JPS6329823A - デ−タリセツト回路 - Google Patents
デ−タリセツト回路Info
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- JPS6329823A JPS6329823A JP61174502A JP17450286A JPS6329823A JP S6329823 A JPS6329823 A JP S6329823A JP 61174502 A JP61174502 A JP 61174502A JP 17450286 A JP17450286 A JP 17450286A JP S6329823 A JPS6329823 A JP S6329823A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報処理装置におけるデータ保持回路のリセッ
ト回路に関し、特に集積化メモリ素子のリセット回路に
関する。
ト回路に関し、特に集積化メモリ素子のリセット回路に
関する。
従来、この種のデータリセット回路はデータ保持回路の
各リセット内子を共通接続し、全データ保持回路の記憶
内容全−斉にリセットしていた0第4図に従来のデータ
リセット回路図を示す。
各リセット内子を共通接続し、全データ保持回路の記憶
内容全−斉にリセットしていた0第4図に従来のデータ
リセット回路図を示す。
データ保持回路21A・21B・21C・・・に同−構
55を要素で2値情報rlJ・「0」?記憶する機能會
有する。ここでは例としてセット・リセット型スリップ
・フロップの場合を示す。リセット端子22A・22B
・22C・・・はデータ保持回路のデータ全すセッ1−
(rOJ’に誉込む)する入力端子である。セット端子
23A・23B・23C・・・はデータ保持回路にデー
タケセフ)(rlJ’に番込む)する入力端子である。
55を要素で2値情報rlJ・「0」?記憶する機能會
有する。ここでは例としてセット・リセット型スリップ
・フロップの場合を示す。リセット端子22A・22B
・22C・・・はデータ保持回路のデータ全すセッ1−
(rOJ’に誉込む)する入力端子である。セット端子
23A・23B・23C・・・はデータ保持回路にデー
タケセフ)(rlJ’に番込む)する入力端子である。
電源投入直後にデータ保持回路の内容がrOJでろるが
「1」であるかに、素子の製造ばらつきに依存する。製
造ばらつきがランダムであるとすると、「0」状態と「
月状態のデータ保持回路はそれぞ350%ずつでらる。
「1」であるかに、素子の製造ばらつきに依存する。製
造ばらつきがランダムであるとすると、「0」状態と「
月状態のデータ保持回路はそれぞ350%ずつでらる。
しかし最悪の場合はすべてのデータ保持回路が「1」状
態にセットされることもあり得る。第4図に示すデータ
保持回路21A@21B・2IC・・・・・・全リセッ
トするIcに、リセット信号端子22A・22B・22
C・・・・・・に正極性パルスを印剤丁れは良い。この
時、図中で矢印に示す経路にそってリセット電流が流れ
る。
態にセットされることもあり得る。第4図に示すデータ
保持回路21A@21B・2IC・・・・・・全リセッ
トするIcに、リセット信号端子22A・22B・22
C・・・・・・に正極性パルスを印剤丁れは良い。この
時、図中で矢印に示す経路にそってリセット電流が流れ
る。
上述した従来のデータリセット回路は、リセット端子が
共通になっているので、すべてのデータ保持回路が電源
投入直後にセットされていた場合、すべてのデータ保持
回路の内容が同時にリセットされ大きなリセット電流が
流れるので、−時的に電源電圧が低下し之り、接地線の
電圧が上昇したりして他のブロックのメモリやレジスタ
のデータが破壊されるという欠点があっt0 上述し九従来のデータリセット回路に対して、本発明は
遅延素子により、各データ保持回路へのリセット信号を
遅らせ、リセット電流が一時に集中しないという独創的
内容を有する。
共通になっているので、すべてのデータ保持回路が電源
投入直後にセットされていた場合、すべてのデータ保持
回路の内容が同時にリセットされ大きなリセット電流が
流れるので、−時的に電源電圧が低下し之り、接地線の
電圧が上昇したりして他のブロックのメモリやレジスタ
のデータが破壊されるという欠点があっt0 上述し九従来のデータリセット回路に対して、本発明は
遅延素子により、各データ保持回路へのリセット信号を
遅らせ、リセット電流が一時に集中しないという独創的
内容を有する。
本発明のデータリセット回路は、直列接続し九複数個の
遅延素子の接続点のおのおのにデータ保持回路のリセッ
ト端子全接続し、前記直列接続した遅延素子の一端にリ
セット信号源金供給する工う構匠されたものである。
遅延素子の接続点のおのおのにデータ保持回路のリセッ
ト端子全接続し、前記直列接続した遅延素子の一端にリ
セット信号源金供給する工う構匠されたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図に本発明の第一の実施例のデータリセット回路図
である。データ保持回路IA・IB・IC・・・・・・
はディジタル情報の「1」またはrOJの1ビツト全記
憶する回路であり、本笑施例ではこのデータ保持回路と
してセット・リセット型フリップ・フロップ回路を用い
比例について説明する。
である。データ保持回路IA・IB・IC・・・・・・
はディジタル情報の「1」またはrOJの1ビツト全記
憶する回路であり、本笑施例ではこのデータ保持回路と
してセット・リセット型フリップ・フロップ回路を用い
比例について説明する。
情報処理装置ではこの様なデータ保持回路IA−IB・
IC・・・が多数個使われる。リセット端子2A・2B
・2C・・・は、7リツプ・フロップ回路に記憶してい
る内容全リセットする入力端子である。
IC・・・が多数個使われる。リセット端子2A・2B
・2C・・・は、7リツプ・フロップ回路に記憶してい
る内容全リセットする入力端子である。
一方、セット端子3人・3B・3C・−・はフリップ・
70ツブ回路に情報をセットする九めの入力端子である
。リセット端子2AUIJセット信号端子AKI続され
る。リセット端子2Bは遅延素子4Aを介してリセット
9号端子Aに接続し、同様にリセット端子20以下も遅
延素子4B以下を介してリセット値号線に順次接続さn
ている。
70ツブ回路に情報をセットする九めの入力端子である
。リセット端子2AUIJセット信号端子AKI続され
る。リセット端子2Bは遅延素子4Aを介してリセット
9号端子Aに接続し、同様にリセット端子20以下も遅
延素子4B以下を介してリセット値号線に順次接続さn
ている。
遅延素子4A@4B・4C・・・はここではインバータ
回路音用いている。インバータ回路1段当りの遅延時間
は数ナノ秒であり、段数を変えることにエフ、遅延時間
を自由に設定できる。第1図に示す実施例の場合、保持
データをリセットする沈めには各リセット端子には正極
性パルスを印加する必要がある。従ってリセッ)(N号
が反転しない二うにする友めに、遅延素子は偶数段のイ
ンバータ回路で構成しなくてはならない。第1図の例で
はインバータ回路が2段の場合全示し友が4段・6段あ
るいはそれ以上であっても良い。また、遅延素子毎のイ
ンバータ段数は同一である必要はなく、異なる段数の組
合せであっても良い。
回路音用いている。インバータ回路1段当りの遅延時間
は数ナノ秒であり、段数を変えることにエフ、遅延時間
を自由に設定できる。第1図に示す実施例の場合、保持
データをリセットする沈めには各リセット端子には正極
性パルスを印加する必要がある。従ってリセッ)(N号
が反転しない二うにする友めに、遅延素子は偶数段のイ
ンバータ回路で構成しなくてはならない。第1図の例で
はインバータ回路が2段の場合全示し友が4段・6段あ
るいはそれ以上であっても良い。また、遅延素子毎のイ
ンバータ段数は同一である必要はなく、異なる段数の組
合せであっても良い。
第2図(a)〜(c)セリセット信号線の各部の信号電
圧波形図である。第2図(a)はA点の信号電圧波形で
、外部のパルス発生回路にニジ発生させる。第2図(b
)はB点の信号電圧波形で、A点の信号よりインバータ
回路2段分の遅延時間tdaだけ遅れ次信号である。更
に第2図(c)は6点の信号電圧波形でB点工pも遅延
時間tabだけ遅れた信号となりている。これらのリセ
ット信号により各データ保持回路IA・IB・IC・・
・の記憶情報を順次リセットしてゆく。
圧波形図である。第2図(a)はA点の信号電圧波形で
、外部のパルス発生回路にニジ発生させる。第2図(b
)はB点の信号電圧波形で、A点の信号よりインバータ
回路2段分の遅延時間tdaだけ遅れ次信号である。更
に第2図(c)は6点の信号電圧波形でB点工pも遅延
時間tabだけ遅れた信号となりている。これらのリセ
ット信号により各データ保持回路IA・IB・IC・・
・の記憶情報を順次リセットしてゆく。
第3図は本発明の第二の実施例のデータリセット回路図
である。データ保持回路11A・IIB・IIc・・・
と、リセット端子12A・12B−120・・・と、セ
ット端子13A・13B−13C・・・に。
である。データ保持回路11A・IIB・IIc・・・
と、リセット端子12A・12B−120・・・と、セ
ット端子13A・13B−13C・・・に。
第一の実施例と同一の構a:要素であり、第1図に示す
第一の実施例と異なるところは遅延素子を抵抗素子15
A・15B・15C・・・と容量素子16A・16B・
16C・・・で構成している点である。集積回路におい
て抵抗素子に不純物の拡散にニジ容易に形成され、容量
素子も2層ポリシリコン身プロセスにニジ容易に実現で
きる。信号遅延時間に抵抗と容量の大きさから決まる時
定数CXRにLり設定することができる。
第一の実施例と異なるところは遅延素子を抵抗素子15
A・15B・15C・・・と容量素子16A・16B・
16C・・・で構成している点である。集積回路におい
て抵抗素子に不純物の拡散にニジ容易に形成され、容量
素子も2層ポリシリコン身プロセスにニジ容易に実現で
きる。信号遅延時間に抵抗と容量の大きさから決まる時
定数CXRにLり設定することができる。
本発明においてデータ保持回路はセットψリセット型フ
リップ・フロップを例にとって説明したが、これに限定
されるものではなく、D型フリップ畳フロップやスタテ
ィック型メモリセルあるいは他の記憶素子であっても;
い。また、リセット信号は正極性に限定されるものでは
なく、負極性信号を用いてデータ出力点を直接、接地電
位とする方式であってもよい。
リップ・フロップを例にとって説明したが、これに限定
されるものではなく、D型フリップ畳フロップやスタテ
ィック型メモリセルあるいは他の記憶素子であっても;
い。また、リセット信号は正極性に限定されるものでは
なく、負極性信号を用いてデータ出力点を直接、接地電
位とする方式であってもよい。
次に本発明のデータリセット回路のリセット時の動作電
流について説明する。第1図において、まず初めにリセ
ット信号端子Aの信号にエフデータ保持回路IAの記憶
内容がリセットされ、リセット動作時の過渡電流が電源
線と嬢地線との間に流れる。続いて遅延時間tdだけ遅
れ7’j IJ上セツト号がB点に伝搬しデータ保持回
路IBの記憶内容がリセットされ、過渡電流が電源線と
接地線との間に流れる。しかしこれらの過渡電流の流れ
る時間は一致せず、遅延時間tdだけ離れている。
流について説明する。第1図において、まず初めにリセ
ット信号端子Aの信号にエフデータ保持回路IAの記憶
内容がリセットされ、リセット動作時の過渡電流が電源
線と嬢地線との間に流れる。続いて遅延時間tdだけ遅
れ7’j IJ上セツト号がB点に伝搬しデータ保持回
路IBの記憶内容がリセットされ、過渡電流が電源線と
接地線との間に流れる。しかしこれらの過渡電流の流れ
る時間は一致せず、遅延時間tdだけ離れている。
従って、これら2つの過渡電流は重なフ合うことはなく
、大きな過渡電流が流れることはない。
、大きな過渡電流が流れることはない。
同様にデータ保持回路ICの過渡電流も上記過渡電流と
重なることはない。すべてのデータ保持回路が初めにセ
ット状態にあり友とじても、それ故に電源線あるいは接
地線に過大なリセット電流が流れて電源電圧が一時的に
低下しkす、接地電位が一時的に上昇したりして、他の
データ保持回路の記憶内容が破壊されることはない。
重なることはない。すべてのデータ保持回路が初めにセ
ット状態にあり友とじても、それ故に電源線あるいは接
地線に過大なリセット電流が流れて電源電圧が一時的に
低下しkす、接地電位が一時的に上昇したりして、他の
データ保持回路の記憶内容が破壊されることはない。
以上説明しfc工うに本発明は、各データ保持回路のリ
セット端子間を順次遅延回路で連結して順次遅延したリ
セット信号を印加することに工す、リセットの際の過渡
電流が重ならない工うにしたので、接地線に過大なリセ
ット電流が流nてt源電圧が一時的に低下しfcり、接
地電位が一時的に上昇しfcvして、他のデータ保持回
路の記憶内容を破壊せず安定に保つことができ、傷頓度
も上るという効果がある。
セット端子間を順次遅延回路で連結して順次遅延したリ
セット信号を印加することに工す、リセットの際の過渡
電流が重ならない工うにしたので、接地線に過大なリセ
ット電流が流nてt源電圧が一時的に低下しfcり、接
地電位が一時的に上昇しfcvして、他のデータ保持回
路の記憶内容を破壊せず安定に保つことができ、傷頓度
も上るという効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例のデータリセット回路図
、第2図(a)〜(c)は第1図のA−0点の信号電圧
波形図、第3図は本発明の第2の実施例のデータリセッ
ト回路図、第4図に従来の技術によるデータリセット回
路図である。 1人・IB−IC・・・・・・データ保持口路、2A@
2B・2C・・・・・・リセット端子、3A・3B・3
C・・・・・・セット端子、4A・4B・4C・・・・
・・遅延素子。 $ 1 ■ 十Iα・fa’J:セリ6時ル可 第 3 圀
、第2図(a)〜(c)は第1図のA−0点の信号電圧
波形図、第3図は本発明の第2の実施例のデータリセッ
ト回路図、第4図に従来の技術によるデータリセット回
路図である。 1人・IB−IC・・・・・・データ保持口路、2A@
2B・2C・・・・・・リセット端子、3A・3B・3
C・・・・・・セット端子、4A・4B・4C・・・・
・・遅延素子。 $ 1 ■ 十Iα・fa’J:セリ6時ル可 第 3 圀
Claims (1)
- 直列接続した複数個の遅延素子の接続点のおのおのに
データ保持回路のリセット端子を接続し、前記直列接続
した遅延素子の一端にリセット信号源を供給することを
特徴とするデータリセット回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61174502A JPS6329823A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | デ−タリセツト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61174502A JPS6329823A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | デ−タリセツト回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6329823A true JPS6329823A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15979620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61174502A Pending JPS6329823A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | デ−タリセツト回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6329823A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007149138A (ja) * | 2007-03-19 | 2007-06-14 | Renesas Technology Corp | 不揮発性メモリ装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5550734A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Programmable delay integrated circuit element |
JPS5914195A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61174502A patent/JPS6329823A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5550734A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Programmable delay integrated circuit element |
JPS5914195A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007149138A (ja) * | 2007-03-19 | 2007-06-14 | Renesas Technology Corp | 不揮発性メモリ装置 |
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