JPS63296242A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63296242A JPS63296242A JP13215887A JP13215887A JPS63296242A JP S63296242 A JPS63296242 A JP S63296242A JP 13215887 A JP13215887 A JP 13215887A JP 13215887 A JP13215887 A JP 13215887A JP S63296242 A JPS63296242 A JP S63296242A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線構
造を有する半導体集積回路の配線電極の形成方法に関す
る。
造を有する半導体集積回路の配線電極の形成方法に関す
る。
従来、この半導体集積回路に用いられる配線電極の構造
は、高濃度の不純物が拡散された多結晶シリコン、アル
ミニウム、高融点金属の硅化物の単層構造あるいはそれ
らの複合膜が用いられていた。そのため深さの大きく異
なるコンタクト孔を配線電極上及び拡散層上で開口する
際に、より上層にある配線電極のコンタクト孔部分で配
線電極が著しくオーバーエッチされ、コンタクト孔が配
線電極を突きぬけることを防止するため、写真蝕刻工程
を２回行ない、深いコンタクト孔と浅いコンタクト孔を
別々にエツチング方法が用いられていた。
は、高濃度の不純物が拡散された多結晶シリコン、アル
ミニウム、高融点金属の硅化物の単層構造あるいはそれ
らの複合膜が用いられていた。そのため深さの大きく異
なるコンタクト孔を配線電極上及び拡散層上で開口する
際に、より上層にある配線電極のコンタクト孔部分で配
線電極が著しくオーバーエッチされ、コンタクト孔が配
線電極を突きぬけることを防止するため、写真蝕刻工程
を２回行ない、深いコンタクト孔と浅いコンタクト孔を
別々にエツチング方法が用いられていた。
上述した従来の配線電極形成方法では、層間絶縁層に深
さの大きく異なるコンタクト孔を１度の写真蝕刻工程で
開口する場合、より上層にある配線電極がコンタクト開
口部分で著しくオーバーエッチされ、配線電極が消失す
るという欠点がある。
さの大きく異なるコンタクト孔を１度の写真蝕刻工程で
開口する場合、より上層にある配線電極がコンタクト開
口部分で著しくオーバーエッチされ、配線電極が消失す
るという欠点がある。
現状では、コンタクト孔部での配線電極の消失を防止す
る対策として、深いコンタクト孔と浅いコンタクト孔と
を別の写真蝕刻工程に分離して行なう方法が用いられて
いるが、この方法では、本来１回の写真蝕刻工程で加工
すべきところを２回の写真蝕刻工程に分離しているため
、目合せ余裕が減少し、原価が高くなったり、歩留りが
低下するという問題点があった。
る対策として、深いコンタクト孔と浅いコンタクト孔と
を別の写真蝕刻工程に分離して行なう方法が用いられて
いるが、この方法では、本来１回の写真蝕刻工程で加工
すべきところを２回の写真蝕刻工程に分離しているため
、目合せ余裕が減少し、原価が高くなったり、歩留りが
低下するという問題点があった。
本発明の目的は、このような問題点を解決し、配線電極
の消失を防止し、１回の写真蝕刻工程で電極を最適に製
造できるようにした半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
の消失を防止し、１回の写真蝕刻工程で電極を最適に製
造できるようにした半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
本発明の構成は、所定のパターンの第１の配線電極上に
第１の層間絶縁層を形成し、この第１の層間絶縁層上に
所定のパターンの第２の配線電極を形成し、この第２の
配線電極上に第２の層間絶縁層を形成して多層配線構造
をつくる半導体装置の製造方法において、前記第２の配
線電極上に、前記各層間絶縁層材料のエツチング選択比
より大きいエツチング選択比のとれる材料を形成してエ
ツチングすることにより、前記各配線電極までのコンタ
クト孔を同時に開孔するようにしたことを特徴とする。
第１の層間絶縁層を形成し、この第１の層間絶縁層上に
所定のパターンの第２の配線電極を形成し、この第２の
配線電極上に第２の層間絶縁層を形成して多層配線構造
をつくる半導体装置の製造方法において、前記第２の配
線電極上に、前記各層間絶縁層材料のエツチング選択比
より大きいエツチング選択比のとれる材料を形成してエ
ツチングすることにより、前記各配線電極までのコンタ
クト孔を同時に開孔するようにしたことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例としてダイナ
ミックＲＡＭを製造工程順に示した縦断面図である。
ミックＲＡＭを製造工程順に示した縦断面図である。
まず、シリコン基板１の表面に素子間分離（二酸化シリ
コン）膜２．第１拡散層３．第１多結晶シリコン層４．
電極間絶縁（二酸化シリコン）層５、及びゲート絶縁膜
６を形成し、このシリコン基板１上にＳｉＨ４を用いた
減圧化学的気相成長法により、厚さ４０００人の第２多
結晶シリコン層７を成長させる。ＰＯＣＪ’ｓを用いた
気相拡散法により面抵抗が５Ω／口になる様に第２多結
晶シリコン層７にリンを拡散する（第１図（ａ ））。
コン）膜２．第１拡散層３．第１多結晶シリコン層４．
電極間絶縁（二酸化シリコン）層５、及びゲート絶縁膜
６を形成し、このシリコン基板１上にＳｉＨ４を用いた
減圧化学的気相成長法により、厚さ４０００人の第２多
結晶シリコン層７を成長させる。ＰＯＣＪ’ｓを用いた
気相拡散法により面抵抗が５Ω／口になる様に第２多結
晶シリコン層７にリンを拡散する（第１図（ａ ））。
写真蝕刻技術により第２多結晶シリコン層７を所定の形
状にエツチングし、加速電圧１５０ｋｅｖで５ Ｘ １
０ ”／ｃｔｓ２の濃度のヒ素をイオン注入して第２拡
散層９を形成する。続いて、希ぶつ酸のＭ衝溶液を用い
て拡散層９の表面の二酸化シリコン膜２を除去し、再び
乾燥酸素中で拡散層表面に３００人の二酸化シリコン膜
を形成した。化学的気相成長法により４０００人の第１
ＢＰＳＧ膜１０を成長させ、窒素雰囲気中でリフローし
て第１図（ｂ）の構成が得られる。
状にエツチングし、加速電圧１５０ｋｅｖで５ Ｘ １
０ ”／ｃｔｓ２の濃度のヒ素をイオン注入して第２拡
散層９を形成する。続いて、希ぶつ酸のＭ衝溶液を用い
て拡散層９の表面の二酸化シリコン膜２を除去し、再び
乾燥酸素中で拡散層表面に３００人の二酸化シリコン膜
を形成した。化学的気相成長法により４０００人の第１
ＢＰＳＧ膜１０を成長させ、窒素雰囲気中でリフローし
て第１図（ｂ）の構成が得られる。
゛この上層に減圧化学的気相成長法により厚さ２０００
人の第３多結晶シリコン１１を成長させ、ｐｏｃｚ、を
用いた気相拡散法により、面抵抗が５Ω／口になる様に
リンを拡散し、さらに、減圧化学的気相成長法により、
厚さ１０００人の第４多結晶シリコン層１２を形成し、
第１図（Ｃ）の構造となる。
人の第３多結晶シリコン１１を成長させ、ｐｏｃｚ、を
用いた気相拡散法により、面抵抗が５Ω／口になる様に
リンを拡散し、さらに、減圧化学的気相成長法により、
厚さ１０００人の第４多結晶シリコン層１２を形成し、
第１図（Ｃ）の構造となる。
次に、写真蝕刻技術を用いて、第３多結晶シリコン１１
及び第４多結晶シリコン層１２を所定の形状にエツチン
グし、その上層に化学的気相成長法により厚さ６０００
人の第２８ＰＳＧ膜１３を成長させる。窒素雰囲気中で
このＢＰＳＧ膜１３全１３フローした後、写真蝕刻技術
によりコンタクト孔１４．１５を開孔し第１図（ｄ）の
構造となる。
及び第４多結晶シリコン層１２を所定の形状にエツチン
グし、その上層に化学的気相成長法により厚さ６０００
人の第２８ＰＳＧ膜１３を成長させる。窒素雰囲気中で
このＢＰＳＧ膜１３全１３フローした後、写真蝕刻技術
によりコンタクト孔１４．１５を開孔し第１図（ｄ）の
構造となる。
第１図（ｄ）において、浅いコンタクト孔１４と深いコ
ンタクト孔１５との深さの差は１．５μｍである。ＢＰ
ＳＧ層１０層下０物を添加していない第４多結晶シリコ
ン層１２のエツチング速度比が１５：１の条件でコンタ
クト孔を開口するエツチングを行なった場合でも、面抵
抗５Ω／口の第３多結晶シリコン層１１では、面抵抗低
下によるエツチング速度の増速により、エツチング速度
比が１０：１に低下する。
ンタクト孔１５との深さの差は１．５μｍである。ＢＰ
ＳＧ層１０層下０物を添加していない第４多結晶シリコ
ン層１２のエツチング速度比が１５：１の条件でコンタ
クト孔を開口するエツチングを行なった場合でも、面抵
抗５Ω／口の第３多結晶シリコン層１１では、面抵抗低
下によるエツチング速度の増速により、エツチング速度
比が１０：１に低下する。
従来技術において、面抵抗５Ω／口の第３多結晶シリコ
ン単層で配線電極を形成した場合には、コンタクト孔１
４の部分で配線電極が１５００人エツチングされ、残膜
１５００人であるのに対して、本実施例では、第４多結
晶シリコン層１２が１０００人エツチングされるのみで
、第３多結晶シリコン層１１の２０００人はエツチング
されず、浅いコンタクト孔１４部分での配線電極の突き
わけに対して余裕が大きくなった。
ン単層で配線電極を形成した場合には、コンタクト孔１
４の部分で配線電極が１５００人エツチングされ、残膜
１５００人であるのに対して、本実施例では、第４多結
晶シリコン層１２が１０００人エツチングされるのみで
、第３多結晶シリコン層１１の２０００人はエツチング
されず、浅いコンタクト孔１４部分での配線電極の突き
わけに対して余裕が大きくなった。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例として工
程順に説明する縦断面図である６本実施例は第１の実施
例と同様な構造を有する第１図（ｂ）の半導体基板上に
、スパッタ法により厚さ３０００人のタングステンシリ
サイド層２１を形成し、さらにスパッタ法により、厚さ
５００人の金属タングステン層２２を形成し、第２図（
ａ）が得られる。
程順に説明する縦断面図である６本実施例は第１の実施
例と同様な構造を有する第１図（ｂ）の半導体基板上に
、スパッタ法により厚さ３０００人のタングステンシリ
サイド層２１を形成し、さらにスパッタ法により、厚さ
５００人の金属タングステン層２２を形成し、第２図（
ａ）が得られる。
写真蝕刻技術を用いて、タングステンシリサイド層２１
及び金属タングステン層２２を所定の形状にエツチング
し、その上層に化学的気相成長法により厚さ６０００人
の第２ＢＰＳＧ層１３を成長させた。窒素雰囲気中でこ
のＢＰＳＧ膜１３全１３ローした後、写真蝕刻技術によ
り、コンタクト孔１４．１５を開口して第２図（ｂ）の
構造となる。この構成においても第１の実施例と同等の
効果が得られた。
及び金属タングステン層２２を所定の形状にエツチング
し、その上層に化学的気相成長法により厚さ６０００人
の第２ＢＰＳＧ層１３を成長させた。窒素雰囲気中でこ
のＢＰＳＧ膜１３全１３ローした後、写真蝕刻技術によ
り、コンタクト孔１４．１５を開口して第２図（ｂ）の
構造となる。この構成においても第１の実施例と同等の
効果が得られた。
以上説明した様に、本発明は多層配線構造を有する半導
体装置において、配線電極の上層に、層間絶縁層よりエ
ツチング選択比を大きくとれる材料を成長させて電極を
形成することにより、深さの大きく異なるコンタクト孔
の開口を、より上層の配線電極のコンタクト孔部分での
配線電極消失に対する余裕を保ちながら、かつ１回の写
真蝕刻工程でできるという効果がある。
体装置において、配線電極の上層に、層間絶縁層よりエ
ツチング選択比を大きくとれる材料を成長させて電極を
形成することにより、深さの大きく異なるコンタクト孔
の開口を、より上層の配線電極のコンタクト孔部分での
配線電極消失に対する余裕を保ちながら、かつ１回の写
真蝕刻工程でできるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を工程順に示
した縦断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の
実施例を工程順に示した断面図である。 ｌ・・・シリコン基板、２・・・素子間分離（二酸化シ
リコン層）、３．９・・・第１および第２拡散層、４．
７，１１．１２・・・第１．第２．第３および第４多結
晶シリコン層、５・・・電極間絶縁（二酸化シリコン）
層、６・・・ゲート絶縁層、１０．１３・°・第１、第
２層間絶縁層、１４．１５・・・コンタクト孔、２１・
・・タングステンシリサイド層、２２・・・金属タング
ステン層。 （α） （ｂ） 第１図
した縦断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の
実施例を工程順に示した断面図である。 ｌ・・・シリコン基板、２・・・素子間分離（二酸化シ
リコン層）、３．９・・・第１および第２拡散層、４．
７，１１．１２・・・第１．第２．第３および第４多結
晶シリコン層、５・・・電極間絶縁（二酸化シリコン）
層、６・・・ゲート絶縁層、１０．１３・°・第１、第
２層間絶縁層、１４．１５・・・コンタクト孔、２１・
・・タングステンシリサイド層、２２・・・金属タング
ステン層。 （α） （ｂ） 第１図
Claims (1)
- 所定のパターンの第１の配線電極上に第１の層間絶縁層
を形成し、この第１の層間絶縁層上に所定のパターンの
第２の配線電極を形成し、この第２の配線電極上に第２
の層間絶縁層を形成して多層配線構造をつくる半導体装
置の製造方法において、前記第２の配線電極上に、前記
各層間絶縁層材料のエッチング選択比より大きいエッチ
ング選択比のとれる材料を形成してエッチングすること
により、前記各配線電極までのコンタクト孔を同時に開
孔するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62132158A JPH0732159B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62132158A JPH0732159B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63296242A true JPS63296242A (ja) | 1988-12-02 |
| JPH0732159B2 JPH0732159B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15074718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62132158A Expired - Fee Related JPH0732159B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732159B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244348A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-09-07 | Lucent Technol Inc | 半導体デバイスの製造方法。 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137258A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS61206243A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 高融点金属電極・配線膜を用いた半導体装置 |
| JPS63150941A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP62132158A patent/JPH0732159B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137258A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS61206243A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 高融点金属電極・配線膜を用いた半導体装置 |
| JPS63150941A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| JP2001244348A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-09-07 | Lucent Technol Inc | 半導体デバイスの製造方法。 |
| JP4718021B2 (ja) * | 2000-01-18 | 2011-07-06 | アルカテル−ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド | 半導体デバイスの製造方法。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732159B2 (ja) | 1995-04-10 |
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