JPS63285148A - タンタルを含むペロブスカイトセラミックスの製造方法 - Google Patents
タンタルを含むペロブスカイトセラミックスの製造方法Info
- Publication number
- JPS63285148A JPS63285148A JP62120062A JP12006287A JPS63285148A JP S63285148 A JPS63285148 A JP S63285148A JP 62120062 A JP62120062 A JP 62120062A JP 12006287 A JP12006287 A JP 12006287A JP S63285148 A JPS63285148 A JP S63285148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum
- powder
- perovskite
- solution
- fired
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 abstract 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- -1 organic acid salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- ZIRLXLUNCURZTP-UHFFFAOYSA-I tantalum(5+);pentahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Ta+5] ZIRLXLUNCURZTP-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、タンタルを含むペロブスカイトセラミックス
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
ペロプスカイトセラミックスは、圧電体、オプトエレク
トロニクス材料、誘電体、半導体、センサー等の機能性
セラミックスとして広範囲の分野で利用されている。
トロニクス材料、誘電体、半導体、センサー等の機能性
セラミックスとして広範囲の分野で利用されている。
(従来技術およびその問題点)
重要なペロブスカイト系機能性セラミックスには、タン
タルを含むものが極めて多い。
タルを含むものが極めて多い。
従来、ペロブスカイト原料粉末の製造法としては、乾式
法が広く行われている。しかしながら、出発原料として
酸化タンタル粉末を使用して乾式法でペロブスカイト原
料粉末を調製する場合、市販の酸化タンタル粉末は粒径
が1μm以上と大きいために、得られるペロブスカイト
原料粉末も粒径が1μm以上のものとなる。この程度の
粒度のペロブスカイト原料粉末を使用すると焼結性が良
好でなく、また高密度かつ高度な機能の機能性セラミッ
クスを得ることは難しい。
法が広く行われている。しかしながら、出発原料として
酸化タンタル粉末を使用して乾式法でペロブスカイト原
料粉末を調製する場合、市販の酸化タンタル粉末は粒径
が1μm以上と大きいために、得られるペロブスカイト
原料粉末も粒径が1μm以上のものとなる。この程度の
粒度のペロブスカイト原料粉末を使用すると焼結性が良
好でなく、また高密度かつ高度な機能の機能性セラミッ
クスを得ることは難しい。
(発明の目的)
本発明は前記のタンタルを含むペロブスカイト系セラミ
ックスの乾式法による合成における欠点を解消すべくな
されたもので、その目的は、共沈法によって分散性の良
いサブミクロン級の変成酸。
ックスの乾式法による合成における欠点を解消すべくな
されたもので、その目的は、共沈法によって分散性の良
いサブミクロン級の変成酸。
化タンタル原料粉末を作成し、該粉末を用いて単なる乾
式法によって易焼結性且つ高密度のペロブスカイト系機
能性セラミックスを製造する方法を提供することある。
式法によって易焼結性且つ高密度のペロブスカイト系機
能性セラミックスを製造する方法を提供することある。
(問題点を解決するための技術的手段)本発明者らは前
記目的を達成すべく鋭意研究の結果、タンタルt¥独溶
液と沈澱形成液とを混合してタンタルの沈澱物を形成し
た場合、得られる沈澱物は非常′に凝集したものとなる
が、タンタル溶液とペロブスカイト化合物を構成するタ
ンタル以外の成分の部分量を混合し、この混合溶液と沈
澱形成液とを混合して沈澱物を形成した場合には、凝集
の極めて少ない共沈体が得られ、この共沈体を仮焼する
ことにより、分散性の良いサブミクロン級の粉末(変成
酸化タンタル粉末)が得られることを見出した。さらに
は、この変成酸化タンタル粉末を原料とし、残余のペロ
プスカイト化合物の構成成分の化合物を乾式法によって
混合すれば、サブミクロン級の粉末特性の優れた原料粉
末が容易に得られ、この原料粉末を成型して焼結すると
、焼結助剤を使用しない場合でも極めて高密度のペロブ
スカイトセラミックスが容易に得られることを見出し、
本発明に到った。
記目的を達成すべく鋭意研究の結果、タンタルt¥独溶
液と沈澱形成液とを混合してタンタルの沈澱物を形成し
た場合、得られる沈澱物は非常′に凝集したものとなる
が、タンタル溶液とペロブスカイト化合物を構成するタ
ンタル以外の成分の部分量を混合し、この混合溶液と沈
澱形成液とを混合して沈澱物を形成した場合には、凝集
の極めて少ない共沈体が得られ、この共沈体を仮焼する
ことにより、分散性の良いサブミクロン級の粉末(変成
酸化タンタル粉末)が得られることを見出した。さらに
は、この変成酸化タンタル粉末を原料とし、残余のペロ
プスカイト化合物の構成成分の化合物を乾式法によって
混合すれば、サブミクロン級の粉末特性の優れた原料粉
末が容易に得られ、この原料粉末を成型して焼結すると
、焼結助剤を使用しない場合でも極めて高密度のペロブ
スカイトセラミックスが容易に得られることを見出し、
本発明に到った。
すなわち、本発明は、一般式
A (B 1/3 Ta2/3) 03(ただし、Aは
Baおよび/またはSrを示し、BはMQ 、zn 、
Coから選ばれる一種以上を示す、)で表されるペロプ
スカイト化合物を構成するタンタル以外の成分の部分量
と、タンタル溶液との混合溶液を形成し、この混合溶液
と沈澱形成液とを混合して共沈体を形成し、乾燥f&7
00〜1300”Cで仮焼する第1工程、 第1工程の仮焼物と、残余のペロプスカイト化合物の構
成成分の化合物を混合して700〜1500℃で仮焼す
る第2工程、 第2工程の仮焼粉末を成型して900〜1700℃で焼
結する第3工程とからなることを特徴とするタンタルを
含むペロブスカイトセラミックスの製造方法に関する。
Baおよび/またはSrを示し、BはMQ 、zn 、
Coから選ばれる一種以上を示す、)で表されるペロプ
スカイト化合物を構成するタンタル以外の成分の部分量
と、タンタル溶液との混合溶液を形成し、この混合溶液
と沈澱形成液とを混合して共沈体を形成し、乾燥f&7
00〜1300”Cで仮焼する第1工程、 第1工程の仮焼物と、残余のペロプスカイト化合物の構
成成分の化合物を混合して700〜1500℃で仮焼す
る第2工程、 第2工程の仮焼粉末を成型して900〜1700℃で焼
結する第3工程とからなることを特徴とするタンタルを
含むペロブスカイトセラミックスの製造方法に関する。
なお、本発明においては、これらのA成分と(B1/3
Ta2/3)成分のモル比が1.0より高い値、もしく
は低い値にずらしたものも含む。
Ta2/3)成分のモル比が1.0より高い値、もしく
は低い値にずらしたものも含む。
以下、本発明の各工程について説明する。
第1工程:
タンタル溶液を調製するための化合物としては、五塩化
タンタル、水酸化タンタル等が挙げられ、溶媒としては
水、アルコールが通常使用される。
タンタル、水酸化タンタル等が挙げられ、溶媒としては
水、アルコールが通常使用される。
タンタル溶液に溶解するペロブスカイトの構成成分の化
合物としては、それらの水酸化物、炭酸塩、オキシ塩、
硫酸塩、硝酸塩、塩化物等の無機塩、酢酸塩、しゆう酸
塩等の有機酸塩等から適宜選択される。これらは一般に
水溶液として使用されるが水に可溶でない場合には酸を
添加して溶解させればよく、不溶原料については懸濁溶
液として使用してもよい、また水溶液のかわりにアルコ
ール溶液を使用してもよい。
合物としては、それらの水酸化物、炭酸塩、オキシ塩、
硫酸塩、硝酸塩、塩化物等の無機塩、酢酸塩、しゆう酸
塩等の有機酸塩等から適宜選択される。これらは一般に
水溶液として使用されるが水に可溶でない場合には酸を
添加して溶解させればよく、不溶原料については懸濁溶
液として使用してもよい、また水溶液のかわりにアルコ
ール溶液を使用してもよい。
本発明において、「タンタル以外の成分の部分量」とは
、 (1)タンタル以外の一成分の部分量、あるいは二種以
上の成分のそれぞれの部分量 および/または (2)タンタル以外の一成分の全量、あるいは二種以上
の成分のそれぞれの企及で、かつ全成分の全量でない を念珠する0例えば、ペロプスカイト化合物がタンタル
とタンタル以外の2成分X、Yから構成されている場合
、タンタル以外の成分の部分量としては、 ■Xの部分量 ■Yの部分量 ■Xの部分量およびYの部分量 ■Xの部分量およびYの全量 ■Yの部分量およびXの全量 ■Xの全量 ■Yの全量 の7通りが考えられる。
、 (1)タンタル以外の一成分の部分量、あるいは二種以
上の成分のそれぞれの部分量 および/または (2)タンタル以外の一成分の全量、あるいは二種以上
の成分のそれぞれの企及で、かつ全成分の全量でない を念珠する0例えば、ペロプスカイト化合物がタンタル
とタンタル以外の2成分X、Yから構成されている場合
、タンタル以外の成分の部分量としては、 ■Xの部分量 ■Yの部分量 ■Xの部分量およびYの部分量 ■Xの部分量およびYの全量 ■Yの部分量およびXの全量 ■Xの全量 ■Yの全量 の7通りが考えられる。
沈澱形成液作成のための試薬としては、アンモニア、炭
酸アンモニウム、苛性アルカリ、しゆう酸、しゅう酸ア
ンモニウムやアミン、オキシン等の有機試薬が挙げられ
る。
酸アンモニウム、苛性アルカリ、しゆう酸、しゅう酸ア
ンモニウムやアミン、オキシン等の有機試薬が挙げられ
る。
得られた共沈体の仮焼温度は、700〜1300℃であ
る。700℃より低いと凝集が顕著に起り、1300℃
を越えると粒子が粗大化する傾向がある。
る。700℃より低いと凝集が顕著に起り、1300℃
を越えると粒子が粗大化する傾向がある。
また、ペロブスカイト系機能性セラミックスにおいては
、その焼結性や特性を改善するために微量の助剤、例え
ば酸化ホウ素、酸化ビスマス等を添加することもできる
。これらの助剤は第1、第2工程で適当に添加すること
ができる。
、その焼結性や特性を改善するために微量の助剤、例え
ば酸化ホウ素、酸化ビスマス等を添加することもできる
。これらの助剤は第1、第2工程で適当に添加すること
ができる。
第2工程:
第1工程で得られた仮焼粉に、残余のタンタル以外の構
成成分を加えて混合する。混合方法としては、水、アル
コール等の混合溶媒を用いる湿式混合あるいはそれらを
用いない乾式混合のいずれでもよい、添加する成分の化
合物としては、それらの酸化物、炭酸塩、水酸化物等が
用いられる。
成成分を加えて混合する。混合方法としては、水、アル
コール等の混合溶媒を用いる湿式混合あるいはそれらを
用いない乾式混合のいずれでもよい、添加する成分の化
合物としては、それらの酸化物、炭酸塩、水酸化物等が
用いられる。
この場合、それらの化合物粉末の粒度はサブミクロン級
のものを使用する。
のものを使用する。
これらの混合物の仮焼温度は、700〜1500℃の範
囲であり、固相反応がほぼまたは完全に完了する最低温
度以上で、顕著な粒子成長が生じない最高温度範囲内で
あることが必要である。
囲であり、固相反応がほぼまたは完全に完了する最低温
度以上で、顕著な粒子成長が生じない最高温度範囲内で
あることが必要である。
第3工程:
第2工程で得られた仮焼粉末を成型して焼結する。焼結
温度は、一般的に900〜1700℃の範囲である。9
00℃より低いと焼結が不十分であり、1700℃を越
えると粒子が粗大化したり、あるいは構成成分の揮発が
起こる。
温度は、一般的に900〜1700℃の範囲である。9
00℃より低いと焼結が不十分であり、1700℃を越
えると粒子が粗大化したり、あるいは構成成分の揮発が
起こる。
(実施例)
以下に実施例及び比較例により、本発明の詳細な説明す
る。
る。
実施例1
塩化バリウム(BaCJ)2・2H20)の水溶液(1
,7モル/j )20.OOmJIと五塩化タンタル(
Ta CuI2)のエタノール溶液(2,94モル/I
I ’)46.26mJlとを混合した。この混合水溶
液を撹拌している6N−アンモニア水1j中に徐々に添
加してBa2+とTa5+の水酸化物共沈体を得た。
,7モル/j )20.OOmJIと五塩化タンタル(
Ta CuI2)のエタノール溶液(2,94モル/I
I ’)46.26mJlとを混合した。この混合水溶
液を撹拌している6N−アンモニア水1j中に徐々に添
加してBa2+とTa5+の水酸化物共沈体を得た。
これを洗浄、乾燥した後、900℃で仮焼して変成酸化
タンタル粉末を作成した。
タンタル粉末を作成した。
この粉末の平均粒子径は0.21μmであった。
該粉末17.583gと市販のBaCo3粉末14.3
29gおよびMgO微粉末1.284gとをボールミル
で一昼夜混合した後、1100℃で2時間仮焼して Ba(Mg1/3Ta2/3)03粉末を得た。その平
均粒子径は0.25μmであった。該粉末を1t/aJ
で成型したタブレットを空気雰囲気下、1450℃で2
時間焼結した。
29gおよびMgO微粉末1.284gとをボールミル
で一昼夜混合した後、1100℃で2時間仮焼して Ba(Mg1/3Ta2/3)03粉末を得た。その平
均粒子径は0.25μmであった。該粉末を1t/aJ
で成型したタブレットを空気雰囲気下、1450℃で2
時間焼結した。
得られたものの密度は、理論密度の99.3%であった
。また電気特性を測定したところ、比誘電率24.3.
10GHzにおけるQは200001:’あった。
。また電気特性を測定したところ、比誘電率24.3.
10GHzにおけるQは200001:’あった。
比較例1
市販のBaCBaC03lおよびTa205粉末をBa
(”1/3T82/3)03の組成になるように配
合し、ボールミルで一昼夜混合した後、1100℃で2
時間仮焼した。この粉末の平均粒子径は3.7μmであ
った。該粉末をit/cdで成型し、実施例1と同様に
して焼結した。
(”1/3T82/3)03の組成になるように配
合し、ボールミルで一昼夜混合した後、1100℃で2
時間仮焼した。この粉末の平均粒子径は3.7μmであ
った。該粉末をit/cdで成型し、実施例1と同様に
して焼結した。
得られたセラミックスの密度は理論密度の923%であ
り、電気特性を測定したところ、比誘電率23.1.1
0GHzにおけるQは10000であった。
り、電気特性を測定したところ、比誘電率23.1.1
0GHzにおけるQは10000であった。
実施例2
実施例1と同様にして作成した変成タンタル粉末17.
068g、市販のMgo粉末0.374g、zno粉末
1.760 gおよび13aCo3粉末13.895g
をボールミルで一昼夜混合した後、1100℃で2時間
仮焼して 0.7 Ba(Zn1/3Ta2/3) 03 0.3
Ba(Mg1/3Ta2/3) 03の組成粉末を得
た。その平均粒子径は0.26 ノ1mであった。該粉
末をit/−で成型したタブレットを空気雰囲気下、1
450℃で1時間焼結した。
068g、市販のMgo粉末0.374g、zno粉末
1.760 gおよび13aCo3粉末13.895g
をボールミルで一昼夜混合した後、1100℃で2時間
仮焼して 0.7 Ba(Zn1/3Ta2/3) 03 0.3
Ba(Mg1/3Ta2/3) 03の組成粉末を得
た。その平均粒子径は0.26 ノ1mであった。該粉
末をit/−で成型したタブレットを空気雰囲気下、1
450℃で1時間焼結した。
得られたセラミックスの密度は、理論密度の99.4%
であった。また電気特性を測定したところ、比誘電率2
7.8.10GHzにおけるQは15000であうな。
であった。また電気特性を測定したところ、比誘電率2
7.8.10GHzにおけるQは15000であうな。
比較例2
市販のBaCo3、ZnO1’r’a205およびMg
o粉末を 0.7Ba(Zn1/3Ta2/3)03−0.3Ba
(Mg1/3Ta2/3)03の組成になるように配合
し、ボールミルで一昼夜混合した後、1100℃で2時
間仮焼した。得られた粉末の平均粒子径は29μmであ
った。
o粉末を 0.7Ba(Zn1/3Ta2/3)03−0.3Ba
(Mg1/3Ta2/3)03の組成になるように配合
し、ボールミルで一昼夜混合した後、1100℃で2時
間仮焼した。得られた粉末の平均粒子径は29μmであ
った。
この粉末をIt/cjで成型し、空気雰囲気下、145
0℃で1時間焼結した。
0℃で1時間焼結した。
得られたセラミックスの密度は理論密度の94゜3%で
あり、電気特性を測定したところ、比誘電率26.9、
・10GHzにおけるQは11000であった。
あり、電気特性を測定したところ、比誘電率26.9、
・10GHzにおけるQは11000であった。
(発明の効果)
本発明の方法によると、第1工程により得られるペロブ
スカイト化合物の構成成分を一部含む酸化タンタル粉末
(変成酸化タンタル粉末)は、二次粒子の極めて少ない
サブミクロン粒子であり、これを使用することによって
、以後単なる乾式法によって、容易にサブミクロン級の
ペロブスカイト原料粉末が得られ、更にこれを原料とし
て理論密度に極めて近い高密度のセラミックスが得られ
るという優れた効果を得られる。また次の効果も得られ
る。
スカイト化合物の構成成分を一部含む酸化タンタル粉末
(変成酸化タンタル粉末)は、二次粒子の極めて少ない
サブミクロン粒子であり、これを使用することによって
、以後単なる乾式法によって、容易にサブミクロン級の
ペロブスカイト原料粉末が得られ、更にこれを原料とし
て理論密度に極めて近い高密度のセラミックスが得られ
るという優れた効果を得られる。また次の効果も得られ
る。
1)仮焼によって得られる変成酸化タンタル粉末が十分
分散されたものが得られるため、仮焼物の粉砕工程を特
に必要としないで、原料粉末として供給できる。
分散されたものが得られるため、仮焼物の粉砕工程を特
に必要としないで、原料粉末として供給できる。
2)該仮焼変成酸化タンタル粉末から乾式法で得られる
ペロブスカイト粉末も単分散状態で得られ、従って粉砕
工程を除いても十分易焼結性且つ高嵩密度の特性を有す
る。
ペロブスカイト粉末も単分散状態で得られ、従って粉砕
工程を除いても十分易焼結性且つ高嵩密度の特性を有す
る。
3)極めて高密度のものを要求されるペロブスカイト系
機能性セラミックスをホットプレスやHIP(熱間ガス
圧焼結)などの操作を省略して単なる固相焼結によって
、かつ焼結助剤を必ずしも使用しないで、理論密度に極
めて近い高密度のものが得られる。
機能性セラミックスをホットプレスやHIP(熱間ガス
圧焼結)などの操作を省略して単なる固相焼結によって
、かつ焼結助剤を必ずしも使用しないで、理論密度に極
めて近い高密度のものが得られる。
4)優れた粉末特性を有する変成酸化タンタル粉末を大
量生産することによって、数限りない酸化タンタルを含
むペロブスカイト原料粉末及び高性能ペロブスカイト系
機能性セラミックスを極めて安価に供給できる。
量生産することによって、数限りない酸化タンタルを含
むペロブスカイト原料粉末及び高性能ペロブスカイト系
機能性セラミックスを極めて安価に供給できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式A(B_1_/_3Ta_2_/_3)O_3(
ただし、AはBaおよび/またはSrを示し、BはMg
、Zn、Coから選ばれる一種以上を示す。)で表され
るペロブスカイト化合物を構成するタンタル以外の成分
の部分量と、タンタル溶液との混合溶液を形成し、この
混合溶液と沈澱形成液とを混合して共沈体を形成し、乾
燥後700〜1300℃で仮焼する第1工程、 第1工程の仮焼物と、残余のペロブスカイト化合物の構
成成分の化合物を混合して700〜1500℃で仮焼す
る第2工程、 第2工程の仮焼粉末を成型して900〜1700℃で焼
結する第3工程とからなることを特徴とするタンタルを
含むペロブスカイトセラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62120062A JPH0784347B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | タンタルを含むペロブスカイトセラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62120062A JPH0784347B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | タンタルを含むペロブスカイトセラミックスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63285148A true JPS63285148A (ja) | 1988-11-22 |
JPH0784347B2 JPH0784347B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=14776942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62120062A Expired - Lifetime JPH0784347B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | タンタルを含むペロブスカイトセラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0784347B2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP62120062A patent/JPH0784347B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0784347B2 (ja) | 1995-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63156057A (ja) | 高密度ペロブスカイトセラミックスの製造法 | |
JPH0159967B2 (ja) | ||
JPS6153113A (ja) | 湿式法による易焼結性ペロブスカイト及びその固溶体の原料粉末の製造方法 | |
JPH027906B2 (ja) | ||
JPS63285148A (ja) | タンタルを含むペロブスカイトセラミックスの製造方法 | |
JPS63151673A (ja) | ジルコン酸チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 | |
JPS6363511B2 (ja) | ||
JPS63285146A (ja) | ペロブスカイトセラミックスの製造方法 | |
JPS63285151A (ja) | ペロブスカイトセラミックスの製造方法 | |
JPS63285150A (ja) | ネオジウムを含む誘電体セラミックスの製造方法 | |
JPH0818867B2 (ja) | ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法 | |
JPS6259529A (ja) | チタン含有易焼結性ペロブスカイトおよびその固溶体の原料粉末の製造方法 | |
JPS63285147A (ja) | ニオブを含むペロブスカイトセラミックスの製造方法 | |
JPS6325263A (ja) | 高密度bzt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS63265811A (ja) | 易焼結性ペロブスカイト系複合酸化物の原料粉末の製造法 | |
JPH0457615B2 (ja) | ||
JPS62235251A (ja) | 誘電体磁器の製法 | |
JPS63292508A (ja) | 誘電体共振器材料の製造方法 | |
JPS6325265A (ja) | 高密度bznt系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS63285149A (ja) | サマリウムを含む誘電体セラミックスの製造方法 | |
JPS63248774A (ja) | 多成分セラミツクスの製造法 | |
JPH0427166B2 (ja) | ||
JPS6325261A (ja) | 高密度pmn系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS6325264A (ja) | 高密度bzn系強誘電体セラミツクの製造方法 | |
JPS6325262A (ja) | 高密度bbt系強誘電体セラミツクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |