JPS6019600B2

JPS6019600B2 - 半導体メモリ−

Info

Publication number: JPS6019600B2
Application number: JP53076287A
Authority: JP
Inventors: 明長永
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1978-06-23
Filing date: 1978-06-23
Publication date: 1985-05-16
Also published as: JPS554735A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は外部から複数のパルスがメモリーチップ内に供
給されて動作する半導体メモリーに関する。

プリチャージ・サイクルを有するメモリーにあっては、
そのプリチャージ素子にクロツクパルスを供給し、プリ
チャージ動作を行なわせる必要がある。

ところで、１チップ・マイクロコンピュータ等には、各
種論理回路を動作させるため、チッフ。内にクロック信
号発生源を具備しているから、メモリー回路は上記クロ
ック信号発生源から得られるクロツク信号を用いればよ
い。しかしながらメモリー単独チップの場合は、該チッ
プ内からクロックパルスが得られないので、これを外部
から供給する必要がある。この場合チップには、クロッ
クパルスを外部から導入するために端子（ピン）を設け
なければならず、またチップ外にクロック信号発生源を
設ける必要があるし、該信号発生源での消費電力も問題
である。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ア
ドレス信号とその遅延信号とを入力する不一致回路をメ
モリーチップ内に設けることにより、外部からパルスが
供給されて動作するメモリーチップであっても、メモリ
ー回路動作に必要なプリチャージ用クロツク信号等のタ
イミングパルスをチップ内で得ることができる半導体メ
モリーを提供しようとするものである。

以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。

第１図は本発明をＲＯＭに適用した場合の例で、メモリ
ー本体の回路図である。図示される如くＭＯＳトランジ
スタＱ，と、互に直列接続されたＭＯＳトランジスタＱ
２〜Ｑ５とを直列接続し、これをブロック３０，．とし
ている。上記トランジスタＱ，はブロック選択素子、ト
ランジスタＱ２〜Ｑ５はそれぞれ記憶セルを構成する。
またブロック３０，．を基準にして列方向に並ぶブロッ
ク３０，．〜３０４，を形成し、該ブロックを基準にし
て行方向に並ぶブロック３０，．〜３０，４，３０幻〜
３０２４，３０の〜３０３４，３０虹〜３０４４を形成
する。列方向に配置させるブロック群は、ブロック群３
１，〜３１４とする。上記ブロック３０，．〜３０４４
は互に同一構成であるが、ここではブロック３０，．〜
３０，４，３０３，〜３０桝とブロック３０幻〜３０地
３０４・〜３０４４とは向きが逆で、夫々対称な配置関
係としている。ブロック３０．・〜３０４１はその一端
を共通線３２，で共通接続し、同様にブロツク３０，２
〜３０４２，３０８〜３０蚊，３０，４〜３０鶴は一端
を共通線３２２，３２３，３２４で接続し、池端はグ
ランドＧに接続する。そして前記各ブロック群間及びブ
ロック群内で対応する記憶セル用トランジスタＱ２〜Ｑ
５のゲート電極は共通ゲート配線３３，〜３３４で接
続する。この配線では、ブロック群内でどのセルどうし
を対応させるかについては、各ブロックのセルＱ２〜Ｑ
４が直列配置であるため、ブロック内で任意に選択でき
る。例えばブロック３０，．のセルＱ２とブロック３０
２，のセルＱ５を対応させる等であり、これは配線の容
易性等を考慮して適宜決めることができる。上記共通ゲ
ート配線３３，〜３３４はセル選択デコーダ３４の出力
Ｃｏ〜Ｃ３に接続する。セル選択デコーダ３４は、アド
レス入力Ａ２，Ａ３を解読して出力Ｃｏ〜Ｃ３のうちの
１個を選択し「これに“０”信号を、残りの非選択出
力に“１”信号を供給する。前記共通線３２，〜３２４
は列選択用トランジスタ３４，〜３４４のソース端
に接続し、そのドレィン機は共通線３５で共通接続する
。出力端ＯＵＴとなるこの共通線３５は負荷素子用トラ
ンジスタ３６を介して電源Ｖに接続する。このトランジ
スタ３６のゲート電極にはクロックパルスでの反転パル
ス◇を供給する。前記ブロック群間で対応するブロック
選択用トランジスタＱ，のゲート電極は、共通ゲート配
線３７，〜３７４でブロック選択デコーダ３８の出力＆
〜＆に接続し、列選択用トランジスタ３４１〜３４４の
ゲート電極は、列選択デコーダ３９の出力Ｓｏ〜Ｓ３に
接続する。フロック選択デコーダ３８は、アドレス入力
へ，Ａ．を解読して出力Ｂｏ〜Ｂ３のうちの１個を選択
し、これのみに“１”信号を供給する。このデコーダ３
８の入力ぐは、トランジスタ３６のゲートパルス？が‘
‘０”になるまで出力Ｂｏ〜Ｂ３を“０”に保持するた
めのものである。列選択デコーダ３９は、アドレス入力
Ａ４，んを解読して出力Ｓｏ〜Ｓ３のうちの１個を選択
し、これのみに“１”信号を供給する。なお各ブロック
３０１１〜３０蟹におけるセル用トランジスタＱ２〜Ｑ
５は、選択的ソース、ドレィン間が短絡されてある。こ
のトランジスタのソース、ドレイン間を予め短絡してお
くための集積回路技術としては「ソース、ドレィン間を
拡散層でつなぐ方法、イオン注入層でつなぐ方法（イオ
ンィンプランテーション）等がある。第３図は第１図の
回路に供給されるアドレス入力Ａｏ，Ａ，等からクロツ
クパルス０を得るための論理回路である。

即ちアドレス入力Ａｏ，Ａ，，ん，…は直接排他的論理
和回路４０ｏ，４０，，４０２，・・・の一方の入力端
に供給されると共に、遅延回路４１ｏ，４１，，４１２
，・・・を介して排他的論理和回路４０ｏ，４０１，４
０２，．・・の他方の入力端に供給される。またチップ
セレクト信号ＣＳの反転信号ＣＳは「直接アンド回路４
２の一方の反転入力端に供給されると共に、遅延回路４
３を介して／ア回路４４の一入力となる。排他的論理和
回路４０ｏ，４０，，４０２，・・・の出力はノア回路
４４の各入力となり、該ノア回路４４の出力は、アンド
回路４２の他の反転入力端に供給される。そしてこのア
ンド回路４２の出力？（クロックパルス）は反転されて
０となり、第１図のプリチャージ用負荷素子３６のゲー
ト入力及びブロック選択デコーダ３８の入力となる。上
記第３図の回路は、第１図の回路と共に同一チップ内に
集積回路化されるものである。第２図は第１図の回路動
作を示す信号波形図、第４図は第３図の回路動作を示す
信号波形図である。

以下この波形図を適宜参照して上記回路動作を説明する
。即ち第１図においてアドレス入力へ〜Ａ５及びクロッ
クパルスｔが供給されると、アドレス入力ん，Ａ３によ
り、セル選択デコーダ３４の出力Ｃｏ〜Ｃ３のうちのい
ずれか一個が“０”で残りは“１”となり、またアドレ
ス入力へ，Ａ５により、列選択デコーダ３９の出力Ｓｏ
，Ｓ３のうちのいずれか一個が“１”で残りは“０”と
なる。しかし０：“１”の時には、ブロック選択デコー
ダ３８の出力Ｂ〜Ｂ３は全て“０”であるため、データ
出力ＯＵＴは“１”にプリチャージされる。次にクロツ
クパルス◇＝“０”となると、プリチャージトランジス
タ３６がオフ状態となり、ブロック選択デコーダ３８の
出力Ｂ〜Ｂ３のうちの一個が“１”となる。例えばＳｏ
＝“１”，Ｂ＝“１”，Ｃｏ＝“０”の時、選択された
セルＱ２のソース、ドレイン間が短絡されていれば、出
力ＯＵＴのプリチャージ電荷はグランドＧに放電され、
出力ＰＵＴ＝“０”となる。これに対しセルＱ２のソー
ス、ドレィソ間が切断されていれば、出力ＯＵＴのプリ
チャージ電荷はそのま）保持されるから、出力ＯＵＴ＝
“１”となるものである。一方、第３図の回路では、次
のようにして第１図の回路にクロツクパルス◇を供給し
ている。

即ち第４図ａに示される如く、チップセレクト信号ＣＳ
が“１”レベルから“０”レベルに変化すると、遅延回
路４３による遅延時間後にチップセレクト信号ＣＳを遅
延させた信号ＣＳｄが得られる。これによりノア回路４
４の出力は第４図ａに示される如き信号ＣＳｄ＝“０”
となり、該信号とチップセレクト信号ＣＳ＝“０”がア
ンド回路４２の反転入力端に供給されるから、このアン
ド回路４２の出力としてクロツクパルスマが得られ、こ
のパルス◇を反転してクロックパルスめを得るものであ
る。またチップセレクト信号ＣＳ＝“１”（ＣＳ＝“０
”）で、アドレス入力Ａｏ，Ａ，，・・・んが切換わる
際には、該入力のうち例えばＡｏが“０”から“１”に
切換わったとすれば、該信号は遅延回路４１。

で遅延され、その出力へｄとＡｏが排他的論理和回路４
０ｏに供給される。従ってこの排他的論理和回路４０ｏ
の出力は、遅延回路４１ｏの遅延時間中だけ“１”とな
り、これがノア回路４４で反転されてアンド回路４２の
反転入力端に供給される。このァンド回路４２の他の反
転入力端に供給されるチップセレクト信号ＣＳは、前記
した如くＣＳ＝“０”であるから、アンド回路４２の出
力として、第４図ｂに示す如きクロックパルス？が得ら
れ、このパルスぐを反転してクロックパルスふとするも
のである。上記の如く構成された回路にあっては、チッ
プ内でプリチャージパルス◇を得ることができるので、
従来のように該パルス◇をチップ外から供凧する必要が
なくなり、従ってチップの外部導出端子数の削減化が可
能となる。

またチップ外にクロック信号発生源を特に設ける必要も
ないし、そのための消費電力も低減可能となるものであ
る。また本発明では、アドレス信号とチップセレクト信
号とでタイミングパルスをつくる構成、つまり非動作時
（チップセレクト信号が“Ｌ”レベルの時）にはタイミ
ングパルスが出ない構成であるから、誤動作がなくなる
ものである。なお第１の論理回路に相当するアンド回路
４２、第２の論理回路に相当するノア回路４４は、それ
ぞれ等価な動作を行なう他の論理回路に置き換え可能で
ある等、種々の応用が可能である。

本発明の要旨は特許請求の範囲に示される如く、一入力
端にアドレス信号が供給される不一致回路（例えば排他
的論理和回路４０。）と、前記アドレス信号を遅延して
前記不一致回路の他の入力端に供給する遅延回路（例え
ば遅延回路４１。）とを有したものを複数設け、チップ
セレクト信号を第１の論理回路（例えばアンド回路４２
）の一入力端に供給し、前記チップセレクト信号を遅延
回路（例えば遅延回路４３）を介して第２の論理回路（
例えばノア回路４４）の一入力端に供給し、該第２の論
理回路の他の各入力端に前記各不一致回路の出力信号を
供給し、前記第２の論理回路の出力を前記第１の論理回
路の他の入力端に供給し、前記不一致回路で得たパルス
を前記第２の論理回路を介して前記第１の論理回路に供
給し、該第１の論理回路に供給される前記チップセレク
ト信号に応じて前記第１の論理回路からタイミングパル
スを出力するようにしてなる回路を、外部からパルスが
供給されて動作するメモリーチップ内に設けたことを特
徴とする半導体メモリーである。従ってメモリー回路動
作に必要なタイミング信号をメモリーチップ内で得られ
るので、構成の簡単化、電力消費の低減化等を可能とし
た半導体メモリーが提供できるものである。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例を説明するためのもので、第１図
はメモリー本体の回路図、第２図は同回路の動作を示す
信号波形図、第３図はクロックパルス発生部の回路図、
第４図ａ，ｂは同回路の動作を示す信号波形図である。４０ｏ〜４０２・・・・・・排他的論理和回路、４１ｏ
〜４１２，４３・・・・・・遅延回路、４２・・・・・
・論理積回路、４４・・・・・・否定論理和回路。※１
囚簾２図 ※３函繁ム図

Claims

【特許請求の範囲】

１一入力端にアドレス信号が供給される不一致回路と
、前記アドレス信号を遅延して前記不一致回路の他の入
力端に供給する遅延回路とを有したものを複数設け、チ
ツプセレクト信号を第１の論理回路の一入力端に供給し
、前記チツプセレクト信号を遅延回路を介して第２の論
理回路の一入力端に供給し、該第２の論理回路の他の各
入力端に前記各不一致回路の出力信号を供給し、前記第
２の論理回路の出力を前記第１の論理回路の他の入力端
に供給し、前記不一致回路で得たパルスを前記第２の論
理回路を介して前記第１の論理回路に供給し、該論理回
路に供給される前記チツプセレクト信号に応じて前記第
１の論理回路からタイミングパルスを出力するようにし
てなる回路を、外部からパルスが供給されて動作するメ
モリーチツプ内に設けたことを特徴とする半導体メモリ
ー。