JPS63312615A

JPS63312615A - セラミツクコンデンサ

Info

Publication number: JPS63312615A
Application number: JP14867987A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Iwatani; 昭一岩谷; Tsukasa Sato; 司佐藤; Setsuo Sasaki; 佐々木　節雄; Shigeru Ito; 滋伊藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1987-06-15
Filing date: 1987-06-15
Publication date: 1988-12-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分！？＞本発明は、遮断器用高圧コンデンサ等に使用されるセラ
ミックコンデンサに関し、セラミック抵抗体で構成され
た電極と備えることにより、インパルス破壊電圧を向上
させたものである。

〈従来の技術〉この種のセラミックコンデンサの従来技術としては、例
えば特開昭５６−４８１２４号公報に記載されたものが
ある。第４図は上記公知文献に記載されたセラミックコ
ンデンサを示し、円柱状誘電体セラミック１の両端面に
電８ｉ２．３を形成すると共に、電極２．３の上に、電
極端子となる補強金属体４．５を、半田付け６．７等の
手段によって、密着して固着した構造となっている。補
強金属体４．５の直径Ｄ１は誘電体セラミック１の直径
りに対しである一定の範囲になるように、直径りより小
さい寸法に設定してあり、それによって書入電体セラミ
ック１の逆圧電効果による機械的破壊を防止できる旨記
載されている。

〈発明が解決しようとする問題点〉しかしながら、上述した従来のセラミックコンデンサは
、補強金属体４．５を電極端子として用いていたので、
補強金属体４−５間に印加されるインパルス電圧が、そ
のまま、誘電体セラミック１にも印加される。このため
、インパルス破壊電圧が低いという問題点かあフた。

く問題点を解決するための手段〉上述する問題点を解決するため、本発明に係るセラミッ
クコンデンサは、セラミック抵抗体で構成された電極を
有することを特徴とする。

〈作用〉電極をセラミック抵抗体で構成すると、インパルス破壊
電圧が金属端子を用いた場合よりも向上する。これは、
電極に印加されるインパルス電圧の一部がセラミック抵
抗体の有する抵抗によって分担されること、セラミック
抵抗体の抵抗値により、インパルス波形の波高点に至る
時間が、金属端子の場合よりも長くなり、コンデンサ全
体として、インパルス波による衝撃が緩和されるためと
推測される。

しかも、セラミック抵抗体は、セラミックコンデンサを
構成している誘電体セラミックと熱膨張係数が近似して
いるので、熱的ストレスが小さくなり、誘電体セラミッ
クの熱的破壊が防止できる。更に、セラミック抵抗体は
硬い焼結体であり、１１体セラミックに対する補強部材
としても作用し、誘電体セラミックの機械的破壊も防止
できる。

〈実施例〉第１図は本発明に係るセラミックコンデンサの正面図で
ある。この実施例では、円柱状誘電体セラミック１の両
端面にＡｇ等でなる導体２．３を被着形成すると共に、
導体２．３の上に、セラミック抵抗体８．９を、導電性
接着剤６．７によって密着して固着し、導体２．３及び
セラミック抵抗体８．９によって、電極を形成しである
。

セラミック抵抗体８．９としては、例えば（Ｂａｌｌ：
ａ）Ｔｉ０３−Ｙ２Ｏ２−５ｉ０２等のＢａＴｉＯｓ系
セラミックの半導体セラミックが適当である。セラミッ
ク抵抗体８．９の直径Ｄ１は、特開昭５６−４８１２４
号公報に記載するように、誘電体セラミック１の直径り
に対しである一定の範囲になるように、直径りより小さ
い寸法に設定する。

誘電体セラミック１としては例えばＢａＴｉ０．−５ｒＴｉＯ３−Ｂｉ２Ｏ，、ｘＴｉＯ３
系セラミックが使用できる。

上述のように、セラミック抵抗体８．９によって電極を
構成すると、インパルス破壊電圧が金属端子の場合より
も向上する。次に具体的データを挙げる。

第１図においてＢａＴｉＯ３−５ｒＴｉＯ３−Ｂｉ、０
３．ｘＴｉＯ。

系の円柱状誘電体セラミック１の相対向する両端面に、
Ａｇでなる導体２．３を焼ぎ付けし、導体２．３の表面
に、それよりは小面積で、半導体セラミックでなるセラ
ミック抵抗体８．９を導電性接着剤６．７によって固着
した。この基本構造を同じくし、セラミック抵抗体８．
９として、抵抗値が５０Ω、１００Ω、２５０Ω、５０
０Ω、２．５にΩ、ＩＯＫΩ、５０にΩ、２５０にΩで
ある８種類のサンプルＡ１〜Ａ６を用意したゆ一方、こ
れとは別に、誘電体セラミック１の相対向する両端面に
、導体２．３を焼き付けし、導体２．３の表面に、金属
でなる電極端子を半田付けした従来のセラミックコンデ
ンサのサンプルＢ１を用意した。誘電体セラミック１、
導体２．３及び導体２．３に対する電極端子の直径等は
、サンプルＡ、−Ａ、と同一にした。なお、サンプルＡ
１〜Ａ８、Ｂ、はそれぞれ３個づつ用意した。

上記のサンプルＡＩ〜Ａ♂、Ｂ、を４にｇ／ｃｍ２のＳ
Ｆ６ガス中に入れて、電極端子間にインパルス電圧を印
加した。第２図にインパルス発生回路を示し、第３図に
各サンプルＡ、”’Ａ♂及びＢ１のインパルス破壊電圧
特性を示しである。第２図のインパルス発生回路におけ
る各回路定数は次の通りである。

Ｃ；直流コンデンサ　　　　　　０．５μＦｒ；充電抵
抗　　　　　　　　　４０にΩｒ１　；充電抵抗　　　
　　　　　　４０にΩｒ２　；充電抵抗　　　　　　　
　　４０にΩＲ５宣　；制動兼直列抵抗　　　　　　　
１０ΩＲ５２；外付直列抵抗　　　　　　　３００ΩＲ
ｏ　；放電抵抗　　　　　　　　　７２０ΩＣｏ　；波
形調整用コンデンサ　　０．００５μＦｇ、−始動球間
隙　　　　　　φ　６２゜５半球ｇ　；直列放電間隙　
　　　　φ　６２．５半球ｈ　；分圧器　　　　　　　
　　　　５にΩＣ１：サージ吸収用コンデンサ　　０．
１　μＦ第３図に示すように、従来品たるサンプルＢｌ
ではインパルス破壊電圧が２０Ｋｖ前後であるが、本発
明に係るサンプルＡ、〜Ａ８では５０Ｋｖ以上のインパ
ルス破壊電圧が得られる。インパルス破壊電圧は、セラ
ミック抵抗体８．９を構成する半導体セラミックの抵抗
値が大きくなる程、高くなる傾向にあり、５０にΩの半
導体セラミックでなるセラミック抵抗体８．９を有する
サンプルＡ７では、２００Ｋｖ程度の非常に高いインパ
ルス破壊電圧が得られている。

セラミック抵抗体を誘電体セラミック１の片面、特に高
圧が印加される側に限って設けた場合でも、インパルス
破壊電圧は向上する。ただし、機械的強度補強という観
点から、実施例に示したように、両端面に設けるのが望
ましい。

〈発明の効果〉以上述べたように、本発明に係るセラミックコンデンサ
は、セラミック抵抗体で構成された電極を有することを
特徴とするから、次のような効果が得られる。

（ａ）インパルス破壊電圧の高いセラミックコンデンサ
を１是供することができる。

（ｂ）熱的ストレスが小さく、誘電体セラミックの熱的
破壊を防止し得るセラミックコンデンサを提供できる。

（Ｃ）セラミック抵抗体をＢ電体セラミックに対する補
強部材として兼用し、誘電体セラミックの機械的破壊を
防止し得るようにしたセラミックコンデンサを提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るセラミックコンデンサの正面図、
第２図はインパルス発生回路図、第３図は各サンプルの
インパルス破壊電圧データ図、第４図は従来のセラミッ
クコンデンサの正面図である。１・・・誘電体セラミック２．３・・・導体８．９°・・・セラミック抵抗体特許出願人　　　　ティーディーケイ株式会社第１図第２図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）セラミック抵抗体で構成された電極を有すること
を特徴とするセラミックコンデンサ。
（２）前記セラミック抵抗体は半導体セラミックでなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のセラミ
ックコンデンサ。
（３）前記セラミック抵抗体で構成された前記電極は、
少なくとも高圧印加側に設けたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項に記載のセラミックコンデ
ンサ。
（４）前記セラミック抵抗体は、誘電体セラミック上に
被着させた導体の面上に固着したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項、第２項または第３項に記載のセラミ
ックコンデンサ。
（５）前記セラミック抵抗体は前記導体より小面積とし
て前記導体上に固着したことを特徴とする特許請求の範
囲第２項に記載のセラミックコンデンサ。