップの表面に別のリードを接着する構成であったり、
更には前記リードの重なりによる短絡や製造法の困難性
の問題を解決した特開昭６０−１０１９５８号公報の如
き構成の半導体装置があった。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 前述の如き構成に於いては、４チツプのダイオードかま
たはカソード・コモンとアノード・コモンのダイオード
チップを使用して構成する必要があり、更には夫々のチ
ップをリードに半田付けする必要があるため、工程数が
多く、また工程が複雑であった。

更には前述の構成では各チップの特性を近似させる必要
がある問題点を有していた。

（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は上述した問題点を解決するために、少なくとも
一導電型の半導体基板（２）と、該半導体基板（２）の
−領域内に形成される一導電型の第１および第２拡散領
域（３）（４）と、前記半導体基板（２）の他領域内に
形成される逆導電型の第３および第４拡散領域（５）（
６）と、前記第１と第２拡散領域（３）（４）および第
３と第４拡散領域（５）（６）間に形成きれる第１およ
び第２分離拡散領域（９）（ｔｏ）と、前記第１および
第２拡散領域（３）（４）とショットキ接合する第１お
よび第２ショットキ電極（１１）（１２）と、前記第３
および第４拡散領域（５）（６）とショットキ接合する
第３および第４ショットキ電極（１３）（１４）と、前
記第１ショットキ電極（１１）と第３ショットキ電極（
１３）を電気的に接続する第１を極（１５）と、前記第
２ショットキ電極（１２）と第４ショットキ電極（１４
）を電気的に接続する第２電極（１６）と、前記第１お
よび第２分離拡散領域（９）　（１０）と電気的に接続
する第３および第４電極（１９）（２０）とを具備する
ことで解決するものである。

（＊）作用 アノード・コモンとカソード・コモンの構成のショット
キバリアダイオード（２１）（２２）　（２３）（２４
）を同一基板り２）内に夫々左右対称に形成できるため
左右のダイオード（２１）と（２２）、（２３〉と（２
４〉の特性のバラツキを小さくできる。

更には１チップ化しであるために集積度が向上し、チッ
プを小型化でき、また半導体基板（２）上の電極（１５
）（１６）（１９）（２０）から直接ワンヤボンドでリ
ードに接続可爺となるために量産に最適で組立工数を減
らせコストを低減できる。

（へ）実施例 以下に本発明の半導体装置の実施例を図面を参照しなが
ら詳述する。

先ず図に示す如く、半導体装置（１）はＮ−型の半導体
基板（２）と、該半導体基板（２）の−領域に形成され
るＮ型の第１および第２拡散領域（３）（４）と、前記
半導体基板（２）の他領域内に形成きれるＰ型の第３お
よび第４拡散領域（５）＜６）とがある。

ここでは予め用意されたＮ−型の半導体基板（２）上に
例えば熱酸化法でシリコン酸化膜を形成し、Ｎ型の第１
および第２拡散領域（３）（４）とＰ型の第３および第
４拡散領域（５）（６）を別々にイオン注入法や熱拡散
法で形成する。

形成法としては前記半導体基板（２〉のほぼ半分の領域
に第１図クイ）や第１図く口〉に示す如く、Ｎ型の拡散
領域り７）を形成し、残りの半分の領域に第１図（イ）
や第１図（ハ）に示す如くＰ型の拡散領域（８）を形成
する。その後前記Ｎ型の拡散領域（７）を２分するよう
にＮ＋型の分離拡散領域（９）を形成することで第１お
よび第２拡散領域（３）＜４）が形成される。同様に第
３および第４拡散領域＜５）＜６）もＰ１型の分離拡散
領域（１０）でＰ型の拡散領域り８）を２分して形成さ
れる。

また夫々の分離拡散領域（９）（１０）は前記Ｎ型およ
びＰ型の拡散領域（７）（８）の周辺にも形成されてお
り、アニユラ・リングを形成している。

次に前記Ｎ型の第１および第２拡散領域（３バ４）とシ
ョットキ接合する第１および第２ショットキ電極（１１
）＜１２）と、前記Ｐ型の第３および第４拡散領域（５
）（６）とショットキ接合する第３および第４ショット
キ電極（１３）（ｔ４）とがある。

ここではＮ型の第１および第２拡散領域（３）（４）と
ショットキ接合する金属としては例えばモリブデンが良
く、Ｐ型の第３および第４拡散領域（５）（６）とショ
ットキ接合する金属としては例えばチタンが良い。

更には第１ショットキ電極（１１）と第３ショットキ電
極（１３）を電気的に接続する第１電極（１５）と、前
記第２ショットキ１極（１２）と第４ショットキ電極（
１４）を電気的に接続する第２１！極（１６）とがある
。

ここでは第１図（＊）に示す如く第１および第２電極（
１５）（１６）としては例えばアルミニウム等が考えら
れ、夫々電気的に接続している。

−力木構成では第１ショットキ重極（１１〉と第３ショ
ットキ電極（１３）および第２ショットキ寛極（１２）
と第４ショットキ電極り１４）を電気的に接続している
が別の方法として第１ショットキ電極（１１）と第４シ
ョットキ電極（１４）および第２ショットキ電極（１２
）と第３ショットキ電極（１３）とを電気的に接続して
も良い。

最後に第１図（イ）に示す如く第１電極（１５）および
第２’ＦＥ極（１６）と重なる分離拡散領域（９）（１
０）をのぞいた夫々のＮゝ型の分離拡散領域（１７）お
よびＰ０型の分離拡散領域（１８）と電極的に接続され
る第３電極および第４電極（１９）（２０）とで本発明
は構成される。

本発明の特徴とするところは第２図の如くカソード・コ
モンのダイオード（２１）（２２）およびアノード・コ
モンのダイオード（２３）（２４）が半導体基板（２）
に形成され、左右対称に形成されることにある。

つまり第２図に示す等価回路図のノード■。

ノード■、ノード■の間にダイオード（２１）（２２）
が形成され、ノード■、ノード■、ノード■ｃｙ＞間に
ダイオード（２３）（２４）が形成される。またダイオ
ード（２１＞（２２）は第１および第２拡散領域（３）
（４）に、ダイオード（２３）（２４）は第３および第
４拡散領域（５）＜６）に形成される。

従ってダイオード（２１）（２２＞、ダイオード（２３
）（２４）は夫々開−の工稈で同時に形成されるため夫
々のダイオード（２１）（２２）、（２３）（２４）の
特性は均一に形成できる。

また電極（１５）（１６）（１９）（２０）は半導体基
板（２）上に形成きれるためワイヤボンド等の組立が非
常に簡単になった。

（ト）発明の効果 以上の説明からも明らかな如く、半導体基板（２）上に
同一工程で左右対称に夫々ダイオード（２１）＜２２）
およびダイオード（２３）（２４）が形成されるため特
性を均一に形成できる。

また半導体基板（２）上に電極（１５）（１６）（１９
）（２０）が形成されるため容易にワイヤボンド等がで
き、組立が非常に簡単にできる。

【図面の簡単な説明】

第１図（イ）は本発明の半導体装置の平面図、第１図（
ロ）は第１図（イ）におけるＡ−Ａ’線の断面図、第１
図（ハ〉は第１図（イ）におけるＢ−Ｂ’線の断面図、
第１図（ニ）は第１図（イ）におけるｃ−ｃ’線の断面
図、第１図（＊）は第１図（イ）におけるＤ−Ｄ′線の
断面図、第２図は本発明の半導体装置の等価回路図であ
る。 （１）は半導体装置、　（２）は半導体基板、　（３）
り４）は第１および第２拡散領域、　（５）（６）は第
３および第４拡散領域、　（７）（８）は拡散領域、（
９）（ｔｏ）は分離拡散領域、　（１１）＜１２）は第
１および第２ショットキ電極、　（１３）（１４）は第
３および第４ショットキ電極、　（１５）（１６）は第
１および第２電極、　（１７）（１８）は分離拡散領域
、　（１９）（２０）は第３および第４電極、　（２１
）（２２）はカソード・コモン型のダイオード、（２３
）（２４）はアノード・コモン型のダイオードである。 出願人　三洋電機株式会社外１名 代理人　弁理士　西野卓嗣　外１名 第１１２１イ 第１図口 第１図ハ 第１図二 第１図本

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一導電型の半導体基板と、該半導体基
   板の一領域内に形成される一導電型の第１および第２拡
   散領域と、前記半導体基板の他領域内に形成される逆導
   電型の第３および第４拡散領域と、前記第１と第２拡散
   領域および第３と第４拡散領域間に形成される第１およ
   び第２分離拡散領域と、前記第１および第２拡散領域と
   ショットキ接合する第１および第２ショットキ電極と、
   前記第３および第４拡散領域とショットキ接合する第３
   および第４ショットキ電極と、前記第１ショットキ電極
   と第３ショットキ電極を電気的に接続する第１電極と、
   前記第２ショットキ電極と第４ショットキ電極を電気的
   に接続する第２電極と、前記第１および第２分離拡散領
   域と電気的に接続する第３および第４電極とを具備する
   ことを特徴とした半導体装置。