JPH01302714A - 高圧磁器コンデンサ - Google Patents
高圧磁器コンデンサInfo
- Publication number
- JPH01302714A JPH01302714A JP63132230A JP13223088A JPH01302714A JP H01302714 A JPH01302714 A JP H01302714A JP 63132230 A JP63132230 A JP 63132230A JP 13223088 A JP13223088 A JP 13223088A JP H01302714 A JPH01302714 A JP H01302714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- dielectric
- voltage
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 20
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 41
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 22
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/20—Arrangements for preventing discharge from edges of electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ＋産業上の利用分野
この発明は高電圧の印加される高圧磁器コンデンサに関
する。
する。
（ｂｌ従来の技術
一般に、チタン酸バリウムなどの誘電体セラミクスは誘
電率が高く、ｔａｎδが小さいため小型でありながら比
較的大容量で高耐圧のコンデンサを得ることができ、従
来よりたとえばしゃ断器のサージ吸収用コンデンサなど
電力機器用としても利用されている。
電率が高く、ｔａｎδが小さいため小型でありながら比
較的大容量で高耐圧のコンデンサを得ることができ、従
来よりたとえばしゃ断器のサージ吸収用コンデンサなど
電力機器用としても利用されている。
第３図と第４図はこのような従来の電力機器用コンデン
ナの断面構造を示している。
ナの断面構造を示している。
第３図において１は円柱状の誘電体セラミクス素体であ
り、その上面に銀電極２、下面に銀電極３をそれぞれ形
成している。図示のとおり電極２．３の直径を素体１の
直径より若干小さくすることにより、電極２．３の端部
間における沿面距離を長くして沿面放電に対する耐電圧
特性を向上させている。電極２の中央部には外部端子８
を導電性接着剤１３を介して接合している。同様に電極
３の中央部には外部端子９を導電性接着剤１４を介して
接合している。さらに誘電体セラミクス素体１の周囲に
絶縁樹脂１２をモールドしている。
り、その上面に銀電極２、下面に銀電極３をそれぞれ形
成している。図示のとおり電極２．３の直径を素体１の
直径より若干小さくすることにより、電極２．３の端部
間における沿面距離を長くして沿面放電に対する耐電圧
特性を向上させている。電極２の中央部には外部端子８
を導電性接着剤１３を介して接合している。同様に電極
３の中央部には外部端子９を導電性接着剤１４を介して
接合している。さらに誘電体セラミクス素体１の周囲に
絶縁樹脂１２をモールドしている。
端子８．９には雌ネジが切られていて、リード線を接続
したり、他の同一形状のコンデンサを直列接続して使用
される。
したり、他の同一形状のコンデンサを直列接続して使用
される。
また、第４図に示すコンデンサは第３図に示したコンデ
ンサとほぼ同様の構造であるが、異なる点は、電極１７
．１８の材料としてアルミニウムを使用し、電極端縁上
にホウケイ酸鉛ガラスを主成分とするガラス１５．１６
をリング状に融着させていることである。このように電
極の端縁部にガラス部を形成したことによって沿面放電
に対する耐電圧性を向上させている。また、ガラス部１
５．１６は絶縁樹脂１２より比較的誘電率が高いため、
電極端部の電界集中が緩和され、これにより電極端部付
近における誘電体セラミクス素体の絶縁破壊電圧を向上
させている。
ンサとほぼ同様の構造であるが、異なる点は、電極１７
．１８の材料としてアルミニウムを使用し、電極端縁上
にホウケイ酸鉛ガラスを主成分とするガラス１５．１６
をリング状に融着させていることである。このように電
極の端縁部にガラス部を形成したことによって沿面放電
に対する耐電圧性を向上させている。また、ガラス部１
５．１６は絶縁樹脂１２より比較的誘電率が高いため、
電極端部の電界集中が緩和され、これにより電極端部付
近における誘電体セラミクス素体の絶縁破壊電圧を向上
させている。
（Ｃ）発明が解決しようとする課題
ところが、前述の従来の高圧磁器コンデンサにおいては
次に述べる解決すべき課題があった。
次に述べる解決すべき課題があった。
コンデンサの破壊電圧を測定する方法としては、単体の
被測定用コンデンサの外部端子間に高電圧インパルスを
印加し、その電圧を徐々に上昇させて、破壊試験を行う
方法と、多数の被測定用コンデンサを直並列接続し、こ
のコンデンサ回路の二端子間に高電圧インパルスを印加
し、その電圧を徐々に上昇させて破壊試験を行う方法と
がある。ところが、このようにコンデンサを多数個直並
列に接続して求めたコンデンサ１個当りの破壊電圧値は
コンデンサ単体で測定した場合の破壊電圧値より低くな
る場合があった。この現象は電極と外部端子との接合に
特定の導電性接着剤を用いた場合に発生し、特殊な成分
および配合比で作成した導電性接着剤を用いた場合では
顕著には現れなかった。
被測定用コンデンサの外部端子間に高電圧インパルスを
印加し、その電圧を徐々に上昇させて、破壊試験を行う
方法と、多数の被測定用コンデンサを直並列接続し、こ
のコンデンサ回路の二端子間に高電圧インパルスを印加
し、その電圧を徐々に上昇させて破壊試験を行う方法と
がある。ところが、このようにコンデンサを多数個直並
列に接続して求めたコンデンサ１個当りの破壊電圧値は
コンデンサ単体で測定した場合の破壊電圧値より低くな
る場合があった。この現象は電極と外部端子との接合に
特定の導電性接着剤を用いた場合に発生し、特殊な成分
および配合比で作成した導電性接着剤を用いた場合では
顕著には現れなかった。
多数個のコンデンサを直並列接続して測定した場合にコ
ンデンサ１個当りの破壊電圧値が低くなる原因としては
、特に波頭長の非常に短いインパルス電圧を印加した際
、導電性接着剤中の樹脂成分による抵抗値が急激に低下
し、電極と外部端子間の導電性接着剤部分で負担してい
た分圧値が低下し、その分誘電体セラミクス素体を挟む
２つの電極間の印加電圧が上昇することなどによって各
部の電圧分担に不均衡が生じ、最も印加電圧の高くなっ
たコンデンサが絶縁破壊に至るためであると考えられる
。
ンデンサ１個当りの破壊電圧値が低くなる原因としては
、特に波頭長の非常に短いインパルス電圧を印加した際
、導電性接着剤中の樹脂成分による抵抗値が急激に低下
し、電極と外部端子間の導電性接着剤部分で負担してい
た分圧値が低下し、その分誘電体セラミクス素体を挟む
２つの電極間の印加電圧が上昇することなどによって各
部の電圧分担に不均衡が生じ、最も印加電圧の高くなっ
たコンデンサが絶縁破壊に至るためであると考えられる
。
電極に対して外部端子を半田付けによって接合できれば
上述の問題は生じないが、第４図に示した破壊電圧の高
いコンデンサは電極としてアルミニウムなどの卑金属を
用いているため半田付けを行うことができなかった。な
お、第３図に示した銀電極タイプのコンデンサに第４図
に示したガラス処理を施すことも考えられるが、卑金属
電極にガラス処理を施す場合に比較してインパルス耐電
圧性が殆ど向上しない。
上述の問題は生じないが、第４図に示した破壊電圧の高
いコンデンサは電極としてアルミニウムなどの卑金属を
用いているため半田付けを行うことができなかった。な
お、第３図に示した銀電極タイプのコンデンサに第４図
に示したガラス処理を施すことも考えられるが、卑金属
電極にガラス処理を施す場合に比較してインパルス耐電
圧性が殆ど向上しない。
この発明の目的は多数のコンデンサを直並列に接続して
大容量高耐圧のコンデンサとして用いる場合でも、コン
デンサ１個当りの破壊電圧値の低下を防止した高圧磁器
コンデンサを提供することにある。
大容量高耐圧のコンデンサとして用いる場合でも、コン
デンサ１個当りの破壊電圧値の低下を防止した高圧磁器
コンデンサを提供することにある。
（ｄ１課題を解決するための手段
この発明は、誘電体セラミクス素体に、対向する２つの
電極を形成した磁器コンデンサにおいて誘電体セラミク
ス素体の表面部で電極の端縁部近傍に還元領域を形成す
るとともに、前記電極を銀材料により形成し、この電極
に外部端子を半田付けしたことを特徴としている。
電極を形成した磁器コンデンサにおいて誘電体セラミク
ス素体の表面部で電極の端縁部近傍に還元領域を形成す
るとともに、前記電極を銀材料により形成し、この電極
に外部端子を半田付けしたことを特徴としている。
（８１作用
この発明の高圧磁器コンデンサにおいては、電極端縁部
近傍に位置する誘電体セラミクス素体の表面部に還元領
域が形成されている。この誘電体セラミクスの還元され
た領域はキャリアが存在するため他の領域に比較して抵
抗率が低い。この抵抗率の低い領域が電極の端縁部に存
在するため、電極端縁部における電界の集中が緩和され
、電位傾度が低く抑えられる。したがってコンデンサ全
体として高い絶縁耐力を備えている。また、電極として
銀材料を用い外部端子を半田付けしているため、電極と
外部端子との接合状態は安定していて、導電性接着剤に
よる不安定性がない。
近傍に位置する誘電体セラミクス素体の表面部に還元領
域が形成されている。この誘電体セラミクスの還元され
た領域はキャリアが存在するため他の領域に比較して抵
抗率が低い。この抵抗率の低い領域が電極の端縁部に存
在するため、電極端縁部における電界の集中が緩和され
、電位傾度が低く抑えられる。したがってコンデンサ全
体として高い絶縁耐力を備えている。また、電極として
銀材料を用い外部端子を半田付けしているため、電極と
外部端子との接合状態は安定していて、導電性接着剤に
よる不安定性がない。
（ｆ）実施例
第１図はこの発明の実施例である高圧磁器コンデンサの
断面構造を示す図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は同コンデン
サの製造時の各工程における構造を示す斜視図である。
断面構造を示す図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は同コンデン
サの製造時の各工程における構造を示す斜視図である。
第１図において１はＢ ａ Ｔ ｉ ０３系、ＳｒＴｉ
０３系からなる円柱状の誘電体セラミクス素体、２，３
は素体１の上下面に形成した銀電極である。これらの電
極２，３はその直径が素体１の直径より小さく、その端
縁部上に還元剤層４，５をリング状に形成しでいる。こ
れらの還元剤層４，５近傍の素体１の表面部に誘電体セ
ラミクスの還元領域６，７をそれぞれリング状に形成し
ている。
０３系からなる円柱状の誘電体セラミクス素体、２，３
は素体１の上下面に形成した銀電極である。これらの電
極２，３はその直径が素体１の直径より小さく、その端
縁部上に還元剤層４，５をリング状に形成しでいる。こ
れらの還元剤層４，５近傍の素体１の表面部に誘電体セ
ラミクスの還元領域６，７をそれぞれリング状に形成し
ている。
電極２の中央部には外部電極８を半田層１０を介して半
田付けし、ている。同様に電極３の中央部には外部電極
９を半田層１１を介して半田付けしている。さらに外部
電極８，９の一部を除く他の外表面に絶縁樹脂１２モー
ルドしている。
田付けし、ている。同様に電極３の中央部には外部電極
９を半田層１１を介して半田付けしている。さらに外部
電極８，９の一部を除く他の外表面に絶縁樹脂１２モー
ルドしている。
第１図に示した高圧磁器コンデンサを具体的には次のよ
うにして製造した。
うにして製造した。
まず恨わ）末を主成分とし、ガラスフリットなどを含む
導電ペーストを第２図（Ａ）に示すように、素体１の直
径より所定寸法だけ内側の範囲にスクリーン印刷法によ
り塗布した。これを約１５０°Ｃの温度で加熱乾燥させ
た後、通過時間が１０〜１５時間で最高温度８６０℃の
炉に入れて銀電極を形成した。
導電ペーストを第２図（Ａ）に示すように、素体１の直
径より所定寸法だけ内側の範囲にスクリーン印刷法によ
り塗布した。これを約１５０°Ｃの温度で加熱乾燥させ
た後、通過時間が１０〜１５時間で最高温度８６０℃の
炉に入れて銀電極を形成した。
つづいて、卑金属粉としてたとえばアルミニウム粉約８
０ｗｔ％、ホウケイ酸鉛ガラス約２０ｗｔ％などを主成
分とするペーストを外径が電極径より大きく、内径が電
極径より小さい範囲でリング状に塗布し、約１５０°Ｃ
で加熱乾燥させた。そ ′の後、通過時間約２時間最
高温度８３０〜８６０°にの炉に入れて焼き付Ｌ３るこ
とによって第２図（Ｂ）に示すようにリング状の還元剤
層４．５を形成した。この焼き付は時にペースト中乙こ
含まれているアルミニウム粉がベース１−の塗布されて
いる誘電体セラミクス素体表面部を局部的に還元し、リ
ング状の還元領域６，７を形成する。なお、アルミニウ
ム粉はホウケイ酸鉛ガラスによって空気中からしゃ断さ
れているため、空気中の酸素によるアルミニウム粉の酸
化反応は殆ど進行しない。
０ｗｔ％、ホウケイ酸鉛ガラス約２０ｗｔ％などを主成
分とするペーストを外径が電極径より大きく、内径が電
極径より小さい範囲でリング状に塗布し、約１５０°Ｃ
で加熱乾燥させた。そ ′の後、通過時間約２時間最
高温度８３０〜８６０°にの炉に入れて焼き付Ｌ３るこ
とによって第２図（Ｂ）に示すようにリング状の還元剤
層４．５を形成した。この焼き付は時にペースト中乙こ
含まれているアルミニウム粉がベース１−の塗布されて
いる誘電体セラミクス素体表面部を局部的に還元し、リ
ング状の還元領域６，７を形成する。なお、アルミニウ
ム粉はホウケイ酸鉛ガラスによって空気中からしゃ断さ
れているため、空気中の酸素によるアルミニウム粉の酸
化反応は殆ど進行しない。
この焼き付は工程によって形成される還元領域６．７の
絶縁体積抵抗率は１０８Ω・ｃｍ以下となり、還元前の
１０１２〜１０１４Ω・ｃｍに比較して大幅に低下する
。
絶縁体積抵抗率は１０８Ω・ｃｍ以下となり、還元前の
１０１２〜１０１４Ω・ｃｍに比較して大幅に低下する
。
その後、第２図（Ｃ）に示すように電極２．３の中央部
に外部端子８，９をそれぞれ半田付けし、樹脂モールド
１２を施して高圧磁器コンデンサを製造した。
に外部端子８，９をそれぞれ半田付けし、樹脂モールド
１２を施して高圧磁器コンデンサを製造した。
以上に示したこの発明の実施例によるコンデンサと第３
図および第４図に示した従来のコンデンサについて絶縁
破壊試験を行った結果を次の表に示す。
図および第４図に示した従来のコンデンサについて絶縁
破壊試験を行った結果を次の表に示す。
表
ここで各数値は、銀電極を用い導電性接着剤により外部
端子を接続してなる第３図に示したコンデンサを個別に
絶縁破壊試験を行って得られた破壊電圧値を１としたと
きの電圧比を示している。
端子を接続してなる第３図に示したコンデンサを個別に
絶縁破壊試験を行って得られた破壊電圧値を１としたと
きの電圧比を示している。
また−括試験による値は複数のコンデンサを直並列接続
して破壊試験を行ったときのコンデンサ１個あたりの絶
縁破壊電圧に換算した後の電圧比を示している。
して破壊試験を行ったときのコンデンサ１個あたりの絶
縁破壊電圧に換算した後の電圧比を示している。
このようにこの発明の実施例によるコンデンサにおいて
は、単体で用いる場合の絶縁破壊電圧はアルミニウム電
極にガラス処理を施してなる第４図に示したタイプのコ
ンデンサとほぼ同様の絶縁耐力が得られ、しかも多数の
コンデンサを直並列接続した状態で使用しても、コンデ
ンサ１個当りの絶縁破壊電圧は個別試験により求めた値
とほぼ同程度の値となる。
は、単体で用いる場合の絶縁破壊電圧はアルミニウム電
極にガラス処理を施してなる第４図に示したタイプのコ
ンデンサとほぼ同様の絶縁耐力が得られ、しかも多数の
コンデンサを直並列接続した状態で使用しても、コンデ
ンサ１個当りの絶縁破壊電圧は個別試験により求めた値
とほぼ同程度の値となる。
なお、実施例では還元剤として用いるペーストの主成分
にアルミニウム粉を用いたが、例えば銅など酸化性の強
い他の金属粉末を用いることもできる。また、実施例で
は還元領域を形成した後に外部端子を半田付けした例で
あったが、還元剤層の焼き付は時に同時に外部端子を半
田付けすることも可能である。
にアルミニウム粉を用いたが、例えば銅など酸化性の強
い他の金属粉末を用いることもできる。また、実施例で
は還元領域を形成した後に外部端子を半田付けした例で
あったが、還元剤層の焼き付は時に同時に外部端子を半
田付けすることも可能である。
（ｇ１発明の効果
以上のようにこの発明によれば、電極として恨材料を用
い、電極に外部端子を半田付けしたことにより、電極と
外部端子間の接合部に加わる電圧に係わらずその接合状
態が安定であるため、多数のコンデンサを直並列接続し
た状態で用いても破壊電圧の低下を防止することができ
る。しかも電極端縁部の近傍に位置する誘電体セラミク
ス素体の表面部に形成されている還元領域は他の素体領
域と比較してその絶縁抵抗率が低いため、電極端縁部に
おける電位傾度が緩和され、誘電体セラミクス素体の絶
縁破壊電圧が向上する。
い、電極に外部端子を半田付けしたことにより、電極と
外部端子間の接合部に加わる電圧に係わらずその接合状
態が安定であるため、多数のコンデンサを直並列接続し
た状態で用いても破壊電圧の低下を防止することができ
る。しかも電極端縁部の近傍に位置する誘電体セラミク
ス素体の表面部に形成されている還元領域は他の素体領
域と比較してその絶縁抵抗率が低いため、電極端縁部に
おける電位傾度が緩和され、誘電体セラミクス素体の絶
縁破壊電圧が向上する。
第１図はこの発明の実施例である高圧磁器コンデンサの
構造を表す断面図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は同コンデン
サの製造時の各工程における状態を示す斜視図である。 また、第３図と第４図はそれぞれ従来の高圧磁器コンデ
ンサの構造を表す断面図である。 １−誘電体セラミクス素体、 ２．３−電極、 ４．５−還元剤層、 ６．７−還元領域、 ８．９−外部端子、 １０．１１−半田層、 １２−絶縁樹脂。 出願人 株式会社 村田製作所
構造を表す断面図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は同コンデン
サの製造時の各工程における状態を示す斜視図である。 また、第３図と第４図はそれぞれ従来の高圧磁器コンデ
ンサの構造を表す断面図である。 １−誘電体セラミクス素体、 ２．３−電極、 ４．５−還元剤層、 ６．７−還元領域、 ８．９−外部端子、 １０．１１−半田層、 １２−絶縁樹脂。 出願人 株式会社 村田製作所
Claims (1)
- （１）誘電体セラミクス素体に、対向する２つの電極を
形成した磁器コンデンサにおいて、 誘電体セラミクス素体の表面部で電極の端縁部近傍に還
元領域を形成するとともに、前記電極を銀材料により形
成し、この電極に外部端子を半田付けしたことを特徴と
する高圧磁器コンデンサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132230A JPH01302714A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 高圧磁器コンデンサ |
| US07/357,545 US4939620A (en) | 1988-05-30 | 1989-05-26 | High-voltage ceramic capacitor and method of its manufacture |
| DE3917417A DE3917417C2 (de) | 1988-05-30 | 1989-05-29 | Keramischer Hochspannungskondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132230A JPH01302714A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 高圧磁器コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302714A true JPH01302714A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15076417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63132230A Pending JPH01302714A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 高圧磁器コンデンサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4939620A (ja) |
| JP (1) | JPH01302714A (ja) |
| DE (1) | DE3917417C2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3331953B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2002-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高圧コンデンサ |
| JP3458837B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2003-10-20 | 株式会社村田製作所 | パルス発生用コンデンサ |
| MY163624A (en) | 2009-12-31 | 2017-10-13 | Specscan Sdn Bhd | Low inductance integrel capacitor assembly |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3047782A (en) * | 1958-11-13 | 1962-07-31 | Speer Carbon Company Inc | Capacitor |
| US3133338A (en) * | 1962-01-29 | 1964-05-19 | Sprague Electric Co | Process for forming ceramic capacitors |
| US3426250A (en) * | 1966-08-01 | 1969-02-04 | Sprague Electric Co | Controlled reduction and reoxidation of batio3 capacitors and resulting capacitor |
| US3946290A (en) * | 1973-10-09 | 1976-03-23 | Tdk Electronics Co. Ltd. | High tension ceramic condenser |
| JPS5389962A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-08 | Murata Manufacturing Co | Capacitor employing semiconductor ceramic with insulating grain boundary |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP63132230A patent/JPH01302714A/ja active Pending
-
1989
- 1989-05-26 US US07/357,545 patent/US4939620A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-29 DE DE3917417A patent/DE3917417C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3917417A1 (de) | 1989-12-07 |
| DE3917417C2 (de) | 1996-12-19 |
| US4939620A (en) | 1990-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0059851B1 (en) | An electroconductive paste to be baked on ceramic bodies to provide capacitors, varistors or the like | |
| JPS6339089B2 (ja) | ||
| JP4428852B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JPH04188810A (ja) | 複合セラミックコンデンサ | |
| CA1118507A (en) | Ceramic capacitor with surface electrodes | |
| JP3391325B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPH01302714A (ja) | 高圧磁器コンデンサ | |
| JPH06112085A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2000216046A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPH09190950A (ja) | 電子部品の外部電極 | |
| JPS6129133B2 (ja) | ||
| JPH03296205A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPH07263272A (ja) | 積層電子部品の製造方法 | |
| JPS5844789A (ja) | プリント配線板に誘電体を形成する方法 | |
| JPS6015275Y2 (ja) | 複合厚膜バリスタ | |
| JPS6031244Y2 (ja) | 複合部品 | |
| JPS6032752Y2 (ja) | 複合部品 | |
| JP3003362B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器素子 | |
| JPS6055976B2 (ja) | 半導体粒界絶縁型積層磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPS6020920Y2 (ja) | 複合部品 | |
| JPH0217619A (ja) | チップ状電子部品 | |
| JP3003369B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器素子 | |
| JP2975806B2 (ja) | メッキ電極を有する電子部品及びその製造方法 | |
| JPH04273417A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0237083B2 (ja) |