JPS63314795A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS63314795A JPS63314795A JP62150447A JP15044787A JPS63314795A JP S63314795 A JPS63314795 A JP S63314795A JP 62150447 A JP62150447 A JP 62150447A JP 15044787 A JP15044787 A JP 15044787A JP S63314795 A JPS63314795 A JP S63314795A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、薄ＩＱ Ｅ Ｌ素子に係り、とくに高輝度、
薄膜ＥＬ素子に関する。
薄膜ＥＬ素子に関する。
（従来の技術）
薄１１’ｌｕ Ｅ Ｌ素子は、輝度が高く、粒子性の少
ない等の長所のため、画家表示材料として注目されてい
る。
ない等の長所のため、画家表示材料として注目されてい
る。
薄膜Ｅ Ｌ素子の一般的な構成断面図を第７図に示す。
１はガラス基板、２はガラス基板上ｌに作成された透明
導電膜であって酸化錫等を蒸着により形成する。３は発
光層で、例えば硫化亜鉛に活性物質としてマンガン、銅
等を添加したものを前記透明導電膜２上に蒸着あるいは
気相成長に依って形成する。４はＡ、１等の金属電極で
あり、該金属電極４と前記透明導？ｌ！ｗＡ２との間に
第１絶縁膜５と第２絶縁膜６とを設ける。
導電膜であって酸化錫等を蒸着により形成する。３は発
光層で、例えば硫化亜鉛に活性物質としてマンガン、銅
等を添加したものを前記透明導電膜２上に蒸着あるいは
気相成長に依って形成する。４はＡ、１等の金属電極で
あり、該金属電極４と前記透明導？ｌ！ｗＡ２との間に
第１絶縁膜５と第２絶縁膜６とを設ける。
かかる構造の薄膜ＥＬ素子において、透明導電膜２を一
方の電極とし、金属電極４との間に適度な電界を印加す
ると、発光層３が励起されてＥＬ発光する。この発光は
ガラス基板１を通して外部に導出されていた。
方の電極とし、金属電極４との間に適度な電界を印加す
ると、発光層３が励起されてＥＬ発光する。この発光は
ガラス基板１を通して外部に導出されていた。
（発明が解決使用とする問題点）
しかるに、従来の素子では、発光Ｐ！３でＥＬ発光した
光は放射状に広がるため、透明導電膜２を透過した発光
が、力１１ラス基板１との境界面にて、光が散乱される
、あるいは反射されることにより外部に導出される光の
輝度が低下してしまう。従って、発光Ｎ３でＥＬ発光し
た光は、外部に導出されて時には、約１０％程度の光量
となり、表示のコントラスト等を非常に低下させる問題
が生じていた。
光は放射状に広がるため、透明導電膜２を透過した発光
が、力１１ラス基板１との境界面にて、光が散乱される
、あるいは反射されることにより外部に導出される光の
輝度が低下してしまう。従って、発光Ｎ３でＥＬ発光し
た光は、外部に導出されて時には、約１０％程度の光量
となり、表示のコントラスト等を非常に低下させる問題
が生じていた。
（問題点を解決するための手段及び作用ン本発明はかか
る問題点に関して為されたものであり、発光層と、透明
導電膜と絶縁膜と金属電極とガラス基板とからなる薄膜
ＥＬ素子において、上記基板がセルフォックや凸レンズ
等の集光性を有する基板であることを特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子にある。
る問題点に関して為されたものであり、発光層と、透明
導電膜と絶縁膜と金属電極とガラス基板とからなる薄膜
ＥＬ素子において、上記基板がセルフォックや凸レンズ
等の集光性を有する基板であることを特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子にある。
さらに、上記セルフォックや凸レンズがガラス基板−面
に縦横に無数配してなる薄膜ＥＬ素子を提供することに
ある。
に縦横に無数配してなる薄膜ＥＬ素子を提供することに
ある。
（実施例）
以下本発明素子を図面に基づいて詳述する。
第１図は本発明に係るＦＪ ＩＱ Ｅ Ｌ素子の構成図
を示し、第２図、第３図は第１図のＥ−Ｅ 線矢視断
面構成図を示している。第２図は基板一方の面が凸レン
ズ状である場合の具体例を示し、第３図はセルフォック
である場合の具体例を示している。
を示し、第２図、第３図は第１図のＥ−Ｅ 線矢視断
面構成図を示している。第２図は基板一方の面が凸レン
ズ状である場合の具体例を示し、第３図はセルフォック
である場合の具体例を示している。
先ず、本発明薄膜ＥＬ素子の恭板の一方の面が凸レンズ
形状を配してなる基板の場合について説明する。
形状を配してなる基板の場合について説明する。
第２図に示す如く、本発明に依る基板１０ａは、該基板
のＥＬ全発光透過し、外部に導出される面上に凸レンズ
状の形状を有して成る。
のＥＬ全発光透過し、外部に導出される面上に凸レンズ
状の形状を有して成る。
該凸レンズ形状は、第１図に示す基板１０面上に縦溝に
無数に配されている。また、透明電極２０と接する側の
基板面は平坦面である。
無数に配されている。また、透明電極２０と接する側の
基板面は平坦面である。
薄膜ＥＬ素子の構成は、該基板上に透明導電膜２０を薄
着等により成し、第１絶縁１］Ｑ２１を外透明導電膜上
に形成する。発光層２２は、例えばＺｕＳに活性物質と
してＭｎ、Ｃｕ、Ａｆｆ等を添加してなるものを蒸若あ
るいは気相成長等によって、該第１絶縁膜上に成す。さ
らに、第２絶社膜２３を成し、ＡＩ！等の金属電極２４
を形成する。かかる構造の素子において、透明導電膜２
０を一方の電極とし、金属電極２４との間に電界を印加
すると発光層２２が励起されてＥＬ全発光る。
着等により成し、第１絶縁１］Ｑ２１を外透明導電膜上
に形成する。発光層２２は、例えばＺｕＳに活性物質と
してＭｎ、Ｃｕ、Ａｆｆ等を添加してなるものを蒸若あ
るいは気相成長等によって、該第１絶縁膜上に成す。さ
らに、第２絶社膜２３を成し、ＡＩ！等の金属電極２４
を形成する。かかる構造の素子において、透明導電膜２
０を一方の電極とし、金属電極２４との間に電界を印加
すると発光層２２が励起されてＥＬ全発光る。
この発光は、第１絶縁膜２１を透過し、透明導電膜２０
を透過したのち、前記基Ｆｉ１０３面上に到達する。こ
こで、該ＥＬ全発光、前記基板１０ａを透過する概念を
、１個の凸レンズ部を抽出して説明してなる図である。
を透過したのち、前記基Ｆｉ１０３面上に到達する。こ
こで、該ＥＬ全発光、前記基板１０ａを透過する概念を
、１個の凸レンズ部を抽出して説明してなる図である。
第４図にて示す。
前記透過したＥＬ発先は、第４図に示す如く、放射状の
拡がりをもっている。この放射状の拡がりのため、従来
の素子では第６図に示す如く、ガラス基板１の外部との
境界面で反射されてたり、散乱されたりする。本発明の
凸レンズ形状ガラス基板では、放射状に拡がったＥＬ全
発光ガラス基板心向を透過し凸レンズ形状に達すると該
基板凸レンズ部で光の屈折現象を利用し効率よく外部に
導出できる。
拡がりをもっている。この放射状の拡がりのため、従来
の素子では第６図に示す如く、ガラス基板１の外部との
境界面で反射されてたり、散乱されたりする。本発明の
凸レンズ形状ガラス基板では、放射状に拡がったＥＬ全
発光ガラス基板心向を透過し凸レンズ形状に達すると該
基板凸レンズ部で光の屈折現象を利用し効率よく外部に
導出できる。
また、発光ＪＩ２２内の各部でＥＬ全発光た光は、上記
凸レンズ部が基板に無数に配してなるため、該基板上の
いかなる部位に達した光でも効率良く外部に導出できる
。また該凸レンズ状基板はガラスでも、プラスチックで
も良い。
凸レンズ部が基板に無数に配してなるため、該基板上の
いかなる部位に達した光でも効率良く外部に導出できる
。また該凸レンズ状基板はガラスでも、プラスチックで
も良い。
次に、本発明の素子の基板がセルフォックから成る場合
について説明する。
について説明する。
第３図に示す如くセルフォック基板１０ｂからなる薄１
１’２ＥＬ素子の構成は凸レンズ状の基板の場合と同一
である。
１’２ＥＬ素子の構成は凸レンズ状の基板の場合と同一
である。
該セルフォック基板１０ｂは例えばガラス等の同一材質
で屈折率が任急に異なるセルフォックマイクロレンズあ
るいは屈折率の違う少なくとも２種顛以上の材料からな
る光ファイバー等からなり基板面上は平坦面である。
で屈折率が任急に異なるセルフォックマイクロレンズあ
るいは屈折率の違う少なくとも２種顛以上の材料からな
る光ファイバー等からなり基板面上は平坦面である。
ここで、ＥＬ全発光前記基板１０ｂを透過する概念につ
いて、１個のセルフォック部を抽出して説明してなる図
である第５図にて説明する。
いて、１個のセルフォック部を抽出して説明してなる図
である第５図にて説明する。
透明導電膜２０を透過し、セルフォック１０ｂ内に導入
されてＥＬ発先は、セルフォック内の屈折率の差から第
５図に示す如く屈折率の異なる境界部１０′ｂで反射さ
れる。従って、従来ならば力″″ラス基板外部との境界
面での反射により、光が導出されないという事態が発生
ずるが、本発明ではこうした点は解消され、ＥＬ全発光
効率良く外部に導出できる。
されてＥＬ発先は、セルフォック内の屈折率の差から第
５図に示す如く屈折率の異なる境界部１０′ｂで反射さ
れる。従って、従来ならば力″″ラス基板外部との境界
面での反射により、光が導出されないという事態が発生
ずるが、本発明ではこうした点は解消され、ＥＬ全発光
効率良く外部に導出できる。
また、セルフォック部を基板内に無数配することで、該
基板面の各部に到達したＥＬ全発光、いかなる部位にお
いても効率良く導出できる。
基板面の各部に到達したＥＬ全発光、いかなる部位にお
いても効率良く導出できる。
前記基板内に凸レンズ形状あるいはセルフォック部を配
する方法として、該レンズ、セルフォックの大きさ等に
ついてはＥＬ素子の特性や表示パネルの大小により任意
に選択できる。
する方法として、該レンズ、セルフォックの大きさ等に
ついてはＥＬ素子の特性や表示パネルの大小により任意
に選択できる。
（発明の効果）
以上５゛を述したように本発明８ｉ膜ＥＬ素子は、基板
が築光性を有するために、ＥＬ全発光効率良（外部に導
出できる。
が築光性を有するために、ＥＬ全発光効率良（外部に導
出できる。
また、高輝度のＥＬ素子が提供できることから、低電圧
でも駆動できる効果を有している。
でも駆動できる効果を有している。
第１図は、本発明に係るηＷｈｉＥＬ素子の構成図、第
２．３図は第１図のＥ −Ｅ’線矢視断面構成図、第４
．５図は、第２．３図の拡大図、第６．７図は従来例を
示ず図である。
２．３図は第１図のＥ −Ｅ’線矢視断面構成図、第４
．５図は、第２．３図の拡大図、第６．７図は従来例を
示ず図である。
Claims (1)
- 発光層と、透明導電膜と、第１．２絶縁膜と、金属電
極とガラス基板とから構成してなる薄膜ＥＬ素子におい
て、上記基板がセルフォックや凸レンズ等の集光性を有
する基板であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62150447A JP2670572B2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62150447A JP2670572B2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314795A true JPS63314795A (ja) | 1988-12-22 |
| JP2670572B2 JP2670572B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=15497134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62150447A Expired - Lifetime JP2670572B2 (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2670572B2 (ja) |
Cited By (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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