JPS63307750A - キャリアテ−プの製造方法 - Google Patents
キャリアテ−プの製造方法Info
- Publication number
- JPS63307750A JPS63307750A JP62144619A JP14461987A JPS63307750A JP S63307750 A JPS63307750 A JP S63307750A JP 62144619 A JP62144619 A JP 62144619A JP 14461987 A JP14461987 A JP 14461987A JP S63307750 A JPS63307750 A JP S63307750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive pattern
- bumps
- film
- insulating film
- carrier film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000012050 conventional carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はキャリアテープの製造方法に関し、特に半導体
装置の製造に用いられるバンプ付キャリアテープの製造
方法に関する。
装置の製造に用いられるバンプ付キャリアテープの製造
方法に関する。
従来、この種のバンプ付きキャリアテープの製造方法と
しては、導電パターンのバンプ形成領域を除く部分をハ
ーフ・エツチングして突起を作ったり、突起を別に作っ
て導電パターンに転写したりして作った構造になってい
た。
しては、導電パターンのバンプ形成領域を除く部分をハ
ーフ・エツチングして突起を作ったり、突起を別に作っ
て導電パターンに転写したりして作った構造になってい
た。
上述した従来のバンプ付キャリアテープは導電パターン
をハーフ・エツチングしなり、突起を別に作り転写した
りする必要があったので、導電パターンが弱くなったり
、厚くなったりすると共に製造工程が煩雑になるという
欠点があった。
をハーフ・エツチングしなり、突起を別に作り転写した
りする必要があったので、導電パターンが弱くなったり
、厚くなったりすると共に製造工程が煩雑になるという
欠点があった。
本発明の目的は、導電パターンの強度や厚さが変らず、
しかも簡単にバンプを形成することのできるキャリアテ
ープの製造方法を提供することにある。
しかも簡単にバンプを形成することのできるキャリアテ
ープの製造方法を提供することにある。
本発明のキャリアテープの製造方法は、導電パターンが
形成されたキャリアフィルム上に、レーザー光で開孔可
能でがっキャリアフィルムと密符性の良い絶縁性膜を形
成する工程と、前記導電パターンのバンプ形成予定領域
上の前記絶縁性膜にレーザー光により開化部を形成し導
電パターンを露出する工程と、めっき法により前記開孔
部にバンプを形成する工程とを含んで構成される。
形成されたキャリアフィルム上に、レーザー光で開孔可
能でがっキャリアフィルムと密符性の良い絶縁性膜を形
成する工程と、前記導電パターンのバンプ形成予定領域
上の前記絶縁性膜にレーザー光により開化部を形成し導
電パターンを露出する工程と、めっき法により前記開孔
部にバンプを形成する工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)〜(C)は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示したキャリアテープの斜視図である。
めの工程順に示したキャリアテープの斜視図である。
まず第1図(a)に示すように、スプロケットホール3
が形成されたキャリアフィルム2上に常法に従って金属
膜からなる導電パターン1を形成する。
が形成されたキャリアフィルム2上に常法に従って金属
膜からなる導電パターン1を形成する。
次に第1図(b)に示すように、はぼ導電パターン1を
覆うように、絶縁性のセルロース系樹脂を30μmの厚
さに塗付し、硬化させる1次いで導電パターン1上のバ
ンプ形成予定領域上のセルロース系樹脂4に、レンズ5
で集光されたレーザー光6で導電パターン1まで届く穴
7を形成する。
覆うように、絶縁性のセルロース系樹脂を30μmの厚
さに塗付し、硬化させる1次いで導電パターン1上のバ
ンプ形成予定領域上のセルロース系樹脂4に、レンズ5
で集光されたレーザー光6で導電パターン1まで届く穴
7を形成する。
次に第1図(c)に示すように、キャリアフィルム2を
半田めっき液中に漬けて、半田のバンプ8を形成したの
ち、セルロース系樹脂膜4をアセトンに溶解させて除去
する。最後に導電パターンを分割するためにパンチング
で打抜穴9を設ける。
半田めっき液中に漬けて、半田のバンプ8を形成したの
ち、セルロース系樹脂膜4をアセトンに溶解させて除去
する。最後に導電パターンを分割するためにパンチング
で打抜穴9を設ける。
このように本実施例によれば、導体パターンに直接半田
バンプが形成できるため、従来のように導体パターンが
弱くなったり、また製造工程が煩雑になったりすること
はない。
バンプが形成できるため、従来のように導体パターンが
弱くなったり、また製造工程が煩雑になったりすること
はない。
尚、半田バンプ8を形成する時、セルロース系樹脂膜4
の厚さ、めっき液中にキャリアフィルムを漬でおく時間
及びめっき時に加える電流量を変化させることにより半
田バンプ8の厚さと形を第2図(a)、(b)に示す様
に変化させることができる。
の厚さ、めっき液中にキャリアフィルムを漬でおく時間
及びめっき時に加える電流量を変化させることにより半
田バンプ8の厚さと形を第2図(a)、(b)に示す様
に変化させることができる。
第2図(b)に示したように、半田バンプ8をセルロー
ス系樹脂膜8上に20μm程度に厚く形成した場合は、
このバンプの上に直接半導体ベレットを接続することが
できる。従って第3図に示したように、セルロース系樹
脂膜8を除去することなく導体パターンの保護層として
利用することもできる。
ス系樹脂膜8上に20μm程度に厚く形成した場合は、
このバンプの上に直接半導体ベレットを接続することが
できる。従って第3図に示したように、セルロース系樹
脂膜8を除去することなく導体パターンの保護層として
利用することもできる。
尚、上記実施例においては、レーザ光で開化可能でしか
もキャリアフィルムと密着性の良い絶縁性膜としてセル
ロース系樹脂膜を用いた場合について説明したが、絶縁
性のシリコン樹脂等を用いることができる。
もキャリアフィルムと密着性の良い絶縁性膜としてセル
ロース系樹脂膜を用いた場合について説明したが、絶縁
性のシリコン樹脂等を用いることができる。
以上説明したように本発明は、レーザー光で除去可能で
かつキャリアフィルムに密着する純性縁膜を導電パター
ンの形成されたキャリアフィルム上に形成したのちバン
プ形成予定領域上の絶縁性膜にレーザー光で開化部を形
成し回部をめっきすることにより簡便にバンプを形成で
きる効果があ
かつキャリアフィルムに密着する純性縁膜を導電パター
ンの形成されたキャリアフィルム上に形成したのちバン
プ形成予定領域上の絶縁性膜にレーザー光で開化部を形
成し回部をめっきすることにより簡便にバンプを形成で
きる効果があ
第1図(a)〜(c)は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示したキャリアテープの斜視図、第2図(
a)、(b)はバンプ形成部の拡大断面図、第3図は本
実施例で製造されたキャリアテープの他の例の斜視図で
ある。 1・・・導電パターン、2・・・キャリアフィルム、3
・・・スプロケットホール、4・・・セルロース系樹脂
膜、5・・・レンズ、6・・・レーザー光、7・・・穴
、8・・・半田バンプ、9・・・打抜穴。
めの工程順に示したキャリアテープの斜視図、第2図(
a)、(b)はバンプ形成部の拡大断面図、第3図は本
実施例で製造されたキャリアテープの他の例の斜視図で
ある。 1・・・導電パターン、2・・・キャリアフィルム、3
・・・スプロケットホール、4・・・セルロース系樹脂
膜、5・・・レンズ、6・・・レーザー光、7・・・穴
、8・・・半田バンプ、9・・・打抜穴。
Claims (1)
- 導電パターンが形成されたキャリアフィルム上に、レ
ーザー光で開孔可能でかつキャリアフィルムと密着性の
良い絶縁性膜を形成する工程と、前記導電パターンのバ
ンプ形成予定領域上の前記絶縁性膜にレーザー光により
開孔部を形成し導電パターンを露出する工程と、めっき
法により前記開孔部にバンプを形成する工程とを含むこ
とを特徴とするキャリアテープの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62144619A JPS63307750A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | キャリアテ−プの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62144619A JPS63307750A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | キャリアテ−プの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63307750A true JPS63307750A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15366248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62144619A Pending JPS63307750A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | キャリアテ−プの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63307750A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11212923B2 (en) | 2016-06-17 | 2021-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing resin multilayer board |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62144619A patent/JPS63307750A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11212923B2 (en) | 2016-06-17 | 2021-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing resin multilayer board |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100614722B1 (ko) | 반도체 칩용 리드프레임과 전자 디바이스 및 리드프레임과 전자 디바이스 제조방법 | |
JPH0249021B2 (ja) | ||
KR20140102137A (ko) | 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법 및 리드 프레임 | |
US5057456A (en) | Method of manufacturing a tab semiconductor package by securing a thin insulating frame to inner leads of the package | |
JPS624351A (ja) | 半導体キヤリアの製造方法 | |
US5311056A (en) | Semiconductor device having a bi-level leadframe | |
JPS63307750A (ja) | キャリアテ−プの製造方法 | |
US5901436A (en) | Method of manufacturing lead frame | |
US4795694A (en) | Manufacture of fine structures for semiconductor contacting | |
JP3034829B2 (ja) | 両面テープキャリアの製造方法 | |
JPS62196840A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2012028453A (ja) | 金属製ハーメチック蓋の製造方法 | |
JPH11186344A (ja) | デバイスホール内ダミーパターンの改善 | |
JPS5864037A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06291232A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JPH01147848A (ja) | Ic用リードフレームの製造方法 | |
JPS5910753Y2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0260228B2 (ja) | ||
JPS6155247B2 (ja) | ||
JPH07161773A (ja) | 無電解錫めっきtab用テープキャリアの製造方法 | |
JPH05326786A (ja) | ファインパターンリードフレーム及びその製造方法 | |
JPS61242055A (ja) | バンプ付きフイルムキヤリアの製造方法 | |
JPS6152977B2 (ja) | ||
JPS6148953A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
JPS6327029A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |