JPS6331114A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPS6331114A JPS6331114A JP17363986A JP17363986A JPS6331114A JP S6331114 A JPS6331114 A JP S6331114A JP 17363986 A JP17363986 A JP 17363986A JP 17363986 A JP17363986 A JP 17363986A JP S6331114 A JPS6331114 A JP S6331114A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 10
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、化合物半導体上に高融点金属シリサイドより
成るショットキー電極を有することを特徴とする化合物
半導体装置の製造方法に関する。
成るショットキー電極を有することを特徴とする化合物
半導体装置の製造方法に関する。
従来ＧａＡｓ基板上への高融点金属シリサイド膜の形成
にはスパッタ法が広く用いられている（特開昭５７−１
１３２８９） 、この場合、シリサイドをターゲットと
して使用するほか、シリコン（Ｓｉ）と高融点金属の単
体ターゲットを使用し、同時或いは交互スパッタ堆積す
る方法が考えられ、後者によれば、より純度の高いシリ
サイド膜を形成することができる。ところで近年ＤＣマ
グネトロンスパッタ法による堆積時の基板の損傷の少な
い堆積法が主流となりつつあるが、前記高融点金属シリ
サイドの形成において高純度シリコンターゲットを使用
する場合、該シリコンターゲットの電気伝導度が低いた
め、該ＤＣマグネトロンスパッタ法が使用できなかった
。
にはスパッタ法が広く用いられている（特開昭５７−１
１３２８９） 、この場合、シリサイドをターゲットと
して使用するほか、シリコン（Ｓｉ）と高融点金属の単
体ターゲットを使用し、同時或いは交互スパッタ堆積す
る方法が考えられ、後者によれば、より純度の高いシリ
サイド膜を形成することができる。ところで近年ＤＣマ
グネトロンスパッタ法による堆積時の基板の損傷の少な
い堆積法が主流となりつつあるが、前記高融点金属シリ
サイドの形成において高純度シリコンターゲットを使用
する場合、該シリコンターゲットの電気伝導度が低いた
め、該ＤＣマグネトロンスパッタ法が使用できなかった
。
本発明は、前記従来の問題点を克服する、化合物半導体
基板上への高融点金属シリサイド膜の形成方法を提供す
ることにある。
基板上への高融点金属シリサイド膜の形成方法を提供す
ることにある。
以下に化合物半導体基板としてＧ ａ Ａ ｓを使用し
た場合について説明する９この場合、ガリウム（Ｇａ）
、ヒ素（Ａｓ、）の一方或いは両方がドープされたｐ塑
成いはｎ型のＳｉターゲット、及び高融点金属ターゲッ
トを使用することにより、両ターゲットについてＤＣマ
グネトロンスパッタが可能となり、堆積時の基板への影
響が少なくかつ膜中のＧａ、Ａｓ以外の不純物濃度の小
さいシリサイド膜を形成することができる。この方法に
よると、膜中の主な不純物はＧａ、Ａｓとなる。しかし
膜中のＧａやＡｓは、ゲート電極材料の堆積後の熱処理
の際のＧ’ａやＡｓの該ゲート電極材料中への拡散を抑
制し、ゲート電極下の導電層、いわゆる能動層への影響
を低減する。
た場合について説明する９この場合、ガリウム（Ｇａ）
、ヒ素（Ａｓ、）の一方或いは両方がドープされたｐ塑
成いはｎ型のＳｉターゲット、及び高融点金属ターゲッ
トを使用することにより、両ターゲットについてＤＣマ
グネトロンスパッタが可能となり、堆積時の基板への影
響が少なくかつ膜中のＧａ、Ａｓ以外の不純物濃度の小
さいシリサイド膜を形成することができる。この方法に
よると、膜中の主な不純物はＧａ、Ａｓとなる。しかし
膜中のＧａやＡｓは、ゲート電極材料の堆積後の熱処理
の際のＧ’ａやＡｓの該ゲート電極材料中への拡散を抑
制し、ゲート電極下の導電層、いわゆる能動層への影響
を低減する。
化合物半導体基板としてＩｎＰを使用した場合は、Ｉｎ
、Ｐの一方或いは両方の添加されたＳｉターゲットを使
用すればよい。
、Ｐの一方或いは両方の添加されたＳｉターゲットを使
用すればよい。
第１図をもとに本発明の実施例を示す。半絶縁性Ｇ ａ
Ａ ｓ基板１に膜厚５ｏμｍのＳｉＯ２膜を堆積し、
しかる後に加速電圧７５ＫＶでＳｉイオンを５Ｘ１０１
２■−２の濃度で注入することにより。
Ａ ｓ基板１に膜厚５ｏμｍのＳｉＯ２膜を堆積し、
しかる後に加速電圧７５ＫＶでＳｉイオンを５Ｘ１０１
２■−２の濃度で注入することにより。
第１図（ａ）に示すように能動層２を形成する。
次いで該Ｓ ｉ Ｏｘ膜を除去した後に第１図（ｂ）に
示すようにゲート電極材料を堆積する。ここではＧａ、
Ａｓの添加されたＳｉターゲット、及びタングステン（
Ｗ）ターゲットを使用し、タングステンシリサイドをス
パッタ堆積する。Ｓｉターゲット中のＯａ、Ａｓの濃度
は、数百から数百ｐｐｍとする。次いで該ゲート電極材
料を所定のパターンに加工し、該ゲート電極をマスクに
してＳｉイオンを打込み、第１図（ｃ）に示すようにオ
ーミック電極用低抵抗層４を形成する。次いで第１図（
ｄ）のようにアニール用キャップ膜として膜厚約２００
ｎｍのＳｉ○２膜５を被着し、８００℃、２０分のアニ
ールによって打込まれたＳｉの活性化を行なった後、第
１図（ｅ）のようにオーミック電極６を形成することに
よりＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴが完成する。
示すようにゲート電極材料を堆積する。ここではＧａ、
Ａｓの添加されたＳｉターゲット、及びタングステン（
Ｗ）ターゲットを使用し、タングステンシリサイドをス
パッタ堆積する。Ｓｉターゲット中のＯａ、Ａｓの濃度
は、数百から数百ｐｐｍとする。次いで該ゲート電極材
料を所定のパターンに加工し、該ゲート電極をマスクに
してＳｉイオンを打込み、第１図（ｃ）に示すようにオ
ーミック電極用低抵抗層４を形成する。次いで第１図（
ｄ）のようにアニール用キャップ膜として膜厚約２００
ｎｍのＳｉ○２膜５を被着し、８００℃、２０分のアニ
ールによって打込まれたＳｉの活性化を行なった後、第
１図（ｅ）のようにオーミック電極６を形成することに
よりＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴが完成する。
Ｇａ、Ａｓをドープしない高純度のＳｉターゲットを用
い、従来のＲＦスパッタ法によりタングステンシリサイ
ド膜を堆積した場合、また、タングステンシリサイドの
合金ターゲットを使用した場合、ＦＥ、Ｔのに値（ゲー
ト長１．５ μｍに対して）はそれぞれ０．７，０．８
にとどまったのに対し、本実施例では１に向上したに こではゲート電極材料としてタングステンシリサイドを
使用した場合について説明したが、その他の高融点金属
シリサイドを使用した場合も同様な効果が得られる。さ
らに、基板として１． ｎ Ｐを使用した場合は、Ｉｎ
、Ｐの一方或いは両方の添加されたＳｉターゲットを使
用することにより同様の効果が得られる。
い、従来のＲＦスパッタ法によりタングステンシリサイ
ド膜を堆積した場合、また、タングステンシリサイドの
合金ターゲットを使用した場合、ＦＥ、Ｔのに値（ゲー
ト長１．５ μｍに対して）はそれぞれ０．７，０．８
にとどまったのに対し、本実施例では１に向上したに こではゲート電極材料としてタングステンシリサイドを
使用した場合について説明したが、その他の高融点金属
シリサイドを使用した場合も同様な効果が得られる。さ
らに、基板として１． ｎ Ｐを使用した場合は、Ｉｎ
、Ｐの一方或いは両方の添加されたＳｉターゲットを使
用することにより同様の効果が得られる。
本発明によれば、化合物半導体上に高融点金属シリサイ
ドショットキー電極を有することを特徴とする化合物半
導体装置において、製造工程で受ける装置の特性の劣化
の少ない装置を、再現性良く、かつ効率良く製造するこ
とができる。
ドショットキー電極を有することを特徴とする化合物半
導体装置において、製造工程で受ける装置の特性の劣化
の少ない装置を、再現性良く、かつ効率良く製造するこ
とができる。
第１図はＧ ａ Ａ ｓ ＭＥＳＦＥＴの製造工程を示
す素子断面図である。 １・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・能動層
、３・・・高融点金属シリサイド層、４・・・オーミッ
ク電極用低抵抗層、５・・・アニール用キャップ膜、６
・・・オーミック電極。 ・、−・了）
す素子断面図である。 １・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・能動層
、３・・・高融点金属シリサイド層、４・・・オーミッ
ク電極用低抵抗層、５・・・アニール用キャップ膜、６
・・・オーミック電極。 ・、−・了）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、III−Ｖ族化合物半導体基板上に、シリコン（Ｓｉ
）ターゲット及び高融点金属ターゲットを使用し、同時
或いは交互スパッタ堆積する工程において、該化合物半
導体の主要構成元素であるIII族、Ｖ族元素の一方また
は両方が添加されたＳｉターゲットを使用することを特
徴とする化合物半導体装置の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の化合物半導体装置の
製造方法において、III−Ｖ族化合物半導体としてヒ化
ガリウム（ＧａＡｓ）を使用することを特徴とする化合
物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17363986A JPS6331114A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17363986A JPS6331114A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331114A true JPS6331114A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15964336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17363986A Pending JPS6331114A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331114A (ja) |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17363986A patent/JPS6331114A/ja active Pending
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